RU2419175C2 - Method of processing substrates in liquid etching agent - Google Patents

Method of processing substrates in liquid etching agent Download PDF

Info

Publication number
RU2419175C2
RU2419175C2 RU2009124736/28A RU2009124736A RU2419175C2 RU 2419175 C2 RU2419175 C2 RU 2419175C2 RU 2009124736/28 A RU2009124736/28 A RU 2009124736/28A RU 2009124736 A RU2009124736 A RU 2009124736A RU 2419175 C2 RU2419175 C2 RU 2419175C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrates
etching agent
carried out
quality
liquid etching
Prior art date
Application number
RU2009124736/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2009124736A (en
Inventor
Тагир Абдурашидович Исмаилов (RU)
Тагир Абдурашидович Исмаилов
Таджидин Экберович Саркаров (RU)
Таджидин Экберович Саркаров
Бийке Алиевна Шангереева (RU)
Бийке Алиевна Шангереева
Айшат Расуловна Шахмаева (RU)
Айшат Расуловна Шахмаева
Original Assignee
Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) filed Critical Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority to RU2009124736/28A priority Critical patent/RU2419175C2/en
Publication of RU2009124736A publication Critical patent/RU2009124736A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2419175C2 publication Critical patent/RU2419175C2/en

Links

Abstract

FIELD: chemistry.
SUBSTANCE: substrates are processed in a liquid etching agent consisting of hydrofluoric acid (HF), ammonium fluoride (NH4F) and deionised water (H2O) with components in ratio of 1:2:5 at room temperature for 4±1 minutes. The processing quality is assessed under a microscope based on presence of flashing points, the number of which was equal to 5.
EFFECT: ensuring quality of the pattern, uniform etching and shorter process.

Description

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем (ИС), в частности к способам обработки подложек для формирования контактных окон.The invention relates to the manufacturing technology of power silicon transistors and integrated circuits (ICs), in particular to methods for processing substrates to form contact windows.

Известны способы обработки, сущность которых состоит в травлении поверхности подложек в различных травителях (азотная кислота, ацетон, метилэтилкетон, серная кислота и т.п.) [1].Known processing methods, the essence of which is to etch the surface of the substrates in various etchants (nitric acid, acetone, methyl ethyl ketone, sulfuric acid, etc.) [1].

Основными недостатками этих способов является неравномерное травление, неровный рельеф рисунка и длительность процесса.The main disadvantages of these methods are uneven etching, uneven relief of the pattern and the duration of the process.

Целью изобретения является обеспечение качества рисунка, равномерное травление и уменьшение длительности процесса.The aim of the invention is to ensure the quality of the pattern, uniform etching and reducing the duration of the process.

Поставленная цель достигается тем, что обработку проводят в травителе фтористоводородной кислоты (HF), фторида аммония (NH4F) и деионизованной воды (H2O) в соотношении 1:2:5 при комнатной температуре в течение 4±1 минут, далее отмывку ведут в двух ваннах с четырехсторонним переливом деионизованной воды при расходе - 400 л/ч, время отмывки - по 5 минут в каждой из ванн. Сушку производят в течение 3 минут. Качество обработки осуществляется под микроскопом на наличие светящихся точек, их составило - 5 штук.This goal is achieved in that the treatment is carried out in an etchant of hydrofluoric acid (HF), ammonium fluoride (NH 4 F) and deionized water (H 2 O) in a ratio of 1: 2: 5 at room temperature for 4 ± 1 minutes, then washing lead in two baths with a four-sided overflow of deionized water at a flow rate of 400 l / h, washing time - 5 minutes in each of the baths. Drying is carried out within 3 minutes. The quality of processing is carried out under a microscope for the presence of luminous dots, they amounted to 5 pieces.

Сущность способа заключается в том, что при жидкостном травлении лучшее качество рисунка обеспечивают буферные травители, так как легче контролировать замедленный процесс травления, например HF:NH4F:H2O=1:2:5:The essence of the method lies in the fact that with liquid etching, the best quality of the pattern is provided by buffer etchants, since it is easier to control the slow etching process, for example, HF: NH 4 F: H 2 O = 1: 2: 5:

SiO2+2HF→SiF4+2H2O;SiO 2 + 2HF → SiF 4 + 2H 2 O;

NH4F→NH4++F-;NH 4 F → NH4 + + F - ;

SiF4+2F-→(SiF6)-2.SiF 4 + 2F - → (SiF6) -2 .

Диссоциирующий в растворе фторид аммония связывает газообразный тетрафторид кремния в устойчивый ион, что предотвращает бурное выделение пузырьков тетрафторида кремния, которые оказывают гидромеханическое воздействие на фоторезистивную маску и способствуют отслаиванию.Ammonium fluoride dissociating in the solution binds gaseous silicon tetrafluoride into a stable ion, which prevents the rapid release of silicon tetrafluoride bubbles, which have a hydromechanical effect on the photoresist mask and promote peeling.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:The invention is confirmed by the following examples:

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки (Лада-1), при комнатной температуре в соотношении компонентов:EXAMPLE 1. The process is carried out on a chemical treatment unit (Lada-1), at room temperature in the ratio of components:

HF:NH4F:H2O=0,5:1:3HF: NH 4 F: H 2 O = 0.5: 1: 3

Длительность процесса равно 6±1.The duration of the process is 6 ± 1.

Качество обработки осуществляется под микроскопом на наличие светящихся точек, их составило - 7 штук.The quality of processing is carried out under a microscope for the presence of luminous dots, they amounted to 7 pieces.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят в соотношении компонентов:EXAMPLE 2. The method is carried out analogously to example 1. The process is carried out in a ratio of components:

HF:NH4F:H2O=1:1,5:4HF: NH 4 F: H 2 O = 1: 1.5: 4

Длительность процесса равно 5±1.The duration of the process is 5 ± 1.

Качество обработки осуществляется под микроскопом на наличие светящихся точек, их составило - 6 штук.The quality of processing is carried out under a microscope for the presence of luminous dots, they amounted to 6 pieces.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:EXAMPLE 3. The method is carried out analogously to example 1. The process is carried out at a ratio of components:

HF:NH4F:H2O=1:2:5HF: NH 4 F: H 2 O = 1: 2: 5

Длительность процесса равно 4±1.The duration of the process is 4 ± 1.

Качество обработки осуществляется под микроскопом на наличие светящихся точек, их составило - 5 штук.The quality of processing is carried out under a microscope for the presence of luminous dots, they amounted to 5 pieces.

Как следует из результатов опытов одним из самых эффективных травителей, является травитель, состоящей из следующих компонентов фтористоводородной кислоты (HF), фторида аммония (NH4F) и деионизованной воды (Н2О) в соотношении 1:2:5.As follows from the results of the experiments, one of the most effective etchants is an etchant consisting of the following components of hydrofluoric acid (HF), ammonium fluoride (NH 4 F) and deionized water (H 2 O) in a ratio of 1: 2: 5.

Таким образом, обработка подложек в жидкостном травителе обеспечивает равномерное травление, улучшение качества рисунка и уменьшение длительности процесса.Thus, the processing of substrates in a liquid etchant provides uniform etching, improving the quality of the pattern and reducing the duration of the process.

Источники информацииInformation sources

1. И.А.Малышева. Технология производства интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1991.1. I.A. Malysheva. Technology for the production of integrated circuits. M .: Radio and communications, 1991.

Claims (1)

Способ обработки подложек в жидкостном травителе, включающий обработку поверхности подложек травителем, в состав которого входят фтористоводородная кислота (HF), фторид аммония (NH4F) и деионизованная вода Н2О, отличающийся тем, что подложки подвергают обработке в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты (HF), фторида аммония (NH4F) и деионизованной воды (Н2О) при соотношении компонентов 1:2:5 и времени, равном 4±1 мин. A method of treating substrates in a liquid etchant, comprising treating the surface of the substrates with an etchant, which includes hydrofluoric acid (HF), ammonium fluoride (NH 4 F) and deionized water H 2 O, characterized in that the substrates are treated in an etchant consisting of hydrogen fluoride acid (HF), ammonium fluoride (NH 4 F) and deionized water (H 2 O) with a component ratio of 1: 2: 5 and a time of 4 ± 1 min.
RU2009124736/28A 2009-06-29 2009-06-29 Method of processing substrates in liquid etching agent RU2419175C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009124736/28A RU2419175C2 (en) 2009-06-29 2009-06-29 Method of processing substrates in liquid etching agent

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009124736/28A RU2419175C2 (en) 2009-06-29 2009-06-29 Method of processing substrates in liquid etching agent

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009124736A RU2009124736A (en) 2011-01-10
RU2419175C2 true RU2419175C2 (en) 2011-05-20

Family

ID=44054141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009124736/28A RU2419175C2 (en) 2009-06-29 2009-06-29 Method of processing substrates in liquid etching agent

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2419175C2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2507219C1 (en) * 2012-10-16 2014-02-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" Photoactivated composition for etching silicon nitride films
RU2586266C2 (en) * 2014-07-04 2016-06-10 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Processing plate surface for fabrication of solar cells
RU2811378C1 (en) * 2023-07-17 2024-01-11 Акционерное общество "НПО "Орион" Etchant composition for opening windows in hybrid dielectric coating

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем. - М.: «Радио и связь», 1991. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2507219C1 (en) * 2012-10-16 2014-02-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" Photoactivated composition for etching silicon nitride films
RU2586266C2 (en) * 2014-07-04 2016-06-10 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Processing plate surface for fabrication of solar cells
RU2811378C1 (en) * 2023-07-17 2024-01-11 Акционерное общество "НПО "Орион" Etchant composition for opening windows in hybrid dielectric coating

Also Published As

Publication number Publication date
RU2009124736A (en) 2011-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100248113B1 (en) Cleaning and etching compositions for electrical display device and substrate
WO2006132989A3 (en) Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
CN101399196B (en) Coarsening processing method for backing side of wafer
RU2419175C2 (en) Method of processing substrates in liquid etching agent
CN102364697B (en) Method for removing micro-damage layer from crystalline silicon surface after RIE (Reactive Ion Etching) flocking
US8795542B2 (en) Removal of silicon nitrides during manufacturing of semiconductor devices
CN104752196A (en) Post-treatment method for removing photoresist and manufacturing method of semiconductor device
US20040266191A1 (en) Process for the wet-chemical surface treatment of a semiconductor wafer
RU2319252C2 (en) Method for cleaning silicon substrate surfaces
JP2011508981A (en) Reduction of watermarks in HF processing of semiconductor substrates
RU2403648C1 (en) Method of detecting epitaxial dislocation defects
RU2534444C2 (en) Method of removing oxide from silicon plate surface
KR0165730B1 (en) Treating method of semiconductor device
CN101246316A (en) Component-recoverable integrated circuit cleaning fluid
KR20130132876A (en) Process for treating a semiconductor wafer
RU2376676C1 (en) Method of processing silicon crystals
JP2012089679A (en) Method of cleaning semiconductor wafer
KR20050028523A (en) Glass etching methode
RU2507630C1 (en) Method of cleaning and obtaining porous surface of semiconductor plates
JP2001102343A (en) Cleaning method of semiconductor wafer
RU2495512C2 (en) Method of cleaning surface of semiconductor plates
JPH07321080A (en) Method for cleaning silicon wafer
CN116581017A (en) Method for cleaning silicon substrate in semiconductor integrated circuit manufacturing field
JP2002075959A (en) Method of performing washing treatment and wet etching treatment of semiconductor substrate at the same time
RU2352020C1 (en) Method of photoresist removal

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20110630