RU2376676C1 - Method of processing silicon crystals - Google Patents

Method of processing silicon crystals Download PDF

Info

Publication number
RU2376676C1
RU2376676C1 RU2008129507/28A RU2008129507A RU2376676C1 RU 2376676 C1 RU2376676 C1 RU 2376676C1 RU 2008129507/28 A RU2008129507/28 A RU 2008129507/28A RU 2008129507 A RU2008129507 A RU 2008129507A RU 2376676 C1 RU2376676 C1 RU 2376676C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
crystals
processing
temperature
minutes
silicon crystals
Prior art date
Application number
RU2008129507/28A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Тагир Абдурашидович Исмаилов (RU)
Тагир Абдурашидович Исмаилов
Айшат Расуловна Шахмаева (RU)
Айшат Расуловна Шахмаева
Бийке Алиевна Шангереева (RU)
Бийке Алиевна Шангереева
Original Assignee
Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) filed Critical Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority to RU2008129507/28A priority Critical patent/RU2376676C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2376676C1 publication Critical patent/RU2376676C1/en

Links

Abstract

FIELD: physics; conductors.
SUBSTANCE: invention relates to the technology of making power silicon transistors, specifically to methods of processing silicon crystals. In the method of processing silicon crystals, the said crystals are processed in an etching agent after high temperature processes, where the etching agent consists of nitric acid HNO3, hydrofluoric acid HF and acetic acid CH3COOH, with components in ratio of 3:2:8, temperature of the solution of 25°C, and duration of processing of 8±2 minutes. At the end, the crystals are washed in deionised water at room temperature for 25±5 minutes. Percentage yield of crystals is 98%.
EFFECT: invention provides for complete removal of different impurities and pollutants, cuts on time and temperature of processing.

Description

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния.The invention relates to the manufacturing technology of power silicon transistors, in particular to methods for processing silicon crystals.

Известны способы обработки кремния: кислотные и щелочные травители, сущность которых состоит в удалении различных примесей и загрязнений [1].Known methods of processing silicon: acid and alkaline etchants, the essence of which is to remove various impurities and impurities [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений, высокие температуры и длительность обработок.The main disadvantage of these methods is the incomplete removal of impurities and various contaminants, high temperatures and the duration of the treatments.

Целью изобретения является полное удаление различных примесей и загрязнений, уменьшение времени и температуры обработок.The aim of the invention is the complete removal of various impurities and contaminants, reducing the time and temperature of the treatments.

Поставленная цель достигается тем, что удаление загрязнений с кремния происходит за счет использования травителя, в состав которого входят азотная кислота -HNO3, фтористоводородная кислота -HF и уксусная кислота -CH3COOH в соотношении компонентовThis goal is achieved in that the removal of contaminants from silicon occurs through the use of an etchant, which includes nitric acid -HNO 3 , hydrofluoric acid -HF and acetic acid -CH 3 COOH in a ratio of components

Figure 00000001
Figure 00000001

Сущность способа заключается в том, что кристаллы кремния подвергаются обработке, в травителе, состоящем из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентов 3:2:8. При травлении происходит растворение исходного материала, основанное на окислении его поверхности и последующем удалении образовавшихся окислов и различных загрязнений. В качестве окислителя используется азотная кислота -HNO3, а замедлителем является уксусная кислота -CH3COOH. Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 8±2 минут. По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.The essence of the method lies in the fact that silicon crystals are processed in an etchant consisting of nitric acid -HNO 3 , hydrofluoric acid -HF and acetic acid -CH 3 COOH in a ratio of 3: 2: 8. During etching, the starting material dissolves based on the oxidation of its surface and the subsequent removal of the formed oxides and various contaminants. Nitric acid -HNO 3 is used as an oxidizing agent, and -CH 3 COOH acetic acid is a moderator. The temperature of the solution is -25 ° C. The processing time is 8 ± 2 minutes. At the end of the treatment, the silicon crystals are washed in deionized water at room temperature and time equal to 25 ± 5 minutes.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.The invention is confirmed by the following examples.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе, состоящем из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентовEXAMPLE 1. The process is carried out in a chemical treatment plant in a solution consisting of nitric acid -HNO 3 , hydrofluoric acid -HF and acetic acid -CH 3 COOH in a ratio of components

Figure 00000002
Figure 00000002

Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 15±5 минут.The temperature of the solution is -25 ° C. The processing time is 15 ± 5 minutes.

По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.At the end of the treatment, the silicon crystals are washed in deionized water at room temperature and time equal to 25 ± 5 minutes.

Процент выхода годных кристаллов составляет 92%.The yield rate of crystals is 92%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе состоящей из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентов:EXAMPLE 2. The method is carried out analogously to example 1. The process is carried out on a chemical treatment unit in a solution consisting of nitric acid -HNO 3 , hydrofluoric acid -HF and acetic acid -CH 3 COOH in a ratio of components:

Figure 00000003
Figure 00000003

Температура раствора -25°С. Длительность обработки составляет 10±5 минут.The temperature of the solution is -25 ° C. The processing time is 10 ± 5 minutes.

По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.At the end of the treatment, the silicon crystals are washed in deionized water at room temperature and time equal to 25 ± 5 minutes.

Процент выхода годных кристаллов составляет 95%.The percent yield of suitable crystals is 95%.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе, состоящем из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентовEXAMPLE 3. The method is carried out analogously to example 1. The process is carried out in a chemical treatment plant in a solution consisting of nitric acid -HNO 3 , hydrofluoric acid -HF and acetic acid -CH 3 COOH in a ratio of components

Figure 00000004
Figure 00000004

Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 8±2 минут.The temperature of the solution is -25 ° C. The processing time is 8 ± 2 minutes.

По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.At the end of the treatment, the silicon crystals are washed in deionized water at room temperature and time equal to 25 ± 5 minutes.

Процент выхода годных кристаллов составляет 98%.The yield rate of crystals is 98%.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает полное удаление различных загрязнений и примесей с кристаллов кремния, уменьшение длительности и температуры обработки.Thus, the proposed method in comparison with the prototype provides a complete removal of various contaminants and impurities from silicon crystals, reducing the duration and temperature of processing.

Claims (1)

Способ обработки кристаллов кремния, включающий обработку кристаллов кремния после высокотемпературных операций в травителе, состоящем из азотной кислоты HNO3, фтористоводородной кислоты HF и уксусной кислоты СН3СООН, отличающийся тем, что в качестве травителя используют травитель, в состав которого входят: азотная кислота (HNO3), фтористоводородная кислота (HF) и уксусная кислота (СН3СООН) в соотношении компонентов 3:2:8, температура раствора -25°С, длительность обработки составляет 8±2 мин, по окончании промывка в деионизованной воде при комнатной температуре и времени равной 25±5 мин, процент выхода годных кристаллов составляет 98%. A method of processing silicon crystals, including the processing of silicon crystals after high temperature operations in an etchant consisting of nitric acid HNO 3 , hydrofluoric acid HF and acetic acid CH 3 COOH, characterized in that an etchant is used as an etchant, which includes: nitric acid ( HNO 3) and hydrofluoric acid (HF) and acetic acid (CH3 COOH) in the component ratio of 3: 2: 8, the solution temperature is -25 ° C, the treatment period is 8 ± 2 minutes, after rinsing in deionized water at a com atnoy time and temperature of 25 ± 5 min, the percentage yield of crystals is 98%.
RU2008129507/28A 2008-07-17 2008-07-17 Method of processing silicon crystals RU2376676C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008129507/28A RU2376676C1 (en) 2008-07-17 2008-07-17 Method of processing silicon crystals

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008129507/28A RU2376676C1 (en) 2008-07-17 2008-07-17 Method of processing silicon crystals

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2376676C1 true RU2376676C1 (en) 2009-12-20

Family

ID=41625802

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008129507/28A RU2376676C1 (en) 2008-07-17 2008-07-17 Method of processing silicon crystals

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2376676C1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2534444C2 (en) * 2013-03-05 2014-11-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Method of removing oxide from silicon plate surface
CN106024675A (en) * 2016-05-13 2016-10-12 江苏佑风微电子有限公司 Semiconductor silicon wafer corrosive liquid and corrosion method thereof
RU2786369C2 (en) * 2020-12-17 2022-12-20 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" METHOD FOR TREATMENT BEFORE SPRAYING OF TITANIUM-GERMANIUM (Ti-Ge)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: Высшая школа, 1980. 81-96 с. *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2534444C2 (en) * 2013-03-05 2014-11-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Method of removing oxide from silicon plate surface
CN106024675A (en) * 2016-05-13 2016-10-12 江苏佑风微电子有限公司 Semiconductor silicon wafer corrosive liquid and corrosion method thereof
RU2801320C2 (en) * 2018-10-24 2023-08-07 Наносайзд Свиден Аб Method and unit for semiconductor manufacture
RU2786369C2 (en) * 2020-12-17 2022-12-20 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" METHOD FOR TREATMENT BEFORE SPRAYING OF TITANIUM-GERMANIUM (Ti-Ge)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010068753A3 (en) Immersive oxidation and etching process for cleaning silicon electrodes
EP1628336A3 (en) Cleaning liquid and cleaning method
WO2012150627A1 (en) Method for cleaning silicon substrate, and method for producing solar cell
JP2011066392A5 (en) Method of manufacturing SOI substrate
JP2016063226A5 (en)
WO2012045216A1 (en) Washing method for surface damaged layer of reactive ion etching texturing of crystalline silicon
RU2376676C1 (en) Method of processing silicon crystals
CN101399196A (en) Coarsening processing method for backing side of wafer
JP2011071493A5 (en) Semiconductor substrate reclamation method
JP2006319171A (en) Composition for etching
CN103014875A (en) Method for treating synthetic sapphire wafer
WO2012001874A1 (en) Method for cleaning semiconductor wafer for solar cell substrate
TWI615896B (en) 矽 Wafer manufacturing method
JP4857738B2 (en) Semiconductor wafer cleaning method and manufacturing method
TW200833824A (en) Solution for removing residue after semiconductor dry process and method of removing the residue using the same
JP5432180B2 (en) Reduction of watermarks in HF processing of semiconductor substrates
CN103382578A (en) Method for treating monocrystalline silicon wafer surface
RU2534444C2 (en) Method of removing oxide from silicon plate surface
RU2524137C1 (en) Semiconductor chemical etching method
RU2403648C1 (en) Method of detecting epitaxial dislocation defects
JP2005019999A (en) Wet chemical surface treatment method of semiconductor wafer
JP3405371B2 (en) Ozone cleaning method for semiconductor substrate
CN102962224B (en) Method for cleaning parent polycrystalline carbon head material
CN102758204A (en) Method for removing nickel from surface of superconducting cable
RU2377690C1 (en) Solution for treating carbide-silicon pipes

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20100718