RU2376676C1 - Method of processing silicon crystals - Google Patents
Method of processing silicon crystals Download PDFInfo
- Publication number
- RU2376676C1 RU2376676C1 RU2008129507/28A RU2008129507A RU2376676C1 RU 2376676 C1 RU2376676 C1 RU 2376676C1 RU 2008129507/28 A RU2008129507/28 A RU 2008129507/28A RU 2008129507 A RU2008129507 A RU 2008129507A RU 2376676 C1 RU2376676 C1 RU 2376676C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystals
- processing
- temperature
- minutes
- silicon crystals
- Prior art date
Links
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния.The invention relates to the manufacturing technology of power silicon transistors, in particular to methods for processing silicon crystals.
Известны способы обработки кремния: кислотные и щелочные травители, сущность которых состоит в удалении различных примесей и загрязнений [1].Known methods of processing silicon: acid and alkaline etchants, the essence of which is to remove various impurities and impurities [1].
Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений, высокие температуры и длительность обработок.The main disadvantage of these methods is the incomplete removal of impurities and various contaminants, high temperatures and the duration of the treatments.
Целью изобретения является полное удаление различных примесей и загрязнений, уменьшение времени и температуры обработок.The aim of the invention is the complete removal of various impurities and contaminants, reducing the time and temperature of the treatments.
Поставленная цель достигается тем, что удаление загрязнений с кремния происходит за счет использования травителя, в состав которого входят азотная кислота -HNO3, фтористоводородная кислота -HF и уксусная кислота -CH3COOH в соотношении компонентовThis goal is achieved in that the removal of contaminants from silicon occurs through the use of an etchant, which includes nitric acid -HNO 3 , hydrofluoric acid -HF and acetic acid -CH 3 COOH in a ratio of components
Сущность способа заключается в том, что кристаллы кремния подвергаются обработке, в травителе, состоящем из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентов 3:2:8. При травлении происходит растворение исходного материала, основанное на окислении его поверхности и последующем удалении образовавшихся окислов и различных загрязнений. В качестве окислителя используется азотная кислота -HNO3, а замедлителем является уксусная кислота -CH3COOH. Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 8±2 минут. По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.The essence of the method lies in the fact that silicon crystals are processed in an etchant consisting of nitric acid -HNO 3 , hydrofluoric acid -HF and acetic acid -CH 3 COOH in a ratio of 3: 2: 8. During etching, the starting material dissolves based on the oxidation of its surface and the subsequent removal of the formed oxides and various contaminants. Nitric acid -HNO 3 is used as an oxidizing agent, and -CH 3 COOH acetic acid is a moderator. The temperature of the solution is -25 ° C. The processing time is 8 ± 2 minutes. At the end of the treatment, the silicon crystals are washed in deionized water at room temperature and time equal to 25 ± 5 minutes.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.The invention is confirmed by the following examples.
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе, состоящем из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентовEXAMPLE 1. The process is carried out in a chemical treatment plant in a solution consisting of nitric acid -HNO 3 , hydrofluoric acid -HF and acetic acid -CH 3 COOH in a ratio of components
Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 15±5 минут.The temperature of the solution is -25 ° C. The processing time is 15 ± 5 minutes.
По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.At the end of the treatment, the silicon crystals are washed in deionized water at room temperature and time equal to 25 ± 5 minutes.
Процент выхода годных кристаллов составляет 92%.The yield rate of crystals is 92%.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе состоящей из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентов:EXAMPLE 2. The method is carried out analogously to example 1. The process is carried out on a chemical treatment unit in a solution consisting of nitric acid -HNO 3 , hydrofluoric acid -HF and acetic acid -CH 3 COOH in a ratio of components:
Температура раствора -25°С. Длительность обработки составляет 10±5 минут.The temperature of the solution is -25 ° C. The processing time is 10 ± 5 minutes.
По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.At the end of the treatment, the silicon crystals are washed in deionized water at room temperature and time equal to 25 ± 5 minutes.
Процент выхода годных кристаллов составляет 95%.The percent yield of suitable crystals is 95%.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе, состоящем из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентовEXAMPLE 3. The method is carried out analogously to example 1. The process is carried out in a chemical treatment plant in a solution consisting of nitric acid -HNO 3 , hydrofluoric acid -HF and acetic acid -CH 3 COOH in a ratio of components
Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 8±2 минут.The temperature of the solution is -25 ° C. The processing time is 8 ± 2 minutes.
По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.At the end of the treatment, the silicon crystals are washed in deionized water at room temperature and time equal to 25 ± 5 minutes.
Процент выхода годных кристаллов составляет 98%.The yield rate of crystals is 98%.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает полное удаление различных загрязнений и примесей с кристаллов кремния, уменьшение длительности и температуры обработки.Thus, the proposed method in comparison with the prototype provides a complete removal of various contaminants and impurities from silicon crystals, reducing the duration and temperature of processing.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2008129507/28A RU2376676C1 (en) | 2008-07-17 | 2008-07-17 | Method of processing silicon crystals |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2008129507/28A RU2376676C1 (en) | 2008-07-17 | 2008-07-17 | Method of processing silicon crystals |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2376676C1 true RU2376676C1 (en) | 2009-12-20 |
Family
ID=41625802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2008129507/28A RU2376676C1 (en) | 2008-07-17 | 2008-07-17 | Method of processing silicon crystals |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2376676C1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2534444C2 (en) * | 2013-03-05 | 2014-11-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Method of removing oxide from silicon plate surface |
CN106024675A (en) * | 2016-05-13 | 2016-10-12 | 江苏佑风微电子有限公司 | Semiconductor silicon wafer corrosive liquid and corrosion method thereof |
RU2786369C2 (en) * | 2020-12-17 | 2022-12-20 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" | METHOD FOR TREATMENT BEFORE SPRAYING OF TITANIUM-GERMANIUM (Ti-Ge) |
-
2008
- 2008-07-17 RU RU2008129507/28A patent/RU2376676C1/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: Высшая школа, 1980. 81-96 с. * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2534444C2 (en) * | 2013-03-05 | 2014-11-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Method of removing oxide from silicon plate surface |
CN106024675A (en) * | 2016-05-13 | 2016-10-12 | 江苏佑风微电子有限公司 | Semiconductor silicon wafer corrosive liquid and corrosion method thereof |
RU2801320C2 (en) * | 2018-10-24 | 2023-08-07 | Наносайзд Свиден Аб | Method and unit for semiconductor manufacture |
RU2786369C2 (en) * | 2020-12-17 | 2022-12-20 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" | METHOD FOR TREATMENT BEFORE SPRAYING OF TITANIUM-GERMANIUM (Ti-Ge) |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2010068753A3 (en) | Immersive oxidation and etching process for cleaning silicon electrodes | |
EP1628336A3 (en) | Cleaning liquid and cleaning method | |
WO2012150627A1 (en) | Method for cleaning silicon substrate, and method for producing solar cell | |
JP2011066392A5 (en) | Method of manufacturing SOI substrate | |
JP2016063226A5 (en) | ||
WO2012045216A1 (en) | Washing method for surface damaged layer of reactive ion etching texturing of crystalline silicon | |
RU2376676C1 (en) | Method of processing silicon crystals | |
CN101399196A (en) | Coarsening processing method for backing side of wafer | |
JP2011071493A5 (en) | Semiconductor substrate reclamation method | |
JP2006319171A (en) | Composition for etching | |
CN103014875A (en) | Method for treating synthetic sapphire wafer | |
WO2012001874A1 (en) | Method for cleaning semiconductor wafer for solar cell substrate | |
TWI615896B (en) | 矽 Wafer manufacturing method | |
JP4857738B2 (en) | Semiconductor wafer cleaning method and manufacturing method | |
TW200833824A (en) | Solution for removing residue after semiconductor dry process and method of removing the residue using the same | |
JP5432180B2 (en) | Reduction of watermarks in HF processing of semiconductor substrates | |
CN103382578A (en) | Method for treating monocrystalline silicon wafer surface | |
RU2534444C2 (en) | Method of removing oxide from silicon plate surface | |
RU2524137C1 (en) | Semiconductor chemical etching method | |
RU2403648C1 (en) | Method of detecting epitaxial dislocation defects | |
JP2005019999A (en) | Wet chemical surface treatment method of semiconductor wafer | |
JP3405371B2 (en) | Ozone cleaning method for semiconductor substrate | |
CN102962224B (en) | Method for cleaning parent polycrystalline carbon head material | |
CN102758204A (en) | Method for removing nickel from surface of superconducting cable | |
RU2377690C1 (en) | Solution for treating carbide-silicon pipes |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20100718 |