RU2801320C2 - Method and unit for semiconductor manufacture - Google Patents
Method and unit for semiconductor manufacture Download PDFInfo
- Publication number
- RU2801320C2 RU2801320C2 RU2021114438A RU2021114438A RU2801320C2 RU 2801320 C2 RU2801320 C2 RU 2801320C2 RU 2021114438 A RU2021114438 A RU 2021114438A RU 2021114438 A RU2021114438 A RU 2021114438A RU 2801320 C2 RU2801320 C2 RU 2801320C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ultrapure water
- water
- unit
- supply
- semiconductor
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Область техники, к которой относится изобретениеThe field of technology to which the invention belongs
Настоящее изобретение относится, в общем, к производству полупроводников и, в частности, к промывочным процедурам в процессе производства полупроводников.The present invention relates generally to the production of semiconductors, and in particular to flushing procedures in a semiconductor manufacturing process.
Уровень техникиState of the art
Качество полупроводниковых изделий в значительной степени зависит от чистоты в процессе производства. В настоящее время производство полупроводниковых пластин обычно осуществляется на производственной линии, по меньшей мере частично находящейся в пределах чистой зоны. Важность условий чистоты в процессе производства повышается по мере уменьшения ширины линий компонентов производимых полупроводниковых изделий.The quality of semiconductor products is highly dependent on the purity of the manufacturing process. Currently, the production of semiconductor wafers is usually carried out on a production line located at least partially within a clean zone. The importance of cleanliness conditions in the manufacturing process increases as the line width of the components of the semiconductor products being produced decreases.
В производстве электронных компонентов на сегодняшний день общей тенденцией является изготовление электронных схем со всё меньшей шириной линий. В настоящее время некоторые производители электроники предлагают доступные на рынке наночипы с шириной линий около 400 нм. Однако в исследовательских проектах рассматриваются даже меньшие значения ширины линий, вплоть до 10 или даже 5 нм. Таким образом, среди многих пользователей малых электронных схем имеется спрос на чипы с шириной линий до 10 или 5 нм, которые были бы доступными в качестве коммерческих продуктов.In the production of electronic components today, the general trend is the production of electronic circuits with ever smaller line widths. Currently, some electronics manufacturers offer commercially available nanochips with linewidths around 400 nm. However, even smaller linewidths, down to 10 or even 5 nm, are considered in research projects. Thus, among many users of small electronic circuits, there is a demand for chips with linewidths up to 10 or 5 nm, which would be available as commercial products.
Однако между результатами исследований и доступным коммерческим продуктом всегда существует значительный разрыв. Процедуры, используемые при исследованиях и разработках, не всегда являются пригодными для непосредственной реализации в крупномасштабном производстве.However, there is always a significant gap between research results and an available commercial product. The procedures used in research and development are not always suitable for direct implementation in large-scale production.
Производственная линия может содержать 50 или даже до 100 технологических этапов. Частицы, соприкасающиеся с чипом в процессе производства, представляют собой один из ограничивающих факторов для производства электроники с малой шириной линий. Для этого вся производственная линия обычно содержится в ультрачистых условиях с уменьшением контакта с человеком, насколько это возможно. Между определёнными технологическими этапами необходима очистка чипа, например для удаления излишков химических веществ с предыдущего технологического этапа или частиц.A production line may contain 50 or even up to 100 process steps. The particles that come into contact with the chip during the manufacturing process are one of the limiting factors for the production of electronics with small line widths. To do this, the entire production line is usually kept in ultra-clean conditions with reduced human contact as much as possible. Chip cleaning is necessary between certain process steps, for example to remove excess chemicals from a previous process step or particles.
Обычно блок производства ультрачистой воды (UPW) производит ультрачистую воду и хранит её в резервуаре. На каждом этапе очистки допускается промывка чипа этой UPW для удаления химических веществ и частиц.Typically, the ultrapure water production unit (UPW) produces ultrapure water and stores it in a tank. At each stage of cleaning, it is allowed to flush the chip with this UPW to remove chemicals and particles.
В публикации патента США US 6,461,519 B1 раскрыт процесс производства ультрачистой воды, предназначенной для производства полупроводников. На первом этапе обработки необработанную воду, например водопроводную воду или воду из источника, предварительно обрабатывают для достижения определённого уровня чистоты. Этап окончательной обработки является децентрализованным, причём соответствующий блок окончательной очистки предусмотрен в служебной зоне в непосредственной близости от чистой зоны каждого производственного блока. Это отделение окончательной очистки обеспечивает возможность использования недорогих трубопроводов от блока первичной обработки до соответствующих блоков окончательной обработки. На малом расстоянии между каждым блоком окончательной обработки и соответствующим производственным блоком используются высококачественные трубопроводы, в меньшей степени вносящие вклад в загрязнение.US Patent Publication US 6,461,519 B1 discloses a process for producing ultrapure water for semiconductor manufacturing. In the first stage of treatment, raw water, such as tap water or spring water, is pre-treated to achieve a certain level of purity. The final processing step is decentralized, with a corresponding final cleaning unit provided in the service area in close proximity to the clean area of each production unit. This final cleaning section allows low cost piping from the primary processing unit to the respective finishing units. The short distance between each finishing unit and the corresponding production unit uses high quality piping that contributes less to pollution.
Такие подходы обеспечивают дополнительное повышение чистоты промывочной воды. Однако сохранение малозагрязняющих подающих трубопроводов всё же вносит вклад в загрязнение, и любое хранение ультрачистой воды в резервуарах и/или трубопроводах в ожидании следующего этапа промывки всё же приводит к повышенному загрязнению.Such approaches provide an additional increase in the purity of the wash water. However, maintaining low-polluting feed lines still contributes to contamination, and any storage of ultrapure water in tanks and/or lines while waiting for the next flushing step still results in increased contamination.
Раскрытие изобретенияDisclosure of invention
Общая задача состоит в создании способов и устройств для повышения чистоты ультрачистой воды для производства полупроводников.The overall goal is to provide methods and devices for improving the purity of ultrapure water for semiconductor production.
Вышеупомянутая задача решается способами и устройствами в соответствии с независимыми пунктами формулы. Предпочтительные варианты выполнения определены в зависимых пунктах формулы.The above problem is solved by methods and devices in accordance with the independent claims. Preferred embodiments are defined in the dependent claims.
Одно преимущество предлагаемой технологии состоит в том, что повышается чистота ультрачистой воды, подаваемой на этап промывки в линии производства полупроводников. Другие преимущества будут понятны при прочтении подробного описания.One advantage of the proposed technology is that it increases the purity of the ultrapure water supplied to the washing step in a semiconductor production line. Other advantages will become clear upon reading the detailed description.
Краткое описание чертежейBrief description of the drawings
Изобретение вместе с его дополнительными задачами и преимуществами может быть наилучшим образом понятно при обращении к нижеследующему описанию, рассматриваемому вместе с сопровождающими чертежами, на которых:The invention, together with its additional objects and advantages, may be best understood by reference to the following description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which:
Фиг. 1 схематично иллюстрирует вариант выполнения системы производства полупроводников;Fig. 1 schematically illustrates an embodiment of a semiconductor manufacturing system;
Фиг. 2 иллюстрирует вариант выполнения участка производства полупроводников;Fig. 2 illustrates an embodiment of a semiconductor manufacturing site;
Фиг. 3 иллюстрирует блок-схему этапов варианта выполнения способа подачи промывочной воды; иFig. 3 illustrates a block diagram of the steps of an embodiment of the wash water supply method; And
Фиг. 4 иллюстрирует схематичный чертёж варианта выполнения установки для подачи промывочной воды.Fig. 4 illustrates a schematic drawing of an embodiment of an installation for supplying wash water.
Осуществление изобретенияImplementation of the invention
На всех чертежах для аналогичных или соответствующих элементов используются одинаковые ссылочные позиции.Throughout the drawings, like or corresponding elements use the same reference numerals.
Ультрачистая вода имеет интересные свойства, которые могут быть использованы для целей очистки. Вследствие малого количества растворённых веществ, значительно ниже уровней их содержания в питьевой воде, ультрачистая вода имеет сильную аффинность почти с любыми веществами. Использование ультрачистой воды в качестве промывочной жидкости в линии производства полупроводников, таким образом, является в высокой степени полезным и по существу известно на протяжении многих лет. Отсутствие частиц также приобретает важность при производстве наночипов, поскольку остатки частиц из промывочной жидкости могут нарушать геометрические структуры, получаемые в процессе производства.Ultrapure water has interesting properties that can be used for purification purposes. Due to the small amount of dissolved substances, well below their levels in drinking water, ultrapure water has a strong affinity for almost any substance. The use of ultrapure water as a flushing liquid in a semiconductor production line is thus highly beneficial and has been known per se for many years. The absence of particles also becomes important in the production of nanochips, since the remains of particles from the washing liquid can disrupt the geometric structures obtained during the production process.
Вследствие высокой аффинности к загрязнению, ультрачистая вода также растворяет вещества при хранении и транспортировке. Для минимизации времени хранения и расстояний транспортировки между блоком производства ультрачистой воды и этапами промывки в линии производства полупроводников предпринимаются значительные усилия. Используются трубопроводы и резервуары для хранения, покрытые материалом, который в некоторой степени выдерживает воздействие ультрачистой воды. Однако такие материалы являются дорогостоящими и не полностью исключают загрязнение. При достижении ширины линий производимых чипов в несколько нанометров, качество воды, используемой для промывки между различными этапами производства, представляет ещё более сложную проблему.Due to its high affinity for contamination, ultrapure water also dissolves substances during storage and transport. Considerable efforts are made to minimize storage time and transport distances between the ultrapure water production unit and the rinsing steps in a semiconductor production line. Pipelines and storage tanks are used, lined with a material that withstands ultrapure water to some extent. However, such materials are expensive and do not completely eliminate contamination. When the line widths of manufactured chips reach several nanometers, the quality of the water used for rinsing between different stages of production presents an even more difficult problem.
Растворение веществ в ультрачистой воде не только зависит от окружающего её материала, но также зависит от времени контакта, т.е. продолжительности времени, в течение которого ультрачистая вода может действовать для растворения веществ. Таким образом, все виды резервуаров для хранения являются нежелательными. Кроме того, длинные трубопроводы для транспортировки также увеличивают время экспозиции ультрачистой воде.The dissolution of substances in ultrapure water not only depends on the surrounding material, but also depends on the contact time, i.e. the length of time ultrapure water can act to dissolve substances. Thus, all kinds of storage tanks are undesirable. In addition, long transport pipelines also increase the exposure time to ultrapure water.
Таким образом, технология, представленная в настоящем документе, направлена на сокращение времени, в течение которого ультрачистая вода контактирует с элементами, отличными от объектов, подлежащих очистке.Thus, the technology presented herein aims to reduce the time that ultrapure water is in contact with elements other than the objects to be treated.
Фиг. 1 схематично иллюстрирует вариант выполнения системы 1 производства полупроводников, имеющей линию участков 10 производства полупроводников, содержащуюся в чистой зоне 20. Линия содержит по меньшей мере один участок 10 производства полупроводников, но обычно содержит множество, например 50-100 участков. Служебная зона 25 расположена вдоль чистой зоны и соединена с ней для обеспечения необходимых служб, которые не могут быть размещены в чистой зоне или по меньшей мере являются там ненужными.Fig. 1 schematically illustrates an embodiment of a
По меньшей мере один из участков 10 производства полупроводников, и обычно множество участков, содержит систему 30 промывки полупроводников, имеющую устройство 40 промывки полупроводников и установку 50 для подачи промывочной воды. Устройство 40 промывки полупроводников промывает полупроводниковые элементы путём погружения, взбалтывания или центрифугирования или их сочетания, и управляется вручную или автоматически. В установку 50 для подачи промывочной воды подаётся вода из служебной зоны 25 посредством трубопровода 51 подачи воды. Вода, подаваемая посредством трубопровода 51 подачи воды, является чистой, но не ультрачистой, и обычно представляет собой обычную водопроводную воду.At least one of the
В системах из уровня техники производство ультрачистой воды обычно, напротив, предусматривается в служебной зоне, и затем ультрачистая вода транспортируется в чистую зону посредством подающих трубопроводов.In prior art systems, on the other hand, the production of ultrapure water is usually provided in the service area, and then the ultrapure water is transported to the clean area by means of supply pipelines.
За счёт размещения установки 50 для подачи промывочной воды в чистой зоне 20 подающий трубопровод 52, соединяющий установку 50 для подачи промывочной воды с устройством 40 промывки полупроводников, может быть выполнен очень коротким. Сегодняшний уровень развития установок для подачи промывочной воды обеспечивает возможность работы в чистой зоне. При производстве ультрачистой воды в объёме, окружающем производственный блок, рассеивается определённое количество тепла. Для больших производственных блоков, таких как используемые в настоящее время в служебной зоне, количество выделяемого тепла может вызвать проблемы, если большие производственные блоки перенести в чистую зону. Однако для небольших локальных блоков производства ультрачистой воды, распределённых вдоль всей производственной линии, выделение тепла обычно является приемлемым даже без определённых охладительных установок.By locating the flush
Система 1 производства полупроводников, конечно, содержит множество других функциональных элементов, как в чистой зоне 20, так и в служебной зоне 25. Однако такие функциональные элементы сами по себе хорошо известны в уровне техники и не имеют существенного значения для технологии, представленной в данном документе, и поэтому они не рассматриваются в настоящем описании.The
Фиг. 2 более подробно иллюстрирует вариант выполнения участка 10 производства полупроводников. Участок 10 производства полупроводников содержит технологический блок 11, выполненный с возможностью выполнения этапа процесса в процессе производства полупроводников. Полупроводниковые элементы вводятся в технологический блок 11 через входное отверстие 12 либо в виде необработанного материала, либо с предыдущего этапа. Полупроводниковые элементы обрабатываются в технологическом блоке 11 в соответствии с процессами, которые сами по себе известны из уровня техники. Когда процесс завершён и обработанные полупроводниковые элементы подлежат промывке, полупроводниковые элементы переносятся в устройство 40 промывки полупроводников системы 30 промывки полупроводников посредством соединения 13.Fig. 2 illustrates an embodiment of a
В качестве альтернативы, технологический блок 11 и устройство 40 промывки полупроводников могут быть объединены в один общий блок.Alternatively, the
Процесс промывки в устройстве 40 промывки полупроводников требует некоторого количества ультрачистой воды. Это количество обычно определяется в связи с монтажом трубопровода, например посредством контроля уровня расхода в зависимости от количества ультрачистой воды. Такое определённое требуемое количество ультрачистой воды также может позднее обновляться в различных ситуациях в ходе производственных процессов.The washing process in the
Когда обрабатываемые полупроводниковые элементы готовы к промывке, в установку 50 для подачи промывочной воды направляется запрос на подачу ультрачистой воды в устройство 40 промывки полупроводников в заданном количестве, соответствующем потребностям устройства 40 промывки полупроводников. Данная операция подачи будет более подробно дополнительно рассмотрена ниже.When the semiconductor elements to be processed are ready for washing, a request is sent to the washing
Когда процесс промывки закончен, промытые полупроводниковые элементы выводятся через выходное отверстие 14 на следующий участок 10 производства полупроводников или в качестве законченного изделия.When the washing process is completed, the washed semiconductor elements are discharged through the
Фиг. 3 иллюстрирует блок-схему этапов варианта выполнения способа подачи промывочной воды. На этапе S2 установка для подачи промывочной воды принимает запрос на подачу заданного количества ультрачистой воды. На этапе S4 производится заданное количество ультрачистой воды. Таким образом, данное производство выполняется только по запросу. На этапе S6 в прямом соединении с упомянутым производством заданное количество ультрачистой воды подаётся в устройство промывки полупроводников через подающий трубопровод. При выполнении подачи в подающем трубопроводе обычно остаётся некоторое остаточное количество ультрачистой воды. Если этой ультрачистой воде позволяют оставаться в подающем трубопроводе в течение интервала до следующего события подачи, ультрачистая вода может быть в значительной степени загрязнена. Поэтому на этапе S8 подающий трубопровод очищается от воды. Эта очистка выполняется посредством инертного газа после, и предпочтительно сразу после подачи заданного количества ультрачистой воды по подающему трубопроводу. Таким образом, в системе подачи не остаётся ультрачистая вода.Fig. 3 illustrates a block diagram of the steps of an embodiment of the wash water supply method. In step S2, the wash water supply unit receives a request to supply a predetermined amount of ultrapure water. In step S4, a predetermined amount of ultrapure water is produced. Thus, this production is carried out only on request. In step S6, in direct connection with said production, a predetermined amount of ultrapure water is supplied to the semiconductor washing device through the supply pipeline. There is usually some residual ultrapure water left in the supply line when the supply is being made. If this ultrapure water is allowed to remain in the supply line for an interval until the next supply event, the ultrapure water can be heavily contaminated. Therefore, in step S8, the supply line is purged of water. This purification is carried out by means of an inert gas after, and preferably immediately after, the supply of a predetermined amount of ultrapure water through the supply line. Thus, no ultrapure water remains in the supply system.
Фиг. 4 иллюстрирует схематичный чертёж варианта выполнения установки 50 для подачи промывочной воды. Трубопровод 51 подачи воды соединён с блоком 54 производства ультрачистой воды. Нагнетательная установка 55 для ультрачистой воды выполнена с возможностью подачи ультрачистой воды из блока 54 производства ультрачистой воды по подающему трубопроводу 52. Первый конец подающего трубопровода 52 соединён с нагнетательной установкой 55 для ультрачистой воды, а второй конец соединён с устройством для промывки полупроводников. Нагнетательная установка 55 для ультрачистой воды имеет доступ к источнику инертного газа, указанному газовым трубопроводом 56, соединённым с источником, расположенным, например, в служебной зоне. В качестве альтернативы, может быть предусмотрен газовый резервуар 57.Fig. 4 illustrates a schematic drawing of an embodiment of an
В одном варианте выполнения блок 54 производства ультрачистой воды производит ультрачистую воду по запросу, как будет более подробно описано ниже. Ультрачистая вода подаётся во множество ёмкостей 60. Предпочтительно ёмкости 60 заполняются последовательно, обеспечивая, таким образом, процедуру высвобождения со смещением фазы, как будет более подробно описано ниже. Когда ультрачистую воду из ёмкости 60 необходимо высвободить в подающий трубопровод 52, между газовым трубопроводом 56, содержащим сжатый инертный газ, и первым концом ёмкости 60, которую необходимо высвободить, устанавливается газовое соединение 59. Таким образом, сжатый инертный газ выталкивает содержимое ёмкости 60 через второй конец в подающий трубопровод 52 для дальнейшего переноса в промывочное устройство. Инертный газ при стандартном давлении в 30 фунтов на квадратный дюйм (psi) обычно уже предусмотрен на большинстве объектов с чистой зоной и может с достижением преимущества также использоваться для таких целей. Нагнетательная установка 55 для ультрачистой воды выполнена с обеспечением возможности высвобождения одной ёмкости 60 за один раз во время фазы подачи воды. Это также может быть обеспечено либо подвижным газовым соединением 59, как показано на чертеже, или неподвижными газовыми соединениями с индивидуально управляемыми клапанами.In one embodiment, ultrapure
Другими словами, блок 54 производства ультрачистой воды содержит множество ёмкостей 60, в которые вводится производимая ультрачистая вода, и из которых производимая ультрачистая вода подаётся в подающий трубопровод 52.In other words, the ultrapure
В других вариантах выполнения всего одна ёмкость может использоваться для приёма свежепроизведённой ультрачистой воды, подлежащей подаче в подающий трубопровод.In other embodiments, only one container can be used to receive freshly produced ultrapure water to be fed into the supply pipeline.
Также в других вариантах выполнения нагнетание при подаче ультрачистой воды через подающий трубопровод может обеспечиваться другими средствами, например путём прокачки.Also, in other embodiments, pumping when supplying ultrapure water through the supply pipeline can be provided by other means, for example, by pumping.
Нагнетательная установка 55 для ультрачистой воды выполнена с возможностью очистки подающего трубопровода 52 от воды инертным газом после подачи заданного количества ультрачистой воды через упомянутый подающий трубопровод 52. Если для контакта с ультрачистой водой используются дополнительные объёмы или трубы, такие как, например, ёмкости 60 по Фиг. 4, они также очищаются после использования. Для этой цели используется инертный газ для выдувания оставшейся ультрачистой воды из подающего трубопровода 52 и по меньшей мере частичного осушения внутренних поверхностей подающего трубопровода 52. Это гарантирует отсутствие воды, находящейся в течение более долгого времени в подающем трубопроводе 52 (или ёмкости, если она имеется), что, в свою очередь, гарантирует отсутствие загрязняющих частиц или загрязняющего материала, растворённого на внутренней поверхности подающего трубопровода 52.The ultrapure
Установка 50 для подачи промывочной воды дополнительно содержит блок 53 управления работой, управляющий работой блока 54 производства ультрачистой воды. Блок 53 управления работой выполнен с возможностью приёма запроса на ультрачистую воду. Количество ультрачистой воды, которую необходимо произвести, либо является заранее установленным, либо прикреплено к запросу. Таким образом, блок 53 управления работой предпочтительно выполнен с обеспечением возможности установки заданного количества ультрачистой воды. Блок 53 управления работой выполнен с возможностью управления блоком производства ультрачистой воды в ответ на запрос для производства заданного количества ультрачистой воды.The wash
Предпочтительно запрос на ультрачистую воду также сопровождается временем подачи, в которое необходимо подать ультрачистую воду. Блок 53 управления работой предпочтительно определяет время начала производства, которое подходит для обеспечения того, что запрашиваемое количество свежепроизведённой ультрачистой воды обеспечивается в запрошенное время. Это время производства должно быть запланировано, чтобы гарантировать, что имеется ультрачистая вода, когда необходимо начать промывку, таким образом, чтобы в производственной линии не возникали задержки. Однако в то же время необходимо планировать производственную линию, чтобы гарантировать, что среднее время между производством и потреблением остаётся насколько возможно коротким, т.е. что последние производимые капли ультрачистой воды производятся непосредственно перед их подачей в подающий трубопровод 52.Preferably, the ultrapure water request is also accompanied by a supply time at which the ultrapure water needs to be supplied. The
Другими словами, блок 53 управления работой выполнен с возможностью управления хронированием работы блока 54 производства ультрачистой воды для обеспечения заданного количества свежепроизведённой ультрачистой воды в момент времени, установленный принятой командой.In other words, the
В варианте выполнения по Фиг. 4 ёмкости 60 могут заполняться последовательно, а когда устройство для промывки полупроводников готово к приёму ультрачистой воды, ёмкости 60 высвобождаются в том же порядке. Это даже позволяет оптимизировать хронирование таким образом, чтобы последние (несколько) ёмкостей 60 могли ещё наполняться в то же время, когда первые ёмкости высвобождаются. Таким образом, сокращается время хранения в ёмкостях.In the embodiment of FIG. The 4
Предпочтительно заданное количество ультрачистой воды равно количеству воды, требуемому для операции промывки в устройстве для промывки полупроводников, как описано выше.Preferably, the predetermined amount of ultrapure water is equal to the amount of water required for the washing operation in the semiconductor washer as described above.
В предпочтительном варианте выполнения установка 50 для подачи промывочной воды содержит блок анализа воды. Такой блок выполнен с возможностью измерения содержания частиц в пробном объёме ультрачистой воды, извлечённом из заданного количества ультрачистой воды. Воду из пробного объёма ультрачистой воды не допускается повторно подавать в процедуру промывки после анализа, что означает, что заданное количество ультрачистой воды также должно компенсировать этот отобранный объём. Таким образом может быть обеспечена верификация чистоты ультрачистой воды. Если количество дефективных полупроводниковых изделий становится слишком большим, возможно обращение к данным о качестве фактически использованной воды, что может помочь обнаружить неисправные части производственной линии. Такой анализ может быть выполнен, по меньшей мере для размеров частиц более и нисколько менее 100 нм, согласно стандартным средствам анализа, которые сами по себе известны в уровне техники, например на основе точных измерений удельного сопротивления.In a preferred embodiment, the installation for supplying
Варианты выполнения, описанные выше, следует понимать как несколько иллюстративных примеров настоящего изобретения. Специалистам в данной области техники будет понятно, что в вариантах выполнения могут быть выполнены различные модификации, объединения и изменения, не выходящие за рамки объёма настоящего изобретения. В частности, решения в отношении различных частей в различных вариантах выполнения могут быть объединены в других конфигурациях, насколько это технически возможно. Однако объём настоящего изобретения определяется прилагаемой формулой изобретения.The embodiments described above are to be understood as a few illustrative examples of the present invention. Those skilled in the art will appreciate that various modifications, combinations, and changes may be made to the embodiments without departing from the scope of the present invention. In particular, decisions regarding different parts in different embodiments can be combined in other configurations, as far as technically possible. However, the scope of the present invention is defined by the appended claims.
Claims (32)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE1851311-9 | 2018-10-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2021114438A RU2021114438A (en) | 2022-11-24 |
RU2801320C2 true RU2801320C2 (en) | 2023-08-07 |
Family
ID=
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060219295A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Denso Corporation | Method for filling water and device for filling water |
JP2006332700A (en) * | 2006-08-07 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | Semiconductor manufacturing equipment, semiconductor manufacturing system and substrate processing method |
RU2376676C1 (en) * | 2008-07-17 | 2009-12-20 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Method of processing silicon crystals |
US20130291891A1 (en) * | 2010-11-15 | 2013-11-07 | Kurita Water Industries Ltd. | Method for cleaning silicon wafer and apparatus for cleaning silicon wafer |
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060219295A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-05 | Denso Corporation | Method for filling water and device for filling water |
JP2006332700A (en) * | 2006-08-07 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | Semiconductor manufacturing equipment, semiconductor manufacturing system and substrate processing method |
RU2376676C1 (en) * | 2008-07-17 | 2009-12-20 | Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Method of processing silicon crystals |
US20130291891A1 (en) * | 2010-11-15 | 2013-11-07 | Kurita Water Industries Ltd. | Method for cleaning silicon wafer and apparatus for cleaning silicon wafer |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10037901B2 (en) | Substrate liquid treatment apparatus, method of cleaning substrate liquid treatment apparatus and non-transitory storage medium | |
US9278768B2 (en) | Process liquid changing method and substrate processing apparatus | |
KR101343275B1 (en) | Method and Apparatus for Recycling Process Fluids | |
TW418357B (en) | Chemical generator with controlled mixing and concentration feedback and adjustment | |
TWI533946B (en) | Method and apparatus for showerhead cleaning | |
TWI471919B (en) | Substrate processing device, substrate processing method, program, and memory medium | |
US5876511A (en) | Method for cleaning and rinsing containers | |
JP6278808B2 (en) | Liquid supply device and filter cleaning method | |
JP2011238820A (en) | Coating apparatus | |
RU2801320C2 (en) | Method and unit for semiconductor manufacture | |
JP3254520B2 (en) | Cleaning treatment method and cleaning treatment system | |
KR102515859B1 (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus and storage medium | |
US10816141B2 (en) | Chemical solution feeder, substrate treatment apparatus, method for feeding chemical solution, and method for treating substrate | |
KR102628817B1 (en) | Method and arrangement device for semiconductor manufacturing | |
CN113169092B (en) | Method and apparatus for semiconductor manufacturing | |
TWI592988B (en) | Semiconductor drying apparatus and circulating and filtering method of drying liquid used for the apparatus | |
JP2015191897A5 (en) | ||
US20010015215A1 (en) | Semiconductor wafer rinse device | |
JP2901705B2 (en) | Semiconductor substrate cleaning method | |
JP2005142301A (en) | High-pressure processing method and apparatus thereof | |
JPH1077094A (en) | Filling method of high purity liquid | |
JP2001007004A (en) | Device and method for supplying chemical | |
KR100949096B1 (en) | Method for cleaning substrate | |
JPH11300190A (en) | Liquid chemical compounding device for producing semiconductor | |
KR20210097288A (en) | cleaning device and cleaning method |