RU2417941C1 - Способ изготовления мэмс коммутатора - Google Patents
Способ изготовления мэмс коммутатора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2417941C1 RU2417941C1 RU2009142913/28A RU2009142913A RU2417941C1 RU 2417941 C1 RU2417941 C1 RU 2417941C1 RU 2009142913/28 A RU2009142913/28 A RU 2009142913/28A RU 2009142913 A RU2009142913 A RU 2009142913A RU 2417941 C1 RU2417941 C1 RU 2417941C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sacrificial layer
- contact
- etched
- layer
- electrode
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
Abstract
Изобретение относится к микросистемной технике, а именно к способу изготовления МЭМС коммутаторов, имеющих контактную систему. Техническим результатом изобретения является получение стабильных характеристик МЭМС коммутаторов, таких как омическое сопротивление, управляющее напряжение, время срабатывания, переходное сопротивление контактов, за счет формирования металлического контакта и получения межконтактного зазора строго фиксированной величины с высокой воспроизводимостью. Сущность изобретения: в способе изготовления МЭМС коммутатора на подложку поэтапно наносят электродный слой, в котором формируют нижний управляющий электрод и нижний контакт. Поверх электродного слоя наносят первый жертвенный слой, толщина которого - сумма высот верхнего и нижнего контактов, вытравливают в жертвенном слое рельеф с образованием отверстия до поверхности нижнего контакта. Затем выполняют второй жертвенный слой, толщина которого равна расчетному значению межконтактного зазора. Далее формируют верхний контакт, подвижную часть необходимой конструкции, верхний управляющий электрод и вытравливают весь жертвенный слой. 4 ил.
Description
Изобретение относится к микросистемной технике, а именно к способу изготовления МЭМС коммутаторов, имеющих контактную систему.
В настоящее время существуют МЭМС коммутаторы различных конструкций (консольного типа, мембранные, мосты) с металлическими контактами, имеющие разные механизмы срабатывания (электростатический, тепловой, пьезоэлектрический, электромагнитный).
Несмотря на различия в конструкции коммутаторов с металлическими контактами, процесс формировании верхнего контакта сводится к процессу травления жертвенного слоя на глубину, которая определяет высоту верхнего контакта [l].
Поскольку процесс травления является трудно контролируемым и зависит от многих обстоятельств (флуктуации температурного режима и состава травителя, разброса характеристик жертвенного слоя и пр.), размер углубления под верхний контакт колеблется, приводя к отклонению высоты верхнего контакта и, соответственно, к изменению его омического сопротивления и величины межконтактного зазора, что, в свою очередь, ведет к отклонению характеристик коммутатора от расчетных.
Техническим результатом изобретения является получение стабильных характеристик МЭМС коммутаторов, таких как омическое сопротивление, управляющее напряжение, время срабатывания, переходное сопротивление контактов, за счет формирования металлического контакта и получения межконтактного зазора строго фиксированной величины с высокой воспроизводимостью.
Для достижения указанного выше технического результата предлагается выполнять два жертвенных слоя, причем толщина первого слоя выбирается равной расчетному значению суммы высот верхнего и нижнего контактов, а толщина второго жертвенного слоя равна расчетному значению межконтактного зазора. В первом жертвенном слое вытравливается сквозное, до поверхности нижнего контакта, отверстие. Затем выполняется второй жертвенный слой, толщина которого равна расчетному значению межконтактного зазора. Таким образом, углубление под верхний контакт и межконтактный зазор имеют контролируемый размер. Далее формируют верхний контакт, подвижную часть необходимой конструкции и вытравливают весь жертвенный слой.
Сущность изобретения поясняется чертежами.
На фиг.1 изображен этап формирования нижнего управляющего электрода, нижнего контакта и первого жертвенного слоя.
На фиг.2 изображен этап травления первого жертвенного слоя в области нижнего контакта.
На фиг.3 изображен этап формирования второго жертвенного слоя.
На фиг.4 изображен этап формирования верхнего контакта, верхнего управляющего электрода и подвижной части.
При этом на чертежах и далее по тексту:
поз.1 - подложка;
поз.2 - нижний контакт;
поз.3 - нижний управляющий электрод;
поз.4 - первый жертвенный слой;
поз.5 - второй жертвенный слой;
поз.6 - верхний контакт;
поз.7 - подвижная часть;
поз.8 - верхний управляющий электрод;
h1 - толщина первого жертвенного слоя;
h2 - толщина второго жертвенного слоя;
h3 - высота углубления под верхний контакт.
Изобретение осуществляется следующим образом: на подложку поз.1 поэтапно наносят электродный слой, в котором формируют нижний управляющий электрод поз.3 и нижний контакт поз.2. Поверх электродного слоя наносят первый жертвенный слой поз.4, причем толщина первого слоя h1 выбирается равной расчетному значению суммы высот верхнего и нижнего контактов (фиг.1), вытравливают в жертвенном слое рельеф с образованием отверстия до поверхности нижнего контакта поз.2 (фиг.2). Затем выполняют второй жертвенный слой поз.5, толщина которого h2 равна расчетному значению величины межконтактного зазора (фиг.3). Таким образом, высота углубления под верхний контакт h3 и межконтактный зазор имеют контролируемый размер. Далее формируют верхний контакт поз.6, подвижную часть поз.7 необходимой конструкции и верхний управляющий электрод поз.8. Затем вытравливают весь жертвенный слой (фиг.4).
Литература
1. 3аявка RU 2008101689 «Устройства МЭМС, имеющие поддерживающие структуры, и способы их изготовления». Дата приоритета 20.07.2006 г.
Claims (1)
- Способ изготовления МЭМС коммутатора, согласно которому на подложку поэтапно наносят электродный слой, в котором формируют нижний управляющий электрод и нижний контакт, поверх электродного слоя наносят жертвенный слой, формируют верхний контакт, подвижную часть необходимой конструкции, верхний управляющий электрод и вытравливают весь жертвенный слой, отличающийся тем, что поверх электродного слоя наносят два жертвенных слоя, причем толщина первого жертвенного слоя равна расчетному значению суммы высот верхнего и нижнего контактов, а толщина второго жертвенного слоя равна расчетному значению межконтактного зазора, при этом в первом жертвенном слое вытравливают сквозное, до поверхности нижнего контакта, отверстие, затем выполняют второй жертвенный слой, далее формируют верхний контакт, подвижную часть необходимой конструкции, верхний управляющий электрод и вытравливают весь жертвенный слой.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009142913/28A RU2417941C1 (ru) | 2009-11-19 | 2009-11-19 | Способ изготовления мэмс коммутатора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009142913/28A RU2417941C1 (ru) | 2009-11-19 | 2009-11-19 | Способ изготовления мэмс коммутатора |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2417941C1 true RU2417941C1 (ru) | 2011-05-10 |
Family
ID=44732598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009142913/28A RU2417941C1 (ru) | 2009-11-19 | 2009-11-19 | Способ изготовления мэмс коммутатора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2417941C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2511272C1 (ru) * | 2012-10-31 | 2014-04-10 | Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") | Способ изготовления микроэлектромеханических реле |
| RU2758699C2 (ru) * | 2017-02-23 | 2021-11-01 | Сафран | Устройство мэмс или нэмс с упорным набором |
-
2009
- 2009-11-19 RU RU2009142913/28A patent/RU2417941C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2511272C1 (ru) * | 2012-10-31 | 2014-04-10 | Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы") | Способ изготовления микроэлектромеханических реле |
| RU2758699C2 (ru) * | 2017-02-23 | 2021-11-01 | Сафран | Устройство мэмс или нэмс с упорным набором |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2073236B1 (en) | MEMS Microswitch having a conductive mechanical stop | |
| JP2001514434A (ja) | マイクロメカニカル静電リレー及びそれの作製方法 | |
| US7049904B2 (en) | Seesaw-type MEMS switch and method for manufacturing the same | |
| CN106115602B (zh) | Mems器件及其制造方法 | |
| US20100015744A1 (en) | Micro-Electromechanical Device and Method of Making the Same | |
| WO1991005284A1 (en) | Micromechanical switch | |
| WO2010090839A4 (en) | Fabrication of mems based cantilever switches by employing a split layer cantilever deposition scheme | |
| CN106101975B (zh) | 在mems组件的层结构中制造麦克风和压力传感器结构的方法 | |
| JP2006518911A (ja) | バンプ型ｍｅｍｓスイッチ | |
| TW201408581A (zh) | Ｍｅｍｓ裝置及其製造方法 | |
| RU2417941C1 (ru) | Способ изготовления мэмс коммутатора | |
| JP2007222990A (ja) | 梁部を備えた構造体の製造方法およびｍｅｍｓデバイス | |
| ATE512452T1 (de) | Kontaktkonfigurationen für mems-relais und mems- schalter und herstellungsverfahren dafür | |
| JP2014180702A (ja) | Ｍｅｍｓ素子およびその製造方法 | |
| Asutkar et al. | A novel approach for optimized design of RF MEMS capacitive switch | |
| JP2006310854A (ja) | 可変容量電気機械的マイクロキャパシタおよびそのようなマイクロキャパシタの製造方法 | |
| JP2010199374A (ja) | 接点デバイスの製造方法及び接点デバイス | |
| CN211445040U (zh) | 一种电热式mems驱动臂 | |
| CN113120847B (zh) | 一种使用soi圆片制作mems驱动臂的方法 | |
| JP5870616B2 (ja) | Ｍｅｍｓスイッチおよびその製造方法 | |
| KR100513716B1 (ko) | 자동 정렬 진동판의 제조 방법 | |
| KR100532991B1 (ko) | 고주파 스위치 제조방법 | |
| CN100444317C (zh) | 微型移动装置及其制作方法 | |
| KR20070060526A (ko) | 미세전자기계적 구조 스위치 및 그 제조방법 | |
| JP5212932B2 (ja) | 導電性高分子複合膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20201120 |