RU2416147C1 - Differential amplifier with increased amplification factor - Google Patents

Differential amplifier with increased amplification factor Download PDF

Info

Publication number
RU2416147C1
RU2416147C1 RU2009139593/09A RU2009139593A RU2416147C1 RU 2416147 C1 RU2416147 C1 RU 2416147C1 RU 2009139593/09 A RU2009139593/09 A RU 2009139593/09A RU 2009139593 A RU2009139593 A RU 2009139593A RU 2416147 C1 RU2416147 C1 RU 2416147C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
current
input
additional
output
bus
Prior art date
Application number
RU2009139593/09A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко (RU)
Николай Николаевич Прокопенко
Петр Сергеевич Будяков (RU)
Петр Сергеевич Будяков
Александр Игоревич Серебряков (RU)
Александр Игоревич Серебряков
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2009139593/09A priority Critical patent/RU2416147C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2416147C1 publication Critical patent/RU2416147C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

FIELD: radio engineering.
SUBSTANCE: differential amplifier includes input differential cascade (DC) (1) with the first (2) and the second (3) current outputs connected to the first bus (4) of power supply (PS) through the first (5) and the second (6) load bipoles, the first (7) and the second (8) output transistors (T) the bases of which are combined, collectors are connected to the appropriate first (2) and second (3) current outputs of DC (1), and emitters are connected to the second bus (9) of PS, buffer amplifier (10) the input of which is connected to the second (3) current output of DC (1). To the diagram there introduced are the first (11) and the second (12) additional T the emitters of which are connected to the first additional current-stabilising bipole (CB) (13), bases are connected to the appropriate first (2) and the second (3) current outputs of DC (1), collector of T (12) is connected through the second CB (14) to the first bus of (4) PS and to input of additional non-inverting amplifier the output of which is connected to combined bases of the first T (7) and the second T (8).
EFFECT: increasing amplification factor as to voltage by 8-10 times at using low-resistance load bipoles.
10 dwg

Description

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, SiGe-операционных усилителях (ОУ), компараторах).The invention relates to the field of radio engineering and communication and can be used as a device for amplifying analog signals in the structure of analog microcircuits for various functional purposes (for example, SiGe-operational amplifiers (op amps), comparators).

В современной аналоговой микроэлектронике широко применяются дифференциальные усилители (ДУ) с активными нагрузками в виде токовых зеркал на биполярных транзисторах, тип проводимости которых противоположен типу проводимости входных транзисторов ДУ. Однако SiGe технический процесс SGB25VD, внедряемый в настоящее время в ряде российских предприятий для производства РЭА нового поколения, не обеспечивает возможности построения схем с p-n-p транзисторами. Это не позволяет применять традиционные активные нагрузки в ОУ СВЧ диапазона. Как следствие, в качестве элементов коллекторной цепи входного каскада ОУ весьма часто разрешается использовать только пассивные элементы - резисторы [1-25]. В конечном итоге это требование ограничивает коэффициент усиления по напряжению (Kу) входного дифференциального каскада ОУ и всей схемы ОУ в целом.In modern analog microelectronics, differential amplifiers (DE) with active loads in the form of current mirrors on bipolar transistors, the type of conductivity of which is opposite to the type of conductivity of the input transistors of the remote control, are widely used. However, the SiGe technical process SGB25VD, which is currently being implemented in a number of Russian enterprises for the production of new generation CEA, does not provide the possibility of constructing circuits with pnp transistors. This does not allow the use of traditional active loads in the op amp microwave range. As a result, as the elements of the collector circuit of the input stage of the op amp, it is very often allowed to use only passive elements - resistors [1-25]. Ultimately, this requirement limits the voltage gain (K y ) of the op-amp input differential stage and the entire op-amp circuit as a whole.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому устройству является ДУ (фиг.1), рассмотренный в патенте США №4.418.290. Он содержит входной дифференциальный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 токовыми выходами, связанными с первой 4 шиной источника питания через первый 5 и второй 6 двухполюсники нагрузки, первый 7 и второй 8 выходные транзисторы, базы которых объединены, коллекторы соединены с соответствующими первым 2 и вторым 3 токовыми выходами входного дифференциального каскада 1, а эмиттеры связаны со второй 9 шиной источника питания, буферный усилитель 10, вход которого соединен со вторым 3 токовым выходом входного дифференциального каскада 1.The closest in technical essence to the claimed device is a remote control (figure 1), discussed in US patent No. 4.418.290. It contains the input differential stage 1 with the first 2 and second 3 current outputs connected to the first 4 bus of the power supply through the first 5 and second 6 two-pole load, the first 7 and second 8 output transistors, the bases of which are combined, the collectors are connected to the corresponding first 2 and the second 3 current outputs of the input differential stage 1, and the emitters are connected to the second 9 bus of the power source, a buffer amplifier 10, the input of which is connected to the second 3 current output of the input differential stage 1.

Существенный недостаток известного ДУ состоит в том, что при реализации двухполюсников нагрузки 5 и 6 в виде низкоомных резисторов (500-1000 Ом) его коэффициент усиления получается небольшим.A significant drawback of the known remote control is that when the implementation of bipolar load 5 and 6 in the form of low-resistance resistors (500-1000 Ohms), its gain is small.

Основная задача предполагаемого изобретения состоит в повышении в 8-20 раз коэффициента усиления по напряжению при использовании низкоомных двухполюсников нагрузки (например, R5=R6=700 Ом).The main objective of the proposed invention is to increase by 8-20 times the voltage gain when using low-resistance bipolar load (for example, R 5 = R 6 = 700 Ohms).

Поставленная задача достигается тем, что в дифференциальном усилителе фиг.1, содержащем входной дифференциальный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 токовыми выходами, связанными с первой 4 шиной источника питания через первый 5 и второй 6 двухполюсники нагрузки, первый 7 и второй 8 выходные транзисторы, базы которых объединены, коллекторы соединены с соответствующими первым 2 и вторым 3 токовыми выходами входного дифференциального каскада 1, а эмиттеры связаны со второй 9 шиной источника питания, буферный усилитель 10, вход которого соединен со вторым 3 токовым выходом входного дифференциального каскада 1, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введены первый 11 и второй 12 дополнительные транзисторы, эмиттеры которых соединены с первым 13 дополнительным токостабилизирующим двухполюсником, базы связаны с соответствующими первым 2 и вторым 3 токовыми выходами входного дифференциального каскада 1, коллектор второго 12 дополнительного транзистора соединен через второй 14 дополнительный токостабилизирующий двухполюсник с первой 4 шиной источника питания и подключен ко входу дополнительного неинвертирующего усилителя 15, выход которого соединен с объединенными базами первого 7 и второго 8 выходных транзисторов.The problem is achieved in that in the differential amplifier of Fig. 1, containing an input differential stage 1 with a first 2 and a second 3 current outputs connected to the first 4 bus of the power supply through the first 5 and second 6 two-pole load, the first 7 and second 8 output transistors whose bases are combined, the collectors are connected to the corresponding first 2 and second 3 current outputs of the input differential stage 1, and the emitters are connected to the second 9 bus of the power source, a buffer amplifier 10, the input of which is connected to the second m 3 by the current output of the input differential stage 1, new elements and connections are provided - the first 11 and second 12 additional transistors are introduced into the circuit, the emitters of which are connected to the first 13 additional current-stabilizing two-terminal devices, the bases are connected to the corresponding first 2 and second 3 current outputs of the input differential stage 1, the collector of the second 12 additional transistor is connected through the second 14 additional current-stabilizing two-terminal with the first 4 bus power supply and connected to the input of the additional solid non-inverting amplifier 15, the output of which is connected to the combined bases of the first 7 and second 8 output transistors.

Схема заявляемого устройства, соответствующего формуле изобретения, показана на фиг.2. На фиг.3, 4 показаны частные случаи реализации дополнительного неинвертирующего усилителя 15.A diagram of the inventive device corresponding to the claims is shown in figure 2. Figure 3, 4 shows special cases of the implementation of additional non-inverting amplifier 15.

На фиг.5 - 6 показаны схема ДУ-прототипа (фиг.5) иFigure 5 - 6 shows a diagram of the remote control prototype (figure 5) and

схема заявляемого ДУ (фиг.6) в среде компьютерного моделирования Cadence на моделях интегральных транзисторов IHP, а на фиг.7 - зависимость коэффициента усиления по напряжению сравниваемых схем (фиг.5, 6) без элементов частотной коррекции. Данные графики показывают, что несмотря на применение низкоомных двухполюсников нагрузки 5 и 6 (R5=R6=600 Ом) коэффициент усиления по напряжению предлагаемого ДУ улучшается более чем на порядок (на 29,0 дБ) в сравнении с Kу известного устройства. Это важное достоинство предлагаемого ДУ при его реализации в рамках технологического процесса SGB25VD.the scheme of the claimed remote control (Fig.6) in the Cadence computer simulation environment on IHP integrated transistor models, and Fig.7 shows the voltage gain of the compared circuits (Fig.5, 6) without frequency correction elements. These graphs show that despite the use of low-resistance bipolar loads 5 and 6 (R 5 = R 6 = 600 Ohms), the voltage gain of the proposed remote control improves by more than an order of magnitude (29.0 dB) compared to K of the known device. This is an important advantage of the proposed remote control when it is implemented as part of the SGB25VD process.

На фиг.8 приведена зависимость коэффициента усиления по напряжению сравниваемых схем (фиг.5, 6) с элементами частотной коррекции (Скор=4 пФ).On Fig shows the dependence of the gain on the voltage of the compared circuits (figure 5, 6) with the elements of the frequency correction (With cor = 4 pF).

На фиг.9 приведена зависимость коэффициента усиления по напряжению сравниваемых схем (фиг.5, 6) со 100% отрицательной обратной связью без элементов частотной коррекции.Figure 9 shows the dependence of the voltage gain on the compared circuits (Figs. 5, 6) with 100% negative feedback without frequency correction elements.

На фиг.10 приведена зависимость коэффициента усиления по напряжению сравниваемых схем (фиг.5, 6) со 100% отрицательной обратной связью с элементом частотной коррекции (Скор=4 пФ).Figure 10 shows the dependence of the voltage gain of the compared circuits (Figs. 5, 6) with 100% negative feedback from the frequency correction element (C cor = 4 pF).

Дифференциальный усилитель с повышенным коэффициентом усиления фиг.2 содержит входной дифференциальный каскад 1 с первым 2 и вторым 3 токовыми выходами, связанными с первой 4 шиной источника питания через первый 5 и второй 6 двухполюсники нагрузки, первый 7 и второй 8 выходные транзисторы, базы которых объединены, коллекторы соединены с соответствующими первым 2 и вторым 3 токовыми выходами входного дифференциального каскада 1, а эмиттеры связаны со второй 9 шиной источника питания, буферный усилитель 10, вход которого соединен со вторым 3 токовым выходом входного дифференциального каскада 1. В схему введены первый 11 и второй 12 дополнительные транзисторы, эмиттеры которых соединены с первым 13 дополнительным токостабилизирующим двухполюсником, базы связаны с соответствующими первым 2 и вторым 3 токовыми выходами входного дифференциального каскада 1, коллектор второго 12 дополнительного транзистора соединен через второй 14 дополнительный токостабилизирующий двухполюсник с первой 4 шиной источника питания и подключен ко входу дополнительного неинвертирующего усилителя 15, выход которого соединен с объединенными базами первого 7 и второго 8 выходных транзисторов. В частном случае на фиг.2 входной дифференциальный каскад 1 реализован на транзисторах 16, 17 и двухполюснике 18. Дополнительный неинвертирующий усилитель тока может выполняться на транзисторе 19 (фиг.3) или стабилитроне 20 (фиг.4).The differential amplifier with a high gain of FIG. 2 contains an input differential stage 1 with a first 2 and a second 3 current outputs connected to the first 4 bus of the power supply through the first 5 and second 6 two-pole load, the first 7 and second 8 output transistors, the bases of which are combined , the collectors are connected to the corresponding first 2 and second 3 current outputs of the input differential stage 1, and the emitters are connected to the second 9 bus of the power source, a buffer amplifier 10, the input of which is connected to the second 3 currents the output output of the input differential stage 1. The first 11 and second 12 additional transistors are introduced into the circuit, the emitters of which are connected to the first 13 additional current-stabilizing two-terminal devices, the bases are connected to the corresponding first 2 and second 3 current outputs of the input differential stage 1, the collector of the second 12 additional transistor is connected through the second 14 additional current-stabilizing two-terminal with the first 4 bus power source and connected to the input of an additional non-inverting amplifier 15, the output otorrhea connected to the bases of the first joint 7 and 8 of the second output transistors. In the particular case of figure 2, the input differential stage 1 is implemented on transistors 16, 17 and two-terminal 18. An additional non-inverting current amplifier can be performed on transistor 19 (figure 3) or zener diode 20 (figure 4).

Рассмотрим работу предлагаемого устройства фиг.2.Consider the operation of the proposed device of figure 2.

В статическом режиме коллекторные токи (Iкi) транзисторов 16, 17 устанавливаются двухполюсником 18:In static mode, the collector currents (I ki ) of the transistors 16, 17 are set by a two-terminal device 18:

Figure 00000001
Figure 00000001

где I0=I18/2.where I 0 = I 18/2 .

Через двухполюсники нагрузки 5 и 6 при введении общей отрицательной обратной связи протекают статические токи, равные 2I0.Static currents equal to 2I 0 flow through the two-terminal loads 5 and 6 with the introduction of a general negative feedback.

Определим коэффициент усиления по напряжению схемы ДУ фиг.2.Determine the voltage gain of the remote control circuit of Fig.2.

Если на вход Bx.(+)1 подается напряжение uвх, то это вызывает увеличение коллекторного тока транзистора 16 и уменьшение коллекторного тока транзистора 17. Как следствие, напряжение на токовом выходе 3 увеличивается (u3>0). При этом за счет отрицательной обратной связи через дополнительный неинвертирующий усилитель 15 обеспечивает равенство u3≈u2, где u2 - приращение напряжения на первом 2 токовом выходе.If the input is Bx. (+) 1 voltage u in is applied, then this causes an increase in the collector current of transistor 16 and a decrease in the collector current of transistor 17. As a result, the voltage at current output 3 increases (u 3 > 0). Moreover, due to the negative feedback through an additional non-inverting amplifier 15, it ensures the equality u 3 ≈u 2 , where u 2 is the voltage increment at the first 2 current output.

Изменение u2 приводит к изменению тока i2 через эквивалентное сопротивление r2 в цепи первого 2 токового выхода входного дифференциального каскада 1:The change in u 2 leads to a change in current i 2 through the equivalent resistance r 2 in the circuit of the first 2 current output of the input differential stage 1:

Figure 00000002
Figure 00000002

где r2=R5||Rвыx.2||Rвыx.7,where r 2 = R 5 || R outx. 2 || R outx. 7 ,

R5 - сопротивление двухполюсника нагрузки 5;R 5 is the resistance of the bipolar load 5;

Rвых.2 - выходное сопротивление входного дифференциального каскада 1 по первому 2 токовому выходу;R oy.2 - output resistance of the input differential stage 1 at the first 2 current output;

Rвых.7 - выходное сопротивление транзистора 7.R o.7 - the output impedance of the transistor 7.

ПричемMoreover

Figure 00000003
Figure 00000003

Figure 00000004
Figure 00000004

где Uэрли - напряжение Эрли транзистора 7;where U Earley - voltage Earley transistor 7;

r16=rэ17=2φт/I18 - сопротивления эмиттерных переходов транзисторов 16 и 17;r 16 = r e17 = 2φ t / I 18 - resistance of the emitter junctions of transistors 16 and 17;

µ12 - коэффициент внутренней обратной связи транзистора 16.µ 12 is the internal feedback coefficient of the transistor 16.

Приращение тока i2 за счет отрицательной обратной связи через дополнительный неинвертирующий усилитель 15 поступает в коллектор транзистора 7 и далее на его выход - в цепь второго 3 токового выхода входного дифференциального каскада 1. Следует обратить внимание на то, что в заявляемой схеме вследствие ее структурных особенностей обеспечивается равенство переменных напряженийThe increment of current i 2 due to negative feedback through an additional non-inverting amplifier 15 enters the collector of transistor 7 and then to its output - to the circuit of the second 3 current output of the input differential stage 1. It should be noted that in the claimed circuit due to its structural features equality of alternating stresses is provided

Figure 00000005
Figure 00000005

Поэтому в узле 3 происходит взаимная компенсация тока через r3 током через r2=r3.Therefore, in node 3 there is a mutual compensation of the current through r 3 by the current through r 2 = r 3 .

Если в частном случае выбрать r2=r3, то эквивалентное сопротивление в узле 3 (R3.экв), влияющее на Kу, будет практически определяться сопротивление нагрузки ДУ, приведенным к узлу 3.If in a particular case we choose r 2 = r 3 , then the equivalent resistance in node 3 (R 3.eq ), affecting K у , will practically determine the load resistance of the remote control brought to node 3.

Поэтому коэффициент усиления по напряжению предлагаемой схемы фиг.2 слабо зависит от сопротивлений двухполюсников 5 и 6, которые могут быть достаточно низкоомными.Therefore, the voltage gain of the proposed circuit of Fig.2 weakly depends on the resistances of the two-terminal 5 and 6, which can be quite low resistance.

Таким образом, в схеме фиг.2 на один-два порядка уменьшается влияние сопротивлений двухполюсников нагрузки 5 и 6 на коэффициент усиления Kу по напряжению ДУ.Thus, in the circuit of FIG. 2, the influence of the resistance of the two-terminal load 5 and 6 on the gain K y on the voltage of the remote control decreases by one or two orders of magnitude.

В результате предлагаемое схемотехническое решение улучшает более чем на порядок Kу.max (на 29 дБ), причем это обеспечивается при использовании низкоомных резисторов в качестве двухполюсников 5 и 6 (R5=R6=600 Ом), а также при низковольтном напряжении питания (±2 В).As a result, the proposed circuitry solution improves by more than an order of K у.max (by 29 dB), and this is achieved by using low-resistance resistors as bipolar 5 and 6 (R 5 = R 6 = 600 Ohms), as well as with a low-voltage supply voltage (± 2 V).

Представленные на фиг.7, 8, 9, 10 графики подтверждают данные теоретические выводы.Presented in Figures 7, 8, 9, 10, the graphs confirm these theoretical conclusions.

Таким образом, предлагаемое устройство при его реализации в рамках техпроцесса SGB25VD имеет существенные преимущества по коэффициенту усиления по напряжению Kу в сравнении с известным ДУ.Thus, the proposed device, when implemented within the framework of the SGB25VD process technology, has significant advantages in terms of voltage gain K у in comparison with the known remote control.

Источники информацииInformation sources

1. Патент Франции №2409640.1. French patent No. 2409640.

2. Патент США №5.886.577.2. US Patent No. 5,886.577.

3. Патент Англии GB 2008883.3. England patent GB 2008883.

4. Патентная заявка США US 2009/108882, fig.3.4. US Patent Application US 2009/108882, fig. 3.

5. Патент Японии JP 54079553.5. Japanese Patent JP 54079553.

6. Патент WO 9621271.6. Patent WO 9621271.

7. Патент США №4276485.7. US patent No. 4276485.

8. Патентная заявка US 2006/0181347, fig.2.8. Patent application US 2006/0181347, fig.2.

9. Патентная заявка WO 2009/042474A2, fig.5.9. Patent application WO 2009 / 042474A2, fig. 5.

10. Патент США №6.396.346.10. US patent No. 6.396.346.

11. Патент США №4.001.608, fig.1.11. US patent No. 4.001.608, fig. 1.

12. Budyakov A. Design of Fully Differential OpAmps for GHz Range Applications [Текст] / Budyakov A., Schmalz K., Prokopenko N., Scheytt C., Ostrovskyy P. // Проблемы современной аналоговой микросхемотехники: сб. материалов VI Международного научно-практического семинара. В 3-х ч. Ч.1. Функциональные узлы аналоговых интегральных схем и сложных функциональных блоков / под ред. Н.Н.Прокопенко. - Шахты: Изд-во ЮРГУЭС, 2007 - С.106-110.12. Budyakov A. Design of Fully Differential OpAmps for GHz Range Applications [Text] / Budyakov A., Schmalz K., Prokopenko N., Scheytt C., Ostrovskyy P. // Problems of modern analog microcircuitry: collection. materials of the VI International scientific and practical seminar. In 3 hours, part 1. Functional nodes of analog integrated circuits and complex functional blocks / ed. N.N. Prokopenko. - Mines: Publishing house of SRUES, 2007 - S.106-110.

13. S.P.Voinigescu, et al. Design Methodology and Applications of SiGe BiCMOS Cascode Opamps with up to 37-GHz Unity Gain Bandwidth, IEEE CSICS, Techn. Digest, pp.283-286, Nov. 2005, фиг.2.13. S.P. Voinigescu, et al. Design Methodology and Applications of SiGe BiCMOS Cascode Opamps with up to 37-GHz Unity Gain Bandwidth, IEEE CSICS, Techn. Digest, pp. 283-286, Nov. 2005, FIG. 2.

14. S.P.Voinigescu, et al. SiGe BiCMOS for Analog, High-Speed Digital and Millimetre-Wave Applications Beyond 50 GHz, IEEE BCTM, p.1-8, Oct. 2006.14. S.P. Voinigescu, et al. SiGe BiCMOS for Analog, High-Speed Digital and Millimetre-Wave Applications Beyond 50 GHz, IEEE BCTM, p. 1-8, Oct. 2006.

15. Патент США №4.274.394, фиг.2.15. US patent No. 4.274.394, figure 2.

16. Патент США №3.619.797.16. US Patent No. 3,619,797.

17. Патент США №3.622.902.17. US patent No. 3.622.902.

18. Патент США №3.440.554.18. US patent No. 3.440.554.

19. А.с. СССР №299013.19. A.S. USSR №299013.

20. Патент Англии №1.175.329, Н3Т.20. Patent of England No. 1.175.329, Н3Т.

21. Патент США №3.304.512.21. US patent No. 3.304.512.

22. Патент США №4.371.93.22. US patent No. 4.371.93.

23. А.с. СССР №421105.23. A.S. USSR No. 421105.

24. А.с. СССР №764100.24. A.S. USSR No. 764100.

25. А.с. СССР №669471.25. A.S. USSR No. 669471.

Claims (1)

Дифференциальный усилитель с повышенным коэффициентом усиления, содержащий входной дифференциальный каскад с первым и вторым токовыми выходами, связанными с первой шиной источника питания через первый и второй двухполюсники нагрузки, первый и второй выходные транзисторы, базы которых объединены, коллекторы соединены с соответствующими первым и вторым токовыми выходами входного дифференциального каскада, а эмиттеры связаны со второй шиной источника питания, буферный усилитель, вход которого соединен со вторым токовым выходом входного дифференциального каскада, отличающийся тем, что в схему введены первый и второй дополнительные транзисторы, эмиттеры которых соединены с первым дополнительным токостабилизирующим двухполюсником, базы связаны с соответствующими первым и вторым токовыми выходами входного дифференциального каскада, коллектор второго дополнительного транзистора соединен через второй дополнительный токостабилизирующий двухполюсник с первой шиной источника питания и подключен ко входу дополнительного неинвертирующего усилителя, выход которого соединен с объединенными базами первого и второго выходных транзисторов. A differential amplifier with an increased gain, comprising an input differential stage with first and second current outputs connected to the first bus of the power source through the first and second two-terminal loads, the first and second output transistors, the bases of which are combined, the collectors are connected to the corresponding first and second current outputs input differential stage, and emitters are connected to the second bus of the power source, a buffer amplifier, the input of which is connected to the second current output input o differential cascade, characterized in that the first and second additional transistors are introduced into the circuit, the emitters of which are connected to the first additional current-stabilizing bipolar, the bases are connected to the corresponding first and second current outputs of the input differential cascade, the collector of the second additional transistor is connected via a second additional current-stabilizing bipolar to the first bus of the power source and is connected to the input of an additional non-inverting amplifier, the output of which is bases of the connections with the combined first and second output transistors.
RU2009139593/09A 2009-10-26 2009-10-26 Differential amplifier with increased amplification factor RU2416147C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009139593/09A RU2416147C1 (en) 2009-10-26 2009-10-26 Differential amplifier with increased amplification factor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009139593/09A RU2416147C1 (en) 2009-10-26 2009-10-26 Differential amplifier with increased amplification factor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2416147C1 true RU2416147C1 (en) 2011-04-10

Family

ID=44052240

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009139593/09A RU2416147C1 (en) 2009-10-26 2009-10-26 Differential amplifier with increased amplification factor

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2416147C1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2364020C1 (en) Differential amplifier with negative in-phase signal feedback
RU2416146C1 (en) Differential amplifier with increased amplification factor
RU2413355C1 (en) Differential amplifier with paraphase output
RU2416147C1 (en) Differential amplifier with increased amplification factor
RU2411637C1 (en) Precision operational amplifier with low voltage of zero shift
RU2414808C1 (en) Operational amplifier with low voltage of zero shift
RU2419187C1 (en) Cascode differential amplifier with increased zero level stability
CN107888184B (en) Single-end-to-differential circuit and buffer circuit and sample hold circuit formed by same
RU2412530C1 (en) Complementary differential amplifier
RU2280318C1 (en) Operational amplifier
RU2455757C1 (en) Precision operational amplifier
RU2446555C2 (en) Differential operational amplifier
RU2621289C1 (en) Two-stage differential operational amplifier with higher gain
RU2449466C1 (en) Precision operational amplifier
RU2419193C1 (en) Differential amplifier with paraphase output
RU2444114C1 (en) Operational amplifier with low-resistance load
RU2402150C1 (en) Current mirror with load circuit in form of cascade at transistor with common emitter
RU2374757C1 (en) Cascode differential amplifier
RU2402154C1 (en) Differential amplifier with low voltage of zero shift
RU2402151C1 (en) Cascode differential amplifier
RU2400924C1 (en) Differential amplifier with increased amplification factor
RU2450425C1 (en) Precision operational amplifier
RU2408975C1 (en) Cascode differential amplifier
RU2421894C1 (en) Differential amplifier
RU2412529C1 (en) Cascode differential amplifier

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20131027