RU2413329C9 - Теплоотводящий элемент - Google Patents

Теплоотводящий элемент Download PDF

Info

Publication number
RU2413329C9
RU2413329C9 RU2009133423/28A RU2009133423A RU2413329C9 RU 2413329 C9 RU2413329 C9 RU 2413329C9 RU 2009133423/28 A RU2009133423/28 A RU 2009133423/28A RU 2009133423 A RU2009133423 A RU 2009133423A RU 2413329 C9 RU2413329 C9 RU 2413329C9
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
heat sink
layer
plate
element according
sink element
Prior art date
Application number
RU2009133423/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2413329C1 (ru
Inventor
Александр Георгиевич Бабак
Алексей Сергеевич Адонин
Николай Иванович Мишакин
Original Assignee
ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод" filed Critical ООО "Научно-производственное предприятие "Томилинский электронный завод"
Priority to RU2009133423/28A priority Critical patent/RU2413329C9/ru
Publication of RU2413329C1 publication Critical patent/RU2413329C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2413329C9 publication Critical patent/RU2413329C9/ru

Links

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к теплоотводящим элементам. Указанный элемент состоит из пластины, выполненной из композитного материала, обладающего высокой теплопроводностью, причем на сторонах пластины нанесены электроизоляционные слои. Электроизоляционные слои покрыты слоями металлов, обладающих высокой теплопроводностью. Заявленное изобретение направлено на улучшения изолирующих свойств, повышение теплопроводности и механической прочности теплоотводящего элемента. 7 з.п. ф-лы.

Description

Изобретение относится к области электроники и предназначено преимущественно для использования в качестве теплоотводящей электроизолирующей подложки при изготовлении полупроводниковых приборов и электронных устройств.
Известен теплоотводящий элемент, выполненный из композиционного материала, состоящего из алмазных зерен, связанных медью и медными сплавами (патент US 5783316, B23K 31/02, публ. 1998 г.). Этот материал обеспечивает теплопроводность выше теплопроводности меди за счет введения в композит алмазных зерен, имеющих теплопроводность более 1000 Вт/м·K. Для повышения адгезии медных сплавов к частицам алмаза последние предварительно покрывают тонким слоем карбидообразующих металлов.
Недостатками известного теплоотводящего элемента являются его относительно высокий удельный вес, обусловленный высоким удельным весом меди, и высокий температурный коэффициент линейного расширения (ТКЛР), также определяемый медью. Последнее приводит к значительной температурной деформации изделия при повышенных температурах. Теплоотводящий элемент, как и чистая медь, недостаточно устойчив к окислению и является электропроводным.
Техническим результатом, который можно получить при осуществлении изобретения, является улучшение изолирующих свойств, повышение теплопроводности и механической прочности теплоотводящего элемента.
Технический результат достигается тем, что теплоотводящий элемент состоит из пластины, выполненной из композиционного материала, обладающего высокой теплопроводностью, с нанесенным с одной или с обеих сторон электроизоляционным слоем, который покрыт слоями металлов, обладающих высокой теплопроводностью.
Пластина может быть выполнена из композиционного материала на основе карбида кремния или композиционного материала, содержащего алмазные зерна в матрице из карбида кремния и кремния.
В качестве электроизоляционного слоя на пластину может быть нанесен слой поликристаллического алмаза или слой нитрида алюминия.
В случае нанесения электроизоляционного слоя с одной стороны пластины другая ее сторона покрыта слоями металлов, обладающих высокой теплопроводностью.
Электроизоляционный слой последовательно металлизируют сначала слоем металла, обеспечивающего адгезию с электроизоляционным слоем, а затем слоем металла или сплава, обеспечивающего надежный контакт и высокую кондуктивную теплопроводность к теплосъемнику, например алюминия, серебра, золота или их сплавов.
В случае нанесения электроизоляционного слоя с одной стороны пластины другая ее сторона покрыта слоями металлов, обладающих высокой теплопроводностью, при этом поверхность другой стороны пластины последовательно металлизируют сначала слоем металла, обеспечивающего адгезию с материалом пластины, а затем слоем металла или сплава, обеспечивающего надежный контакт и высокую кондуктивную теплопроводность к теплосъемнику, например алюминия, серебра, золота или их сплавов.
Теплоотводящий элемент получают следующим способом.
Сначала изготавливают пластину толщиной более 200 мкм из карбида кремния или композиционного материала на его основе с повышенной теплопроводностью и ограниченными изолирующими свойствами, например композиционного карбидосодержащего материала, способ получения которого описан в патенте Российской Федерации №2189367. Нижний предел толщины пластины определяется механической прочностью конструкции, а верхний ~2000 мкм - массогабаритными параметрами электронных устройств. Комплекс положительных свойств: высокие механическая прочность, теплопроводность, а также возможность получения заданной и окончательной формы заготовки, позволяет использовать ее для создания теплоотводящего элемента.
После шлифовки, полировки и очистки поверхности пластины на одну или обе ее стороны методом лазерного ионно-лучевого распыления графита из газовой фазы наносят изолирующий слой поликристаллического алмаза (алмазоподобную пленку) толщиной более 1 мкм, что обеспечивает конструкции заданную статическую электрическую прочность выше 2 кВ без снижения теплопроводности. Толщина алмазоподобного покрытия менее 1 мкм может не гарантировать сплошности покрытия и, соответственно, требуемой электрической прочности. Верхний предел толщины покрытия 5÷10 мкм ограничивается экономической целесообразностью.
После этого на слой поликристаллического алмазного покрытия и на непокрытую поверхность пластины из карбида кремния (если пластина покрыта слоем поликристаллического алмаза с одной стороны) наносят слой металла, обеспечивающего адгезию с поликристаллическим алмазным покрытием, например, хрома, молибдена или вольфрама, используя любые известные методы: гальванический, напыление, нанесение пасты.
Затем проводится операция «вжигание» металлизации в атмосфере азота при температуре 200÷700°C.
При необходимости наносят дополнительные слои металлов: никеля или титана и алюминия, серебра или золота (или их сплавов), для обеспечения надежного контакта и кондуктивной теплопроводности от электронного компонента к поверхности теплосъемника.
Изготовление теплоотводящего элемента, содержащего в качестве электроизоляционного слоя нитрид алюминия, проводится аналогично описанному выше способу. На первом этапе изготавливают пластину из композиционного материала на основе карбида кремния или композиционного материала, содержащего алмазные зерна в матрице из карбида кремния и кремния. После шлифовки, полировки и очистки поверхности пластины на одну или обе ее стороны из газовой фазы, например, методом эпитаксиального наращивания при температуре выше 700°C разложением металлоорганического соединения алюминия в среде аммиака наносят слой нитрида алюминия толщиной более 5-10 мкм, что обеспечивает конструкции электрическую прочность выше 2 кВ без снижения теплопроводности, верхний предел толщины слоя нитрида алюминия определяется технологичностью конструкции.
Далее на слой нитрида алюминия и на непокрытую поверхность пластины из карбида кремния (если пластина покрыта слоем нитрида алюминия с одной стороны) наносят слой металла, обеспечивающего адгезию с нитридом алюминия покрытием, например, хрома, молибдена или вольфрама, используя любые известные методы: гальванический, напыление, нанесение пасты.
Затем проводится операция «вжигание» металлизации в атмосфере азота при температуре 200÷700°C.
При необходимости наносят дополнительные слои металлов: никеля или титана и алюминия, серебра или золота (или их сплавов), для обеспечения надежного контакта и кондуктивной теплопроводности от электронного компонента к поверхности теплосъемника.

Claims (8)

1. Теплоотводящий элемент, состоящий из пластины, выполненной из композиционного материала, обладающего высокой теплопроводностью, с нанесенным с одной или с обеих сторон электроизоляционным слоем, который покрыт слоями металлов, обладающих высокой теплопроводностью.
2. Теплоотводящий элемент по п.1, отличающийся тем, пластина выполнена на основе карбида кремния.
3. Теплоотводящий элемент по п.1, отличающийся тем, пластина выполнена из композиционного материала, содержащего алмазные зерна в матрице из карбида кремния и кремния.
4. Теплоотводящий элемент по пп.1, или 2, или 3, отличающийся тем, электроизоляционный слой представляет собой слой поликристаллического алмаза.
5. Теплоотводящий элемент по пп.1, или 2, или 3, отличающийся тем, электроизоляционный слой представляет собой слой нитрида-алюминия.
6. Теплоотводящий элемент по п.1, отличающийся тем, что в случае нанесения электроизоляционного слоя с одной стороны пластины другая ее сторона покрыта слоями металлов, обладающих высокой теплопроводностью.
7. Теплоотводящий элемент по п.1, отличающийся тем, что электроизоляционный слой последовательно металлизируют сначала слоем металла, обеспечивающего адгезию с электроизоляционным слоем, а затем слоем металла или сплава, обеспечивающего надежный контакт и высокую кондуктивную теплопроводность к теплосъемнику, например алюминия, серебра, золота или их сплавов.
8. Теплоотводящий элемент по п.6, отличающийся тем, что поверхность другой стороны пластины последовательно металлизируют сначала слоем металла, обеспечивающего адгезию с материалом пластины, а затем слоем металла или сплава, обеспечивающего надежный контакт и высокую кондуктивную теплопроводность к теплосъемнику, например алюминия, серебра, золота или их сплавов.
RU2009133423/28A 2009-09-08 2009-09-08 Теплоотводящий элемент RU2413329C9 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009133423/28A RU2413329C9 (ru) 2009-09-08 2009-09-08 Теплоотводящий элемент

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009133423/28A RU2413329C9 (ru) 2009-09-08 2009-09-08 Теплоотводящий элемент

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2413329C1 RU2413329C1 (ru) 2011-02-27
RU2413329C9 true RU2413329C9 (ru) 2016-04-20

Family

ID=46310739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009133423/28A RU2413329C9 (ru) 2009-09-08 2009-09-08 Теплоотводящий элемент

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2413329C9 (ru)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5783316A (en) * 1994-05-20 1998-07-21 Regents Of The University Of California Composite material having high thermal conductivity and process for fabricating same
RU2206502C2 (ru) * 2000-11-21 2003-06-20 Акционерное общество закрытого типа "Карбид" Композиционный материал

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5783316A (en) * 1994-05-20 1998-07-21 Regents Of The University Of California Composite material having high thermal conductivity and process for fabricating same
RU2206502C2 (ru) * 2000-11-21 2003-06-20 Акционерное общество закрытого типа "Карбид" Композиционный материал

Also Published As

Publication number Publication date
RU2413329C1 (ru) 2011-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8531026B2 (en) Diamond particle mololayer heat spreaders and associated methods
US9984951B2 (en) Sintered multilayer heat sinks for microelectronic packages and methods for the production thereof
JP2015526904A (ja) 熱界面パッド及びその製造方法並びに放熱システム
TW201121371A (en) Electronic substrate having low current leakage and high thermal conductivity and associated methods
JP2001010874A5 (ru)
WO2005091360A1 (ja) 半導体装置用基板と半導体装置
JP2010171431A (ja) 金属接合ナノチューブアレイ
JPWO2016152345A1 (ja) 静電チャック装置
TW201139676A (en) Diamond neural devices and associated methods
TWI283463B (en) Members for semiconductor device
RU90728U1 (ru) Теплоотводящий элемент
CN111146076B (zh) 一种纳米烧结铜与晶圆结合的制备方法及其连接结构
RU2413329C9 (ru) Теплоотводящий элемент
US20140151009A1 (en) Thermal interface element and method of preparation
RU2411609C1 (ru) Теплоотводящий элемент
RU90787U1 (ru) Теплоотводящий элемент
JP7287900B2 (ja) 熱伝導及び電気絶縁のための装置
TW201306195A (zh) 散熱基板
Vysikaylo et al. Plasma metallization coating and its adhesion to microwave transistor substrate—Part 1: Methods of experimental research
US6914330B2 (en) Heat sink formed of diamond-containing composite material with a multilayer coating
RU131235U1 (ru) Алмазный теплоотвод полупроводникового прибора
KR101063576B1 (ko) 다이아몬드 복합 방열기판 및 그 제조방법
TWM407489U (en) IC carrier board with high thermal conductivity, packaging IC carrier board, and electronic devices
WO2020065700A1 (ja) 金属接合体および金属接合体の製造方法、並びに半導体装置および導波路
JPS6027188B2 (ja) 半導体素子塔載用基板

Legal Events

Date Code Title Description
TH4A Reissue of patent specification