RU2411635C1 - Differential amplifier - Google Patents
Differential amplifier Download PDFInfo
- Publication number
- RU2411635C1 RU2411635C1 RU2009129669/09A RU2009129669A RU2411635C1 RU 2411635 C1 RU2411635 C1 RU 2411635C1 RU 2009129669/09 A RU2009129669/09 A RU 2009129669/09A RU 2009129669 A RU2009129669 A RU 2009129669A RU 2411635 C1 RU2411635 C1 RU 2411635C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- current
- input
- collector
- transistor
- stabilizing
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, в компараторах и прецизионных операционных усилителях (ОУ) с малыми значениями э.д.с. смещения нуля).The invention relates to the field of radio engineering and communication and can be used as a device for amplifying analog signals, in the structure of analog microcircuits for various functional purposes (for example, in comparators and precision operational amplifiers (OA) with small values of the emf of zero bias).
В современной радиоэлектронной аппаратуре находят применение дифференциальные усилители (ДУ) с существенными различными параметрами.In modern electronic equipment, differential amplifiers (DU) with significant different parameters are used.
Особое место занимают дифференциальные усилители (ДУ) с местной отрицательной обратной связью, которая обеспечивается резистором, включенным между эмиттерами входных транзисторов ДУ. Такие ДУ используются в быстродействующих операционных усилителях и характеризуются расширенным диапазоном линейной работы. Предполагаемое изобретение относится к данному типу ДУ.A special place is occupied by differential amplifiers (DU) with local negative feedback, which is provided by a resistor connected between the emitters of the input transistors of the DU. Such remote controls are used in high-speed operational amplifiers and are characterized by an extended range of linear operation. The alleged invention relates to this type of remote control.
Наиболее близким по сущности к заявляемому техническому решению является классическая схема ДУ фиг.1, представленная в патенте США №5.365.191, которая также присутствует в большом числе других патентов, например, имеющих в качестве цепи нагрузки входных транзисторов управляемые токовые зеркала [1-6].The closest in essence to the claimed technical solution is the classical scheme DU of FIG. 1, presented in US patent No. 5.365.191, which is also present in a large number of other patents, for example, having controlled current mirrors as a load circuit of input transistors [1-6 ].
Существенный недостаток известного ДУ фиг.1 состоит в том, что он имеет повышенное значение систематической составляющей напряжения смещения нуля (Uсм), зависящей от свойств его архитектуры.A significant drawback of the known DE of FIG. 1 is that it has an increased value of the systematic component of the zero bias voltage (U cm ), which depends on the properties of its architecture.
Основная задача предлагаемого изобретения состоит в уменьшении абсолютного значения Uсм и его температурного дрейфа.The main objective of the invention is to reduce the absolute value of U cm and its temperature drift.
Поставленная задача достигается тем, что в дифференциальном усилителе фиг.1, содержащем первый 1 и второй 2 входные транзисторы, между эмиттерами которых включен резистор 3 местной отрицательной обратной связи, первый 4, второй 5 и третий 6 токостабилизирующие транзисторы, эмиттеры которых соединены с шиной источника питания 7 через первый 8, второй 9 и третий 10 токостабилизирующие двухполюсники, коллектор первого 4 токостабилизирующего транзистора подключен к эмиттеру первого 1 входного транзистора, коллектор второго 5 токостабилизирующего транзистора соединен с эмиттером второго 2 входного транзистора, базы первого 4 и второго 5 токостабилизирующих транзисторов подключены к цепи смещения потенциалов 11, токовое зеркало 12, вход которого соединен с коллектором первого 1 входного транзистора, а выход подключен к коллектору второго 2 входного транзистора и связан с базой входного транзистора 13 выходного буферного усилителя 14, причем коллектор третьего 6 токостабилизирующего транзистора связан с выходным буферным усилителем, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введено дополнительное токовое зеркало 15, вход которого соединен с базой третьего 6 токостабилизирующего транзистора, а выход подключен к эмиттеру второго 5 токостабилизирующего транзистора, причем тип проводимости входного транзистора 13 выходного буферного усилителя 14 совпадает с типом проводимости первого 4 и второго 5 токостабилизирующих транзисторов.The problem is achieved in that in the differential amplifier of Fig. 1, containing the first 1 and second 2 input transistors, between the emitters of which a local
Схема усилителя-прототипа показана на фиг.1. На фиг.2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с формулой изобретения.The amplifier circuit of the prototype is shown in figure 1. Figure 2 presents a diagram of the inventive device in accordance with the claims.
На фиг.3 и фиг.4 показаны схемы дифференциального усилителя-прототипа (фиг.3) и заявляемого ДУ (фиг.4) в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар».In Fig.3 and Fig.4 shows a diagram of the differential amplifier of the prototype (Fig.3) and the claimed remote control (Fig.4) in a computer simulation environment PSpice on models of integrated transistors of FSUE NPP Pulsar.
На фиг.5 приведены температурные зависимости напряжения смещения нуля схем фиг.3, фиг.4.Figure 5 shows the temperature dependence of the zero bias voltage of the schemes of figure 3, figure 4.
Дифференциальный усилитель фиг.2 содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы, между эмиттерами которых включен резистор 3 местной отрицательной обратной связи, первый 4, второй 5 и третий 6 токостабилизирующие транзисторы, эмиттеры которых соединены с шиной источника питания 7 через первый 8, второй 9 и третий 10 токостабилизирующие двухполюсники, коллектор первого 4 токостабилизирующего транзистора подключен к эмиттеру первого 1 входного транзистора, коллектор второго 5 токостабилизирующего транзистора соединен с эмиттером второго 2 входного транзистора, базы первого 4 и второго 5 токостабилизирующих транзисторов подключены к цепи смещения потенциалов 11, токовое зеркало 12, вход которого соединен с коллектором первого 1 входного транзистора, а выход подключен к коллектору второго 2 входного транзистора и связан с базой входного транзистора 13 выходного буферного усилителя 14, причем коллектор третьего 6 токостабилизирующего транзистора связан с выходным буферным усилителем. В схему введено дополнительное токовое зеркало 15, вход которого соединен с базой третьего 6 токостабилизирующего транзистора, а выход подключен к эмиттеру второго 5 токостабилизирующего транзистора, причем тип проводимости входного транзистора 13 выходного буферного усилителя 14 совпадает с типом проводимости первого 4 и второго 5 токостабилизирующих транзисторов.The differential amplifier of figure 2 contains the first 1 and second 2 input transistors between the emitters of which are included a local
Рассмотрим факторы, определяющие систематическую составляющую напряжения смещения нуля Uсм в схеме фиг.2, т.е. зависящие от схемотехники ДУ.Consider the factors that determine the systematic component of the bias voltage of zero U cm in the circuit of figure 2, i.e. depending on the circuitry of the remote control.
Выходной ток токового зеркала 15 зависит от тока базы транзистора 6 Iвых.15=Iб.р.The output current of the
Если токи двухполюсников 8, 9 и 10 равны величине I0, то токи коллекторов транзисторов 4 и 5:If the currents of the two-
где Iб.р=Iэ.i/βi - ток базы n-p-n транзисторов схемы при эмиттерном токе Iэ.i=I0;where I bp = I e . i / β i is the base current npn of the transistors of the circuit at an emitter current I e.i = I 0 ;
βi - коэффициент усиления по току базы n-p-n транзисторов.β i is the current gain of the base of npn transistors.
Входной Iвх.12 и выходной Iвых.12 - токи токового зеркала 12Input I input 12 and output I output 12 - currents of the
где Ki=1 - модуль коэффициента передачи по току токового зеркала 12.where K i = 1 - modulus of the current transfer coefficient of the
Следовательно, эмиттерные и коллекторные токи транзисторов 1 и 2:Therefore, the emitter and collector currents of the transistors 1 and 2:
Как следствие, разность токов в узле «А» при его коротком замыкании на эквипотенциальную общую шинуAs a result, the current difference in node “A” when it is short-circuited to an equipotential common bus
где Iб.13=Iб.р - ток базы n-p-n транзистора 13 эмиттерного повторителя 14.where I b.13 = I b.r - base current npn of the
Подставляя (1)÷(8) в (9) находим, что разностный ток, определяющий Uсм Substituting (1) ÷ (8) in (9) we find that the difference current determining U cm
Как следствие, это уменьшает Uсм, так как разностный ток Ip в узле «A» создает Uсм, зависящее от крутизны S преобразования входного дифференциального напряжения uвх ДУ в выходной ток узла «A»:As a result, this reduces U cm , since the difference current I p in the node “A” creates U cm , which depends on the steepness S of the conversion of the input differential voltage u in the remote control into the output current of the node “A”:
где rэ1=rэ2 - сопротивления эмиттерных переходов входных транзисторов 1 и 2 дифференциального каскада 1,where r e1 = r e2 are the resistance of the emitter junctions of the
R3 - сопротивление двухполюсника 3.R 3 - resistance of a two-
Поэтому для схемы фиг.2Therefore, for the circuit of FIG. 2
где φт=26 мВ - температурный потенциал.where φ t = 26 mV is the temperature potential.
В ДУ-прототипе Ip≠0, поэтому здесь систематическая составляющая Uсм получается на два порядка больше (Uсм=-8,5 мВ), чем в заявляемой схеме (Uсм=-53,5 мкВ).In the remote control prototype I p ≠ 0, therefore, here the systematic component U cm is two orders of magnitude greater (U cm = -8.5 mV) than in the claimed circuit (U cm = -53.5 μV).
Компьютерное моделирование схем фиг.3, фиг.4 подтверждает (фиг.5) данные теоретические выводы.Computer simulation of the circuits of figure 3, figure 4 confirms (figure 5) these theoretical conclusions.
Таким образом, заявляемое устройство обладает существенными преимуществами в сравнении с прототипом по величине статической ошибки усиления сигналов постоянного тока.Thus, the claimed device has significant advantages in comparison with the prototype in terms of the value of the static error of amplification of DC signals.
ЛитератураLiterature
1. Патент США №4.636.743 fig.1;1. US Patent No. 4,636.743 fig. 1;
2. Патент США №5.828.242 fig.5;2. US Patent No. 5,828,242 fig. 5;
3. Патент США №5.365.191 fig.9;3. US Patent No. 5,365,191 fig. 9;
4. Патент США №4.636.744;4. US Patent No. 4,636.744;
5. Патент США №6.281.752 fig.5a;5. US Patent No. 6,281.752 fig.5a;
6. Патент США №4.783.637.6. US patent No. 4.783.637.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009129669/09A RU2411635C1 (en) | 2009-08-03 | 2009-08-03 | Differential amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009129669/09A RU2411635C1 (en) | 2009-08-03 | 2009-08-03 | Differential amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2411635C1 true RU2411635C1 (en) | 2011-02-10 |
Family
ID=46309409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009129669/09A RU2411635C1 (en) | 2009-08-03 | 2009-08-03 | Differential amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2411635C1 (en) |
-
2009
- 2009-08-03 RU RU2009129669/09A patent/RU2411635C1/en not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2411635C1 (en) | Differential amplifier | |
RU2411637C1 (en) | Precision operational amplifier with low voltage of zero shift | |
RU2412530C1 (en) | Complementary differential amplifier | |
RU2411634C1 (en) | Differential amplifier with low voltage of zero shift | |
RU2402151C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2411641C1 (en) | Differential operational amplifier with low voltage of zero shift | |
RU2439780C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2411636C1 (en) | Cascode differential amplifier with low voltage of zero shift | |
RU2414808C1 (en) | Operational amplifier with low voltage of zero shift | |
RU2402154C1 (en) | Differential amplifier with low voltage of zero shift | |
RU2416152C1 (en) | Differential operating amplifier | |
RU2365029C1 (en) | Cascode difference amplifier with low offset voltage | |
RU2408975C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2293433C1 (en) | Differential amplifier with increased weakening of input cophased signal | |
RU2419198C1 (en) | Precision operating amplifier | |
RU2399151C1 (en) | Differential amplifier | |
RU2412528C1 (en) | Cascode differential operating amplifier with low zero offset voltage | |
RU2412529C1 (en) | Cascode differential amplifier | |
RU2402152C1 (en) | Cascode differential amplifier with low voltage of zero shift | |
RU2411638C1 (en) | Differential operational amplifier with low voltage of zero shift | |
RU2432666C1 (en) | Differential operational amplifier with low supply voltage | |
RU2402155C1 (en) | Differential amplifier with low voltage of zero shift | |
RU2402156C1 (en) | Differential operational amplifier with low voltage of zero shift | |
RU2416151C1 (en) | Differential operating amplifier | |
RU2416145C1 (en) | Cascode differential amplifier |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130804 |