RU2404297C1 - Установка для выращивания монокристаллов, например, сапфиров - Google Patents
Установка для выращивания монокристаллов, например, сапфиров Download PDFInfo
- Publication number
- RU2404297C1 RU2404297C1 RU2009106420/05A RU2009106420A RU2404297C1 RU 2404297 C1 RU2404297 C1 RU 2404297C1 RU 2009106420/05 A RU2009106420/05 A RU 2009106420/05A RU 2009106420 A RU2009106420 A RU 2009106420A RU 2404297 C1 RU2404297 C1 RU 2404297C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cover
- chamber
- installation
- crucible
- column
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к устройствам для выращивания объемных монокристаллов из расплавов, например, сапфира методом Чохральского, Киропулоса, и может быть использовано в электронной и полупроводниковой промышленности. Установка содержит цилиндрическую камеру 1 с крышкой 2 и поддоном 3, установленный в камере блок тепловых экранов, тигель для расплава с размещенным над ним затравкодержателем, связанным со штоком 9, несущую поворотный кронштейн 11 колонну 10 с приводами вращения 12 и перемещения 13 штока 9, вакуумную систему 14, систему питания со шкафом управления 15 и систему охлаждения 16. Блок тепловых экранов включает верхние и нижние экраны, при этом установка снабжена механизмом подъема крышки, представляющим собой привод 23, установленный на поворотном кронштейне 11 и связанный с крышкой 2 камеры 1 гибким элементом 24, выполненным в виде цепи, причем привод 23 механизма подъема крышки имеет регулируемую муфту предельного момента, настроенную на усилие, достаточное для подъема крышки 2, но проскальзывающую при подъеме штока 9 и неподвижной крышке, кроме того, установка снабжена установленным на колонне с возможностью поворота вокруг оси колонны подъемником 26 для подъема тигля и нижних тепловых экранов, причем подъемник 26 снабжен съемником для установки и съема тигля, при этом верхние тепловые экраны закреплены на внутренней стороне крышки 2 камеры 1, имеющей снаружи три смотровых окна 21, 22, а поддон 3 камеры 1 имеет водоохлаждаемую заглушку с каналом подачи инертного газа, а шкаф управления оснащен дистанционным пультом 30 в виде электронного маховичка, установленного на боковой поверхности шкафа. Технический результат изобретения заключается в повышении производительности, возможности выращивания объемных монокристаллов цилиндрической формы в автоматическом режиме, повышении совершенства структуры монокристалла и обеспечении постоянства его размеров по всей длине за счет применения высокоточных механизмов управления на базе промышленного компьютера. 6 ил.
Description
Изобретение относится к устройствам для выращивания объемных монокристаллов из расплавов, например, сапфира методом Чохральского, Киропулоса, и может быть использована в электронной и полупроводниковой промышленности.
Известна установка для выращивания монокристаллов, например, оксидов (сапфиров), содержащая цилиндрическую камеру с крышкой и поддоном, установленный в камере блок боковых тепловых экранов, тигель для расплава с размещенным над ним затравкодержателем, связанным со штоком, несущую поворотный кронштейн колонну с приводами вращения и перемещения штока, вакуумную систему, систему питания со шкафом управления и систему охлаждения (патент GB 1322582, кл. С30В 15/00, 04.07.1973).
Однако установка имеет некоторые недостатки:
- подъем крышки производится совместно со штоком. Это не позволяет снимать выращенный кристалл из тигля, не разрушая затравку;
- боковые тепловые экраны, выполненные из металла, а не из керамики, которая служит дополнительной теплоизоляцией;
- не имеет механизма, позволяющего обслуживать установку: съем и установку тигля, тепловых экранов, монтаж и демонтаж камеры.
Задача изобретения - устранение вышеперечисленных недостатков, а также повышение производительности, возможности выращивания объемных монокристаллов цилиндрической формы в автоматическом режиме, повышение совершенства структуры монокристалла и обеспечение постоянства его размеров по всей длине за счет применения высокоточных механизмов управления на базе промышленного компьютера.
Технический результат достигается тем, что в установке для выращивания монокристаллов, например, сапфиров, содержащей цилиндрическую камеру с крышкой и поддоном, установленный в камере блок тепловых экранов, тигель для расплава с размещенным над ним затравкодержателем, связанным со штоком, несущую поворотный кронштейн колонну с приводами вращения и перемещения штока, вакуумную систему, систему питания со шкафом управления и систему охлаждения, блок тепловых экранов включает верхние и нижние экраны, при этом установка снабжена механизмом подъема крышки, который представляет собой привод, установленный на поворотном кронштейне колонны, связанный с крышкой камеры гибким элементом, выполненным в виде цепи, причем привод механизма подъема имеет регулируемую муфту предельного момента, настроенную на усилие, достаточное для подъема крышки, но проскальзывающую при подъеме штока и неподвижной крышке. А также установка снабжена установленным на колонне с возможностью поворота вокруг оси колонны подъемником для подъема тигля и нижних тепловых экранов, причем подъемник снабжен съемником для установки и съема тигля, при этом верхние тепловые экраны закреплены на внутренней стороне крышки, имеющей снаружи три смотровых окна. Кроме того, поддон камеры имеет водоохлаждаемую заглушку с каналом подачи инертного газа, а шкаф управления оснащен дистанционным пультом в виде электронного маховичка, установленного на его боковой поверхности.
На фиг.1 изображен общий вид установки;
на фиг.2 - общий вид камеры;
на фиг.3 - привод механизма подъема с муфтой;
на фиг.4 - съемник для выемки и установки тигля;
на фиг.5 - разрез В-В, крышка с блоком верхних тепловых экранов;
на фиг.6 - разрез Б-Б, схема заглушки.
Установка содержит цилиндрическую камеру 1 с крышкой 2 и поддоном 3, блок боковых верхних и нижних тепловых экранов 4, 5, 6, тигель 7 для расплава с размещенным над ним затравкодержателем 8, связанным со штоком 9, колонну 10, несущую поворотный кронштейн 11, с приводами 12, 13 вращения и перемещения штока 9, вакуумную систему 14, систему питания со шкафом 15 управления и систему 16 охлаждения.
Камера 1 выполнена двухсекционной 17, 18. В нижней секции 17 на поддоне 3 установлены нижние тепловые экраны 6 и тигель 7. В верхней секции 18 камеры 1 установлены два охлаждаемых токоввода 19, на которых закреплены нагреватели 20. А верхние тепловые экраны 5 закреплены на внутренней стороне крышки 2 камеры 1 для предотвращения слипания экранов 5 и тигля 7.
Для наблюдения за технологическим процессом крышка 2 камеры 1 имеет три смотровых окна 21, причем одно из окон 22 предназначено для установки видеокамеры.
Открытие и закрытие крышки 2 осуществляется механизмом подъема крышки, который представляет собой привод 23 установленный на поворотном кронштейне 11 колонны 10, связанный с крышкой 2 камеры 1 гибким элементом 24, выполненным в виде цепи.
Привод 23 механизма подъема имеет регулируемую муфту 25 предельного момента, настроенную на усилие, достаточное для подъема крышки 2, но проскальзывающую при подъеме штока 9 и неподвижной крышке 2.
Установка снабжена подъемником 26, установленным на колонне 10 с возможностью поворота вокруг оси колонны 10 для подъема экранов 5, 6, тигля 7 и других целей. Подъемник 26 снабжен съемником 27 для установки и съема тигля 7.
Поддон 3 камеры 2 имеет водоохлаждаемую заглушку 28 для регулирования теплового поля растущего кристалла. В заглушке 28 выполнен канал 29 подачи инертного газа для удаления выделений из расплава.
Для оперирования затравкой 8 шкаф 15 управления оснащен пультом 30 дистанционного управления в виде электронного маховичка.
Установка работает следующим образом.
В тигель 7 загружают исходный материал, герметизируют камеру 2, вакууммируют ее и, включив нагреватель 20, поднимают температуру, расплавляя загрузку. Затем, включив привод 12 перемещения штока 9, опускают затравку к расплаву, прогревают ее и контактируют с расплавом. Далее, подобрав необходимую скорость роста, перемещают шток 9 затравки вверх и вращают его. Оператор контролирует процесс затравления через смотровое окно 21, или видеокамерой, манипулируя затравкой при помощи пульта 30 дистанционного управления, оснащенного электронным маховичком. После затравления оператор включает программу роста. Процесс выращивания кристалла производится в автоматическом режиме.
Claims (1)
- Установка для выращивания монокристаллов, например, сапфиров, содержащая цилиндрическую камеру с крышкой и поддоном, установленный в камере блок тепловых экранов, тигель для расплава с размещенным над ним затравкодержателем, связанным со штоком, несущую поворотный кронштейн колонну с приводами вращения и перемещения штока, вакуумную систему, систему питания со шкафом управления и систему охлаждения, отличающаяся тем, что блок тепловых экранов включает верхние и нижние экраны, при этом установка снабжена механизмом подъема крышки, представляющим собой привод, установленный на поворотном кронштейне и связанный с крышкой камеры гибким элементом, выполненным в виде цепи, причем привод механизма подъема крышки имеет регулируемую муфту предельного момента, настроенную на усилие, достаточное для подъема крышки, но проскальзывающую при подъеме штока и неподвижной крышки, кроме того, установка снабжена установленным на колонне с возможностью поворота вокруг оси колонны подъемником для подъема тигля и нижних тепловых экранов, причем подъемник снабжен съемником для установки и съема тигля, при этом верхние тепловые экраны закреплены на внутренней стороне крышки камеры, имеющей снаружи три смотровых окна, а поддон камеры имеет водоохлаждаемую заглушку с каналом подачи инертного газа, а шкаф управления оснащен дистанционным пультом в виде электронного маховичка, установленного на боковой поверхности шкафа.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009106420/05A RU2404297C1 (ru) | 2009-02-24 | 2009-02-24 | Установка для выращивания монокристаллов, например, сапфиров |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2009106420/05A RU2404297C1 (ru) | 2009-02-24 | 2009-02-24 | Установка для выращивания монокристаллов, например, сапфиров |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2009106420A RU2009106420A (ru) | 2010-08-27 |
RU2404297C1 true RU2404297C1 (ru) | 2010-11-20 |
Family
ID=42798518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009106420/05A RU2404297C1 (ru) | 2009-02-24 | 2009-02-24 | Установка для выращивания монокристаллов, например, сапфиров |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2404297C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103132136A (zh) * | 2013-03-08 | 2013-06-05 | 上海锐亮晶体技术有限公司 | 用于蓝宝石长晶炉中的晶体取出机构 |
CN103710745A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-04-09 | 南京晶升能源设备有限公司 | 85kg至120kg蓝宝石晶体生长自动化控制方法 |
-
2009
- 2009-02-24 RU RU2009106420/05A patent/RU2404297C1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103132136A (zh) * | 2013-03-08 | 2013-06-05 | 上海锐亮晶体技术有限公司 | 用于蓝宝石长晶炉中的晶体取出机构 |
CN103132136B (zh) * | 2013-03-08 | 2017-05-17 | 上海锐亮晶体技术有限公司 | 用于蓝宝石长晶炉中的晶体取出机构 |
CN103710745A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-04-09 | 南京晶升能源设备有限公司 | 85kg至120kg蓝宝石晶体生长自动化控制方法 |
CN103710745B (zh) * | 2013-12-26 | 2016-01-20 | 南京晶升能源设备有限公司 | 85kg至120kg蓝宝石晶体生长自动化控制方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2009106420A (ru) | 2010-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4345624B2 (ja) | チョクラルスキー法による原料供給装置および原料供給方法 | |
CN104451862B (zh) | 一种蓝宝石单晶炉和蓝宝石引晶方法 | |
JP2007223830A (ja) | 酸化物単結晶の育成方法 | |
RU2404297C1 (ru) | Установка для выращивания монокристаллов, например, сапфиров | |
CN219772330U (zh) | 一种钽酸锂单晶生长自适应温场装置 | |
EP1686201B1 (en) | Pulling-down apparatus | |
RU84020U1 (ru) | Установка для выращивания монокристаллов, например сапфиров | |
US20070240634A1 (en) | Crystal growing apparatus having a crucible for enhancing the transfer of thermal energy | |
JP2011162393A (ja) | 単結晶製造装置および単結晶の製造方法 | |
JP6834493B2 (ja) | 酸化物単結晶の育成装置及び育成方法 | |
CN116334744A (zh) | 一种晶体制备方法 | |
KR102136250B1 (ko) | 화합물 반도체용 금속소재의 고순도화 장치 | |
KR20120126731A (ko) | 재사용이 가능한 실리콘 용융용 이중 도가니를 구비하는 단결정 실리콘 잉곳 성장 장치 | |
US20050115493A1 (en) | Thermal shield | |
JP3642175B2 (ja) | シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法 | |
JP2012101995A (ja) | サファイア製造装置 | |
JP3719336B2 (ja) | シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法 | |
EP0416799B1 (en) | A single crystal pulling apparatus | |
KR20120138065A (ko) | 잉곳 성장장치 및 잉곳 성장방법 | |
TWI823646B (zh) | 單晶成長裝置 | |
JPH09202685A (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
JPH01317188A (ja) | 半導体単結晶の製造方法及び装置 | |
JPH11255576A (ja) | シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法 | |
JPH04300279A (ja) | 酸化物単結晶の育成装置 | |
KR101912256B1 (ko) | 저용점 금속의 결정 회수장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150225 |