RU2391361C2 - Композиция термореактивной смолы и способ создания защитного покрытия полупроводниковых устройств - Google Patents

Композиция термореактивной смолы и способ создания защитного покрытия полупроводниковых устройств Download PDF

Info

Publication number
RU2391361C2
RU2391361C2 RU2008112638/04A RU2008112638A RU2391361C2 RU 2391361 C2 RU2391361 C2 RU 2391361C2 RU 2008112638/04 A RU2008112638/04 A RU 2008112638/04A RU 2008112638 A RU2008112638 A RU 2008112638A RU 2391361 C2 RU2391361 C2 RU 2391361C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
composition
semiconductor devices
protective coating
products
compound
Prior art date
Application number
RU2008112638/04A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2008112638A (ru
Inventor
Олег Иосифович Яковлев (RU)
Олег Иосифович Яковлев
Алексей Петрович Крысин (RU)
Алексей Петрович Крысин
Татьяна Федоровна Жаркова (RU)
Татьяна Федоровна Жаркова
Татьяна Васильевна Волосская (RU)
Татьяна Васильевна Волосская
Людмила Ивановна Почуева (RU)
Людмила Ивановна Почуева
Original Assignee
Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова Сибирского отделения Российской академии наук (НИОХ СО РАН) (статус государственного учреждения)
Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова Сибирского отделения Российской академии наук (НИОХ СО РАН) (статус государственного учреждения), Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ) filed Critical Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова Сибирского отделения Российской академии наук (НИОХ СО РАН) (статус государственного учреждения)
Priority to RU2008112638/04A priority Critical patent/RU2391361C2/ru
Publication of RU2008112638A publication Critical patent/RU2008112638A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2391361C2 publication Critical patent/RU2391361C2/ru

Links

Landscapes

  • Paints Or Removers (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Изобретение относится к композиции термореактивной смолы для защитного покрытия полупроводниковых устройств от воздействия окружающей среды. Композиция содержит эпоксидную смолу - ЭД-20, наполнитель, катализатор полимеризации - соединение бора, и 2,4-4,0% от массы эпоксидной смолы смеси моно-, ди- и полисульфидов 2-трет-бутилфенола структуры:
Figure 00000007
n=1÷4
Также предложен способ получения защитного покрытия полупроводниковых устройств. Изобретение позволяет обеспечить защиту полупроводниковых изделий и микросхем от внешних воздействий, включая радиационное облучение. 2 н.п. ф-лы, 2 табл.

Description

Изобретение относится к термореактивным композициям смол, используемым в микроэлектронике в качестве покрытия для защиты полупроводниковых приборов и микросхем от внешних воздействий.
Качество и свойства полупроводниковых приборов определяются величиной прямого и обратного напряжения, величиной прямого и обратного тока. При защите р-n перехода в полупроводниковом приборе или микросхеме основное внимание обращается на величину обратного тока. Он увеличивается при внешних воздействиях, для защиты от которых применяются неорганические [SU 1556432] и органические покрытия. На практике массовое применение нашли покрытия, получаемые на основе эпоксидной смолы, отличающиеся механической прочностью и простотой нанесения покрытия [Кремневые планарные транзисторы. Ред. Я.А.Федоров. - M.: Советское радио, 1973, с.314-318]. Но они не обеспечивают требования, предъявляемые к р-n переходам микросхем и полупроводниковых приборов, эксплуатируемым в специальных условиях, в частности в условиях радиационного облучения. Это дополнительное требование, предъявляемое к современной микроэлектронике наряду с известными (высокой влагостойкостью, теплостойкостью, отсутствием последствий влияния внешних воздействий на параметры и структуру прибора, химической стойкостью, стабильностью электрических свойств и т.д.), приводит в настоящее время к массовой выбраковке уже готовых изделий. Основная причина - они не обеспечивают уменьшения влияния электронов высоких энергий на ток утечки р-n перехода. Облучение и другие воздействия приводят к образованию на поверхности покрытия электронных центров - радикалов. Они-то и являются основной причиной увеличения обратного тока р-n перехода.
Известно изобретение [RU 2195474], которое предлагает термореактивную композицию смол для применения в микроэлектронике в качестве заливочного герметика для изготовления полупроводниковых устройств, обладающих коммерчески приемлемой жизнеспособностью при комнатной температуре или градиенте температур. В качестве характеристики надежности изделий рассматривается только прочностная характеристика полученного покрытия - термополимеризованного компаунда. Недостатком способа является отсутствие данных, указывающих на способность композиции положительно влиять на электрические характеристики полупроводникового прибора или микросхемы, а также на возможность надежной работоспособности их в жестких условиях.
Известно, что радиационная стойкость органических полимеров существенно возрастает при введении в их структуру большого числа ароматических колец. Они выполняют роль энергоотвода, где энергия возбуждения, вызванная радиацией, превращается в тепловую [Н.Грасси, Дж. Скотт. Деструкция и стабилизация полимеров. - М.: Мир, 1987, с.233-234]. Этим путем была решена проблема получения полимерных слоев, защищающих изделия от радиации [US 4735891], для чего были использованы полифениловые эфиры, содержащие эпоксидные фрагменты.
Указанный принцип положен в основу защиты полупроводников от воздействия радиации путем использования эпоксидных смол, содержащих в своей структуре большое число ароматических колец [WO 2006120993]. После термической полимеризации получаемый компаунд обладает высокой стойкостью к радиации и пространственной стабильностью.
К недостатком этого аналога следует отнести:
- необходимость синтеза специальных эпоксидных смол, содержащих большое число ароматических колец;
- отсутствие в структуре этих полимеров фрагментов пространственно-затрудненных фенолов, позволяющих увеличить долговременную стойкость изделий;
- не решены проблемы блокирования концевых эпоксидных групп в образующемся полимере и усиления адгезии защитного покрытия к поверхности полупроводника к месту присоединения к нему электрических проводников. Указанные недостатки аналогов мешают обеспечению необходимой защиты р-n перехода от многочисленных внешних воздействий.
Выяснилось, что значительную часть недостатков, присущих покрытиям, полученным на основе эпоксидных смол, можно устранить путем увеличения адгезии эпоксидных компаундов к металлам: олову, меди, серебру, алюминию и другим, из которых изготавливаются проводники, и места их припаивания к изделиям микроэлектроники: полупроводникам и микросхемам. Хорошая адгезия к металлам достигается введением в композицию эпоксидных смол в качестве добавок соединений, содержащих шесть и более атомов серы [JP 2004168730]. К существенному недостатку аналога следует отнести сложность синтеза органических полисульфидных соединений.
Защитные покрытия полупроводников с хорошей влагостойкостью и прочным соединением припая к полупроводнику получены на основе эпоксидной смолы, содержащей эпоксидированный дигидроксибифенил (1), и два модификатора: HMPS (2) и дисульфид Actor R (3), где R=H или СН3. После термополимеризации композиции получен компаунд для защиты полупроводников, отличающийся высокой влагостойкостью, хорошей адгезией к металлам и прочным припаем, устойчивым к нагреву [JP 200508 2666] (ПРОТОТИП).
Figure 00000001
Figure 00000002
Figure 00000003
Недостатком прототипа является необходимость получения и использования многокомпонентной смеси модификаторов, каждый компонент которой исполняет свою функцию. В патенте не описаны условия изготовления компаунда, придающего изделию радиационную стойкость.
Задачей изобретения является создание полимерной композиции для получения защитного покрытия с использованием доступных смол и добавок, обеспечивающего надежную защиту полупроводниковых изделий и микросхем от внешних воздействий, включая радиационное облучение.
Задача решается композицией с использованием стандартных эпоксидных смол, остов которых путем химической модификации связан с соединениями, содержащими в своей структуре два или более ароматических колец, желательно содержащих в своей структуре фрагменты антиоксидантов и два или более атомов серы, образующих цепочку.
Решение достигается введением в эпоксидную смолу ГОСТ 10587-84, сорт высший, дополнительно модификатора ТАБ, который является смесью моно-, ди- и полисульфидов 2-трет-бутилфенола, ТУ 88-15326-03-85. Полученный раствор используется для приготовления модифицированного эпоксидного компаунда, легированного бором, (ЭКЛБ), содержащего 10% инертного наполнителя. Компаунд наносится на защищаемую поверхность и проводится полимеризация путем горячего отверждения. Эта операция протекает при температуре 120°С и инициируется катализатором - соединением бора, который заведомо включен в состав компаунда ЭКЛБ (соотношение его компонентов соответствует КЛГЯ.430-207-600 ТУ). Дальнейшая операция химической модификации образовавшегося полимера под действием того же катализатора протекает путем длительной выдержки композиции при температуре 180°С. Во всех примерах в качестве наиболее оптимального катализатора используется окись бора. Применение в качестве катализаторов эфиров бора сокращает время полимеризации композиции в сравнении с окисью бора, но образующиеся при этом летучие вещества заметно ухудшают диэлектрические свойства образующегося компаунда.
Основа композиции - эпоксидная смола ЭД-22 или смола ЭД-20. Положительный эффект в равной степени достигается при использовании каждой из этих смол. Эти смолы являются взаимозаменяемыми и их использование приводит к идентичным эксплуатационным свойствам конечных изделий. Предварительные опыты показали, что твердая смола ЭД-8, а также смола с высокой текучестью: ЭД-40 для изготовления композиции не годятся.
Наполнитель используется в коммерческих целях для удешевления композиции и для ее окраски. Во всех примерах в качестве наполнителя и красителя композиции в красный цвет применяется сурик. Отсутствие в композиции наполнителя не оказывает заметного влияния на эксплуатационные свойства готового изделия. Установлено, что органические красители, используемые в качестве наполнителя, могут быть пригодны для изготовления изделий только в том случае, если они не содержат аминогрупп и других структурных фрагментов, реагирующих с эпоксидами: наполнитель должен быть инертным веществом к компонентам, доставляющим композицию.
Положительный эффект заявки достигается ди- и полисульфидами орто-трет-бутилфенола. Содержание суммы ди- и полисульфидов орто-трет-бутилфенола в смеси бутилфенола в смеси моно-, ди- и полисульфидов орто-трет-бутилфенола не должно быть меньше 50% (масс). В примерах заявки используется ТАБ, где основным действующим началом является дисульфид 2-трет-бутилфенола: бис-(3-трет-бутил-4-гидроксифенил)дисульфид (n=2), который содержится в ТАБ в количестве 50%, а также полисульфиды (n=3, 4), содержание которых в сумме составляет 20%.
Figure 00000004
где n - число атомов серы в компоненте, содержащимся в ТАБ, далее указано его процентное содержание.
Применение ТАБ в качестве химического модификатора полимеров известно. Он используется с целью значительного улучшения физико-механических свойств полиамида [SU 1387361], связующего для стеклопластика [SU 1657517].
Исходя из данных, указанных в этих патентных документах, можно было ожидать, что использование ТАБ для модификации эпоксидных смол возможно приведет к их стабилизации (увеличение срока хранения изделий) и заметно возрастут прочностные свойства композиции - очевидна возможность решения этой части задач для создания защитных покрытий объектов микроэлектроники. Однако главными показателями для них является уменьшение величины обратного тока защищаемых полупроводников, стойкость их к радиации и долговременной работоспособности в специальных условиях. Ответы на эти вопросы об эффективности ТАБ к решению этих проблем остаются на грани предположений. Кроме того, полимерная композиция должна быть идеально совместимой без «выпотевания» отдельных компонент в ходе нагрева или облучения композиции. Еще одна задача, также трудно решаемая, связана с подбором количества добавки и специальных технологических условий, при которых выявляются ее полезные свойства. Так, фенольные антиоксиданты, содержащие серу, обычно вводят в композицию для ее долговременного хранения в количестве 0.1-1.0% от массы полимера [Химические добавки к полимерам. Справочник. - М.: Химия, 1981, с.59-63]. При увеличении этого количества они становятся оксидантами [В.А. Рогинский. Фенольные антиоксиданты. Изд. Наука. 1988. С.198-201]. Попытка применить эпоксидную композицию с использованием ТАБ в концентрации 0,4% по прямому назначению (как стабилизатора полимеров) не дает желаемых результатов (см. табл.2).
Задачи решаются при использовании ТАБ в качестве химического агента в значительных концентрациях (от 2,4 до 4%) путем поиска его условий химического взаимодействия с полимером или эпоксидом. Было найдено, что оно протекает при температуре 180°С в присутствии катализатора полимеризации эпоксидной смолы-соединения бора. Завершение процесса определялось по отсутствию экстракции толуолом компонентов модификатора ТАБ из компаунда. По времени оно составило не менее 12-15 часов выдержки при температуре 180°С. Этому же времени соответствовало снижение обратного тока в полупроводнике. Этот показатель прост в измерении - он в дальнейшем взят за основу определения конца реакции - изготовления защитного покрытия.
Таким образом, предлагаемая композиция имеет следующие достоинства:
- наблюдается стабилизация электрических свойств изделий при хранении микросхем и полупроводниковых приборов, использующих предлагаемое защитное покрытие;
- улучшаются физико-механические параметры приборов, в которых используется предлагаемая защитная композиция;
- усиливается адгезия защитной композиции к ряду металлов: олову, алюминию, стали;
- при применении предлагаемой защитной композиции уменьшается обратный ток в полупроводнике;
- не наблюдается негативного воздействия радиационного облучения на электрические и механические свойства полупроводникового изделия, использующего предлагаемую защитную композицию.
Изобретение использовано на примере производства полупроводникового изделия КЦ-113А-1. Это высоковольтный выпрямительный столб размерами 3,3×1×1 мм, пригодность которого для эксплуатации в специальных условиях определяется после воздействия на него электронами высоких энергий, а затем определяется по величине обратного тока утечки, Joбp. Этот показатель при эксплуатации изделия в специальных условиях по технологической норме должен быть не более 3·10-8 А. Для изделий массового производства он составляет 5·10-8 А. Другие его свойства и технические характеристики изложены в aAO.336.625 ТУ/08. Это различие в электрических характеристиках приводит к необходимости штучного подбора изделия, применяемого в условиях повышенной радиации, а значит к проверке и массовой выбраковке изделий. При проведении химической модификации эпоксидной смолы практически все полученные изделия могут быть успешно использованы для эксплуатации их в условиях повышенной радиации.
В процессе изготовления этого изделия обычно осуществляют две термических операции: полупроводник защищается, а затем изготовляется корпус для него (изделие «корпусируется») тем же эпоксидным компаундом.
Пример 1. Партию заготовок для изделия КЦ 113А-1 в количестве 1700 штук после присоединения к ним выводов перед защитой поделили на две равные части. Одна часть, опытная группа изделий, была защищена, а затем закорпусирована заливкой эпоксидным компаундом ЭКЛБ, в состав которого включена эпоксидная смола ЭД-20, инертный наполнитель и катализатор термополимеризации смолы - окись бора. В состав компаунда ввели дополнительно 2,4% модификатора ТАБ по отношению к эпоксидной смоле.
Другая часть изделий была контрольной. Она защищена и закорпусирована в условиях массового производства без добавки в компаунд модификатора ТАБ. При изготовлении этой контрольной группы на защищаемый полупроводник нанесли тонкий слой исходного компаунда и выдержали в термошкафу в двух режимах термообработки.
Первая стадия: температура 120°С, время выдержки 4-6 часов.
Вторая стадия: температура 180°С, время выдержки не менее12 часов.
После осуществления этой стадии защиты была проведена стадия изготовления корпуса изделия путем нанесения нового слоя эпоксидного компаунда с последующей выдержкой их в термошкафу в трех режимах термообработки.
Первая стадия: температура 85°С, выдержка 4 часа.
Вторая стадия: температура 120°С, выдержка 7 часов.
Третья стадия: температура 180°С, выдержка не менее 15 часов.
Условия защиты и изготовления корпусов опытной и контрольных групп были идентичны. Все полученные изделия двух партий подверглись облучению электронами с энергией 2,4 МэВ с током в пучке 0,3 А в течение 3 часов 30 минут.
Все изделия после измерения электрических параметров и рассмотрения внешнего вида были оставлены на хранение в течение 9 месяцев без упаковки при комнатной температуре (проверка по ТУ составляет 8 месяцев хранения). Результаты см. табл.1.
Пример 2. Партию заготовок для изделия КЦ 113А-1 в количестве 500 штук после присоединения к ним выводов поделили на пять равных частей. Первая группа - контрольная. Остальные были поделены на четыре группы по сто штук каждая. В контрольной группе компаунд ЭКЛБ на основе эпоксидной смолы ЭД-20 для защиты и изготовления корпусов не содержал модификатора ТАБ. Для остальных групп (опытные) в компаунд ЭКЛБ вводят разное количество модификатора ТАБ от 0,4 до 8% (см. таблицу 2). Эти четыре комплексные компаунда использовали для защиты и изготовления корпусов изделий. Операции полимеризации для всех пяти групп осуществляли в термошкафу и проводили в условиях, идентичных примеру 1.
Все полученные изделия пяти партий подверглись облучению на установке, обспечивающей энергию облучения электронов 2,4 МэВ и ток электронного пучка 0,3 А в течение 3 часов 30 минут. После чего партии изделий были оставлены на хранение в течение 9 месяцев при комнатной температуре, а затем были изучены электрические характеристики каждого изделия. Приборы после их облучения, имеющие ток утечки более 3·10-8 А при напряжении 2000 В, являлись браком в использовании их для специальных целей. Результаты представлены в таблице 2.
Из таблицы 2 следует, что оптимальная концентрация стабилизатора ТАБ в компаунде по отношению к зпоксидной смоле составляет от 2,4 до 4%. Как понижение, так и повышение его концентрации в компаунде резко увеличивает количество брака. При сравнении результатов таблиц 1 и 2 видно, что при массовом производстве изделий на автоматических линиях количество брака заметно меньше, чем в опытных партиях (данные таблицы 2).
В изобретении установлен факт улучшения примерно в 2 раза электрических характеристик полупроводниковых изделий с использованием композиции эпоксидных смол и модификатора ТАБ, что успешно реализовано на практике их производства.
Компаунд, изготовленный в оловянных, медных или алюминиевых кюветах без добавки ТАБ, легко извлекается из них. Тогда как компаунд, изготовленный с добавкой 2% ТАБ, обладал настолько высокой адгезией к указанным металлам, что для извлечения термически приготовленного компаунда из металлических кювет пришлось их уничтожать с помощью жесткого истирания.
Из представленных данных видно, что наличие в эпоксидном компаунде модификатора ТАБ в оптимальных концентрациях приводит к лучшей устойчивости изделий к воздействию облучения и условиям окружающей среды. Хранение изделий в течение 9 месяцев не привело к увеличению брака, а также к ухудшению электрических характеристик готовых изделий.
Изобретение может быть использовано в микроэлектронике для изготовления полупроводниковых изделий и микросхем, используемых в условиях повышенной радиации.
Figure 00000005
Таблица 2
Свойства защиты полупроводников контрольной и четырех опытных групп, содержащих разное количество ТАБ
Концентрация ТАБ в эпоксидной смоле ЭД-20, % Медиана тока утечки, Jo6p, ·10-9 А Коэффициент увеличения медианы Количество брака в результате облучения и хранения изделия, %
До облучения После облучения
0 6,75 13,6 2,01 20
min - 1,5 min - 4,1
max - 18,8 max - 37,9
0,4 7,0 12,7 1,81 20
min - 1,5 min - 5,1
max - 17,8 max - 38,5
2,4 6,7 9.5 1,42 4
min - 3,7 min - 4,5
max - 19,6 max - 33,5
4,0 5,5 8,7 1,58 4
min - 1,2 min - 4,6
max - 14,4 max - 22,2
8,0 8,3 9,5 1,08 16
min - 3,8 min - 3,4
max - 19,2 max - 76,6

Claims (2)

1. Композиция термореактивной смолы для защитного покрытия полупроводниковых устройств от воздействия окружающей среды, содержащая эпоксидную смолу - ЭД-20, наполнитель, катализатор полимеризации - соединение бора, и 2,4-4,0% от массы эпоксидной смолы смеси моно-, ди- и полисульфидов 2-трет-бутилфенола структуры:
Figure 00000006

где n=1÷4.
2. Способ получения защитного покрытия полупроводниковых устройств, включающий нанесение композиции по п.1 на полупроводник и изготовление защитного слоя путем термополимеризации при температуре 120°С в течение 4-7 ч с последующей выдержкой образующегося полимера в течение 12-15 ч при температуре 180°С.
RU2008112638/04A 2008-04-01 2008-04-01 Композиция термореактивной смолы и способ создания защитного покрытия полупроводниковых устройств RU2391361C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008112638/04A RU2391361C2 (ru) 2008-04-01 2008-04-01 Композиция термореактивной смолы и способ создания защитного покрытия полупроводниковых устройств

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008112638/04A RU2391361C2 (ru) 2008-04-01 2008-04-01 Композиция термореактивной смолы и способ создания защитного покрытия полупроводниковых устройств

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008112638A RU2008112638A (ru) 2009-10-10
RU2391361C2 true RU2391361C2 (ru) 2010-06-10

Family

ID=41260389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008112638/04A RU2391361C2 (ru) 2008-04-01 2008-04-01 Композиция термореактивной смолы и способ создания защитного покрытия полупроводниковых устройств

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2391361C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2695166C2 (ru) * 2015-02-13 2019-07-22 Хеметалл Гмбх Герметизирующий состав на основе базового полимера с концевой меркаптогруппой/эпоксидной композиции и способ его отверждения посредством фотолатентного катализатора

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2695166C2 (ru) * 2015-02-13 2019-07-22 Хеметалл Гмбх Герметизирующий состав на основе базового полимера с концевой меркаптогруппой/эпоксидной композиции и способ его отверждения посредством фотолатентного катализатора

Also Published As

Publication number Publication date
RU2008112638A (ru) 2009-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4890063B2 (ja) 樹脂組成物、並びにこの樹脂組成物を用いて得たワニス、フィルム状接着剤及びフィルム状接着剤付き銅箔
JP7056649B2 (ja) ペースト状樹脂組成物
KR20070012655A (ko) 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
JP6093880B2 (ja) 硬化性組成物、硬化性組成物の製造方法及び半導体装置
Anand et al. Development of polyaniline/zinc oxide nanocomposite impregnated fabric as an electrostatic charge dissipative material
TW201428082A (zh) 導電性接著劑
WO2016010067A1 (ja) 半導体素子保護用材料及び半導体装置
RU2391361C2 (ru) Композиция термореактивной смолы и способ создания защитного покрытия полупроводниковых устройств
JP2017041633A (ja) 半導体装置及び半導体素子保護用材料
Gao et al. Effect of chemical corrosion on charge transport behaviour in epoxy/Al2O3 nanocomposite irradiated by gamma ray
CH618207A5 (ru)
CN107004456B (zh) 导电性组合物作为导电性粘着剂的用途
JP2012077123A (ja) 接着剤樹脂組成物、その硬化物、及び接着剤フィルム
JP5766867B1 (ja) 半導体素子保護用材料及び半導体装置
JP2016023219A (ja) 半導体素子保護用の2液混合型の第1,第2の液及び半導体装置
KR20030008142A (ko) 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
JP2017130358A (ja) 導電性ペースト、および導電性ペーストの硬化体の製造方法
WO2021125248A1 (ja) チップ抵抗器保護膜用放熱樹脂組成物、チップ抵抗器保護膜、及び電子部品
JP2009215484A (ja) 樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2016058186A (ja) 燃料電池セパレータ
JP4765151B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR101266536B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
US20020016398A1 (en) Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
US20040072968A1 (en) Semiconductor encapsulating flame retardant epoxy resin composition and semiconductor device
KR101469265B1 (ko) 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170402