RU2388138C1

RU2388138C1 - Дифференциальный усилитель с управляемым усилением

Info

Publication number: RU2388138C1
Application number: RU2008135859/09A
Authority: RU
Inventors: Николай Николаевич Прокопенко (RU); Николай Николаевич Прокопенко; Даниил Николаевич Конев (RU); Даниил Николаевич Конев; Александр Игоревич Серебряков (RU); Александр Игоревич Серебряков
Priority date: 2008-09-04
Filing date: 2008-09-04
Publication date: 2010-04-27
Also published as: RU2008135859A

Abstract

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в устройствах автоматической регулировки усиления, фазовых детекторах и модуляторах, в системах фазовой автоподстройки и умножения частоты или в качестве усилителя, коэффициент передачи по напряжению которого зависит от уровня сигнала управления. Управляемый усилитель является базовым узлом современных систем приема и обработки сигналов ВЧ и СВЧ-диапазонов, аналоговой вычислительной и измерительной техники. Технический результат: повышение коэффициента подавления сигнала управления. Дифференциальный усилитель (ДУ) содержит первый (1) и второй (2) входные транзисторы (Т), эмиттеры которых связаны друг с другом через встречно включенные первый (3) и второй (4) p-n переходы и подключены к первому (5) и второму (6) источникам опорного тока (ИОТ), цепь нагрузки (7), связанную с коллекторами первого (1) и второго (2) входных Т, третий ИОТ (8), подключенный к общей точке встречно включенных первого (3) и второго (4) p-n переходов. В схему введены первый (11) и второй (12) управляющие Т, базы которых подключены к управляющему входу (13) ДУ, объединенные коллекторы связаны с третьим ИОТ (8), эмиттер первого (11) управляющего Т соединен с эмиттером первого (1) входного Т, а эмиттер второго (12) управляющего Т соединен с эмиттером второго (2) входного Т. 2 з.п. ф-лы, 11 ил.

Description

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в устройствах автоматической регулировки усиления, фазовых детекторах и модуляторах, в системах фазовой автоподстройки и умножения частоты или в качестве усилителя, коэффициент передачи по напряжению которого зависит от уровня сигнала управления. Управляемый усилитель является базовым узлом современных систем приема и обработки сигналов ВЧ и СВЧ-диапазонов, аналоговой вычислительной и измерительной техники.

В настоящее время в аналоговой микросхемотехнике в составе систем электронной регулировки усиления, смешения или перемножения сигналов широкое применение находят схемы управляемых усилителей на основе дифференциальных каскадов с изменяющимся статическим режимом. Такая структура стала основой построения практически всех известных в настоящее время прецизионных управляемых усилителей и аналоговых перемножителей сигналов. В этой связи задача улучшения параметров этого функционального узла для РЭА нового поколения относится к числу достаточно актуальных задач современной микроэлектроники.

Известны схемы дифференциальных усилителей (ДУ), содержащие встречно включенные p-n переходы в общей эмиттерной [1-8] или базовой [9-13] цепи ДУ, которые используются для защиты и входных транзисторов от пробоя эмиттерно-базовых переходов. Первая структура ДУ относится к числу классических и широко применяется в аналоговой микросхемотехнике в связи с тем, что при использовании только резисторов может иметь низковольтное питание (±1,5 В). Это связано с тем, что в ней отсутствует «двухъярусное» включение p-n переходов.

Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является дифференциальный усилитель, описанный в патенте США № 3863171, фиг.2, содержащий первый 1 и второй 2 входные транзисторы, эмиттеры которых связаны друг с другом через встречно включенные первый 3 и второй 4 p-n переходы и подключены к первому 5 и второму 6 источникам опорного тока, цепь нагрузки 7, связанную с коллекторами первого 1 и второго 2 входных транзисторов, третий источник опорного тока 8, подключенный к общей точке встречно включенных первого 3 и второго 4 p-n переходов.

Существенный недостаток известного ДУ состоит в том, что он не имеет специального входа «У» для электронного управления коэффициентом усиления по напряжению, «привязанному» к общей шине источников питания. Это существенно сужает область его использования, не позволяет реализовывать на его основе адаптивные функциональные узлы систем на кристалле, например СВЧ-операционные усилители, смесители и аналоговые перемножители.

Основная цель предлагаемого изобретения состоит в создании условий для электронного управления коэффициентом усиления по напряжению ДУ. При этом управляющее напряжение U_y должно подаваться относительно общей шины источников питания. Реализация этой цели позволяет выполнять на базе заявляемого устройства не только широкополосные ВЧ и СВЧ-усилители с регулируемыми параметрами, но создавать на его основе более сложные функциональные узлы, например аналоговые перемножители сигналов.

Поставленная цель достигается тем, что в дифференциальном усилителе фиг.1, содержащем первый 1 и второй 2 входные транзисторы, эмиттеры которых связаны друг с другом через встречно включенные первый 3 и второй 4 p-n переходы и подключены к первому 5 и второму 6 источникам опорного тока, цепь нагрузки 7, связанную с коллекторами первого 1 и второго 2 входных транзисторов, третий источник опорного тока 8, подключенный к общей точке встречно включенных первого 3 и второго 4 p-n переходов, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введены первый 11 и второй 12 управляющие транзисторы, базы которых подключены к управляющему входу 13 дифференциального усилителя, объединенные коллекторы связаны с третьим источником опорного тока 8, эмиттер первого 11 управляющего транзистора соединен с эмиттером первого 1 входного транзистора, а эмиттер второго 12 управляющего транзистора соединен с эмиттером второго 2 входного транзистора.

Схема усилителя-прототипа представлена на чертеже фиг.1. На чертеже фиг.2 показано заявляемое устройство в соответствии с п.1 формулы изобретения.

На чертеже фиг.3 представлена схема ДУ, соответствующая п.2, а на чертеже фиг.4 - п.3 формулы изобретения.

На чертеже фиг.5 показан аналоговый смеситель (перемножитель) сигналов u_вх и u_у на основе заявляемого ДУ (фиг.2).

На чертеже фиг.6 приведена схема заявляемого ДУ в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», а на чертежах фиг.7, фиг.8, фиг.9 - результаты ее компьютерного моделирования:

- зависимость коэффициента усиления по напряжению K_u от частоты при разных значениях напряжения управления U_y (фиг.7);

- зависимость коэффициента усиления по напряжению K_u от напряжения управления U_y (фиг.8);

- зависимость коэффициента усиления по напряжению K_u от частоты сигнала с управляющего входа (фиг.9).

На чертеже фиг.10 приведена схема аналогового перемножителя напряжений фиг.5 в среде Pspice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», а на чертеже фиг.11 - зависимость ее выходного напряжения от напряжений u_х и u_у.

Дифференциальный усилитель фиг.2 содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы, эмиттеры которых связаны друг с другом через встречно включенные первый 3 и второй 4 p-n переходы и подключены к первому 5 и второму 6 источникам опорного тока, цепь нагрузки 7, связанную с коллекторами первого 1 и второго 2 входных транзисторов, третий источник опорного тока 8, подключенный к общей точке встречно включенных первого 3 и второго 4 p-n переходов. В частном случае цепь нагрузки 7 содержит резисторы 9 и 10. В схему введены первый 11 и второй 12 управляющие транзисторы, базы которых подключены к управляющему входу 13 дифференциального усилителя, объединенные коллекторы связаны с третьим источником опорного тока 8, эмиттер первого 11 управляющего транзистора соединен с эмиттером первого 1 входного транзистора, а эмиттер второго 12 управляющего транзистора соединен с эмиттером второго 2 входного транзистора.

В схеме фиг.3 в соответствии с п.2 формулы изобретения эмиттеры первого 11 и второго 12 управляющих транзисторов связаны с эмиттерами первого 1 и второго 2 входных транзисторов через первый 13 и второй 14 дополнительные резисторы и подключены соответственно к первому 15 и второму 16 дополнительным источникам опорного тока

В схеме фиг.4 в соответствии с п.3 формулы изобретения эмиттеры первого 11 и второго 12 дополнительных транзисторов связаны друг с другом.

В схеме фиг.5, которая является аналоговым перемножителем сигналов u_y и u_вх, используется два идентичных дифференциальных усилителя (фиг.2).

Рассмотрим работу заявляемого ДУ фиг.2. В статическом режиме при напряжении на управляющем входе 13, равном нулю (u_у=0), в схеме фиг.2 устанавливаются следующие токи

I₈= 4I₀,

где I₀ - величина опорного тока, определяющего функциональную связь токов других элементов схемы (например, I₀=0,5 мА);

I_эi - эмиттерный ток i-го транзистора;

I_m - ток через m-й элемент схемы.

В частном случае, когда в качестве двухполюсников 5, 6, 8 используется резистор

,

где

,

- напряжения источников питания.

В схемах с напряжением питания

в качестве двухполюсников 5, 6 и 8 могут применяться традиционные транзисторные источники опорного тока.

Максимальный коэффициент усиления по напряжению схемы фиг.2 определяется формулой

где R₉=R₁₀=R_н - сопротивление резисторов 9 и 10;

- дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода транзисторов 1 и 2;

- дифференциальное сопротивление первого 3 и второго 4 p-n переходов;

φ_т≈26 мВ - температурный потенциал.

Таким образом, при u_у=0

Если u_y получает положительное приращение (u_у>0), то это приводит к изменению токов эмиттера транзисторов 11 и 12, поступающих в цепь p-n переходов 3 и 4 на некоторую величину i_R, зависящую от r_э1, r_э2, r_d3, l3r_d4. При этом суммарный ток коллектора транзисторов 11 и 12

С другой стороны, токи эмиттеров транзисторов 11 и 12 передаются в эмиттерные цепи транзисторов 1 и 2 и компенсируют приращения токов i_R через p-n переходы 3 и 4. Как следствие, эмиттерные и коллекторные токи транзисторов 1 и 2 и токи в нагрузке 7 не изменяются при малых изменениях u_y. В то же время токи через p-n переходы 3 и 4 и, следовательно, их дифференциальные сопротивления r_d3=r_d4 уменьшаются, что уменьшает К_у(1).

При выбранных параметрах элементов нагрузки 7 коэффициент усиления ДУ фиг.6 изменяется более чем на 20 дБ (фиг.7, фиг.8). При этом заявляемый ДУ имеет высокий коэффициент подавления сигнала управления (фиг.9).

На базе предлагаемого ДУ реализуются аналоговые перемножители и смесители сигналов с низковольтным питанием Еп≈±(1÷1,5)В. Это существенное достоинство заявляемого устройства.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Патент США № 3541464.

2. Патент США № 4180780.

3. Патентная заявка США № 2005/0225389, фиг.3.

4. Патент США № 5206605.

5. Патент США № 5184089.

6. Патент США № 3863171.

7. Патент WO 00/65711.

8. Патент США № 6531919.

9. Патент США № 6693780.

10. Патент США № 6400541.

11. Патент США № 5414388.

12. Ав. свид. СССР № 970638.

Claims

1. Дифференциальный усилитель с управляемым усилением, содержащий первый (1) и второй (2) входные транзисторы, эмиттеры которых связаны друг с другом через встречно включенные первый (3) и второй (4) p-n переходы и подключены к первому (5) и второму (6) источникам опорного тока, цепь нагрузки (7), связанную с коллекторами первого (1) и второго (2) входных транзисторов, третий источник опорного тока (8), подключенный к общей точке встречно включенных первого (3) и второго (4) p-n переходов, отличающийся тем, что в схему введены первый (11) и второй (12) управляющие транзисторы, базы которых подключены к управляющему входу (13) дифференциального усилителя, объединенные коллекторы связаны с третьим источником опорного тока (8), эмиттер первого (11) управляющего транзистора соединен с эмиттером первого (1) входного транзистора, а эмиттер второго (12) управляющего транзистора соединен с эмиттером второго (2) входного транзистора.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что эмиттеры первого (11) и второго (12) управляющих транзисторов связаны с эмиттерами первого (1) и второго (2) входных транзисторов через первый (13) и второй (14) дополнительные резисторы и подключены соответственно к первому (15) и второму (16) дополнительным источникам опорного тока.

3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что эмиттеры первого (11) и второго (12) дополнительных транзисторов связаны друг с другом.