RU2345949C2 - Method of producing silicon - Google Patents
Method of producing silicon Download PDFInfo
- Publication number
- RU2345949C2 RU2345949C2 RU2007109174/15A RU2007109174A RU2345949C2 RU 2345949 C2 RU2345949 C2 RU 2345949C2 RU 2007109174/15 A RU2007109174/15 A RU 2007109174/15A RU 2007109174 A RU2007109174 A RU 2007109174A RU 2345949 C2 RU2345949 C2 RU 2345949C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- reaction zone
- silicon nitride
- thermal decomposition
- carried out
- Prior art date
Links
Abstract
Description
Заявляемое изобретение относится к технологии получения кремния, а точнее касается способа получения кремния.The claimed invention relates to a technology for producing silicon, and more specifically relates to a method for producing silicon.
Изобретение найдет применение, например, в полупроводниковой технике, в фотоэлектронной промышленности при изготовлении солнечных батарей.The invention will find application, for example, in semiconductor technology, in the photoelectronic industry in the manufacture of solar cells.
Известен способ получения кремния, основанный на карботермическом восстановлении кварцевых песков, который включает введение в реакционную зону, нагретую до температуры 1300°С, порошкообразного диоксида кремния и восстановителя - газообразного углеводорода с формированием кипящего слоя, в котором осуществляют науглероживание диоксида кремния. При температуре 1300°С пироуглерод, осажденный в процессе науглероживания на поверхность частиц диоксида кремния, переходит в карбид кремния. Образующийся продукт - SiO2 - SiC направляют в плазменную плавильную печь, где при более высоких температурах его переводят в расплав и проводят взаимодействие между его компонентами с образованием расплава металлического кремния (патент Японии №61006112, МКИ С01В 33/02).A known method of producing silicon, based on the carbothermic reduction of quartz sand, which includes the introduction into the reaction zone heated to a temperature of 1300 ° C of powdered silicon dioxide and a reducing agent is gaseous hydrocarbon with the formation of a fluidized bed in which silicon dioxide is carbonized. At a temperature of 1300 ° C, pyrocarbon deposited during the carburization process on the surface of silicon dioxide particles passes into silicon carbide. The resulting product - SiO 2 - SiC is sent to a plasma melting furnace, where at higher temperatures it is transferred to the melt and the interaction between its components is carried out with the formation of a metal silicon melt (Japan patent No. 61006112, MKI C01B 33/02).
При реализации указанного способа не удается достичь хорошего адгезионного контакта между частицами диоксида кремния и восстановителем и получить плотный, хорошо сцепленный с поверхностью частиц диоксида кремния слой пироуглерода, что определяет низкий уровень межфазного взаимодействия на границе SiO2 - С и обуславливает низкий выход целевого продукта даже при значительных энергозатратах, при этом достигается лишь невысокое качество по чистоте продукта - по содержанию примесей, в основном В, Р, С, O2, As. Помимо этого указанный способ экологически вреден, так как сопровождается выделением газа СО.When implementing this method, it is not possible to achieve good adhesive contact between the particles of silicon dioxide and the reducing agent and to obtain a dense pyrocarbon layer that is well adhered to the surface of the particles of silicon dioxide, which determines a low level of interfacial interaction at the SiO 2 - C interface and results in a low yield of the target product even at significant energy costs, while achieving only low quality in terms of product purity - in the content of impurities, mainly B, P, C, O 2 , As. In addition, this method is environmentally harmful, as it is accompanied by the evolution of CO gas.
Известны также различные способы получения кремния, основанные на восстановлении водородом кремнийсодержащих соединений, в качестве которых обычно используют трихлорсилан, дихлорсилан, тетрахлорсилан. Такие способы, основанные на хлорной технологии, наносят ощутимый вред окружающей среде, при этом из-за агрессивности используемых реагентов используемое оборудование подвергается интенсивной коррозии. Получаемый в результате реакции восстановления целевой продукт подлежит многократной очистке от примесей, что увеличивает его себестоимость, в частности, из-за высоких энергозатрат.Various methods for producing silicon are also known, based on hydrogen reduction of silicon-containing compounds, which are usually trichlorosilane, dichlorosilane, tetrachlorosilane. Such methods, based on chlorine technology, cause significant damage to the environment, and due to the aggressiveness of the reagents used, the equipment used is subjected to intense corrosion. The target product resulting from the reduction reaction is subject to repeated purification from impurities, which increases its cost, in particular, due to high energy costs.
Процессы получения кремния химическим путем являются технологически сложными и опасными.Chemical processes for producing silicon are technologically complex and dangerous.
В целом известные способы получения кремния, как правило, многостадийны, имеют низкий выход целевого продукта, что отражается на его себестоимости, кроме того, процесс получения кремния сопровождается высвобождением большого количества химически вредных веществ, которые попадают в окружающую среду и ощутимо влияют на экологическую ситуацию в регионе производства кремния.In general, known methods for producing silicon, as a rule, are multistage, have a low yield of the target product, which affects its cost, in addition, the process of producing silicon is accompanied by the release of a large number of chemically harmful substances that enter the environment and significantly affect the environmental situation in silicon production region.
В качестве прототипа выбран способ получения кремния, описанный в SU 1832114 А1, опубл. 07.08.1993. В соответствии с этим способом продукт карботермического восстановления черной золы, образованной в результате переработки рисовой шелухи, содержащий нитрид кремния, вводят в реакционную зону, где проводят термическое разложение этого продукта при температуре реакционной зоны, равной от 1600 до 2200°С. В результате термического разложения получают кремний и технически чистый азот.As a prototype of the selected method of producing silicon, described in SU 1832114 A1, publ. 08/07/1993. In accordance with this method, the product of carbothermal reduction of black ash formed by processing rice husk containing silicon nitride is introduced into the reaction zone where thermal decomposition of this product is carried out at a reaction zone temperature of 1600 to 2200 ° C. Thermal decomposition produces silicon and technically pure nitrogen.
Указанный способ, как указано в SU 1832114 А1, обеспечивает достаточно высокое качество получаемого кремния. Однако, учитывая, что в качестве исходного продукта для извлечения кремния используют продукт карботермического восстановления черной золы, включающий в значительных объемах побочные продукты карботермического восстановления, не полностью восстановленный нитрид кремния, выход целевого продукта невысок, а заявленная сложная технология малопригодна для промышленного применения.The specified method, as indicated in SU 1832114 A1, provides a sufficiently high quality of the obtained silicon. However, taking into account that the carbothermal reduction product of black ash is used as a starting product for silicon extraction, which includes significant volumes of carbothermal reduction by-products, incompletely reduced silicon nitride, the yield of the target product is low, and the claimed complex technology is unsuitable for industrial use.
В основу заявляемого изобретения положена задача путем изменения условий извлечения кремния создать способ, обеспечивающий с более высокой скоростью получение кремния любой требуемой химической чистоты при высоком значении выхода.The basis of the claimed invention is the task of changing the conditions for the extraction of silicon to create a method that provides with a higher rate of obtaining silicon of any desired chemical purity with a high yield.
Эта задача решается при получении кремния способом, включающим введение в реакционную зону порошкообразного нитрида кремния и осуществление реакции его термического разложения с образованием целевого продукта и технически чистого газообразного азота, который выводят из реакционной зоны, в котором согласно изобретению в реакционной зоне предварительно создают температуру, выбранную в интервале от 360 до 2700°С, газообразный азот из реакционной зоны выводят непрерывно, при этом при температуре выше 360°С термическое разложение нитрида кремния осуществляют в процессе электролиза с использованием в качестве реакционной зоны электролита, образованного расплавом галогенида щелочного металла; при температурах от по меньшей мере 1450°С до не более 1800°С термическое разложение нитрида кремния проводят в вакууме при давлении 100 Па; а при температурах от выше 1800 до 2700°С термическое разложение нитрида кремния осуществляют при давлении, равном по меньшей мере атмосферному.This problem is solved when silicon is obtained by a method comprising introducing powdered silicon nitride into the reaction zone and performing its thermal decomposition reaction to form the target product and technically pure nitrogen gas, which is removed from the reaction zone in which, according to the invention, the temperature selected in the reaction zone is preliminarily created in the range from 360 to 2700 ° C, gaseous nitrogen from the reaction zone is continuously withdrawn, while at a temperature above 360 ° C the thermal decomposition of nitride cre Mnia is carried out during the electrolysis using an electrolyte formed by an alkali metal halide melt as a reaction zone; at temperatures from at least 1450 ° C to not more than 1800 ° C, the thermal decomposition of silicon nitride is carried out in vacuum at a pressure of 100 Pa; and at temperatures from above 1800 to 2700 ° C, the thermal decomposition of silicon nitride is carried out at a pressure equal to at least atmospheric.
Благодаря изобретению без осуществления дополнительной очистки непосредственно в процессе термического разложения, осуществляемого в течение одного технологического цикла, стало возможно получение кремния с химической чистотой, характеризующейся как «химически чистый кремний», как «полупроводниковый кремний», как «солнечный кремний», при этом достигается высокий выход целевого продукта, достигающий 98%.Thanks to the invention, without additional purification directly during the thermal decomposition carried out during one technological cycle, it became possible to obtain silicon with chemical purity, characterized as "chemically pure silicon", as "semiconductor silicon", as "solar silicon", while high yield of the target product, reaching 98%.
Согласно изобретению целесообразно использовать проточную реакционную зону, а введение в реакционную зону нитрида кремния осуществлять непрерывно в потоке инертного газа.According to the invention, it is advisable to use a flow reaction zone, and the introduction of silicon nitride into the reaction zone is carried out continuously in an inert gas stream.
Согласно изобретению целесообразно в качестве галогенида щелочного металла использовать по меньшей мере одно соединение, выбранное из группы, включающей хлорид кальция, хлорид калия, фторид калия, гидрофторид калия.According to the invention, it is advisable to use at least one compound selected from the group consisting of calcium chloride, potassium chloride, potassium fluoride, potassium hydrofluoride as an alkali metal halide.
Дальнейшие цели и преимущества заявляемого изобретения станут ясны из последующего подробного описания способа получения кремния и конкретных примеров выполнения этого способа.Further objectives and advantages of the claimed invention will become apparent from the following detailed description of the method for producing silicon and specific examples of this method.
Заявляемый способ получения кремния основан на термическом разложении порошкообразного нитрида кремния Si3N4.The inventive method for producing silicon is based on the thermal decomposition of powdered silicon nitride Si 3 N 4 .
Согласно заявляемому способу в реакционной зоне предварительно создают температуру, выбранную в интервале от 360 до 2700°С. Далее в реакционную зону вводят порошкообразный нитрид кремния Si3N4, подвергают его воздействию температуры, значение которой находится в интервале от 360 до 2700°С и осуществляют термическое разложение нитрида кремния:According to the claimed method in the reaction zone pre-create a temperature selected in the range from 360 to 2700 ° C. Next, powdered silicon nitride Si 3 N 4 is introduced into the reaction zone, subjected to temperature, the value of which is in the range from 360 to 2700 ° C, and thermal decomposition of silicon nitride is carried out:
Si3N4→3Si+2N2↑Si 3 N 4 → 3Si + 2N 2 ↑
Образующийся при указанном термическом разложении исходного соединения технически чистый газообразный азот непрерывно отводят из реакционной зоны, что позволяет исключить обратную реакцию образования нитрида кремния. Целевой продукт - элементарный кремний выводят из реакционной зоны либо по мере его накопления, либо непрерывно.The technically pure nitrogen gas formed during the indicated thermal decomposition of the starting compound is continuously withdrawn from the reaction zone, which eliminates the reverse reaction of the formation of silicon nitride. The target product, elemental silicon, is removed from the reaction zone either as it accumulates or continuously.
Заявляемое изобретение позволяет получать элементарный кремний с химической чистотой, характеризующейся как «химически чистый кремний», как «полупроводниковый кремний», как «солнечный кремний», в процессе термического разложения исходного без примесей нитрида кремния, осуществляемого за один технологический цикл.The claimed invention allows to obtain elemental silicon with chemical purity, characterized as "chemically pure silicon", as "semiconductor silicon", as "solar silicon", in the process of thermal decomposition of the original without impurities of silicon nitride, carried out in one technological cycle.
В соответствии с изобретением для термического разложения нитрида кремния возможно использовать проточную реакционную зону, а введение в реакционную зону нитрида кремния осуществлять непрерывно в потоке инертного газа, например аргона, водорода, гелия. При этом разложение нитрида кремния осуществляют при температуре от выше 1800°С до 2700°С и при давлении, равном по меньшей мере атмосферному давлению. Изобретение предусматривает возможность термического разложение нитрида кремния в вакууме, который создают в реакционной зоне, при температуре от по меньшей мере 1450°С до не более 1800°С и при давлении 100 Па. Согласно изобретению возможно в качестве реакционной зоны использовать электролит, образованный расплавом по меньшей мере одного галогенида щелочного металла, например хлорида кальция, и/или хлорида калия, и/или фторида калия. При этом термическое разложение нитрида кремния осуществляют в процессе электролиза, проводимого при температуре выше 360°С.In accordance with the invention, it is possible to use a flow reaction zone for the thermal decomposition of silicon nitride, and to introduce silicon nitride into the reaction zone continuously in a stream of an inert gas, for example argon, hydrogen, helium. In this case, the decomposition of silicon nitride is carried out at a temperature from above 1800 ° C to 2700 ° C and at a pressure equal to at least atmospheric pressure. The invention provides for the possibility of thermal decomposition of silicon nitride in a vacuum, which is created in the reaction zone, at a temperature of at least 1450 ° C to not more than 1800 ° C and at a pressure of 100 Pa. According to the invention, it is possible to use an electrolyte formed by the melt of at least one alkali metal halide, for example calcium chloride and / or potassium chloride and / or potassium fluoride, as a reaction zone. In this case, the thermal decomposition of silicon nitride is carried out in the process of electrolysis carried out at a temperature above 360 ° C.
Указанный интервал температур для осуществления термического разложения нитрида кремния был выбран исходя из того, что при осуществлении процесса в реакционной зоне, представляющей собой вышеуказанный электролит, невозможно образовать расплав указанных галогенидов щелочного металла при температуре ниже 360°С; исследования показали, что при температуре выше 2700°С происходит интенсивное испарение кремния и вынос его из реакционной зоны.The indicated temperature range for the thermal decomposition of silicon nitride was chosen based on the fact that when carrying out the process in the reaction zone, which is the aforementioned electrolyte, it is impossible to form a melt of these alkali metal halides at a temperature below 360 ° C; Studies have shown that at temperatures above 2700 ° C there is intense evaporation of silicon and its removal from the reaction zone.
Для реализации заявляемого способа возможно использовать вакуумную печь известного типа или широко применяемый реактор плазмотронного типа, в основе которого лежит либо дуговой плазмотрон, либо индукционный высокочастотный плазмотрон, либо СВЧ-плазмотрон или электролизер известной конструкции.To implement the proposed method, it is possible to use a vacuum furnace of a known type or a widely used plasmatron type reactor, which is based on either an arc plasmatron, or an induction high-frequency plasmatron, or a microwave plasmatron or an electrolyzer of known design.
Заявляемый способ пригоден для промышленного применения, является энерго- и ресурсосберегающим, при этом все продукты реализации способа востребованы в промышленности - достигнута возможность получения кремния любой желаемой химической чистоты без осуществления дополнительной очистки и непосредственно в процессе термического разложения; одновременно получен технически чистый газообразный азот. Достигнут высокий выход целевого продукта, составляющий 98%.The inventive method is suitable for industrial use, it is energy and resource saving, while all products of the method are in demand in the industry - the ability to obtain silicon of any desired chemical purity without additional purification and directly in the process of thermal decomposition; at the same time, technically pure nitrogen gas was obtained. A high yield of the target product of 98% was achieved.
Кроме того, заявляемый способ взрывобезопасен, не сопровождается выбросом в атмосферу загрязняющих веществ и является экологически корректным.In addition, the inventive method is explosion-proof, is not accompanied by the release of pollutants into the atmosphere and is environmentally sound.
Нижеследующие примеры ни в коей мере не ограничивают заявляемое изобретение, а приведены лишь для иллюстрации заявляемого способа.The following examples in no way limit the claimed invention, but are given only to illustrate the proposed method.
Пример 1Example 1
В реактор плазмотрона в высокотемпературный поток плазмообразующих газов, в основном аргона и водорода (где примерно 10-20 мас.% водорода), непрерывно подают порошкообразный нитрид кремния в потоке аргона.Powdered silicon nitride in an argon stream is continuously fed into a plasma torch reactor into a high-temperature stream of plasma-forming gases, mainly argon and hydrogen (where about 10-20 wt.% Hydrogen).
Путем регулирования скорости подачи нитрида кремния в реакционную зону реактора и количества подаваемого нитрида кремния обеспечивают разогрев частиц нитрида кремния в реакционной зоне в диапазоне от 1800°С до 2700°С, поскольку при температуре выше 2700°С начинается переход кремния в пар, а при температуре менее 1800°С и при нормальном давлении не достигают разложения нитрида кремния.By controlling the rate of supply of silicon nitride to the reaction zone of the reactor and the amount of silicon nitride supplied, the heating of silicon nitride particles in the reaction zone in the range from 1800 ° C to 2700 ° C is ensured, since at a temperature above 2700 ° C the transition of silicon to steam begins, and at a temperature less than 1800 ° C and at normal pressure do not reach the decomposition of silicon nitride.
В указанных температурных условиях в реакционной зоне указанного реактора происходит мгновенное разложение порошкообразного нитрида кремния с образованием газообразного азота, который непрерывно отводят из реактора, и кремния, который в потоке газа-носителя аргона выводят из реакционной зоны и направляют на фильтр для сбора целевого продукта. Выход целевого продукта составляет 90-95%.Under the indicated temperature conditions, in the reaction zone of the specified reactor, instantaneous decomposition of powdered silicon nitride occurs with the formation of gaseous nitrogen, which is continuously withdrawn from the reactor, and silicon, which is removed from the reaction zone in the flow of argon carrier gas and sent to the filter to collect the target product. The yield of the target product is 90-95%.
Получают кремний полупроводниковой чистоты, содержание примесей <0,01 ppm.Silicon of semiconductor purity is obtained with an impurity content of <0.01 ppm.
Пример 2Example 2
В электролизер с катодом и анодом, выполненными из графита, в качестве электролита непрерывно подают расплав солей NaF-KCl-LiCl, имеющий температуру 360°С.In the electrolyzer with a cathode and anode made of graphite, a melt of NaF-KCl-LiCl salts at a temperature of 360 ° C is continuously fed as an electrolyte.
Одновременно и совместно с расплавом солей в электролизер вводят порошкообразный нитрид кремния.At the same time and together with the molten salt, powdered silicon nitride is introduced into the electrolyzer.
При подаче напряжения на электроды идет электролиз при температуре около 400°С, давление - атмосферное и происходит разложение нитрида кремния, выделение в надэлектролитное пространство азота, который принудительно отводят из электролизера, и образование химически чистого кремния, частицы которого остаются в расплаве солей электролита.When voltage is applied to the electrodes, electrolysis occurs at a temperature of about 400 ° C, the pressure is atmospheric, and silicon nitride decomposes, nitrogen is released into the superelectrolyte space, which is forcibly removed from the electrolyzer, and the formation of chemically pure silicon, particles of which remain in the molten salt of the electrolyte.
С началом электролиза образующийся кремний вместе с расплавом солей электролита непрерывно выводят из межэлектродного пространства электролизера.With the beginning of electrolysis, the silicon formed together with the molten salt of the electrolyte is continuously removed from the interelectrode space of the electrolyzer.
Далее порошок кремния отделяют от расплава электролита с помощью фильтрования.Next, the silicon powder is separated from the molten electrolyte by filtration.
Оставшийся после фильтрования расплав электролита при необходимости упаривают и возвращают в электролизер.The electrolyte melt remaining after filtration is evaporated, if necessary, and returned to the cell.
Собранный на фильтре целевой продукт имеет выход, составляющий 90%.The target product collected on the filter has a yield of 90%.
Получают кремний полупроводниковой чистоты, содержание примесей 0,1 ppm.Silicon of semiconductor purity is obtained with an impurity content of 0.1 ppm.
Пример 3Example 3
Получение кремния осуществляют в условиях, аналогичных указанным в примере 2, однако в качестве электролита используют расплав фторида натрия, имеющий температуру 1420°С. При этом образующийся кремний накапливают в электролите в его придонной части и выводят из электролизера периодически.The preparation of silicon is carried out under conditions similar to those described in example 2, however, a sodium fluoride melt having a temperature of 1420 ° C is used as an electrolyte. In this case, the silicon formed is accumulated in the electrolyte in its bottom part and periodically removed from the cell.
Собранный целевой продукт имеет выход, составляющий 90%.The collected target product has a yield of 90%.
Получают кремний полупроводниковой чистоты, содержание примесей <0,1 ppm.Silicon of semiconductor purity is obtained, impurity content <0.1 ppm.
Пример 4Example 4
В вакуумную печь помещают тигель с порошкообразным нитридом кремния. Создают в печи разрежение 100 Па, включают нагрев и создают в печи температуру 1450°С. Осуществляют разложение нитрида кремния в неподвижном слое с выделением азота, который непрерывно удаляют из реакционной зоны по мере его образования, образовавшийся элементарный кремний сохраняется в тигле в виде расплава до полного разложения исходного нитрида кремния. Затем тигель с целевым продуктом извлекают из вакуумной печи.A crucible with powdered silicon nitride is placed in a vacuum oven. A vacuum of 100 Pa is created in the furnace, heating is turned on, and a temperature of 1450 ° C. is created in the furnace. Silicon nitride is decomposed in a fixed layer with nitrogen evolution, which is continuously removed from the reaction zone as it forms, the elemental silicon formed is stored in the crucible in the form of a melt until the initial silicon nitride is completely decomposed. Then the crucible with the target product is removed from the vacuum oven.
Целевой продукт имеет выход, составляющий 98%.The target product has a yield of 98%.
Получают кремний полупроводниковой чистоты, содержание примесей <0,01 ppm.Silicon of semiconductor purity is obtained with an impurity content of <0.01 ppm.
Пример 5Example 5
Получение кремния осуществляют в условиях, аналогичных указанным в примере 4, однако в вакуумной печи создают давление 100 Па, нагрев реакционной зоны проводят до температуры 1800°С, при этом в реакционную зону печи непрерывно подают аргон, в токе которого непрерывно удаляют азот, выделяющийся при разложении нитрида кремния.The preparation of silicon is carried out under conditions similar to those described in example 4, however, a pressure of 100 Pa is created in a vacuum furnace, the reaction zone is heated to a temperature of 1800 ° C, while argon is continuously fed into the reaction zone of the furnace, in the flow of which nitrogen liberated at decomposition of silicon nitride.
Элементарный кремний сохраняется в тигле в виде расплава до полного разложения исходного нитрида кремния. Затем тигель с расплавом целевого продукта извлекают из вакуумной печи.Elemental silicon is stored in the crucible in the form of a melt until the complete decomposition of the starting silicon nitride. Then the crucible with the melt of the target product is removed from the vacuum furnace.
Целевой продукт имеет выход, составляющий 90%.The target product has a yield of 90%.
Получают кремний полупроводниковой чистоты, содержание примесей <0,1 ppm.Silicon of semiconductor purity is obtained, impurity content <0.1 ppm.
Пример 6Example 6
Получение кремния осуществляют в условиях, аналогичных указанным в примере 4, однако нагрев реакционной зоны проводят до температуры 1650°С.The preparation of silicon is carried out under conditions similar to those indicated in example 4, however, the reaction zone is heated to a temperature of 1650 ° C.
Выделяющийся азот непрерывно удаляют из реакционной зоны вакуумным насосом.Evolved nitrogen is continuously removed from the reaction zone by a vacuum pump.
Тигель с расплавом целевого продукта извлекают из вакуумной печи.The melt crucible of the target product is recovered from the vacuum furnace.
Целевой продукт имеет выход, составляющий 95%.The target product has a yield of 95%.
Получают кремний солнечной чистоты, содержание примесей <0,1 ppm.Silicon of solar purity is obtained, the content of impurities <0.1 ppm.
Пример 7Example 7
Получение кремния осуществляют в условиях, аналогичных указанным в примере 4, однако в вакуумной печи создают давление ниже атмосферного давления, а нагрев реакционной зоны проводят до температуры ниже 1750°С.The preparation of silicon is carried out under conditions similar to those described in example 4, however, in a vacuum oven create a pressure below atmospheric pressure, and the reaction zone is heated to a temperature below 1750 ° C.
Выделяющийся азот непрерывно удаляют из реакционной зоны вакуумным насосом.Evolved nitrogen is continuously removed from the reaction zone by a vacuum pump.
Тигель с целевым продуктом в виде порошка извлекают из вакуумной печи.The crucible with the target product in the form of a powder is removed from a vacuum oven.
Целевой продукт имеет выход, составляющий 95%.The target product has a yield of 95%.
Получают кремний полупроводникой чистоты, содержание примесей <0,01 ppm.Silicon is obtained by purity semiconductor, impurity content <0.01 ppm.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007109174/15A RU2345949C2 (en) | 2007-03-13 | 2007-03-13 | Method of producing silicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007109174/15A RU2345949C2 (en) | 2007-03-13 | 2007-03-13 | Method of producing silicon |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007109174A RU2007109174A (en) | 2008-09-20 |
| RU2345949C2 true RU2345949C2 (en) | 2009-02-10 |
Family
ID=39867613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007109174/15A RU2345949C2 (en) | 2007-03-13 | 2007-03-13 | Method of producing silicon |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2345949C2 (en) |
-
2007
- 2007-03-13 RU RU2007109174/15A patent/RU2345949C2/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ФАЛЬКЕВИЧ Э.С. Технология полупроводникового кремния. - М.: Металлургия, 1992, с.130-137, 242-252. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2007109174A (en) | 2008-09-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Gribov et al. | Preparation of high-purity silicon for solar cells | |
| US11267714B2 (en) | Silica to high purity silicon production process | |
| JP5768714B2 (en) | Method for producing silicon | |
| WO2012059939A1 (en) | Process for manufacturing lower chlorides of titanium | |
| JPH0747484B2 (en) | Method of refining silicon | |
| RU2451635C2 (en) | Method of producing highly pure elementary silicon | |
| WO2010029894A1 (en) | High-purity crystalline silicon, high-purity silicon tetrachloride, and processes for producing same | |
| US6926876B2 (en) | Plasma production of polycrystalline silicon | |
| US8974761B2 (en) | Methods for producing silane | |
| JPH1111925A (en) | Production of polycrystalline silicon and zinc oxide | |
| KR20100015694A (en) | A method and a reactor for production of high-purity silicon | |
| US9487406B2 (en) | Systems for producing silane | |
| RU2345949C2 (en) | Method of producing silicon | |
| JP2010052960A (en) | Method for production of high-purity silicon, production apparatus, and high-purity silicon | |
| KR20100016144A (en) | A method and a reactor for production of high-purity silicon | |
| JP4772670B2 (en) | Carbon cylindrical container and silicon manufacturing method | |
| JP2011098861A (en) | Method and apparatus for producing solar cell silicon | |
| JP5114341B2 (en) | Method for producing zinc and silicon | |
| RU2385291C1 (en) | Method of production of high purity crystal silicon (versions) | |
| RU85155U1 (en) | DEVICE FOR CONVERSION OF SILICON TETRACHLORIDE AND SPRAYING OF POLYCRYSTAL SILICON | |
| JP4170447B2 (en) | Carbon material high-purification processing method and high-purification processing apparatus | |
| RU2693172C1 (en) | Method of cleaning metallurgical silicon from impurities | |
| CN103384640B (en) | For the preparation of the method and system of silane | |
| Delannoy et al. | 3 Conventional and Advanced Purification Processes of MG Silicon | |
| JP5586005B2 (en) | Method for producing silicon |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20100314 |