Claims (7)
1. Способ получения кремния, включающий введение в реакционную зону кремнийсодержащего химического соединения и осуществление реакции его термического разложения с образованием целевого продукта и газообразных продуктов реакции, которые выводят из реакционной зоны, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащего химического соединения используют порошкообразный нитрид кремния, который вводят в реакционную зону, в которой предварительно создают температуру от 360 до 2700°С, при которой осуществляют термическое разложение нитрида кремния и образование целевого продукта и технически чистого газообразного азота в качестве газообразных продуктов реакции, при этом выведение газообразного азота из реакционной зоны осуществляют непрерывно.1. A method of producing silicon, comprising introducing a silicon-containing chemical compound into the reaction zone and performing a thermal decomposition reaction to form the target product and gaseous reaction products, which are removed from the reaction zone, characterized in that powdered silicon nitride is used as the silicon-containing chemical compound, which introduced into the reaction zone, in which the temperature is preliminarily created from 360 to 2700 ° C, at which the thermal decomposition of nitride to emniya and formation of the desired product and commercially pure nitrogen gas as gaseous reaction products, thus removing the nitrogen gas from the reaction zone is carried out continuously.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют проточную реакционную зону, а введение в реакционную зону нитрида кремния осуществляют непрерывно в потоке инертного газа.2. The method according to claim 1, characterized in that a flow reaction zone is used, and the introduction of silicon nitride into the reaction zone is carried out continuously in an inert gas stream.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве реакционной зоны используют электролит, образованный расплавом галогенида щелочного металла, а термическое разложение нитрида кремния осуществляют в процессе электролиза, проводимого при температуре выше 360°С.3. The method according to claim 1, characterized in that the electrolyte formed by the melt of an alkali metal halide is used as the reaction zone, and the thermal decomposition of silicon nitride is carried out in the process of electrolysis carried out at a temperature above 360 ° C.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что в качестве галогенида щелочного металла используют по меньшей мере одно соединение, выбранное из группы, включающей хлорид кальция, хлорид калия, фторид калия, гидрофторид калия.4. The method according to claim 3, characterized in that at least one compound selected from the group consisting of calcium chloride, potassium chloride, potassium fluoride, potassium hydrofluoride is used as an alkali metal halide.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что в реакционной зоне создают вакуум и разложение нитрида кремния осуществляют при температуре, по меньшей мере равной 1450°С, и при давлении 100 Па.5. The method according to claim 1, characterized in that a vacuum is created in the reaction zone and the decomposition of silicon nitride is carried out at a temperature of at least 1450 ° C and at a pressure of 100 Pa.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что разложение нитрида кремния осуществляют при температуре выше 1800°С и при давлении, равном по меньшей мере атмосферному давлению.6. The method according to claim 1, characterized in that the decomposition of silicon nitride is carried out at a temperature above 1800 ° C and at a pressure equal to at least atmospheric pressure.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что разложение нитрида кремния осуществляют при температуре ниже 1800°С и при давлении ниже атмосферного давления.7. The method according to claim 1, characterized in that the decomposition of silicon nitride is carried out at a temperature below 1800 ° C and at a pressure below atmospheric pressure.