RU85155U1 - DEVICE FOR CONVERSION OF SILICON TETRACHLORIDE AND SPRAYING OF POLYCRYSTAL SILICON - Google Patents
DEVICE FOR CONVERSION OF SILICON TETRACHLORIDE AND SPRAYING OF POLYCRYSTAL SILICON Download PDFInfo
- Publication number
- RU85155U1 RU85155U1 RU2008146529/22U RU2008146529U RU85155U1 RU 85155 U1 RU85155 U1 RU 85155U1 RU 2008146529/22 U RU2008146529/22 U RU 2008146529/22U RU 2008146529 U RU2008146529 U RU 2008146529U RU 85155 U1 RU85155 U1 RU 85155U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plasma reactor
- polycrystalline silicon
- substrate
- deposition
- silicon
- Prior art date
Links
Abstract
1. Устройство для конверсии тетрахлорида кремния и напыления поликристаллического кремния, включающее плазменный реактор с патрубками подвода и вывода реагентов, подложку для осаждения поликристаллического кремния с устройством термостатирования подложки, блок пространственного распределения напыляемого поликристаллического кремния, отличающееся тем, что плазменный реактор снабжен патрубком подачи инертного газа, системой подачи компактного алюминия, например, алюминиевой проволоки, системой выпуска газовой смеси в реакционное пространство, размещенное между подложкой для осаждения поликристаллического кремния и плазменным реактором, к корпусу плазменного реактора закреплены системы ввода в реакционное пространство парообразного хлорида алюминия и парообразного тетрахлорида кремния с размещением патрубка системы ввода парообразного тетрахлорида кремния, ниже патрубка системы ввода парообразного хлорида алюминия, устройство также снабжено системой отвода газовой смеси (инертного газа и хлорида алюминия) из реакционного пространства, выполненной с возможностью возврата инертного газа в плазменный реактор, часть устройства, включающая реакционное пространство с системой выпуска газовой смеси из плазменного реактора, подложку для осаждения поликристаллического кремния с устройством термостатирования подложки, заключена в герметичный корпус. ! 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что плазменный реактор выполнен в виде диспергатора. ! 3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что плазменный реактор выполнен в виде испарителя. ! 4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что выполнено полностью закл1. A device for the conversion of silicon tetrachloride and deposition of polycrystalline silicon, including a plasma reactor with supply and output of reagents, a substrate for the deposition of polycrystalline silicon with a temperature control device for the substrate, the spatial distribution of the sprayed polycrystalline silicon, characterized in that the plasma reactor is equipped with an inert gas supply pipe , a system for feeding compact aluminum, for example, aluminum wire, a system for discharging a gas mixture into a reaction the space between the polycrystalline silicon deposition substrate and the plasma reactor, the input systems of vaporous aluminum chloride and the vapor of silicon tetrachloride are attached to the plasma reactor housing with the placement of the nozzle of the input system of vaporization of silicon tetrachloride, below the nozzle of the input system of vaporization of aluminum chloride, the device is also equipped a system for removing a gas mixture (inert gas and aluminum chloride) from the reaction space, made with the possibility NOSTA return inert gas to the plasma reactor, part of a device comprising a reaction chamber exhaust system with the gas mixture of the plasma reactor, the substrate for the deposition of the polycrystalline silicon substrate with a thermostatting device, enclosed in a sealed housing. ! 2. The device according to claim 1, characterized in that the plasma reactor is made in the form of a dispersant. ! 3. The device according to claim 1, characterized in that the plasma reactor is made in the form of an evaporator. ! 4. The device according to claim 1, characterized in that it is completely closed
Description
Полезная модель относится к производству поликристаллического кремния и касается устройства для конверсии тетрахлорида кремния в поликристаллический кремний и его напыления с целью получения фотогальванических преобразователей энергии.The invention relates to the production of polycrystalline silicon and relates to a device for the conversion of silicon tetrachloride to polycrystalline silicon and its deposition in order to obtain photovoltaic energy converters.
Известно устройство для гидрирования тетрахлорида кремния, позволяющее производить процесс с высокой степенью конверсии тетрахлорида кремния в трихлорсилан (Патент RU 2278076, С01В 33/107, 2006.06.20), и устройства для получения поликристаллического кремния из трихлорсилана его водородным восстановлением при высоком давлении и с низким выходом (Сименс-процесс) (Патенты US №4102764, В01J 10/00; С01В 33/02; С01В 33/027, 1978.07.25; №4102985, С01В 33/02; С01В 33/027; С01В 33/00, 1978.07.25). Эти устройства чрезвычайно сложны по конструкции и режимам работы, и не позволяют достигнуть высокой степени конверсии тетрахлорида кремния за один проход. Кроме того, они требуют для своей работы дополнительно большого количества вспомогательного оборудования, в частности, для конверсии попутно генерируемых хлоридов и гидрохлоридов (хлорсиланов) кремния.A device for the hydrogenation of silicon tetrachloride is known, which allows a process with a high degree of conversion of silicon tetrachloride to trichlorosilane (Patent RU 2278076, С01В 33/107, 2006.06.20), and a device for producing polycrystalline silicon from trichlorosilane by its hydrogen reduction at high pressure and with low output (Siemens process) (US Patent No. 4102764, В01J 10/00; СВВ 33/02; СВВ 33/027, 1978.07.25; №4102985, С01В 33/02; СВВ 33/027; С01В 33/00, 1978.07 .25). These devices are extremely complex in design and operating modes, and do not allow to achieve a high degree of conversion of silicon tetrachloride in one pass. In addition, they require an additional large number of auxiliary equipment for their work, in particular, for the conversion of simultaneously generated silicon chlorides and hydrochlorides (chlorosilanes).
Известно устройство, близкое по конструкции к заявляемому, предназначенное для восстановления паров тетрахлорида кремния с использованием пара металла, например, магния, натрия, подаваемых в устройство извне. (Патент US 4139438 В01К 1/00; С01В 33/02, 1979.02.13).A device is known that is close in design to the claimed one, designed to recover silicon tetrachloride vapors using metal vapor, for example, magnesium, sodium, supplied to the device from the outside. (Patent US 4139438 B01K 1/00; C01B 33/02, 1979.02.13).
Известное устройство не позволяет получать пленку поликристаллического кремния. Получаемый в устройстве кремний загрязнен хлоридами натрия или магния, образующимися при восстановлении кремния, так как их температура кипения превышает оптимальное значение температур, необходимых для формирования требуемых полупроводниковых характеристик пленки поликристаллического кремния.The known device does not allow to obtain a film of polycrystalline silicon. The silicon obtained in the device is contaminated with sodium or magnesium chlorides formed during the reduction of silicon, since their boiling point exceeds the optimum temperature required for the formation of the required semiconductor characteristics of a polycrystalline silicon film.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому устройству является устройство для получения поликристаллического кремния методом цинкотермии (ЕР1550636, С01В 33/035, 2005.07.06), имеющее закрытую от окружающей атмосферы реакционную зону и систему подвода паров реагентов. Устройство дает выход кремния, близкий к 100%, но при этом не обеспечивает возможность получения пленки поликристаллического кремния, пригодной для фотогальваники. Пары восстановителя, в данном случае цинка, имеющего температуру кипения 907°С, также имеют температуру выше оптимальной, требуемой для получения пленки поликристаллического кремния, пригодной для фотогальваники, поступают в устройство извне, контактируя со стенками корпуса и другими элементами конструкции, загрязняя конечный продукт примесями из конструкционных материалов. Для осуществления процесса очистки требуется дополнительный переплав кремния при пониженном давлении, и, следовательно, дополнительное оборудование, что ведет к удорожанию устройства и повышению себестоимости конечного продукта - поликристаллического кремния. Кроме того, возврат металла-восстановителя в процесс требует его электролитического восстановления из хлорида - ZnCl2 в высокотемпературных солевых электролизерах, что сопряжено с его загрязнением электролитом и материалом электродов. Повышает стоимость устройства и необходимость применения специальных материалов для его изготовления, способных выдерживать высокотемпературный режим процесса.The closest in technical essence to the claimed device is a device for producing polycrystalline silicon by the method of zincothermy (EP1550636, С01В 33/035, 2005.07.06), which has a reaction zone closed from the surrounding atmosphere and a reagent vapor supply system. The device gives a silicon yield close to 100%, but it does not provide the possibility of obtaining a film of polycrystalline silicon suitable for photovoltaics. Vapors of a reducing agent, in this case zinc having a boiling point of 907 ° C, also have a temperature higher than the optimum temperature required to obtain a polycrystalline silicon film suitable for photovoltaics; they enter the device from the outside by contacting the walls of the casing and other structural elements, contaminating the final product with impurities from construction materials. For the implementation of the cleaning process requires additional remelting of silicon at reduced pressure, and, therefore, additional equipment, which leads to higher costs of the device and increase the cost of the final product - polycrystalline silicon. In addition, the return of the reducing metal to the process requires its electrolytic reduction from chloride — ZnCl 2 in high-temperature salt electrolysis cells, which is associated with its contamination with electrolyte and electrode material. Increases the cost of the device and the need to use special materials for its manufacture, capable of withstanding the high temperature process.
Задачей, которую решает заявляемая полезная модель, является снижение себестоимости поликристаллического кремния за счет повышения до 100% выхода поликристаллического кремния без необходимости его дополнительной очистки и снижения стоимости устройства.The task that the claimed utility model solves is to reduce the cost of polycrystalline silicon by increasing the yield of polycrystalline silicon to 100% without the need for additional purification and lower cost of the device.
Поставленная задача достигается тем, что в устройстве для конверсии тетрахлорида кремния и напыления поликристаллического кремния, включающем плазменный реактор с патрубками подвода и вывода реагентов, подложку для осаждения поликристаллического кремния с устройством термостатирования подложки, блок пространственного распределения напыляемого поликристаллического кремния, согласно полезной модели, плазменный реактор снабжен патрубком подачи инертного газа, системой подачи компактного алюминия, например, алюминиевой проволоки, системой выпуска газовой смеси в реакционное пространство, размещенное между подложкой для осаждения поликристаллического кремния и плазменным реактором, к корпусу плазменного реактора закреплены системы ввода в реакционное пространство парообразного хлорида алюминия и парообразного тетрахлорида кремния с размещением патрубка системы ввода парообразного тетрахлорида кремния, ниже патрубка системы ввода парообразного хлорида алюминия, устройство также снабжено системой отвода газовой смеси (инертного газа и хлорида алюминия) из реакционного пространства, выполненной с возможностью возврата инертного газа в плазменный реактор, часть устройства, включающая реакционное пространство с системой выпуска газовой смеси из плазменного реактора, подложку для осаждения поликристаллического кремния с устройством термостатирования подложки, заключена в герметичный корпус.This object is achieved in that in the device for the conversion of silicon tetrachloride and deposition of polycrystalline silicon, including a plasma reactor with nozzles for supplying and outputting reagents, a substrate for deposition of polycrystalline silicon with a thermostat for the substrate, the spatial distribution unit of the sprayed polycrystalline silicon, according to a utility model, a plasma reactor equipped with an inert gas supply pipe, a compact aluminum supply system, for example, aluminum wire, with The system of introducing the gas mixture into the reaction space, located between the substrate for the deposition of polycrystalline silicon and the plasma reactor, is attached to the plasma reactor body the systems for introducing vaporous aluminum chloride and vapor silicon tetrachloride into the reaction space with the placement of the nozzle for introducing the vaporous silicon tetrachloride below the nozzle for the vaporizing input system aluminum chloride, the device is also equipped with a system for removing a gas mixture (inert gas and aluminum chloride) from re the reaction space configured to return the inert gas to the plasma reactor, a part of the device including the reaction space with a system for discharging the gas mixture from the plasma reactor, a substrate for deposition of polycrystalline silicon with a thermostat for the substrate, is enclosed in a sealed enclosure.
Плазменный реактор может быть выполнен в виде диспергатора.The plasma reactor can be made in the form of a dispersant.
Плазменный реактор может быть выполнен в виде испарителя.The plasma reactor can be made in the form of an evaporator.
Устройство может быть выполнено полностью заключенным в герметичный корпус.The device can be made completely enclosed in a sealed enclosure.
Сущность устройства поясняется чертежом.The essence of the device is illustrated in the drawing.
На чертеже схематически представлено устройство для конверсии тетрахлорида кремния и напыления поликристаллического кремния.The drawing schematically shows a device for the conversion of silicon tetrachloride and deposition of polycrystalline silicon.
Устройство состоит из плазменного реактора 1, с патрубком подачи инертного газа 2, системой подачи компактного алюминия 3, системой выпуска газовой смеси 4, системы ввода парообразного хлорида алюминия 5; системы ввода парообразного тетрахлорида кремния 6, реакционного пространства 7, подложки для осаждения поликристаллического кремния 8, устройства термостатирования подложки 9; системы отвода газовой смеси (инертного газа и хлорида алюминия) из реакционного пространства 10; блока пространственного распределения напыляемого поликристаллического кремния 11.The device consists of a plasma reactor 1, with an inert gas supply pipe 2, a compact aluminum supply system 3, a gas mixture discharge system 4, a vapor input system of aluminum chloride 5; systems for introducing vaporous silicon tetrachloride 6, a reaction space 7, a substrate for the deposition of polycrystalline silicon 8, a temperature control device for the substrate 9; systems for removing the gas mixture (inert gas and aluminum chloride) from the reaction space 10; the spatial distribution of the sprayed polycrystalline silicon 11.
Плазменный реактор 1 может быть выполнен в виде диспергатора, представляющего собой плазмотрон или в виде испарителя и предназначен для формирования высокотемпературного гетерогенного потока инертного газа, запыленного ультрадисперсными каплями алюминия, система ввода парообразного хлорида алюминия 5 предназначена для ввода в реакционное пространство в гетерогенный газовый поток инертного газа с алюминием хлорида алюминия в виде пара. Устройство ввода тетрахлорида кремния 6 предназначено для формирования реакционной гомогенной газовой смеси Ar+АlСlx+SiCl4. Патрубок системы ввода тетрахлорида кремния расположен ниже патрубка ввода хлорида алюминия, с целью предотвращения нежелательных реакций между тетрахлоридом кремния и алюминием, которые ведут к инкапсулированию алюминия в кремниевую оболочку.The plasma reactor 1 can be made in the form of a dispersant, which is a plasmatron or in the form of an evaporator, and is designed to form a high-temperature heterogeneous inert gas stream dusted with ultrafine aluminum droplets, the vaporous aluminum chloride input system 5 is designed to introduce inert gas into the reaction space into the heterogeneous gas stream with aluminum aluminum chloride in the form of steam. The input device of silicon tetrachloride 6 is intended for the formation of a reaction homogeneous gas mixture Ar + AlCl x + SiCl 4 . The nozzle for introducing silicon tetrachloride is located below the nozzle for introducing aluminum chloride, in order to prevent undesirable reactions between silicon tetrachloride and aluminum, which lead to the encapsulation of aluminum in the silicon shell.
Устройство термостатирования подложки 9 предназначено для поддержания требуемой для осаждения поликристаллического кремния температуры подложки 8 и представляет собой по сути холодильник, отводящий тепло приносимого конвекционным путем из газовой струи, тепло реакции восстановления вблизи подложки и тепло конденсации кремния по подложке.Thermostatting device for the substrate 9 is designed to maintain the temperature of the substrate 8 required for the deposition of polycrystalline silicon and is essentially a refrigerator that removes heat brought by convection from the gas stream, the heat of the reduction reaction near the substrate, and the condensation heat of silicon along the substrate.
Система отвода газовой смеси (инертного газа и хлорида алюминия) из реакционного пространства 10 предназначена для отвода с поверхности подложки газовой смеси инертного газа и хлорида алюминия, ее охлаждения до комнатной температуры, отделения кристаллов хлорида алюминия и возврата инертного газа в цикл.The system for removing the gas mixture (inert gas and aluminum chloride) from the reaction space 10 is designed to remove from the surface of the substrate a gas mixture of inert gas and aluminum chloride, cooling it to room temperature, separating crystals of aluminum chloride and returning the inert gas to the cycle.
Блок пространственного распределения напыляемого поликристаллического кремния 11 предназначен для равномерного или программируемого нанесения пленки поликристаллического кремния по поверхности подложки, путем относительного программируемого перемещения подложки и газовой струи.The spatial distribution block of the sprayed polycrystalline silicon 11 is designed for uniform or programmed deposition of a polycrystalline silicon film on the surface of the substrate, by relative programmable movement of the substrate and the gas stream.
Герметичный объем (на рисунке не показан) предназначен для защиты газовых потоков и горячей подложки от контакта с воздухом при атмосферном давлении.The sealed volume (not shown in the figure) is designed to protect gas flows and the hot substrate from contact with air at atmospheric pressure.
Устройство работает следующим образом:The device operates as follows:
Инертный газ требуемой чистоты, например, аргон, подается в плазменный реактор (диспергатор, испаритель), где в зависимости от скорости его подачи нагревается до такой температуры, чтобы его энтальпии было достаточно для диспергирования алюминия и поддержания температуры в зоне эндотермической реакции восстановления хлорида алюминия выше 1000°С. Из плазменного реактора выходит гетерогенный газовый поток, представляющий собой смесь инертного газа и капель расплавленного алюминия микронных и субмикронных размеров. В этот поток вводят хлорид алюминия, в результате чего начинается его восстановление металлом до субхлорида. Ниже по потоку в образовавшуюся гомогенную газовую смесь вводится пар тетрахлорида кремния. В результате химических реакций атомы восстановленного кремния оседают на подложку с образованием пленки поликристаллического кремния. Инертный газ и побочный продукт реакции - пар хлорида алюминия через систему отвода газовой смеси выводятся из зоны реакций и поступают на охлаждение и разделение. Очищенный от примесей твердых частиц инертный газ поступает на дополнительную очистку от неконденсируемых газов (кислорода, азота) и затем возвращается в процесс. Хлорид алюминия также частично может возвращаться в цикл, основная его часть выводится из процесса в кристаллическом виде и удаляется из герметичного объема.An inert gas of the required purity, for example, argon, is fed into a plasma reactor (dispersant, evaporator), where depending on its feed rate it is heated to such a temperature that its enthalpies are sufficient to disperse aluminum and maintain the temperature in the zone of the endothermic reaction of reduction of aluminum chloride above 1000 ° C. A heterogeneous gas stream emerges from the plasma reactor, which is a mixture of inert gas and droplets of molten aluminum of micron and submicron sizes. Aluminum chloride is introduced into this stream, as a result of which its reduction with metal to subchloride begins. Downstream, silicon tetrachloride vapor is introduced into the resulting homogeneous gas mixture. As a result of chemical reactions, the atoms of reduced silicon are deposited on the substrate with the formation of a film of polycrystalline silicon. An inert gas and a reaction by-product — aluminum chloride vapor — are discharged from the reaction zone through the gas mixture withdrawal system and are supplied for cooling and separation. The inert gas purified from impurities of solid particles enters for additional purification from non-condensable gases (oxygen, nitrogen) and then returns to the process. Aluminum chloride can also partially return to the cycle, its main part is removed from the process in crystalline form and is removed from the sealed volume.
Заявляемое устройство для конверсии тетрахлорида кремния и напыления поликристаллического кремния позволяет:The inventive device for the conversion of silicon tetrachloride and deposition of polycrystalline silicon allows you to:
- обеспечить максимально возможную полноту прохождения суммарной реакции вводимых реагентов;- to provide the maximum possible completeness of the passage of the total reaction of the introduced reagents;
- проводить процесс с высокой степенью конверсии (выходом) тетрахлорида кремния в поликристаллический кремний в виде пленки на поверхности подложки;- to carry out the process with a high degree of conversion (yield) of silicon tetrachloride in polycrystalline silicon in the form of a film on the surface of the substrate;
- сократить число технологических переделов и потери энергии за счет объединения в одном герметичном объеме процессов синтеза восстановителя и напыления поликристаллического кремния с получением пленки поликристаллического кремния требуемой чистоты и с геттерирующей примесью алюминия, повышающей эксплуатационные свойства поликристаллического кремния, которую можно использовать для производства фотогальванических элементов без дополнительной обработки;- reduce the number of technological conversions and energy losses by combining in one sealed volume the processes of synthesis of the reducing agent and the deposition of polycrystalline silicon to obtain a film of polycrystalline silicon of the required purity and with a getter impurity of aluminum that increases the operational properties of polycrystalline silicon, which can be used to produce photovoltaic cells without additional processing;
- в отличие от многих устройств, используемых в металлургии кремния, снизить требования к стойкости конструкционных материалов в хлор- или/и кислородсодержащей среде, поскольку отсутствует контакт этих материалов с высокотемпературными потоками активных газов;- unlike many devices used in the metallurgy of silicon, reduce the requirements for the resistance of structural materials in chlorine or / and oxygen-containing medium, since there is no contact of these materials with high-temperature flows of active gases;
- снизить себестоимость поликристаллического кремния за счет повышения конверсии тетрахлорида кремния в поликристаллический кремний до 100%.- reduce the cost of polycrystalline silicon by increasing the conversion of silicon tetrachloride to polycrystalline silicon to 100%.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008146529/22U RU85155U1 (en) | 2008-11-25 | 2008-11-25 | DEVICE FOR CONVERSION OF SILICON TETRACHLORIDE AND SPRAYING OF POLYCRYSTAL SILICON |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008146529/22U RU85155U1 (en) | 2008-11-25 | 2008-11-25 | DEVICE FOR CONVERSION OF SILICON TETRACHLORIDE AND SPRAYING OF POLYCRYSTAL SILICON |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU85155U1 true RU85155U1 (en) | 2009-07-27 |
Family
ID=41048696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008146529/22U RU85155U1 (en) | 2008-11-25 | 2008-11-25 | DEVICE FOR CONVERSION OF SILICON TETRACHLORIDE AND SPRAYING OF POLYCRYSTAL SILICON |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU85155U1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2519460C1 (en) * | 2012-12-26 | 2014-06-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Институт Химии И Химической Технологии Сибирского Отделения Российской Академии Наук (Иххт Со Ран) | Production of silicon with the use of aluminium subchloride |
-
2008
- 2008-11-25 RU RU2008146529/22U patent/RU85155U1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2519460C1 (en) * | 2012-12-26 | 2014-06-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Институт Химии И Химической Технологии Сибирского Отделения Российской Академии Наук (Иххт Со Ран) | Production of silicon with the use of aluminium subchloride |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4778504B2 (en) | Method for producing silicon | |
| TW200804633A (en) | Plasma deposition apparatus and method for making polycrystalline silicon | |
| WO2003040036A1 (en) | Method for producing silicon | |
| WO1984002515A1 (en) | Process and apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid | |
| TWI449819B (en) | Manufacture of Polysilicon | |
| JP4038110B2 (en) | Method for producing silicon | |
| US20130195746A1 (en) | Method and system for production of silicon and devicies | |
| US20190248657A1 (en) | Polycrystalline silicon rod and method for producing same | |
| WO2010074674A1 (en) | Method and apparatus for silicon refinement | |
| JP2004284935A (en) | Apparatus and method for manufacturing silicon | |
| US20040091630A1 (en) | Deposition of a solid by thermal decomposition of a gaseous substance in a cup reactor | |
| JP2004210594A (en) | Method of manufacturing high purity silicon | |
| US4597948A (en) | Apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid | |
| RU85155U1 (en) | DEVICE FOR CONVERSION OF SILICON TETRACHLORIDE AND SPRAYING OF POLYCRYSTAL SILICON | |
| US10322938B2 (en) | Poly-silicon manufacturing apparatus and method using high-efficiency hybrid horizontal reactor | |
| JP2009208995A (en) | Manufacturing apparatus for silicon | |
| CN101186299A (en) | Technique for producing high purity silicon by fluidized bed device | |
| TW200848367A (en) | A method and a reactor for production of high-purity silicon | |
| WO2010074673A1 (en) | Method and apparatus for the production of chlorosilanes | |
| JP2004099421A (en) | Method for manufacturing silicon | |
| JP5586005B2 (en) | Method for producing silicon | |
| JP5383573B2 (en) | Reactor for producing polycrystalline silicon and method for producing polycrystalline silicon using the same | |
| CN216296261U (en) | NF for purifying large flow3High concentration N in electrolytic gas2F2Pyrolyzer | |
| RU115361U1 (en) | DEVICE FOR PRODUCING POLYCRYSTAL SILICON | |
| KR101151272B1 (en) | The manufacture device for producing high-purity silcon |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM1K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20090521 |