RU2338014C2 - Method of zinc selenide optic elements processing - Google Patents
Method of zinc selenide optic elements processing Download PDFInfo
- Publication number
- RU2338014C2 RU2338014C2 RU2006146434/15A RU2006146434A RU2338014C2 RU 2338014 C2 RU2338014 C2 RU 2338014C2 RU 2006146434/15 A RU2006146434/15 A RU 2006146434/15A RU 2006146434 A RU2006146434 A RU 2006146434A RU 2338014 C2 RU2338014 C2 RU 2338014C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- polishing
- zinc selenide
- optic elements
- carried out
- processing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Paper (AREA)
- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
Abstract
Description
Заявляемое изобретение относится к способам обработки оптических материалов и касается разработки способа обработки массивных (диаметром до 200 мм) оптических элементов из селенида цинка, используемых в качестве пассивных оптических элементов высокомощных CO2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне длин волн.The claimed invention relates to methods for processing optical materials and relates to the development of a method for processing massive (up to 200 mm in diameter) optical elements from zinc selenide used as passive optical elements of high-power CO 2 lasers and other devices operating in the infrared wavelength range.
Известен способ обработки оптических материалов из селенида цинка, включающий химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полировальника инертного полимерного материала Politex, и химического активного компонента - полирующего раствора в виде устойчивых, растворимых в воде гипогаллитов щелочных или щелочноземельных металлов, при этом полировку ведут при давлении 100-500 г/см2, с постоянным поддержанием поверхности селенида цинка в смоченном избыточным количеством упомянутого полирующего раствора состоянии, с последующим удалением с отполированной поверхности остатков полирующего раствора током неполирующей среды, например воды (см. патент США №3869323, опубл. 04.03.75).A known method of processing optical materials from zinc selenide, including chemical-mechanical polishing using an inert polymer material Politex as a polishing material, and a chemical active component - a polishing solution in the form of stable, water-soluble hypogallites of alkali or alkaline earth metals, the polishing is carried out at a pressure of 100-500 g / cm 2 , with constant maintenance of the surface of zinc selenide in a state moistened with an excess of the above polishing solution, with traveling removal from the polished surface of the remains of the polishing solution with a current of non-polishing medium, such as water (see US patent No. 3869323, publ. 04.03.75).
Недостатком способа является то, что он не обеспечивает возможность получения оптического элемента с высоким качеством геометрии поверхности и высоким качеством ее чистоты, из-за применения в качестве материала полировальника мягкого синтетического материала. Известен способ обработки оптических элементов из селенида цинка, включающий предварительную шлифовку микропорошками окиси алюминия и последующую глубокую химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полировальника пекоканифольной полировочной смолы с температурой размягчения (по кольцу и шару) 63°С. В качестве смазочно-охлаждающей жидкости (СОЖ) использовали дистиллированную воду, в которую, на конечной стадии, добавляли небольшие количества окислителя следующего состава: 100 мг перманганата калия, 10 мл серной кислоты и 40 мл воды. Полирование проводили при удельном давлении 25-300 г/см2 (Гаврищук Е.М. и др. // Прикладная физика, 2005, №5, с.107-111).The disadvantage of this method is that it does not provide the possibility of obtaining an optical element with a high quality of surface geometry and high quality of its cleanliness, due to the use of soft synthetic material as a polishing pad. A known method of processing optical elements from zinc selenide, including preliminary grinding with micropowders of aluminum oxide and subsequent deep chemical-mechanical polishing using polishing pad pecanofan polishing resin with a softening point (ring and ball) of 63 ° C. Distilled water was used as cutting fluid (coolant), to which, at the final stage, small amounts of an oxidizing agent of the following composition were added: 100 mg of potassium permanganate, 10 ml of sulfuric acid and 40 ml of water. Polishing was carried out at a specific pressure of 25-300 g / cm 2 (Gavrishchuk E.M. et al. // Applied Physics, 2005, No. 5, p. 107-111).
Способ обеспечивает высококачественную обработку поверхности образца селенида цинка, отвечающую 3 классу чистоты без ухудшения плоскостности.The method provides high-quality surface treatment of the sample of zinc selenide, corresponding to the 3rd class of purity without affecting flatness.
Недостатком способа является то, что он разработан с использованием в качестве материала полировальника пекоканифольной полировочной смолы, которая не вырабатывается отечественной промышленностью. Предприятия оптической промышленности сами подбирают и готовят составы смол для полирования выпускаемых изделий. Приготовление пекоканифольных смол является сложным технологическим процессом, с одной стороны, а с другой стороны - упомянутые смолы неустойчивы, состав их со временем меняется, что вызывает неудобства при их использовании.The disadvantage of this method is that it is developed using pecanofin polishing resin, which is not produced by the domestic industry, as a polishing pad material. The enterprises of the optical industry themselves select and prepare resin compositions for polishing the manufactured products. The preparation of pecane rosin resins is a complex technological process, on the one hand, and on the other hand, the mentioned resins are unstable, their composition changes over time, which causes inconvenience when using them.
Известен способ обработки оптических элементов из селенида цинка, включающий глубокую шлифовку микропорошками оксида алюминия с последующей глубокой химико-механической полировкой с использованием в качестве материала полировальника смол на основе модифицированной живичной канифоли с температурой размягчения 56-73,5°С и активного химического компонента, в качестве которого использовали 1 М раствор азотной кислоты. Полировку проводили при температуре окружающей среды. Полученная поверхность отвечает 4 классу чистоты по ГОСТ 11141-84 (Гаврищук Е.М. и др. / Неорганические материалы, 2006, том 42, №7, стр.775-780).A known method of processing optical elements from zinc selenide, including deep grinding with alumina micropowders followed by deep chemical-mechanical polishing using resins based on modified gum rosin with a softening point of 56-73.5 ° C and an active chemical component, as the quality of which was used 1 M solution of nitric acid. Polishing was carried out at ambient temperature. The obtained surface corresponds to the 4th class of cleanliness according to GOST 11141-84 (Gavrishchuk E.M. et al. / Inorganic Materials, 2006, Volume 42, No. 7, pp. 775-780).
Задачей авторов настоящей статьи являлось исследование химико-механической полировки селенида цинка с использованием полировочных смол на основе модифицированной живичной канифоли и изучение влияния температуры размягчения полировальной смолы на скорость съема материала и оптические характеристики поверхности селенида цинка. Давление, при котором проводили полировку селенида цинка, указано конкретно на изделие, при котором проводили исследования.The objective of the authors of this article was to study the chemical-mechanical polishing of zinc selenide using polishing resins based on modified gum rosin and to study the effect of the softening temperature of the polishing resin on the material removal rate and optical characteristics of the surface of zinc selenide. The pressure at which the polishing of zinc selenide was carried out is indicated specifically on the product at which the studies were carried out.
Упомянутый способ выбран в качестве прототипа.The mentioned method is selected as a prototype.
Недостатком прототипа является недостаточно высокое качество обработки поверхности селенида цинка, что ограничивает область его практического использования.The disadvantage of the prototype is the insufficiently high quality surface treatment of zinc selenide, which limits the scope of its practical use.
Задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является разработка способа обработки оптических элементов из селенида цинка, полученного CVD-методом, направленного на повышение качества обработки поверхности селенида цинка за счет повышения ее чистоты в сочетании с заданной геометрией поверхности образца.The problem to which the invention is directed is the development of a method for processing optical elements from zinc selenide obtained by the CVD method, aimed at improving the quality of surface treatment of zinc selenide by increasing its purity in combination with a given geometry of the surface of the sample.
Эта задача решается за счет того, что в способе обработки оптических элементов из селенида цинка, включающем глубокую шлифовку и последующую глубокую химико-механическую полировку при температуре окружающей среды с использованием в качестве материала полировальника смол на основе модифицированной живичной канифоли, химически активного компонента и смазочно-охлаждающей жидкости (СОЖ), согласно заявляемому изобретению используют смолу с температурой размягчения 50-80°С, в качестве химически активного компонента используют азотную или хлорную кислоты или их смесь с концентрацией раствора 0,5-5 М и полировку ведут при давлении 25-500 г/см2.This problem is solved due to the fact that in the method of processing optical elements made of zinc selenide, which includes deep grinding and subsequent deep chemical-mechanical polishing at ambient temperature using resins based on modified gum rosin, a chemically active component and a lubricant coolant (coolant), according to the claimed invention use a resin with a softening temperature of 50-80 ° C, as a chemically active component using nitrogen or Lorne acid or a mixture thereof with a solution concentration of 0.5-5 M and polishing is carried out at a pressure of 25-500 g / cm 2.
В качестве СОЖ предпочтительно использовать дистиллированную воду, обеспечивающую наиболее высокую чистоту обработки поверхности.As coolant, it is preferable to use distilled water, which provides the highest surface finish.
В качестве модификаторов канифоли предпочтительно использовать гликоли, например диэтиленгликоль, глицерин, или диенофилы, например акриловую кислоту, обеспечивающие наиболее высокую чистоту обработки поверхности.As rosin modifiers, it is preferable to use glycols, for example diethylene glycol, glycerin, or dienophiles, for example acrylic acid, which provide the highest surface finish.
Заявляемый способ позволяет получить поверхность селенида цинка, отвечающую 3 классу чистоты поверхности по ГОСТ 11141-84 с отклонением от плоскости не более одного интерференционного кольца с местной ошибкой не более 0,1 интерференционного кольца. Скорость съема материала составляет (4-11)·10-3 (г/ч·см2).The inventive method allows to obtain a surface of zinc selenide corresponding to the 3rd class of surface cleanliness according to GOST 11141-84 with a deviation from the plane of not more than one interference ring with a local error of not more than 0.1 interference rings. The material removal rate is (4-11) · 10 -3 (g / h · cm 2 ).
Опытным путем было установлено, что использование смол с температурой размягчения 50-80°С является оптимальным с точки зрения качества геометрии и чистоты поверхности селенида цинка. Использование смол с температурой размягчения ниже 50°С и выше 80°С не обеспечивает высокого качества геометрии и чистоты поверхности. При температуре размягчения ниже 50°С смола будет слишком мягкая для удержания зерна полирующего микропорошка, а при температуре выше 80°С - слишком жесткая для получения требуемой чистоты поверхности.It was experimentally found that the use of resins with a softening temperature of 50-80 ° C is optimal in terms of the quality of the geometry and the surface cleanliness of zinc selenide. The use of resins with a softening temperature below 50 ° C and above 80 ° C does not provide high quality geometry and surface cleanliness. At a softening temperature below 50 ° C, the resin will be too soft to hold the grain of the polishing micropowder, and at a temperature above 80 ° C it will be too hard to obtain the required surface cleanliness.
Давление в интервале 2,5-500 г/см2, при котором ведут полировку, является оптимальным с точки зрения геометрии и чистоты поверхности селенида цинка, с одной стороны, и скорости съема слоя материала, с другой. Опытным путем было установлено, что проведение полировки при давлении ниже 2,5 г/см2 резко снижает скорость съема слоя материала, а при давлении выше 500 г/см2 качество поверхности ухудшается за счет микроразрушений материала.The pressure in the range of 2.5-500 g / cm 2 at which polishing is carried out is optimal from the point of view of geometry and surface cleanliness of zinc selenide, on the one hand, and the removal rate of the material layer, on the other. It was experimentally established that polishing at a pressure below 2.5 g / cm 2 sharply reduces the removal rate of the material layer, and at a pressure above 500 g / cm 2 the surface quality is deteriorated due to microdestruction of the material.
В процессе химико-механической обработки использование азотной или хлорной кислот или их смеси с концентрацией 0,5-5 М обеспечивает максимально возможную скорость съема материала, при этом обработанная поверхность соответствует 3 классу чистоты согласно ГОСТ 11141-84. Все упомянутые признаки являются существенными, т.к. каждый из них необходим, а вместе они достаточны для решения поставленной задачи - разработки способа обработки оптических элементов из селенида цинка, обеспечивающего повышение чистоты в сочетании с заданной геометрией поверхности образца.In the process of chemical-mechanical treatment, the use of nitric or perchloric acids or their mixtures with a concentration of 0.5-5 M ensures the maximum possible removal rate of the material, while the treated surface corresponds to grade 3 according to GOST 11141-84. All the mentioned features are significant, because each of them is necessary, and together they are sufficient to solve the problem - to develop a method for processing optical elements from zinc selenide, which provides an increase in purity in combination with a given geometry of the surface of the sample.
Пример 1. Обработке подвергали CVD-селенид цинка с площадью поверхности 25 см2 и толщиной 5 мм. Поверхность последовательно шлифовали микропорошками окиси алюминия с размером зерна 20, 10 и 5 мкм соответственно, затем проводили глубокую химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полировальника смолы с температурой размягчения 59°С на основе живичной канифоли, модифицированной диэтиленгликолем. Полирование проводили при давлении 345 г/см2 в течение 105 минут. В процессе полирования в зону обработки добавляли азотную кислоту с концентрацией 1 моль/л и дистиллированную воду. Скорость съема слоя материала составляла 8,6·10-3 (г/ч·см2). Обработанная поверхность соответствует З классу чистоты согласно ГОСТ 11141-84, с отклонением по плоскости не более одного интерференционного кольца (N≤1), местная ошибка не превышала 0,1 интерференционного кольца (ΔN≤1).Example 1. The treatment was subjected to CVD-zinc selenide with a surface area of 25 cm 2 and a thickness of 5 mm The surface was sequentially polished with alumina micropowders with grain sizes of 20, 10, and 5 μm, respectively, then deep chemical-mechanical polishing was carried out using resin with a softening temperature of 59 ° C based on gum rosin modified with diethylene glycol. Polishing was carried out at a pressure of 345 g / cm 2 for 105 minutes. During polishing, nitric acid with a concentration of 1 mol / L and distilled water were added to the treatment zone. The removal rate of the material layer was 8.6 · 10 -3 (g / h · cm 2 ). The treated surface corresponds to the cleanliness class 3 according to GOST 11141-84, with a deviation along the plane of not more than one interference ring (N≤1), the local error did not exceed 0.1 interference rings (ΔN≤1).
Пример 2. Обработке подвергали CVD-селенид цинка с площадью поверхности 86 см2 и толщиной 3 мм. Поверхность последовательно шлифовали микропорошками окиси алюминия с размером зерна 20, 10 и 5 мкм соответственно, затем проводили глубокую химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полировальника смолы с температурой размягчения 59°С на основе живичной канифоли, модифицированной диэтиленгликолем. Полирование проводили при давлении 162 г/см2 в течение 105 минут. В процессе полирования в зону обработки добавляли азотную кислоту с концентрацией 1 моль/л и дистиллированную воду. Скорость съема слоя материала составляла 1,95·10-3 (г/ч·см2). Обработанная поверхность соответствует З классу чистоты согласно ГОСТ 11141-84, с отклонением по плоскости не более одного интерференционного кольца (N≤1), местная ошибка не превышала 0,1 интерференционного кольца (ΔN≤1).Example 2. The treatment was subjected to CVD-zinc selenide with a surface area of 86 cm 2 and a thickness of 3 mm The surface was sequentially polished with alumina micropowders with grain sizes of 20, 10, and 5 μm, respectively, then deep chemical-mechanical polishing was carried out using resin with a softening temperature of 59 ° C based on gum rosin modified with diethylene glycol. Polishing was carried out at a pressure of 162 g / cm 2 for 105 minutes. During polishing, nitric acid with a concentration of 1 mol / L and distilled water were added to the treatment zone. The removal rate of the material layer was 1.95 · 10 -3 (g / h · cm 2 ). The treated surface corresponds to the cleanliness class 3 according to GOST 11141-84, with a deviation along the plane of not more than one interference ring (N≤1), the local error did not exceed 0.1 interference rings (ΔN≤1).
Пример 3. Обработке подвергали CVD-селенид цинка с площадью поверхности 86 см2 и толщиной 3 мм. Поверхность последовательно шлифовали микропорошками окиси алюминия с размером зерна 20, 10 и 5 мкм соответственно, затем проводили глубокую химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полировальника смолы с температурой размягчения 59°С на основе живичной канифоли, модифицированной диэтиленгликолем. Полирование проводили при давлении 162 г/см2 в течение 105 минут. В процессе полирования в зону обработки добавляли смесь азотной и хлорной кислот с концентрацией 2 моль/л и дистиллированную воду. Скорость съема слоя материала составляла 2,4·10-3 (г/ч·см2). Обработанная поверхность соответствует З классу чистоты согласно ГОСТ 11141-84, с отклонением по плоскости не более одного интерференционного кольца (N≤1), местная ошибка не превышала 0,1 интерференционного кольца (ΔN≤1).Example 3. The treatment was subjected to CVD-zinc selenide with a surface area of 86 cm 2 and a thickness of 3 mm The surface was sequentially polished with alumina micropowders with grain sizes of 20, 10, and 5 μm, respectively, then deep chemical-mechanical polishing was carried out using resin with a softening temperature of 59 ° C based on gum rosin modified with diethylene glycol. Polishing was carried out at a pressure of 162 g / cm 2 for 105 minutes. During polishing, a mixture of nitric and perchloric acids with a concentration of 2 mol / L and distilled water was added to the treatment zone. The removal rate of the material layer was 2.4 · 10 -3 (g / h · cm 2 ). The treated surface corresponds to the cleanliness class 3 according to GOST 11141-84, with a deviation along the plane of not more than one interference ring (N≤1), the local error did not exceed 0.1 interference rings (ΔN≤1).
Пример 4. Обработке подвергали CVD-селенид цинка с площадью поверхности 25 см2 и толщиной 5 мм. Поверхность последовательно шлифовали микропорошками окиси алюминия с размером зерна 20, 10 и 5 мкм соответственно, затем проводили глубокую химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полировальника смолы с температурой размягчения 61°С на основе живичной канифоли, модифицированной акриловой кислотой. Полирование проводили при давлении 450 г/см2 в течение 105 минут. В процессе полирования в зону обработки добавляли азотную кислоту с концентрацией 5 моль/л и дистиллированную воду. Обработанная поверхность соответствует З классу чистоты согласно ГОСТ 11141-84, с отклонением по плоскости не более одного интерференционного кольца (N≤1), местная ошибка не превышала 0,1 интерференционного кольца (ΔN≤1).Example 4. The treatment was subjected to CVD-zinc selenide with a surface area of 25 cm 2 and a thickness of 5 mm The surface was successively polished with alumina micropowders with grain sizes of 20, 10, and 5 μm, respectively, then deep chemical-mechanical polishing was carried out using resin with a softening point of 61 ° C based on gum rosin modified with acrylic acid as a polishing material. Polishing was carried out at a pressure of 450 g / cm 2 for 105 minutes. During polishing, nitric acid with a concentration of 5 mol / L and distilled water were added to the treatment zone. The treated surface corresponds to the cleanliness class 3 according to GOST 11141-84, with a deviation along the plane of not more than one interference ring (N≤1), the local error did not exceed 0.1 interference rings (ΔN≤1).
Пример 5. Обработке подвергали CVD-селенид цинка с площадью поверхности 25 см2 и толщиной 5 мм. Поверхность последовательно шлифовали микропорошками окиси алюминия с размером зерна 20, 10 и 5 мкм соответственно, затем проводили глубокую химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полировальника смолы с температурой размягчения 61°С на основе живичной канифоли, модифицированной акриловой кислотой. Полирование проводили при давлении 30 г/см2 в течение 200 минут. В процессе полирования в зону обработки добавляли азотную кислоту с концентрацией 0,5 моль/л и дистиллированную воду. Обработанная поверхность соответствует З классу чистоты согласно ГОСТ 11141-84, с отклонением по плоскости не более одного интерференционного кольца (N≤1), местная ошибка не превышала 0,1 интерференционного кольца (ΔN≤1).Example 5. The treatment was subjected to CVD-zinc selenide with a surface area of 25 cm 2 and a thickness of 5 mm The surface was successively polished with alumina micropowders with grain sizes of 20, 10, and 5 μm, respectively, then deep chemical-mechanical polishing was carried out using resin with a softening point of 61 ° C based on gum rosin modified with acrylic acid as a polishing material. Polishing was carried out at a pressure of 30 g / cm 2 for 200 minutes. During polishing, nitric acid with a concentration of 0.5 mol / L and distilled water were added to the treatment zone. The treated surface corresponds to the cleanliness class 3 according to GOST 11141-84, with a deviation along the plane of not more than one interference ring (N≤1), the local error did not exceed 0.1 interference rings (ΔN≤1).
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006146434/15A RU2338014C2 (en) | 2006-12-04 | 2006-12-04 | Method of zinc selenide optic elements processing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006146434/15A RU2338014C2 (en) | 2006-12-04 | 2006-12-04 | Method of zinc selenide optic elements processing |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2006146434A RU2006146434A (en) | 2008-07-20 |
| RU2338014C2 true RU2338014C2 (en) | 2008-11-10 |
Family
ID=40230519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006146434/15A RU2338014C2 (en) | 2006-12-04 | 2006-12-04 | Method of zinc selenide optic elements processing |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2338014C2 (en) |
-
2006
- 2006-12-04 RU RU2006146434/15A patent/RU2338014C2/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ГАВРИЩУК Е.М. и др. Полирование ZnSe с использованием смол на основе канифоли. «Неорганические материалы», т.42, №7, 2006, с.775-780. ГАВРИЩУК Е.М. и др. Влияние условий полирования на качество обработки оптических поверхностей элементов из селенида цинка для изделий, работающих в ИК-диапазоне. «Прикладная физика», №5, 2005, с.107-111. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2006146434A (en) | 2008-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8008203B2 (en) | Substrate, method of polishing the same, and polishing apparatus | |
| US9138859B2 (en) | Method for manufacturing an optical component for eliminating surface defects | |
| TWI535803B (en) | Silicon wafer with grinding composition and silicon wafer grinding method | |
| JP2011516392A (en) | Protective coatings for glass production and product processing | |
| JP7298915B2 (en) | Method for manufacturing single-crystal silicon carbide substrate | |
| JP2006237055A (en) | Method of manufacturing semiconductor wafer and method of specularly chamfering semiconductor wafer | |
| TW200848560A (en) | GaAs semiconductor substrate and fabrication method thereof | |
| CN110431210B (en) | Polishing composition | |
| CN108352310A (en) | The processing method of semiconductor wafer | |
| RU2338014C2 (en) | Method of zinc selenide optic elements processing | |
| JP2007230807A (en) | Method of producing diamond product | |
| CN107384218A (en) | The polishing fluid and polishing method of a kind of Cdl-x_Znx_Te | |
| CN107953148A (en) | It is a kind of based on the sapphire wafer polishing method for including neodymium compound mild abrasives fixation grinding tool | |
| CN114290132A (en) | Surface treatment method for silicon carbide wafer | |
| FR2462400A1 (en) | METHOD FOR FINISHING GLASS SURFACES | |
| CH703236B1 (en) | The process of recovery in silicon sawing waste. | |
| US11628534B2 (en) | Silicon wafer single-side polishing method | |
| WO2020084931A1 (en) | Method for manufacturing silicon wafer with laser mark, and silicon wafer with laser mark | |
| KR102347861B1 (en) | Glass coated cbn abrasives and method of making them | |
| JP6147374B2 (en) | Improved quality multispectral zinc sulfide | |
| JP4725767B2 (en) | Strain-free surface processing equipment and surface processing technology for optical materials | |
| TW201634854A (en) | Gas-filled vessel filled with fluorinated hydrocarbon compound | |
| FR2551431A1 (en) | METHOD OF POLISHING THE SURFACE OF GLASS ARTICLES | |
| US9150458B2 (en) | Method of increasing the hardness of wurtzite crystalline materials | |
| ES2041587B1 (en) | POLISHING PROCEDURE OF OPTICAL GLASSES THROUGH SURFACE HEAT TREATMENT WITH LASER. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20201205 |