RU2324265C2 - Аттенюатор свч - Google Patents
Аттенюатор свч Download PDFInfo
- Publication number
- RU2324265C2 RU2324265C2 RU2006117659/09A RU2006117659A RU2324265C2 RU 2324265 C2 RU2324265 C2 RU 2324265C2 RU 2006117659/09 A RU2006117659/09 A RU 2006117659/09A RU 2006117659 A RU2006117659 A RU 2006117659A RU 2324265 C2 RU2324265 C2 RU 2324265C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transmission line
- field
- schottky barrier
- resistor
- microwave
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронной технике, а именно к аттенюаторам СВЧ на полупроводниковых приборах. Техническим результатом является обеспечение линейного изменения ослабления СВЧ-сигнала в зависимости от управляющего напряжения, непрерывно изменяющегося в широком интервале, и уменьшение массогабаритных характеристик. Аттенюатор СВЧ содержит первый полевой транзистор с барьером Шотки и два введенных полевых транзистора с барьером Шотки, при этом каждый соответственно вместе с отрезком линии передачи с длиной, равной четверти длины волны в линии передачи, и резистором с сопротивлением, равным волновому сопротивлению линии передачи. Введенные транзисторы расположены по разные стороны от первого полевого транзистора с барьером Шотки симметрично или несимметрично. Один конец каждого резистора соединен с соответствующей линией передачи либо на входе, либо на выходе, другой - через отрезок линии передачи - со стоком соответствующего полевого транзистора с барьером Шотки. Истоки введенных транзисторов заземлены, а затворы трех полевых транзисторов с барьером Шотки соединены между собой и соединены с одним источником управляющего напряжения. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Изобретение относится к электронной технике, а именно к аттенюаторам СВЧ на полупроводниковых приборах.
Одной из основных характеристик аттенюатора СВЧ является величина изменения затухания - ослабления СВЧ-сигнала.
Аттенюаторы делятся на аттенюаторы с дискретным и непрерывным изменением ослабления СВЧ-сигнала.
В первом случае аттенюатор содержат два и более разрядов, причем чем меньше минимальное значение дискрета ослабления в каждом разряде, тем требуется большее число разрядов для достижения заданного изменения ослабления СВЧ-сигнала.
При этом каждый разряд управляется, по крайней мере, двумя источниками управляющего напряжения.
Во втором случае аттенюатор содержит один разряд, ослабление СВЧ-сигнала которого изменяется в зависимости от приложенного к нему непрерывно изменяющегося управляющего напряжения.
Идеальный вариант аттенюатора СВЧ - это достижение линейного изменения ослабления СВЧ-сигнала в зависимости от управляющего напряжения непрерывно изменяющегося в широком интервале, и малая величина модуля коэффициента отражения также при указанной зависимости.
А это, как правило, трудно достижимо.
Задача настоящего изобретения состоит в комплексном подходе к конструированию аттенюаторов СВЧ, заключающемся:
- с одной стороны, в существенном снижении модуля коэффициента отражения аттенюатора в зависимости от управляющего напряжения, непрерывно изменяющегося в широком интервале,
- с другой стороны, в достижении близкой к линейной зависимости ослабления СВЧ-сигнала от указанного управляющего напряжения,
- при одновременном уменьшении массогабаритных характеристик, что особенно необходимо при монолитно интегральном исполнении аттенюатора СВЧ.
Многоразрядный аттенюатор СВЧ с дискретным изменением затухания, как было указано выше, состоит из каскадного соединения, по крайней мере, двух и более разрядов, каждый из которых представляет собой так называемое П- или Т-образное соединение резисторов относительно линий передачи на входе и выходе аттенюатора, при этом они выполнены с заданными величинами сопротивлений.
Подключение и отключение резисторов в каждом разряде осуществляют электронными ключами, в качестве которых используют и полупроводниковые диоды, и транзисторы.
Это позволяет получать требуемые комбинации дискретного изменения затухания СВЧ-сигнала аттенюатора.
Вариантом первого являются широко известные многоразрядные аттенюаторы СВЧ, в которых в качестве электронных ключей использованы pin-диоды, переключаемые с помощью постоянного управляющего напряжения [1].
Недостатком данного аттенюатора СВЧ являются его массогабаритные характеристики:
во-первых, из-за наличия в каждом разряде двух источников управляющего напряжения,
во-вторых, поскольку pin-диоды являются двухполюсными приборами, то для развязки их по СВЧ и управляющему напряжению необходимо использовать фильтры питания, что также увеличивает массогабаритные характеристики.
Это затрудняет его использование в монолитно-интегральном исполнении.
Вариантом второго является многоразрядный аттенюатор СВЧ, в котором в качестве электронных ключей использованы полевые транзисторы с барьером Шотки, переключаемые также с помощью управляющего напряжения [2].
Поскольку полевые транзисторы с барьером Шотки являются трехэлектродными приборами и, следовательно, обладают внутренней развязкой по СВЧ и управляющему напряжению, исключена необходимость использования фильтров питания, что позволило несколько уменьшить массогабаритные характеристики.
Известен аттенюатор СВЧ, содержащий две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна предназначена для входа СВЧ-сигнала, другая - для выхода, и полевой транзистор с барьером Шотки, при этом исток полевого транзистора с барьером Шотки соединен с линией передачи на входе, сток - с линией передачи на выходе, а затвор соединен с источником управляющего напряжения [3] - прототип.
Недостатком данного аттенюатора является зависимость модуля коэффициента отражения СВЧ-сигнала от величины сопротивления полевого транзистора с барьером Шотки, которая изменяется от приложенного управляющего напряжения, что не позволяет:
во-первых, получить малые значения модуля коэффициента отражения СВЧ-сигнала,
во-вторых, достичь линейного изменения ослабления СВЧ-сигнала.
Кроме того, наличие и в данном аттенюаторе СВЧ двух источников управляющего напряжения увеличивает его массогабаритные характеристики и затрудняет использование его в монолитно-интегральных схемах СВЧ.
Техническим результатом изобретения является снижение модуля коэффициента отражения СВЧ-сигнала, достижение линейного изменения ослабления СВЧ-сигнала в зависимости от управляющего напряжения, непрерывно изменяющегося в широком интервале, и уменьшение массогабаритных характеристик аттенюатора СВЧ.
Технический результат достигается тем, что в известном аттенюаторе СВЧ, содержащем две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна предназначена для входа СВЧ-сигнала, другая - для выхода, и полевой транзистор с барьером Шотки, при этом исток соединен с линией передачи на входе, сток - с линией передачи на выходе, а затвор соединен с источником управляющего напряжения, в аттенюатор введены два полевых транзистора с барьером Шотки, два отрезка линии передачи с длиной, равной четверти длины волны в линии передачи, два резистора с сопротивлением, равным волновому сопротивлению линии передачи, при этом каждый из двух полевых транзисторов с барьером Шотки соответственно вместе с отрезком линии передачи и резистором расположены по разные стороны и/или симметрично, и/или несимметрично от первого полевого транзистора с барьером Шотки, при этом один конец каждого резистора соединен с соответствующей линией передачи либо на входе, либо на выходе, другой - через отрезок линии передачи - со стоком соответствующего полевого транзистора с барьером Шотки, истоки которых заземлены, а затворы трех полевых транзисторов с барьером Шотки соединены между собой и соединены с одним источником управляющего напряжения.
Каждый из двух полевых транзисторов с барьером Шотки соответственно вместе с отрезком линии передачи и резистором могут быть расположены по разные стороны от первого полевого транзистора с барьером Шотки и/или симметрично и/или несимметрично в случае идентичного и неидентичного выполнения их конструктивных параметров.
Введение в аттенюатор двух полевых транзисторов с барьером Шотки, при этом каждого соответственно вместе с отрезком линии передачи с длиной, равной четверти длины волны в линии передачи, и резистором с сопротивлением, равным волновому сопротивлению линии передачи в совокупности с предложенным их расположением и соединением, а именно по разные стороны от первого полевого транзистора с барьером Шотки и/или симметрично, и/или несимметрично, при этом один конец каждого резистора соединен с соответствующей линией передачи либо на входе, либо на выходе, другой - через отрезок линии передачи - со стоком соответствующего полевого транзистора с барьером Шотки, истоки которых заземлены, а затворы трех полевых транзисторов с барьером Шотки соединены между собой и соединены с одним источником управляющего напряжения, позволит:
во-первых, при непрерывном изменении управляющего напряжения от нуля до напряжения отсечки полевых транзисторов с барьером Шотки непрерывно изменять их сопротивление таким образом, что сопротивление аттенюатора СВЧ будет мало изменяться относительно волнового сопротивления линий передачи и тем самым снизить модуль коэффициента отражения СВЧ-сигнала;
во-вторых, изменяя ширину отрезков линии передачи длиной, равной четверти длины волны в линии передачи, компенсировать емкости полевых транзисторов с барьером Шотки и тем самым достичь линейного изменения СВЧ-сигнала в зависимости от управляющего напряжения, непрерывно изменяющегося в широком интервале;
в-третьих, соединить между собой затворы трех полевых транзисторов с барьером Шотки и подавать управляющее напряжение от одного его источника и тем самым уменьшить массогабаритные характеристики.
Изобретение поясняется чертежами.
На фиг.1 изображена топология предлагаемого аттенюатора СВЧ, где:
- две линии передачи одна - на входе, другая - на выходе - 1 и 2,
- первый полевой транзистор с барьером Шотки - 3,
- два полевых транзистора с барьером Шотки - 4 и 5 соответственно,
- два отрезка линии передачи с длиной, равной четверти длины волны в линии передачи - 6 и 7 соответственно,
- два резистора с сопротивлением, равным волновому сопротивлению линии передачи - 8 и 9 соответственно,
- источник управляющего напряжения - 10.
На фиг.2 изображена электрическая схема аттенюатора СВЧ.
На фиг.3 приведены зависимости величины ослабления А СВЧ-сигнала от управляющего напряжения U непрерывно изменяющегося.
На фиг.4 приведены зависимости модуля коэффициента отражения Г СВЧ-сигнала от указанного выше управляющего напряжения U.
Пример 1.
Рассмотрен частный случай аттенюатора СВЧ, в котором полевые транзисторы с барьером Шотки 4 и 5 каждый соответственно вместе с отрезком линии передачи и резистором расположены от первого полевого транзистора с барьером Шотки 3 по разные стороны и симметрично.
Все элементы аттенюатора выполнены в монолитно-интегральном исполнении на полупроводниковой подложке из арсенида галлия толщиной, равной 0,1 мм, с использованием классической тонкопленочной технологии.
Две линии передачи на входе 1 и выходе 2 выполнены шириной проводников 0,08 мм.
Полевые транзисторы с барьером Шотки 4, 5 выполнены с идентичными конструктивными параметрами.
Полевые транзисторы с барьером Шотки 3, 4, 5 имеют напряжение отсечки Uотс., равное -2,5 В.
Два отрезка линии передачи 6 и 7 выполнены шириной и длиной проводников 0,01 и 3 мм соответственно, что равно четверти длины волны в линии передачи.
Два резистора 8 и 9 выполнены напылением хрома толщиной 2 мкм с сопротивлением, равным 50 Ом, что равно волновому сопротивлению линий передачи.
При этом исток первого полевого транзистора с барьером Шотки 3 соединен с линией передачи на входе 1, сток - с линией передачи на выходе 2. Каждый из двух полевых транзисторов с барьером Шотки 4 и 5 соответственно вместе с отрезком линии передачи 6 либо 7 и резистором 8 либо 9 расположены по разные стороны и симметрично от первого полевого транзистора с барьером Шотки 3, при этом один конец каждого резистора 8, 9 соединен с соответствующей линией передачи либо на входе 1, либо на выходе 2, другой - через отрезок линии передачи 6 либо 7 - со стоком соответствующего полевого транзистора с барьером Шотки. Истоки двух полевых транзисторов с барьером Шотки 4 и 5 заземлены.
Затворы трех полевых транзисторов с барьером Шотки 3, 4, 5 соединены между собой и соединены с одним источником управляющего напряжения 10.
Пример 2.
Частный случай аттенюатора СВЧ, в котором полевые транзисторы с барьером Шотки 4 и 5 выполнены с неидентичными конструктивными параметрами.
При этом каждый соответственно вместе с отрезком линии передачи и резистором расположены от первого полевого транзистора с барьером Шотки 3 по разные стороны и несимметрично.
При этом резистор, например 8, расположен на расстоянии, равном одному миллиметру, а резистор 9 - на расстоянии, равном двум миллиметрам от первого полевого транзистора с барьером Шотки 3.
Работа аттенюатора СВЧ.
При подаче на затворы всех трех полевых транзисторов с барьером Шотки 3, 4, 5 управляющего напряжения U величиной, равной 0 В от одного источника управляющего напряжения 10, становятся открытыми все три полевых транзистора с барьером Шотки.
В результате этого все три полевые транзисторы с барьером Шотки каждый имеют малое сопротивление Zоткр.
Как указано выше, полевые транзисторы с барьером Шотки 4 и 5 имеют каждый малое сопротивление Zоткр., но поскольку каждый из них на одном конце соединен с отрезком линии передачи 6 либо 7 и резистором 8 либо 9 с сопротивлениями, равными волновому сопротивлению линии передачи Z, то на другом их конце малое сопротивление Zоткр. каждого транзистора преобразуется в большое сопротивление ZA, рассчитанное по формуле:
ZA=Z2/Zоткр.,
где Z2 - квадрат волнового сопротивления отрезков линии передачи 6 и 7.
Поскольку каждое большое сопротивление ZA включено последовательно резистору с сопротивлениями Z0, то сопротивления Z4 и Z5 аттенюатора, рассчитанные по формулам:
Z4=Z0+ZA
Z5=Z0+ZA,
где Z0 - сопротивление резисторов 8 и 9,
будут превышать сопротивления Z0 резисторов 8 и 9.
В этом случае аттенюатор будет иметь малое последовательное сопротивление Zоткр. и два больших параллельных сопротивления Z4 и Z5, включенных по обе стороны малого последовательного сопротивления Zоткр.
В этом случае в аттенюаторе СВЧ реализуется малая величина модуля коэффициента отражения СВЧ-сигнала и малая величина ослабления СВЧ-сигнала.
При подаче на затворы всех трех полевых транзисторов с барьером Шотки 3, 4, 5 отрицательного управляющего напряжения U, превышающего по абсолютной величине напряжение отсечки Uотс. полевого транзистора с барьером Шотки, все транзисторы будут закрыты.
При этом все три полевые транзисторы с барьером Шотки будут иметь каждый большое сопротивление Zзакр.
Как указано выше, полевые транзисторы с барьером Шотки 4 и 5 имеют каждый большое сопротивление Zзакр., но поскольку каждый из них на одном конце соединен с отрезком линии передачи 6 либо 7 и резистором 8 либо 9 с сопротивлением равным волновому сопротивлению линии передачи Z, то на другом их конце большое сопротивление Zзакр. преобразуется в малое сопротивление ZB, рассчитанное по формуле:
ZB=Z2/Zзакр.,
где Z2 - квадрат волнового сопротивления отрезков линии передачи 6 и 7.
Поскольку каждое малое сопротивление ZB включено последовательно резистору с сопротивлением Z0, то сопротивления Z4 и Z5 аттенюатора, рассчитанные по формулам:
Z4=Z0+ZB
Z5=Z0+ZB,
где Z0 - сопротивления резисторов 8 и 9
будут равны Z0.
В этом случае аттенюатор будет иметь большое последовательное сопротивление Zзакр. и два параллельных сопротивления Z0 и Z0, включенные по обе стороны большого последовательного сопротивления Zзакр.
Как видим и в этом случае в аттенюаторе реализуется малая величина модуля коэффициента отражения СВЧ-сигнала, но при этом большая величина ослабления СВЧ-сигнала.
При подаче на затворы всех трех полевых транзисторов с барьером Шотки 3, 4, 5 отрицательного управляющего напряжения U, непрерывно изменяющегося в интервале от нуля до Uотс., сопротивление каждого из трех полевых транзисторов с барьером Шотки будет изменяться от Zоткр. до Zзакр.
При этом в аттенюаторе реализуются малая величина модуля коэффициента отражения СВЧ-сигнала и непрерывно изменяющаяся величина ослабления СВЧ-сигнала.
При этом линейное изменение СВЧ-сигнала в зависимости от управляющего напряжения непрерывно изменяющегося в указанном интервале достигается посредством выбора оптимального значения волнового сопротивления Z отрезков линии передачи 6 и 7.
На изготовленных образцах аттенюатора СВЧ были измерены величины модуля коэффициента отражения и ослабления СВЧ-сигналов в зависимости от управляющего напряжения, непрерывно изменяющегося в указанном интервале от нуля до Uотс., результаты чего изображены на фиг.3 и 4.
Как видно из фиг.3, ослабление в аттенюаторе изменяется линейно от значения -1 дБ до значения -15 дБ.
Как видно из фиг.4, модуль коэффициента отражения не превышает значения 0,15.
Это говорит о том, что в предложенном аттенюаторе СВЧ реализуются как малая величина модуля коэффициента отражения СВЧ-сигнала, так и линейное изменение ослабления СВЧ-сигнала.
Таким образом, предложенный аттенюатор СВЧ позволит, с одной стороны, достичь максимального достижения линейного изменения ослабления сигнала СВЧ и, с другой стороны, обеспечить малые величины модуля коэффициента отражения в зависимости от управляющего напряжения, непрерывно изменяющегося в широком интервале;
кроме того, уменьшить массогабаритные характеристики и тем самым обеспечить возможность использования предложенного аттенюатора СВЧ в монолитно-интегральных схемах СВЧ, что является одной из основных тенденций развития современных полупроводниковых приборов СВЧ.
Источники информации
1. Вайсблат А.В. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах. М.: Радио и связь, 1987 г., стр.45.
2.Абакумова Н.В., Богданов Ю.М. и др. Проектирование многоразрядных монолитных аттенюаторов. /Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 2005 г. Вып.2, с.15-10.
3. Балыко А.К., Ольчев Б.М., Тощов А.А. Схемотехническое проектирование электрически управляемого широкополосного транзисторного аттенюатора. /Электронная техника. Сер.1. СВЧ-техника. 1997 г. Вып.1. c.15-19.
Claims (3)
1. Аттенюатор СВЧ, содержащий две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна предназначена для входа СВЧ-сигнала, другая - для выхода и полевой транзистор с барьером Шотки, при этом исток полевого транзистора с барьером Шотки соединен с линией передачи на входе, сток - с линией передачи на выходе, а затвор соединен с источником управляющего напряжения, отличающийся тем, что в аттенюатор введены два полевых транзистора с барьером Шотки, два отрезка линии передачи с длиной равной четверти длины волны в линии передачи, два резистора с сопротивлением, равным волновому сопротивлению линии передачи, при этом каждый из двух полевых транзисторов с барьером Шотки соответственно вместе с отрезком линии передачи и резистором расположены по разные стороны симметрично или не симметрично от первого полевого транзистора с барьером Шотки, при этом один конец первого резистора соединен с линией передачи на входе и один конец второго резистора соединен с линией передачи на выходе, а другой конец соответствующего резистора через отрезок линии передачи соединен со стоком соответствующего полевого транзистора с барьером Шотки, истоки которых заземлены, а затворы трех полевых транзисторов с барьером Шотки соединены между собой и соединены с одним источником управляющего напряжения.
2. Аттенюатор СВЧ по п.1, отличающийся тем, что каждый из двух полевых транзисторов с барьером Шотки соответственно вместе с отрезком линии передачи и резистором расположены по разные стороны от первого и симметрично, в случае идентичного выполнения их конструктивных параметров.
3. Аттенюатор СВЧ по п.1, отличающийся тем, что каждый из двух полевых транзисторов с барьером Шотки соответственно вместе с отрезком линии передачи и резистором расположены по разные стороны от первого и не симметрично, в случае не идентичного выполнения их конструктивных параметров.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006117659/09A RU2324265C2 (ru) | 2006-05-22 | 2006-05-22 | Аттенюатор свч |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006117659/09A RU2324265C2 (ru) | 2006-05-22 | 2006-05-22 | Аттенюатор свч |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2006117659A RU2006117659A (ru) | 2007-12-10 |
| RU2324265C2 true RU2324265C2 (ru) | 2008-05-10 |
Family
ID=38903391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006117659/09A RU2324265C2 (ru) | 2006-05-22 | 2006-05-22 | Аттенюатор свч |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2324265C2 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2461920C1 (ru) * | 2011-08-03 | 2012-09-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Широкополосный аттенюатор свч с непрерывным управлением |
| RU2556427C1 (ru) * | 2014-03-24 | 2015-07-10 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (ОАО "НПП "Исток им. Шокина") | Аттенюатор свч |
-
2006
- 2006-05-22 RU RU2006117659/09A patent/RU2324265C2/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| «ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА», сер.1, СВЧ-техника, 1977, вып.1, с.15-19. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2461920C1 (ru) * | 2011-08-03 | 2012-09-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Широкополосный аттенюатор свч с непрерывным управлением |
| RU2556427C1 (ru) * | 2014-03-24 | 2015-07-10 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (ОАО "НПП "Исток им. Шокина") | Аттенюатор свч |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2006117659A (ru) | 2007-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7391283B2 (en) | RF switch | |
| KR100862451B1 (ko) | 스텝 감쇠기 | |
| JP3090105B2 (ja) | ステップアテネータ | |
| US4875023A (en) | Variable attenuator having voltage variable FET resistor with chosen resistance-voltage relationship | |
| CN111988014B (zh) | 应用于微波毫米波的低相移宽带数控衰减器 | |
| US20040104785A1 (en) | Variable impedance matching circuit | |
| KR20010031580A (ko) | 2주파 정합 회로 | |
| US5309048A (en) | Distributed digital attenuator | |
| US7030515B2 (en) | Individually biased transistor high frequency switch | |
| RU2324265C2 (ru) | Аттенюатор свч | |
| RU2340048C1 (ru) | Аттенюатор свч | |
| KR100299900B1 (ko) | 병렬 접속된 고역 통과신호 경로와 저역 통과신호 경로를 갖는반도체 이상기 | |
| RU2311704C1 (ru) | Аттенюатор свч | |
| WO2019018696A1 (en) | TRIDIRECTIONAL SWITCH WITH LOW LOSS OF INSERTION | |
| RU2314603C2 (ru) | Аттенюатор свч | |
| RU2461920C1 (ru) | Широкополосный аттенюатор свч с непрерывным управлением | |
| Doddamani et al. | Design of SPDT switch, 6 bit digital attenuator, 6 Bit digital phase shifter for L-Band T/R module using 0.7 μm GaAs MMIC technology | |
| RU2401491C1 (ru) | Аттенюатор свч с непрерывным управлением | |
| RU2407115C1 (ru) | Аттенюатор свч с дискретным изменением затухания | |
| RU2335832C1 (ru) | Переключатель свч | |
| RU2420836C1 (ru) | Аттенюатор свч | |
| RU2380796C1 (ru) | Переключатель свч | |
| RU2316086C1 (ru) | Фазовращатель свч | |
| RU2306641C1 (ru) | Переключатель свч | |
| RU2401488C1 (ru) | Двухканальный переключатель свч |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC43 | Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions |
Effective date: 20160225 |