RU2324204C1 - Устройство обнаружения излучения - Google Patents
Устройство обнаружения излучения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2324204C1 RU2324204C1 RU2006129923/28A RU2006129923A RU2324204C1 RU 2324204 C1 RU2324204 C1 RU 2324204C1 RU 2006129923/28 A RU2006129923/28 A RU 2006129923/28A RU 2006129923 A RU2006129923 A RU 2006129923A RU 2324204 C1 RU2324204 C1 RU 2324204C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- scintillator
- crystal
- bacl
- radiation
- light
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 29
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 45
- WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L barium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ba+2] WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 14
- 229910001626 barium chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 19
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 14
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 0 C*1**(NC*)N*C1 Chemical compound C*1**(NC*)N*C1 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002600 positron emission tomography Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 150000004683 dihydrates Chemical class 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
- G01T1/2023—Selection of materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/61—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing fluorine, chlorine, bromine, iodine or unspecified halogen elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Предложенное изобретение относится к устройствам для обнаружения гамма-излучения с чрезвычайно высокой временной разрешающей способностью. Целью данного изобретения является разработка сцинтилляционного кристалла, имеющего компоненту флуоресценции с высокой эффективностью эмиссии света и небольшим (коротким) временем затухания и обладающего длиной волны испускаемого света, находящейся в видимой области спектра или очень близкой к ней, и создание устройства обнаружения излучения с его использованием, обладающего отличной временной разрешающей способностью. Устройство обнаружения излучения содержит кристалл хлорида бария (BaCl2) в качестве сцинтиллятора и фотоумножитель для приема света из сцинтиллятора, при этом длина волны испускаемого сцинтиллятором света находится между 250 нм и 350 нм, и сцинтиллятор расположен в атмосфере низкой влажности. При этом сцинтиллятор может быть подвергнут охлаждению, а предложенное устройство может быть использовано для обнаружения гамма-излучения. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.
Description
Область техники
Настоящее изобретение относится к устройству обнаружения излучения, в частности гамма-лучей, а конкретнее к устройству обнаружения гамма-лучей с чрезвычайно высокой временной разрешающей способностью.
Предшествующий уровень техники
Детекторы гамма-лучей обычного типа необязательно обеспечивают достаточную временную разрешающую способность, особенно в случае измерения времен жизни аннигилирующих позитронов (ВЖАП) по гамма-лучам от аннигиляции позитронов (0,511 МэВ). Для существующих областей применения временная разрешающая способность является очень важной. Например, улучшение временной разрешающей способности позитронно-эмиссионной томографии (ПЭТ) при оказании медицинской помощи приводит к улучшению получаемой с помощью временных данных точности определения локализации позитронов. В результате сокращения времени измерения и снижения интенсивности источника излучения понижаются нагрузки на исследуемые объекты. Кроме того, поскольку измерения времени жизни аннигилирующих позитронов используют в материаловедении при обнаружении дефектов кристаллической решетки, то улучшение временной разрешающей способности приводит к улучшению чувствительности обнаружения.
Для улучшения временной разрешающей способности подобных детекторов гамма-лучей существенно важным является сцинтилляционный кристалл, компонента флуоресценции которого имеет меньшее время затухания, чем известно до сих пор. Однако многие сцинтилляционные кристаллы, реально используемые в настоящее время, представляют собой кристаллы с высокими квантовыми выходами люминесценции, но с большими константами скорости затухания флуоресценции порядка нескольких сотен наносекунд (например, NaI(Tl), CsI(Tl), ScI(Tl), CsI(Na), BGO, CdWO4 и т.п.), или кристаллы с небольшими константами времени затухания порядка от нескольких наносекунд до 30 наносекунд, но с низкими квантовыми выходами люминесценции (например, CsF, CeF3, CsI, органические сцинтилляторы и т.п.).
Из сцинтилляторов, применяемых на практике, только один фторид бария (BaF2) обладает субнаносекундной константой времени затухания (600 пикосекунд) (смотри непатентную ссылку 1). Однако чрезвычайно короткая длина волны быстрой компоненты флуоресценции, 225 нм, создает большие трудности при использовании. Например, необходимо использование дорогих детекторов для ультрафиолетового излучения.
Была определена длительность флуоресценции BaCl2 после облучения рентгеновскими лучами (смотри непатентную ссылку 2). Однако, так как в области обнаружения и измерения излучения требуется такой материал, который испускает свет с высокой скоростью и с высокой интенсивностью эмиссии света, а данный материал является гигроскопичным, что затрудняет его использование, исследования BaCl2 в качестве сцинтилляционного материала почти не проводились.
С целью разработки оптимального сцинтиллятора авторы настоящего изобретения продолжили проведение исследования по поиску материала с высокой интенсивностью флуоресценции и небольшой константой времени затухания, который также излучает свет в видимой области спектра, делая возможным его использование в недорогих детекторах (непатентная ссылка 3, патентная ссылка 1 и заявка на патент Японии № 2003-106277).
Патентная ссылка 1: нерассмотренная заявка на патент Японии № 2003-215251.
Непатентная ссылка 1: M. Laval et al., Nuclear Instrumentation Method, 206 (1983) 169.
Непатентная ссылка 2: S.E.Derenzo et al., IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record 91CH3100-5, Vol.1, pp.143-147, 1991.
Непатентная ссылка 3: H.Saito et al., Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, A487 (2002) 612-617.
Задачи, решаемые изобретением
Целью настоящего изобретения является представление сцинтилляционного кристалла, имеющего компоненту флуоресценции с высокой эффективностью эмиссии света и небольшим (коротким) временем затухания и обладающего длиной волны испускаемого света, находящейся в видимой области спектра или очень близкой к ней, и создание устройства обнаружения излучения с его использованием, обладающего отличной временной разрешающей способностью.
Средства решения этих задач
В качестве сцинтилляционного кристалла используют хлорид бария (BaCl2). А именно настоящее изобретение представляет собой устройство обнаружения излучения, содержащее кристалл хлорида бария (BaCl2) в качестве сцинтиллятора и фотоумножитель для приема света от сцинтиллятора, при этом длина волны испускаемого сцинтиллятором света находится между 250 нм и 350 нм, и сцинтиллятор расположен в атмосфере низкой влажности. Предпочтительно, чтобы кристалл хлорида бария, используемый в качестве сцинтиллятора, подвергался охлаждению.
Краткое описание фигур
На фигуре 1 показаны положения измерительных устройств, используемых в примерах.
На фигуре 2 показаны результаты измерений в примере 1. По оси абсцисс отложен номер канала (время), а по оси ординат отложено число отсчетов.
На фигуре 3 показано сравнение времени нарастания скорости отклика для измеренного сигнала сцинтилляторов BaCl2 и BaF2.
На фигуре 4 показан режим охлаждения для измерений с использованием сцинтиллятора BaCl2. Медный блок охлаждают с использованием жидкого азота, а для поддержания определенной температуры управляют нагревателем с помощью датчика температуры, прикрепленного поблизости от кристалла.
На фигуре 5 показаны результаты измерений в примере 3.
На фигуре 6 показаны результаты измерений в сравнительном примере 1.
Подробное описание изобретения
Вертикальный метод Бриджмена, с помощью которого могут быть получены большие монокристаллы, является подходящим способом производства сцинтилляционных кристаллов согласно настоящему изобретению. В данном способе высокий плавильный тигель, содержащий исходный материал для получения кристаллов, медленно опускают в вертикальную печь (печь роста кристаллов) с определенным градиентом температур, и расплавленной жидкости внутри плавильного тигля дают возможность затвердеть, начиная со дна, с получением кристаллов.
Хлорид бария (BaCl2) хорошо растворим в воде (36 г/100 г Н2О при 20°С), имеет температуру плавления в 962°С, относится к моноклинной системе и образует кубические кристаллы в результате фазового перехода при 923°С. Он, как правило, находится в форме дигидрата, но образует безводный материал при 121°С. Поэтому предпочтительны кристаллы с как можно меньшим содержанием влаги.
Так как кристаллы хлорида бария (BaCl2) являются гигроскопичными, необходимо, чтобы данный сцинтиллятор был расположен в атмосфере низкой влажности. Для создания атмосферы низкой влажности кристалл может, например, быть помещен в герметизированное окружение и поддерживаться под вакуумом, или же герметизированное окружение может быть заполнено инертным газом, таким как азот, благородные газы и т.п., или инертный газ может быть пущен непрерывным потоком через это окружение. Кроме того, если измерение происходит в течение непродолжительного времени, поблизости может быть просто помещен осушитель.
При воздействии излучения, в частности гамма-лучей, кристаллы хлорида бария (BaCl2) излучает свет с длиной волны вблизи 300 нм, а именно - от 250 до 350 нм. Для обнаружения (детектирования) этого излученного света используется фотоумножитель.
Фотоумножитель состоит из фотоэлектронной поверхности, которая преобразует свет в электроны, и усилителя, который усиливает электронный луч. Может быть использован фотоумножитель, содержащий микроканальную пластину (МКП). МКП является элементом, выполненным в виде стеклянной пластины, имеющей небольшие отверстия (каналы). Если к обеим поверхностям приложить напряжение (несколько киловольт), то налетающие электроны со стороны отрицательного потенциала сталкиваются со стенкой канала, и происходит усиление благодаря генерируемым вторичным электронам. Фотоумножитель, содержащий МКП, при применении подобного элемента может детектировать один единственный фотон и является фотоэлектронным умножителем с «высокоскоростным» (быстрым) временем отклика. Данный тип фотоумножителей, содержащих МКП, выпускается, например, фирмой Hamamatsu Photonics K.K. в виде моделей серий R3809 и R5916.
Интенсивность фотоэмиссии BaCl2 увеличивается при охлаждении. Поэтому временная разрешающая способность при охлаждении кристаллов потенциально может улучшаться.
Высокоскоростная компонента фотоэмиссии BaCl2 лежит вблизи длины волны в 300 нм. В сцинтилляторе BaF2 длина волны быстрой компоненты фотоэмиссии является чрезвычайно короткой, 225 нм, и для окна фотоумножителя должно быть использовано дорогое УФ стекло или синтетический кварц. Однако, когда рассматриваемая длина волны составляет 300 нм, используемый материал может представлять собой более распространенное боросиликатное стекло. Кроме того, доступность материала фотоэлектронной поверхности с высокой чувствительностью в области 225 нм ограничена, однако на 300 нм могут быть использованы фотоумножители с бищелочным фотокатодом, обладающие высокой чувствительностью и низким темновым током, которые часто используются в ближней ультрафиолетовой-видимой областях. Таким образом, фотоумножители, которые могут быть использованы для BaCl2, доступнее, чем таковые для BaF2. Кроме того, BaCl2 обладает достаточно небольшой константой времени затухания, даже если она и не столь мала по сравнению с BaF2, и с его использованием потенциально может быть создано устройство обнаружения излучения с отличной временной разрешающей способностью.
Устройство обнаружения излучения согласно настоящему изобретению также может содержать, в дополнение к описанным выше кристаллу хлорида бария и фотоумножителю, другое подходящее для обнаружения излучения оборудование, связанное с данными узлами. Например, цифровой осциллограф может быть связан с кристаллом хлорида бария и фотоумножителем, содержащим МКП, или же это устройство может быть сконструировано так, что цифровой осциллограф приводится в действие с помощью внешней схемы запуска. Более того, для формирования обнаруженного сигнала может быть использовано общепринятое оборудование.
При традиционных измерениях времени излучения ранее использовали дискриминатор со следящим порогом (ДСП), время-амплитудный преобразователь (ВАП) и многоканальный анализатор (МКА) с использованием метода совпадений. Однако согласно настоящему изобретению описанные выше устройства заменили. То есть, поступающий из фотоумножителя сигнал запоминают и оцифровывают высокоскоростным цифровым осциллографом, и после передачи этой информации в персональный компьютер проводят временной дифференциальный анализ. В этом заключается способ, разработанный авторами настоящего изобретения (непатентная ссылка 1). При использовании способа возможно проведение измерений с чрезвычайно высокой разрешающей способностью по времени.
В качестве целевого объекта измерения для данного устройства обнаружения излучения предпочтительным является гамма-излучение при распаде позитрона. В качестве источника излучения, используемого при позитронно-эмиссионной томографии (ПЭТ), могут быть указаны изотопы С-11, N-13, O-15 и F-18, а в качестве источника излучения, используемого при измерениях времени жизни позитрона, могут быть указаны изотопы Na-22, Ge-68 и т.п.
Настоящее изобретение иллюстрировано примерами, но данные примеры не предназначены ограничивать объем настоящего изобретения.
Пример получения 1
Кристалл хлорида бария (BaCl2) получали согласно описанной ниже процедуре.
850 г BaCl2 (производимого Aldrich, чистота 99,999%, соотношение компонентов Ba:Cl=1:2, кристаллическая структура кубической системы, удельная масса 3,096, показатель преломления 1,646) помещали в угольный плавильный тигель с внутренним диаметром 60 мм и помещали в печь. Для вакуумирования печи использовали роторный насос и масляный диффузионный насос (степень вакуумирования: ~10-5 Па). Печь нагревали с использованием нагревателя, и содержимое сушили при низкой температуре (120°С в течение 24 часов).
Данную печь нагревали до 970°С согласно программе повышения температуры и поддерживали в течение 24 часов. Плавильный тигель опускали на 105 мм со скоростью 0,3 мм/ч (примерно 350 часов). Затем печи давали возможность охладиться до комнатной температуры (96 часов), после чего материал извлекали, а затем формовали и полировали.
Для изготовления устройства обнаружения излучения полученный описанным выше образом кристалл BaCl2 прикрепляли непосредственно к той поверхности фотоумножителя (Hamamatsu Photonics H3778), на которую попадает свет, с использованием силиконовой смазки. Для эффективного направления испускаемого света в фотоумножитель использовали алюминиевый отражающий лист, покрывающий кристалл BaCl2. Кроме того, измерения занимают непродолжительное время, и поэтому рядом с BaCl2 помещали осушитель.
Одновременно для сравнения было изготовлено подобное устройство обнаружения излучения с использованием фторида бария (Ohyoh Koken Kogyo K.K.) в качестве сцинтилляционного кристалла.
BaCl2, используемый в качестве сцинтилляционного кристалла, представлял собой материал кубической формы со стороной квадрата 10 мм, а BaF2 имел форму цилиндра 30 мм диаметром, 10 мм высотой.
Пример 1
В системе измерения, показанной на фигуре 1, в качестве сцинтилляционного кристалла в одном из устройств обнаружения излучения использовали кристалл хлорида бария (BaCl2), а в другом использовали фторид бария.
Изотоп 68 Ge использовали в качестве источника излучения, и проводили измерения задержки во времени гамма-лучей при распаде позитрона (0,511 МэВ). Выходной сигнал из фотоумножителя разделяли на два компонента, причем один компонент подавали непосредственно в высокоскоростной цифровой осциллограф (LeCroy WavePro 7100), а другой подавали в анализатор высоты импульсов (амплитудный дискриминатор) и на схему совпадения, в то время как была приведена в действие схема запуска осциллографа. Данные измерений направляли в персональный компьютер и анализировали.
Результаты измерения задержки во времени гамма-лучей при распаде позитрона, полученные с использованием предложенного устройства, показаны на фигуре 2. Временная разрешающая способность (полная ширина на половине высоты кривой, ПШПМ) составляла 205 пс.
Пример 2
Сравнивали времена нарастания измеренных сигналов от сцинтилляторов BaCl2 и BaF2, используя результаты измерения из примера 1. Результаты показаны на фигуре 3.
Время нарастания для BaF2 было разбросано между 900 и 1300 пс, а время нарастания для BaCl2 было разбросано между 1000 пс и 1600 пс, т.е. слегка медленнее. Было показано, что BaCl2 представляет собой сцинтилляционный кристалл с временными характеристиками отклика, приближающимися к таковым для BaF2.
Пример 3
Сцинтиллятор BaCl2 охлаждали, и при этом проводили измерения, аналогичные описанным в примере 1. На фигуре 4 показано расположение охлаждаемых кристаллов. Кристаллы BaCl2 имели форму куба со стороной 10 мм, такую же самую, как и в примере 1. Силиконовую смазку использовали для прикрепления этого кристалла непосредственно к поверхности трубки фотоумножителя. Для охлаждения кристалла противоположную боковую поверхность приводили в контакт с медным блоком. В пространство между кристаллом и медным блоком так же вводили силиконовую смазку. Для минимизирования затухания входящего в кристалл гамма-излучения необходимо, чтобы области медного блока, находящиеся в контакте с кристаллом, были как можно более тонкими. В данном случае эта толщина составляла 0,5 мм. Кроме того, область, окружающая кристалл, для предотвращения конденсации влаги на кристалле находилась под вакуумом. Для измерений кристалл BaCl2 охлаждали до -100°С. Результаты измерений показаны на фигуре 5. Из графика видно, что временная разрешающая способность улучшилась до 198 пс.
Сравнительный пример 1
Подобный эксперимент был проведен с использованием BaF2 в качестве обоих сцинтилляторов с целью сравнения результатов с полученными в описанном выше примере 1. Оба сцинтиллятора BaF2 представляли собой колонки диаметром 30 мм и толщиной 10 мм. Полученные результаты показаны на фигуре 6. Временная разрешающая способность, показанная на данном графике, составляла 174 пс.
При использовании сочетания сцинтиллятора BaCl2 и цифрового осциллографа для проведения измерений задержки во времени согласно описанному выше может быть достигнута временная разрешающая способность, сравнимая с таковой для BaF2, обладающего самой маленькой константой скорости затухания среди существующих и используемых сцинтилляторов. Таким образом, такое сочетание может быть выгодным образом использовано для измерения характеристик излучения, таких как времена жизни аннигилирующих позитронов и т.п., где необходима отличная временная разрешающая способность.
Claims (3)
1. Устройство обнаружения излучения, содержащее кристалл хлорида бария (BaCl2) в качестве сцинтиллятора и фотоумножитель для приема света из сцинтиллятора, при этом длина волны испускаемого сцинтиллятором света находится между 250 и 350 нм, и сцинтиллятор расположен в атмосфере низкой влажности.
2. Устройство обнаружения излучения по п.1, в котором кристалл хлорида бария в качестве сцинтиллятора подвергается охлаждению.
3. Устройство обнаружения излучения по п.1 или 2, причем это устройство используется для обнаружения гамма-лучей.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004010449 | 2004-01-19 | ||
JP2004-010449 | 2004-01-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2324204C1 true RU2324204C1 (ru) | 2008-05-10 |
Family
ID=34792303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2006129923/28A RU2324204C1 (ru) | 2004-01-19 | 2005-01-12 | Устройство обнаружения излучения |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080099684A1 (ru) |
EP (1) | EP1720042A1 (ru) |
JP (1) | JPWO2005069039A1 (ru) |
KR (1) | KR20060127087A (ru) |
CN (1) | CN1910473A (ru) |
RU (1) | RU2324204C1 (ru) |
WO (1) | WO2005069039A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2535635C2 (ru) * | 2009-07-07 | 2014-12-20 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Динамическое формирование изображений посредством позитронно-эмиссионной томографии с компенсацией загрязнений изотопами |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2476906C2 (ru) * | 2007-08-22 | 2013-02-27 | Конинклейке Филипс Электроникс | Компоновка отражателя и коллиматора света для улучшенного накопления света в сцинтилляционных детекторах |
CN102985848B (zh) * | 2010-07-26 | 2016-03-16 | 富士胶片株式会社 | 放射线检测面板 |
KR101265260B1 (ko) | 2011-03-22 | 2013-05-16 | 한국원자력연구원 | 제논 및 크립톤 흡착용 냉각액 자동충전 장치 |
JP5138104B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2013-02-06 | キヤノン株式会社 | 多孔質シンチレータ結晶体 |
KR101206005B1 (ko) | 2011-04-11 | 2012-11-28 | 한양대학교 산학협력단 | 감마선 검출 장치 및 이를 이용한 감마선 검출 방법 |
JP6000664B2 (ja) * | 2011-06-06 | 2016-10-05 | キヤノン株式会社 | シンチレータ材料及びそれを用いた放射線検出器 |
KR101912715B1 (ko) * | 2012-11-20 | 2018-10-29 | 삼성전자주식회사 | 방사선이 방출된 위치의 분포를 추정하는 방법 및 장치 |
US8751039B1 (en) | 2013-02-22 | 2014-06-10 | Remedev, Inc. | Remotely-executed medical therapy device |
CN103235330A (zh) * | 2013-04-25 | 2013-08-07 | 贝谷科技股份有限公司 | 一种小型钢铁厂用放射性检测装置 |
CN103344983B (zh) * | 2013-06-19 | 2015-11-25 | 田志恒 | 核反应堆蒸汽发生器泄漏监测系统及方法 |
WO2020112230A1 (en) * | 2018-09-27 | 2020-06-04 | Temple University-Of The Commonwealth System Of Higher Education | Silicon photomultiplier light detection and measurement system and method for cooling the same |
CN109405926A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-03-01 | 北京金德创业测控技术有限公司 | 放射性仪表、利用放射性仪表测量料位、密度的方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4658141A (en) * | 1984-04-03 | 1987-04-14 | Harshaw/Filtrol Partnership | Inorganic scintillator crystal having a highly reflective surface |
US4631409A (en) * | 1984-04-03 | 1986-12-23 | Harshaw/Filtrol | Scintillator crystal having a highly reflective surface |
JPH0731370B2 (ja) * | 1986-12-27 | 1995-04-10 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線像変換方法およびそれに用いられる放射線像変換体 |
US5134293A (en) * | 1988-07-12 | 1992-07-28 | Universities Research Association, Inc. | Scintillator material |
US5629515A (en) * | 1994-03-23 | 1997-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation measuring system having scintillation detectors coupled by optical fibers for multipoint measurement |
US5714761A (en) * | 1996-05-01 | 1998-02-03 | Phi Applied Physical Sciences | Scintillator apparatus |
US6534771B1 (en) * | 1999-06-08 | 2003-03-18 | Saint Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Gamma camera plate assembly for PET and SPECT imaging |
JP3779596B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2006-05-31 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ポジトロンエミッショントモグラフィ装置 |
US7041508B2 (en) * | 2002-02-06 | 2006-05-09 | Alerttechsystems, Llc | Positron annihilation monitor and method for detecting hazardous materials |
-
2005
- 2005-01-12 KR KR1020067014996A patent/KR20060127087A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-01-12 WO PCT/JP2005/000210 patent/WO2005069039A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2005-01-12 RU RU2006129923/28A patent/RU2324204C1/ru not_active IP Right Cessation
- 2005-01-12 US US10/584,985 patent/US20080099684A1/en not_active Abandoned
- 2005-01-12 EP EP05703449A patent/EP1720042A1/en not_active Withdrawn
- 2005-01-12 CN CNA2005800027380A patent/CN1910473A/zh active Pending
- 2005-01-12 JP JP2005517027A patent/JPWO2005069039A1/ja active Pending
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
S.E.DERENZO et al. IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record 91CH3100-5, Vol.1, pp.143-147, 1991. * |
сайт "http://www.refcity.ru/content/32430/1.html", реферат "Детекторы ионизирующих излучений". сайт "http://www.isc.irk.ru/innov/igx_in2.htm" аннотация к проекту "Разработка быстрого неорганического сцинтиллятора". Ю.А.ЦИРЛИН и др. Сцинтилляционные блоки детектирования. - М.: Атомиздат, 1978, с.32-35, 43. /Под ред. А.СНЕЛЛА Приборы для регистрации ядерных излучений и их применение. - М.: Атомиздат, 1965, с.85. РИТСОН Д. Экспериментальные методы в физике высоких энергий. - М.: Наука, 1964, с.287-289. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2535635C2 (ru) * | 2009-07-07 | 2014-12-20 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Динамическое формирование изображений посредством позитронно-эмиссионной томографии с компенсацией загрязнений изотопами |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060127087A (ko) | 2006-12-11 |
US20080099684A1 (en) | 2008-05-01 |
CN1910473A (zh) | 2007-02-07 |
EP1720042A1 (en) | 2006-11-08 |
JPWO2005069039A1 (ja) | 2007-12-27 |
WO2005069039A1 (ja) | 2005-07-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2324204C1 (ru) | Устройство обнаружения излучения | |
Schaart | Physics and technology of time-of-flight PET detectors | |
Bekker et al. | Aboveground test of an advanced Li2MoO4 scintillating bolometer to search for neutrinoless double beta decay of 100Mo | |
Shah et al. | CeBr/sub 3/scintillators for gamma-ray spectroscopy | |
Kim et al. | Neutrino-less double beta decay experiment using Ca $^{100} $ MoO $ _ {4} $ scintillation crystals | |
JP4606457B2 (ja) | 高計数率シンチレーター | |
Bloser et al. | Scintillator gamma-ray detectors with silicon photomultiplier readouts for high-energy astronomy | |
Moszynski | Energy resolution of scintillation detectors | |
Martinez et al. | Characterization of a CLYC detector for underground experiments | |
Plettner et al. | CaF2 (Eu): an``old''scintillator revisited | |
JP6117490B2 (ja) | 高計数率放射線検出器用シンチレータ及び高計数率放射線検出器 | |
Belousov et al. | Scintillation γ spectrometers for use at nuclear power plants | |
Belli et al. | Radioactive contamination of 7LiI (Eu) crystal scintillators | |
Barabanov et al. | The effect of the composition of a Nd-loaded liquid organic scintillator on light yield | |
Brubaker et al. | Thermal neutron detection using alkali halide scintillators with 6 Li and pulse shape discrimination | |
Syntfeld et al. | Comparison of a LaBr $ _ {3} $(Ce) scintillation detector with a large volume CdZnTe detector | |
Rawat et al. | Efficiency Studies on Gd 3 Ga 3 Al 2 O 12: Ce Scintillators: Simulations and Measurements | |
JP4137121B2 (ja) | 放射線検出装置 | |
Lavelle et al. | Sensitivity of silicon photomultipliers to direct gamma ray irradiation | |
Bloser et al. | Balloon-flight test of a lanthanum bromide gamma-ray detector with silicon photomultiplier readout | |
Klamra et al. | Extensive studies on light yield non-proportional response of undoped CeF3 at room and liquid nitrogen temperatures | |
Mazzuca et al. | Compact gamma detectors based on FBK SiPMs for a Ps Time Of Flight apparatus | |
Dzhosyuk et al. | Neutron-induced luminescence and activation in neutron shielding and scintillation detection materials at cryogenic temperatures | |
MITRA | Simulation Based Optimization Of Indigenously Developed Inorganic Scintillators And Various Light Sensors To Develop Gamma Spectrometer Systems | |
Saro et al. | Performance of LYSO and BC420 coupled with Ketek and Sensl SiPM for needs of PALS |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20090113 |