RU2290453C2 - Method of forming multi-component stoichiometric film coat - Google Patents
Method of forming multi-component stoichiometric film coat Download PDFInfo
- Publication number
- RU2290453C2 RU2290453C2 RU2004133018/02A RU2004133018A RU2290453C2 RU 2290453 C2 RU2290453 C2 RU 2290453C2 RU 2004133018/02 A RU2004133018/02 A RU 2004133018/02A RU 2004133018 A RU2004133018 A RU 2004133018A RU 2290453 C2 RU2290453 C2 RU 2290453C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- target
- density
- base element
- compact
- film
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии тонких пленок и может быть использовано при формировании стехиометричных многокомпонентных пленочных покрытий для электронной, атомной и других областей науки и техники.The invention relates to the technology of thin films and can be used in the formation of stoichiometric multicomponent film coatings for electronic, atomic and other fields of science and technology.
Известны способы, при которых формирование многокомпонентного пленочного покрытия осуществляют, распыляя керамические или сплавные мишени [1]. Поскольку при этом распыляют сложные химические соединения, то нет возможности в процессе нанесения пленок управлять концентрацией составляющих их компонентов, в результате чего состав сформированного таким способом пленочного покрытия отличается от стехиометричного.Known methods in which the formation of a multicomponent film coating is carried out by spraying ceramic or alloy targets [1]. Since complex chemical compounds are sprayed, it is not possible to control the concentration of their constituent components during the film deposition process, as a result of which the composition of the film coating formed in this way differs from stoichiometric.
Наиболее близким техническим решением является способ формирования многокомпонентного пленочного покрытия [2], заключающийся в том, что производят магнетронное распыление противолежащих мишеней, направляют распыленный материал в зону смешения, образованную по меньшей мере двумя встречными потоками распыленного материала, отклоняют направление каждого из встречных потоков распыленного материала в сторону подложки с возможностью образования результирующего потока распыленного материала из зоны смешения на подложку, которую перемещают относительно результирующего потока, и осаждают распыленный материал на подложку.The closest technical solution is the method of forming a multicomponent film coating [2], which consists in the fact that they perform magnetron sputtering of opposite targets, direct the sprayed material into the mixing zone formed by at least two opposing streams of sprayed material, and deviate the direction of each of the opposing streams of sprayed material towards the substrate with the possibility of the formation of the resulting stream of atomized material from the mixing zone to the substrate, which is moved relative to the resulting stream, and the atomized material is deposited on the substrate.
Недостатком известного способа является то, что при распылении противолежащих мишеней разнородных компонентов не учитывают зависимости концентрации элемента в зоне смешения и в пленке от скорости его распыления. Скорость распыления в свою очередь зависит от плотности ионного тока, плотности материала мишени, его атомной массы и энергии сублимации, а плотность ионного тока - от силы тока разряда магнетрона и площади зоны эрозии мишени. Поэтому, если распылять противолежащие мишени прототипа, не учитывая зависимость стехиометрии формируемого многокомпонентного пленочного покрытия от сил токов разряда магнетронов, площадей зон эрозии мишеней, плотностей материалов мишеней и атомных масс материалов мишеней, то процесс формирования многокомпонентного пленочного покрытия не обеспечит заданного стехиометрического состава пленки.The disadvantage of this method is that when spraying opposing targets of heterogeneous components do not take into account the dependence of the concentration of the element in the mixing zone and in the film on the speed of its spraying. The sputtering rate in turn depends on the density of the ion current, the density of the target material, its atomic mass and sublimation energy, and the density of the ion current on the strength of the magnetron discharge current and the area of the erosion zone of the target. Therefore, if we spray opposite targets of the prototype, not taking into account the dependence of the stoichiometry of the formed multicomponent film coating on the strengths of the magnetron discharge currents, the areas of the erosion zones of the targets, the densities of the materials of the targets and the atomic masses of the materials of the targets, then the process of forming a multicomponent film coating will not provide the specified stoichiometric composition of the film.
Техническим результатом изобретения является повышение качества покрытий, их стехиометрии путем правильного задания совокупности конструктивно-технологических параметров процесса формирования многокомпонентного пленочного покрытия в зависимости от свойств материалов и стехиометрических коэффициентов химической формулы или процентного содержания компонентов материалов пленки, если химическая реакция отсутствует.The technical result of the invention is to improve the quality of coatings, their stoichiometry by properly setting the set of structural and technological parameters of the process of forming a multicomponent film coating, depending on the properties of the materials and stoichiometric coefficients of the chemical formula or the percentage of components of the film materials if there is no chemical reaction.
Указанный технический результат достигается тем, что в известном способе задают совокупность сил токов разряда магнетронов, площадей зон эрозии мишеней и плотностей материалов мишеней, обеспечивающую формирование стехиометричных многокомпонентных пленочных покрытий. Известно, что скорость распыления материалов дописывается выражением [3]:The specified technical result is achieved by the fact that in the known method, a set of magnetron discharge current forces, the areas of the erosion zones of the targets and the densities of the target materials are specified, which ensure the formation of stoichiometric multicomponent film coatings. It is known that the spraying rate of materials is added by the expression [3]:
где ju - плотность ионного тока;where j u is the ion current density;
Sр - коэффициент распыления материала;S p - the atomization coefficient of the material;
Na - число Авогадро;N a is the Avogadro number;
Ма - атомная масса материала мишени;M a is the atomic mass of the target material;
е - заряд электрона;e is the electron charge;
ρ - плотность материала мишени.ρ is the density of the target material.
Известно, что плотность ионного тока определяется выражением:It is known that the ion current density is determined by the expression:
где I - сила тока разряда магнетрона;where I is the magnetron discharge current;
S - площадь зоны эрозии мишени;S is the area of the target erosion zone;
Коэффициент распыления Sр может быть определен из выражения [3]:The spray coefficient S p can be determined from the expression [3]:
где Мu - атомная масса ионов газа;where M u is the atomic mass of gas ions;
Еu - энергия падающих ионов;E u is the energy of the incident ions;
Еc - энергия сублимации атомов мишени;E c is the sublimation energy of the target atoms;
α - безразмерный параметр, зависящий от Ма/Мu.α is a dimensionless parameter depending on M a / M u .
Если различные химические элементы входят в формулу материала пленки с различными стехиометрическими коэффициентами, то они должны иметь различные скорости испарения Vi, то есть находиться в зоне смешения и вблизи подложки с различными концентрациями так, чтоIf different chemical elements are included in the formula of the film material with different stoichiometric coefficients, then they must have different evaporation rates V i , that is, be in the mixing zone and near the substrate with different concentrations so that
где V0 - некоторая минимальная скорость испарения;where V 0 is a certain minimum evaporation rate;
аi - стехиометрический коэффициент i-го члена химическойand i is the stoichiometric coefficient of the i-th member of the chemical
формулы Aa1Ba2...Dai formulas A a1 B a2 ... D ai
тогда отношение скоростей можно записать:then the ratio of speeds can be written:
с учетом (1), (2) и (3) отношение (5) можно представить в следующем виде:taking into account (1), (2) and (3), relation (5) can be represented as follows:
Из выражения (6) можно получить соотношение для сил токов разряда магнетронов, площадей зон эрозии мишеней и плотностей мишеней с учетом параметров и стехиометрических коэффициентов материала пленки:From expression (6), we can obtain the ratio for the magnetron discharge current strengths, the areas of the erosion zones of the targets, and the target densities, taking into account the parameters and stoichiometric coefficients of the film material:
Выражение (7) показывает, в каком соотношении должны находиться силы токов разряда магнетронов, площади зон эрозии мишеней и плотности мишеней, чтобы они давали вклад в пленку соответственно стехиометрическим коэффициентам ее химической формулы или процентному содержанию компонентов в случае механической смеси.Expression (7) shows the ratio of the magnitudes of the magnetron discharge currents, the area of the erosion zones of the targets and the density of the targets so that they contribute to the film according to the stoichiometric coefficients of its chemical formula or the percentage of components in the case of a mechanical mixture.
Таким образом, способ формирования многокомпонентного стехиометричного пленочного покрытия заключается в задании совокупности конструктивно-технологических параметров: сил токов разряда магнетронов, площадей зон эрозии мишеней и плотностей мишеней в зависимости от свойств материалов и стехиометрических коэффициентов химической формулы или процентного содержания компонентов материалов пленки, если химическая реакция отсутствует, в соответствии с формулой (7).Thus, the method of forming a multicomponent stoichiometric film coating consists in setting a set of structural and technological parameters: magnetron discharge current strengths, areas of target erosion zones and target densities depending on the material properties and stoichiometric coefficients of the chemical formula or the percentage of components of the film materials if the chemical reaction absent, in accordance with formula (7).
Сопоставительный анализ признаков, изложенных в предложенном техническом решении, с признаками прототипа показывает, что заявляемый способ формирования многокомпонентного стехиометричного пленочного покрытия отличается от прототипа тем, что задают совокупность сил токов разряда магнетронов, площадей зон эрозии мишеней и плотностей мишеней в зависимости от свойств материалов и состава пленки, в соответствии с (7). Все это говорит о соответствии технического решения критерию «новизна».A comparative analysis of the features set forth in the proposed technical solution with the features of the prototype shows that the inventive method for forming a multicomponent stoichiometric film coating differs from the prototype in that they specify a set of magnetron discharge currents, areas of target erosion zones and target densities depending on the properties of materials and composition films, in accordance with (7). All this indicates that the technical solution meets the criterion of "novelty."
Сравнение заявленного технического решения с другими техническими решениями в данной области техники показало, что способ формирования многокомпонентного стехиометричного пленочного покрытия, когда задают совокупность сил токов разряда магнетронов, площадей зон эрозии мишеней и плотностей мишеней в зависимости от свойств материалов и состава пленки, в соответствии с (7), неизвестен. Кроме того, совокупность существенных признаков вместе с ограничительным позволяет обнаружить у заявляемого решения иные, в отличие от известных свойства, к числу которых можно отнести следующие:Comparison of the claimed technical solution with other technical solutions in the given field of technology showed that the method of forming a multicomponent stoichiometric film coating, when a set of magnetron discharge current strengths, areas of target erosion zones and target densities are set depending on material properties and film composition, in accordance with ( 7) is unknown. In addition, the combination of essential features, together with the restrictive one, allows one to detect other properties of the claimed solution, in contrast to the known properties, which may include the following:
- обеспечение стехиометрического или процентного состава пленок путем правильного задания скоростей распыления мишеней;- providing stoichiometric or percent composition of the films by properly setting the sputtering speeds of the targets;
- обеспечение диапазона скоростей распыления мишеней варьированием токов разряда магнетронов, площадей зон эрозии мишеней и плотностей мишеней;- providing a range of target sputtering rates by varying the magnetron discharge currents, areas of target erosion zones and target densities;
- возможность оптимального подбора площадей зон эрозии мишеней как путем варьирования сил токов разряда магнетронов, так и путем варьирования плотностей мишеней, или одновременным варьированием этих параметров;- the possibility of optimal selection of the areas of target erosion zones both by varying the strengths of the magnetron discharge currents and by varying the densities of the targets, or by simultaneously varying these parameters;
Таким образом, иные в отличие от известных, свойства, присущие предложенному техническому решению, доказывают наличие существенных отличий, направленных на достижение технического результата.Thus, other, in contrast to the known properties inherent in the proposed technical solution, prove the presence of significant differences aimed at achieving a technical result.
Промышленная применимость предложенного технического решения наглядно продемонстрирована изложенными ниже примерами.The industrial applicability of the proposed technical solution is clearly demonstrated by the examples below.
Пример 1. На фиг.1 проиллюстрирован способ формирования пленочного покрытия Bi2Sr2CaCu2O8 (высокотемпературный сверхпроводник).Example 1. Figure 1 illustrates a method for forming a film coating of Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O 8 (high temperature superconductor).
Способ, с помощью которого формируют пленочное покрытие Bi2Sr2CaCu2O8, заключается в том, что четыре магнетрона с мишенями 1 (четвертый магнетрон условно не показан), изготовленными из Bi, Sr, Ca и Cu, размещают в объемах 2, соединенных с вакуумной камерой 3, напротив друг друга. Для соединения вакуумной камеры с системой откачки используют патрубок 4. Оси магнетронов 5 образуют телесный угол 160°, вершина которого обращена в сторону подложки 6 и размещена в плоскости, ортогональной подложке, на расстоянии, превышающем расстояние между противолежащими мишенями, а устройство для крепления подложки 7 выполнено с возможностью перемещения относительно плоскости, в которой находится вершина телесного угла. В области распыления мишеней через натекатели 8 подают газ аргон, а в область осаждения пленки через натекатель 9 - чистый кислород. Проводят распыление противолежащих мишеней магнетронов в зону смешения 10, при этом отклоняют направление каждого из встречных потоков распыленных материалов в сторону подложки с возможностью образования результирующего потока распыленного материала из зоны смешения на подложку, которую перемещают относительно результирующего потока. Используемое оборудование обеспечивало диапазон изменения площадей зон эрозии мишеней от 5 до 25 см2, а регулировку токов разряда магнетронов от 0,3 до 2,0 А (значения найдены экспериментально). Для задания совокупности конструктивно-технологических параметров процесса формирования пленочного покрытия Bi2Sr2CaCu2O8 были проделаны вычисления соответствующих понятий по (7). Необходимая информация приведена в таблице 1.The method by which the Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O 8 film coating is formed is that four magnetrons with targets 1 (the fourth magnetron is not shown conventionally) made of Bi, Sr, Ca and Cu are placed in
ρ0 - плотность компактного материала мишени (монолитного).ρ 0 is the density of the compact target material (monolithic).
Подставляя данные из таблицы 1 в (7) получили соотношениеSubstituting the data from table 1 in (7), we obtained the relation
Поскольку Са имеет наименьшую плотность компактного материала, то магнетрон с мишенью из этого материала будем считать базовым, то есть будем считать, что плотность мишени из Са и площадь зоны ее эрозии уже заданы. Значения k представлены в таблице 2. Так как Sr имеет плотность компактного материала и коэффициент k, близкие к Са, то зададим площадь зоны эрозии его мишени такую же, как и у Са (применим магнетрон, аналогичный базовому), а плотность его мишени - равную плотности компактного материала Sr. Bi и Cu имеют плотности компактных материалов значительно превышающие базовую плотность компактного материала Са, однако мало отличающиеся между собой, поэтому с целью приближения процессов распыления материалов соответствующих мишеней к процессам распыления мишеней из Са и Sr зададим их плотности по 0,6ρ0 (наименьшие экспериментально определенные плотности прессовок из порошков для данных материалов, при которых они не рассыпаются и могут быть закреплены на магнетронах в качестве мишеней), которые обеспечим прессованием порошков Bi и Cu с учетом выражения [4]:Since Ca has the lowest density of a compact material, we will consider the magnetron with a target of this material to be basic, that is, we will assume that the density of the Ca target and the area of its erosion zone are already set. The values of k are presented in Table 2. Since Sr has a density of compact material and coefficient k close to Ca, we set the area of the erosion zone of its target to be the same as that of Ca (we can use a magnetron similar to the base one), and the density of its target is equal to density of compact material Sr. Bi and Cu have densities of compact materials significantly higher than the base density of compact Ca material, but differ slightly from each other; therefore, to approximate the sputtering processes of the materials of the corresponding targets to the sputtering processes of Ca and Sr targets, we set their densities to 0.6ρ 0 (the least experimentally determined densities of powder compacts for these materials, at which they do not crumble and can be mounted on magnetrons as targets), which will be ensured by pressing Bi and Cu powders with taking into account the expression [4]:
где ρпр - плотность прессованного материала;where ρ CR - the density of the pressed material;
ρнас - плотность насыпанного порошка;ρ us is the density of the poured powder;
Р - давление прессования;P is the pressing pressure;
b - постоянная, зависящая от свойств порошка.b is a constant depending on the properties of the powder.
Так как коэффициент k материала Bi значительно больше, чем у Cu, то он компенсирует разрыв между процессами распыления базовой мишени и мишени из Bi достаточно для того, чтобы применить магнетрон с такой же площадью зоны эрозии мишени, как и у Са, в то время как значение коэффициента k материала Cu недостаточно для такой компенсации и требует применение магнетрона с меньшей площадью зоны эрозии мишени. Окончательно формирование зоны смешения распыленных материалов Cu, Sr, Са и Bi и их концентрации в пленке в соответствии с их стехиометрическими коэффициентами химической формулы Bi2Sr2CaCu2O8 осуществляют заданием сил токов разряда соответствующих магнетронов, принимая за базовую силу тока базового магнетрона с мишенью из Са. Результаты расчетов представлены в таблице 2. После расчета были сформированы мишени Cu и Bi путем одностороннего прессования порошков этих материалов в формы с помощью гидравлического пресса. Давление прессования составило 30...40 МПа. Мишени из Са и Sr изготавливались обычным механическим способом. Для распыления использовали магнетроны с площадями зон эрозии мишеней согласно рассчитанным значениям (см. таблицу 2). После изготовления мишени крепили на соответствующие магнетроны и распыляли, регулируя силу токов разрядов соответствующих магнетронов согласно рассчитанным значениям (см. таблицу 2).Since the coefficient k of the Bi material is much larger than that of Cu, it compensates for the gap between the sputtering processes of the base target and the Bi target enough to use a magnetron with the same target erosion area as Ca, while the value of the coefficient k of the material Cu is insufficient for such compensation and requires the use of a magnetron with a smaller area of the erosion zone of the target. Finally, the formation of the mixing zone of the sprayed materials Cu, Sr, Ca and Bi and their concentration in the film in accordance with their stoichiometric coefficients of the chemical formula Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O 8 is carried out by setting the discharge currents of the corresponding magnetrons, taking the base current of the base magnetron with target from Ca. The calculation results are presented in Table 2. After the calculation, Cu and Bi targets were formed by unilaterally pressing the powders of these materials into molds using a hydraulic press. The pressing pressure was 30 ... 40 MPa. Targets from Ca and Sr were made in the usual mechanical way. For sputtering, magnetrons with areas of target erosion zones were used according to the calculated values (see table 2). After manufacturing, the targets were mounted on the corresponding magnetrons and sprayed, adjusting the strength of the discharge currents of the respective magnetrons according to the calculated values (see table 2).
Таким образом, в результате задания площадей зон эрозии мишеней магнетронов, плотностей мишеней и сил токов разрядов магнетронов в соответствии с таблицей 2 в зоне смешения и у подложки распыленные материалы находились со стехиометрическими коэффициентами, соответствующими их содержанию в химической формуле Bi2Sr2CaCu2O8. В результате подачи в зону подложки кислорода и его реактивного взаимодействия с распыленными материалами, находящимися в стехиометрической пропорции у подложки, на ней формировали пленку состава Bi2Sr2CaCu2O8. Измерения показали удовлетворительное соответствие состава материала полученного покрытия химической формуле.Thus, as a result of setting the areas of magnetron target erosion zones, target densities, and magnetron discharge currents in accordance with Table 2 in the mixing zone and near the substrate, the sprayed materials were found with stoichiometric coefficients corresponding to their content in the chemical formula Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O 8 . As a result of the supply of oxygen to the substrate zone and its reactive interaction with atomized materials in stoichiometric proportions near the substrate, a Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O 8 film was formed on it. Measurements showed satisfactory compliance of the material composition of the resulting coating with the chemical formula.
Пример 2. На фиг.2 проиллюстрирован способ формирования пленочного покрытия механической смеси (твердого раствора) состава 70% Ag 30% Au.Example 2. Figure 2 illustrates a method for forming a film coating of a mechanical mixture (solid solution) of 70% Ag 30% Au.
Способ, с помощью которого формируют пленочное покрытие 70% Ag 30% Au, заключается в том, что два магнетрона с мишенями 1, изготовленными из Ag и Au, размещают в объемах 2, соединенных с вакуумной камерой 3, напротив друг друга. Для соединения вакуумной камеры с системой откачки используют патрубок 4. Оси магнетронов 5 образуют телесный угол 160°, вершина которого обращена в сторону подложки 6 и размещена в плоскости, ортогональной подложке, на расстоянии, превышающем расстояние между противолежащими мишенями, а устройство для крепления подложки 7 выполнено с возможностью перемещения относительно плоскости, в которой находится вершина телесного угла. В области распыления мишеней через натекатели 8 подают газ аргон. Проводят распыление противолежащих мишеней магнетронов в зону смешения 9, при этом отклоняют направление каждого из встречных потоков распыленных материалов в сторону подложки с возможностью образования результирующего потока распыленного материала из зоны смешения на подложку, которую перемещают относительно результирующего потока. Используемое оборудование обеспечивает диапазон изменения площадей зон эрозии мишеней от 5 до 25 см2, а регулировку токов разряда магнетронов от 0,3 до 2,0 А (значения найдены экспериментально). Для задания совокупности конструктивно-технологических параметров процесса формирования пленочного покрытия 70% Ag 30% Au были проделаны вычисления соответствующих понятий по формуле (7). Необходимая информация приведена в таблице 3.The method by which a film coating of 70% Ag 30% Au is formed is that two magnetrons with
ρ0 - плотность компактного материала мишени (монолитного). Подставляя данные из таблицы 3 в формулу (7) получили соотношение (8). Поскольку Ag имеет наименьшую плотность компактного материала, то магнетрон с мишенью из этого материала будем считать базовым, то есть будем считать, что плотность мишени из Ag и площадь зоны ее эрозии уже заданы. Значения k представлены в таблице 4. Из таблицы 3 видно, что Au имеет плотность компактного материала выше, чем у Ag, однако и коэффициент k материала Au тоже значительно больше, чем у Ag, что компенсирует разрыв между процессами распыления базовой мишени и мишени из Au достаточно для того, чтобы применить магнетрон с той же площадью зоны эрозии мишени, как и у базовой мишени, а саму мишень из Au изготовить той же плотности, что и плотность компактного (монолитного) материала Au. Таким образом, в данном случае формирование зоны смешения распыленных материалов Ag и Au и их концентрации в пленке в соответствии с их заданным процентным содержанием осуществляют заданием сил токов разряда соответствующих магнетронов, принимая за базовую силу тока базового магнетрона с мишенью из Ag. Результаты расчетов представлены в таблице 4. После расчета изготавливают мишени из Ag и Au обычным механическим способом. Для распыления используют магнетроны с площадями зон эрозии мишеней согласно заданным значениям (см. табл.4). После изготовления мишени крепят на соответствующие магнетроны и распыляют, регулируя силу токов разряда соответствующих магнетронов согласно рассчитанным значениям (см. табл.4).ρ 0 is the density of the compact target material (monolithic). Substituting the data from table 3 in the formula (7) received the ratio (8). Since Ag has the lowest density of a compact material, we will consider the magnetron with a target of this material to be basic, that is, we will assume that the density of the target from Ag and the area of its erosion zone are already given. The values of k are presented in Table 4. It can be seen from Table 3 that Au has a density of compact material higher than that of Ag, however, the coefficient k of the Au material is also significantly larger than that of Ag, which compensates for the gap between the sputtering processes of the base target and the target from Au it is enough to use a magnetron with the same area of the target erosion zone as that of the base target, and to make the target from Au of the same density as the density of a compact (monolithic) Au material. Thus, in this case, the formation of the mixing zone of atomized Ag and Au materials and their concentration in the film in accordance with their specified percentage is carried out by setting the discharge currents of the corresponding magnetrons, taking the base current of the base magnetron with the Ag target as the base current. The calculation results are presented in table 4. After the calculation, the targets are made of Ag and Au in the usual mechanical way. For sputtering, magnetrons are used with areas of the target erosion zones according to the given values (see Table 4). After manufacturing, the targets are mounted on the corresponding magnetrons and sprayed, adjusting the strength of the discharge currents of the respective magnetrons according to the calculated values (see table 4).
Таким образом, в результате задания площадей зон эрозии мишеней магнетронов, плотностей мишеней и сил токов разряда магнетронов в соответствии с таблицей 4 в зоне смешения и у подложки распыленные материалы находятся в процентном соотношении, соответствующем их заданным значениям, формируя пленочное покрытие 70% Ag 30% Au на подложке.Thus, as a result of setting the areas of magnetron target erosion zones, target densities and magnetron discharge currents in accordance with Table 4 in the mixing zone and near the substrate, the sprayed materials are in a percentage ratio corresponding to their specified values, forming a film coating of 70% Ag 30% Au on the substrate.
Использование предлагаемого способа формирования многокомпонентного стехиометричного пленочного покрытия позволяет повысить качество покрытия, его стехиометрию или состав.Using the proposed method of forming a multicomponent stoichiometric film coating can improve the quality of the coating, its stoichiometry or composition.
Источники информацииInformation sources
1. Головашкин А.И. Методы получения пленок и покрытий из высокотемпературных сверхпроводников // Журнал всесоюзного химического общества им. Д.И.Менделеева.- М.: «Химия», 1989, т.34, №4.- с.481-492.1. Golovashkin A.I. Methods for producing films and coatings from high-temperature superconductors // Journal of the All-Union Chemical Society named after D.I. Mendeleev.- M.: “Chemistry”, 1989, v. 34, No. 4.- p. 481-492.
2. Патент RU 2211881 С2, 10.09.2003.2. Patent RU 2211881 C2, 09/10/2003.
3. Никоненко В.А. Математическое моделирование технологических процессов. Практикум / Под ред. Г.Р.Кузнецова. - М.: МИСиС, 2001. - 48 с.3. Nikonenko V.A. Mathematical modeling of technological processes. Workshop / Ed. G.R. Kuznetsova. - M.: MISiS, 2001 .-- 48 p.
4. Окидзаки К. Технология керамических диэлектриков. Пер. с японского. М.: Энергия, 1976. - С.58-64.4. Okizaki K. Technology of ceramic dielectrics. Per. from japanese. M.: Energy, 1976. - S.58-64.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2004133018/02A RU2290453C2 (en) | 2004-11-12 | 2004-11-12 | Method of forming multi-component stoichiometric film coat |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2004133018/02A RU2290453C2 (en) | 2004-11-12 | 2004-11-12 | Method of forming multi-component stoichiometric film coat |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2004133018A RU2004133018A (en) | 2006-05-10 |
RU2290453C2 true RU2290453C2 (en) | 2006-12-27 |
Family
ID=36656398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2004133018/02A RU2290453C2 (en) | 2004-11-12 | 2004-11-12 | Method of forming multi-component stoichiometric film coat |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2290453C2 (en) |
-
2004
- 2004-11-12 RU RU2004133018/02A patent/RU2290453C2/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2004133018A (en) | 2006-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6358567B2 (en) | Colloidal spray method for low cost thin coating deposition | |
CN1070746C (en) | Method of making metal composite materials | |
EP0453107B1 (en) | Chemical deposition methods using supercritical fluid solutions | |
Harder et al. | Plasma spray-physical vapor deposition (PS-PVD) of ceramics for protective coatings | |
EP2232565A1 (en) | Sodium/molybdenum composite metal powders, products thereof, and methods for producing photovoltaic cells | |
JP4240423B2 (en) | Target material for forming metal oxide thin film, method for producing the same, and method for forming metal oxide thin film using the target material | |
RU2602210C2 (en) | Method of plasma sputtering for production of ion-conducting membrane | |
US5340604A (en) | Method for manufacturing a composite vapor deposition film | |
EP1504137A1 (en) | Method to make nanolaminate thermal barrier coatings | |
Park et al. | Effect of gas flow rates and nozzle throat width on deposition of α-alumina films of granule spray in vacuum | |
RU2290453C2 (en) | Method of forming multi-component stoichiometric film coat | |
CN104350172A (en) | Arc-deposited Al-Cr-O coatings having enhanced coating properties | |
US7429408B2 (en) | Method for preparing calcium aluminate film containing oxygen radical and laminate | |
CN110184558B (en) | Method for preparing nanocrystalline TiVN coating by reactive plasma spraying | |
CN113897585A (en) | Silicon-chromium rotary sputtering target material and preparation method thereof | |
JP2767972B2 (en) | Method for producing TiAl-based intermetallic compound layer | |
CN108147811A (en) | A kind of preparation method of the doped barium titanate ceramics coating of functionalization | |
CA2527870A1 (en) | Ion beam-assisted high-temperature superconductor (hts) deposition for thick film tape | |
Komatsu et al. | Synthesis of Y2O3 films by spray coating with milled EDTA· Y· H complexes | |
JPS61209032A (en) | Method and apparatus for mixing ultra-fine particles | |
JP2775340B2 (en) | Synthetic film deposition method | |
RU2087254C1 (en) | Method of production of ultrafine powder of zirconium dioxide with coating | |
Tsunekawa et al. | Nitriding of metal droplets in synthesis of intermetallic matrix composite coatings by reactive RF plasma spraying | |
JPH03267361A (en) | Hard film and its production | |
JPH04219318A (en) | Production of oxide superconductor film |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20061113 |