RU2274963C2 - Сверхвысокочастотный плазмотрон - Google Patents

Сверхвысокочастотный плазмотрон Download PDF

Info

Publication number
RU2274963C2
RU2274963C2 RU2004115822/06A RU2004115822A RU2274963C2 RU 2274963 C2 RU2274963 C2 RU 2274963C2 RU 2004115822/06 A RU2004115822/06 A RU 2004115822/06A RU 2004115822 A RU2004115822 A RU 2004115822A RU 2274963 C2 RU2274963 C2 RU 2274963C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
round
wave
rectangular
microwave
generator
Prior art date
Application number
RU2004115822/06A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2004115822A (ru
Inventor
Валерий Дмитриевич Кузовой (RU)
Валерий Дмитриевич Кузовой
Нина Фёдоровна Кислицына (RU)
Нина Фёдоровна Кислицына
Тать на Борисовна Генералова (RU)
Татьяна Борисовна Генералова
Original Assignee
Федеральное государственное унитарное предприятие "НПП "Контакт"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное унитарное предприятие "НПП "Контакт" filed Critical Федеральное государственное унитарное предприятие "НПП "Контакт"
Priority to RU2004115822/06A priority Critical patent/RU2274963C2/ru
Publication of RU2004115822A publication Critical patent/RU2004115822A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2274963C2 publication Critical patent/RU2274963C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к устройствам генерации низкотемпературной плазмы, в частности к сверхвысокочастотным источникам плазмы, и предназначено для плазменной обработки различных материалов и изделий. Сверхвысокочастотный плазмотрон содержит сочлененные между собой прямоугольный и круглый волноводы, диэлектрическую камеру, поглотитель СВЧ мощности, СВЧ генератор. Между СВЧ генератором и сочленением круглого и прямоугольного волноводов вводят щелевой мост. Сочленение круглого и прямоугольного волноводов выполняют в виде волноводно-щелевого перехода. В место сочленения круглого и прямоугольного волноводов устанавливают Е-фильтр в виде регулируемого по глубине погружения вдоль оси круглого волновода полого металлического штыря. Изобретение обеспечивает равномерное горение разряда по сечению разрядной камеры и защищает генератор от отраженной волны. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Description

Изобретение относится к устройствам генерации низкотемпературной плазмы, а точнее к сверхвысокочастотным источникам плазмы, и может быть использовано для плазменной обработки различных материалов и изделий.
Известен СВЧ плазмотрон (см. авт. св. СССР №. 868845 за 1981 г., Н 05 Н 1/26, Н 05 В 7/18), состоящий из резонатора с установленной в нем коаксиально диэлектрической разрядной камерой, поглотителя СВЧ мощности и волноводного тракта для подсоединения к СВЧ генератору.
Недостатком такого плазмотрона является неравномерность горения разряда по сечению диэлектрической камеры и незащищенность генератора СВЧ от отраженной волны.
Наиболее близким по технической сущности является СВЧ плазмотрон (см. патент США №4.101.411 по классу 204-298 за 1978 г.), состоящий из сочлененных между собой прямоугольного и круглого волноводов, диэлектрической разрядной камеры.
Недостатком такой конструкции является отсутствие защиты СВЧ генератора от отраженной волны и неравномерное горение разряда по сечению разрядной камеры.
Целью изобретения является обеспечение равномерного горения разряда но сечению разрядной камеры и защита генератора от отраженной волны.
Поставленная цель достигается тем, что известный СВЧ плазмотрон между генератором СВЧ и сочленением круглого и прямоугольного волноводов вводят щелевой мост, а сочленение круглого и прямоугольного волноводов выполняют в виде волноводно-щелевого перехода. Для подавления колебаний Е-типа служит Е-фильтр.
На фиг.1 и 2 изображен общий вид предложенного СВЧ плазмотрона.
Сверхвысокочастотный плазмотрон состоит из щелевого моста 1, поглотителя СВЧ мощности 2, волноводно-щелевого перехода 3, Е-фильтра 4, круглого волновода 5 с диэлектрической разрядной камерой 6, вакуумно-плотного фланца 7, электромагнита постоянного тока 8 и штуцера для подачи газа 9.
Плазмотрон работает следующим образом. Щелевой мост 1, который имеет связь по узкой стенке прямоугольного волновода, преобразует волну типа Н10 от СВЧ генератора, присоединенного к входному плечу щелевого моста, в две волны типа Н10 с одинаковыми амплитудами, но сдвинутыми по фазе друг относительно друга на 90°. Эти две волны поступают в плечи сдвоенного по узкой стенке волноводно-щелевого перехода 3, где посредством щелей 10 и 11, прорезанных в широких стенках прямоугольных волноводов, возбуждают в круглом волноводе электромагнитные волны одинаковой амплитуды, но сдвинутые по фазе на 90°, что дает круговую поляризованную волну Н11. Таким образом, щелевой мост 1 совместно с волноводно-щелевым переходом 3 преобразуют линейно-поляризованные входные волны в волны двух ортогональных круговых поляризаций. Круговая поляризация волны Н11 обеспечивает равномерное по сечению диэлектрической разрядной камеры горение СВЧ газового разряда.
Электромагнит постоянного тока 8 создает на оси круглого волновода 5 однородную индукцию магнитного поля, намагничивая плазму в продольном направлении.
Газ вводится в диэлектрическую разрядную камеру 6 (после ее вакуумирования до давления порядка 5·10-4 Па) через штуцер 9.
Генерация и стабильное поддержание СВЧ-газового разряда осуществляется в условиях ЭЦР (электронно-циклотронного резонанса).
Для подавления сопутствующей E01-волны низшего типа служит Е-фильтр 4, выполненный в виде регулируемого по глубине погружения вдоль оси круглого волновода полого штыря. Отраженная от плазменного разряда, горящего в диэлектрической разрядной камере 6, и от щелей 10 и 11, электромагнитная волна ответвляется через одно из плеч щелевого моста 1 в поглотитель СВЧ мощности 2.
Применение волноводного щелевого моста позволяет осуществить деление СВЧ мощности и квадратурный фазовый сдвиг для последующего возбуждения в круглом волноводе электромагнитной волны круговой поляризации.
Волноводно-щелевой мост с Е-фильтром служит развязывающим устройством и защищают СВЧ генератор от отраженной волны.
Сверхвысокочастотный плазмотрон является составной частью полуавтоматической установки прецизионного СВЧ-плазмохимического травления многослойных пленочных структур на диэлектрических подложках.
В качестве источника СВЧ энергии применяется магнетрон типа М-105 с выходной мощностью до 630 Вт и рабочей частотой в диапазоне от 2400 до 2500 МГц.

Claims (2)

1. Сверхвысокочастотный плазмотрон, содержащий сочлененные между собой прямоугольный и круглый волноводы, диэлектрическую разрядную камеру, поглотитель СВЧ мощности, СВЧ генератор, отличающийся тем, что между СВЧ генератором и сочленением круглого и прямоугольного волноводов вводят щелевой мост, а сочленение круглого и прямоугольного волноводов выполняют в виде волноводно-щелевого перехода.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в место сочленения круглого и прямоугольного волноводов устанавливают Е-фильтр в виде регулируемого по глубине погружения вдоль оси круглого волновода полого металлического штыря.
RU2004115822/06A 2004-05-24 2004-05-24 Сверхвысокочастотный плазмотрон RU2274963C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004115822/06A RU2274963C2 (ru) 2004-05-24 2004-05-24 Сверхвысокочастотный плазмотрон

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004115822/06A RU2274963C2 (ru) 2004-05-24 2004-05-24 Сверхвысокочастотный плазмотрон

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004115822A RU2004115822A (ru) 2005-11-10
RU2274963C2 true RU2274963C2 (ru) 2006-04-20

Family

ID=35864985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004115822/06A RU2274963C2 (ru) 2004-05-24 2004-05-24 Сверхвысокочастотный плазмотрон

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2274963C2 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU183873U1 (ru) * 2018-06-13 2018-10-08 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт радиологии и агроэкологии" (ФГБНУ ВНИИРАЭ) СВЧ-плазмотрон
RU2718715C1 (ru) * 2019-08-15 2020-04-14 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт радиологии и агроэкологии" (ФГБНУ ВНИИРАЭ) Свч-плазмотрон
RU207628U1 (ru) * 2021-03-15 2021-11-08 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт радиологии и агроэкологии" (ФГБНУ ВНИИРАЭ) Плазменный источник
RU208093U1 (ru) * 2021-09-13 2021-12-01 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт радиологии и агроэкологии" (ФГБНУ ВНИИРАЭ) Плазменный источник

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU183873U1 (ru) * 2018-06-13 2018-10-08 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт радиологии и агроэкологии" (ФГБНУ ВНИИРАЭ) СВЧ-плазмотрон
RU2718715C1 (ru) * 2019-08-15 2020-04-14 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт радиологии и агроэкологии" (ФГБНУ ВНИИРАЭ) Свч-плазмотрон
RU207628U1 (ru) * 2021-03-15 2021-11-08 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт радиологии и агроэкологии" (ФГБНУ ВНИИРАЭ) Плазменный источник
RU208093U1 (ru) * 2021-09-13 2021-12-01 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Всероссийский научно-исследовательский институт радиологии и агроэкологии" (ФГБНУ ВНИИРАЭ) Плазменный источник

Also Published As

Publication number Publication date
RU2004115822A (ru) 2005-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100358902B1 (ko) 마이크로파를이용한플라스마생성장치
JP4099074B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2004055614A (ja) プラズマ処理装置
JP2012182076A (ja) 表面波プラズマ発生用アンテナおよび表面波プラズマ処理装置
US7305934B2 (en) Plasma treatment apparatus and plasma generation method
Kasparek et al. A fast switch, combiner and narrow-band filter for high-power millimetre wave beams
JP4850592B2 (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
Liu et al. A TE 13 mode converter for high-order mode gyrotron-traveling-wave tubes
JP3957135B2 (ja) プラズマ処理装置
JP4576291B2 (ja) プラズマ処理装置
RU2274963C2 (ru) Сверхвысокочастотный плазмотрон
RU2507628C2 (ru) Устройство для плазменной обработки больших площадей
JP2006094214A (ja) マグネトロン発振装置
JP4092027B2 (ja) プラズマ生成装置
JP2010277971A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の給電方法
JP4600928B2 (ja) マイクロ波方向性結合器、プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
JP2007082171A (ja) マグネトロン発振装置
JP2007180034A (ja) プラズマ処理装置
JP3856154B1 (ja) マグネトロン発振装置
JP4900768B2 (ja) プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
WO2016108283A1 (ja) 点火システム、及び内燃機関
KR100500360B1 (ko) 고효율 상압 마이크로웨이브 플라즈마시스템
JP4017098B2 (ja) プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
JP3736054B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2005259633A (ja) マイクロ波プラズマ放電処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20070525