RU2234767C1 - Диодный выключатель - Google Patents

Диодный выключатель Download PDF

Info

Publication number
RU2234767C1
RU2234767C1 RU2002132350/09A RU2002132350A RU2234767C1 RU 2234767 C1 RU2234767 C1 RU 2234767C1 RU 2002132350/09 A RU2002132350/09 A RU 2002132350/09A RU 2002132350 A RU2002132350 A RU 2002132350A RU 2234767 C1 RU2234767 C1 RU 2234767C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
line
microwave
diode
microstrip
diodes
Prior art date
Application number
RU2002132350/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2002132350A (ru
Inventor
Н.Л. Казанский (RU)
Н.Л. Казанский
Е.А. Рахаева (RU)
Е.А. Рахаева
Original Assignee
Институт систем обработки изображений РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт систем обработки изображений РАН filed Critical Институт систем обработки изображений РАН
Priority to RU2002132350/09A priority Critical patent/RU2234767C1/ru
Publication of RU2002132350A publication Critical patent/RU2002132350A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2234767C1 publication Critical patent/RU2234767C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в различных устройствах СВЧ диапазона. Диодный выключатель состоит из диэлектрической пластины, на одной стороне которой расположен разомкнутый на конце центральный проводник входной микрополосковой линии (МПЛ), а в заземляющем проводнике МПЛ расположена короткозамкнутая на конце симметричная щелевая линия (СЩЛ), причем плоскости симметрии этих линий совпадают. С целью увеличения ослабления СВЧ сигнала в режиме запирания переключательные СВЧ диоды включены между концом МПЛ и двумя полуплоскостями симметричной щелевой линии на расстоянии
Figure 00000001
от короткозамкнутого конца СЩЛ (Λ - длина волны в СЩЛ на средней частоте рабочего диапазона), а устройство управления подсоединено к одному переключательному СВЧ диоду. Техническим результатом является увеличение ослабления СВЧ сигнала в режиме запирания. 5 ил.

Description

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в различных устройствах СВЧ диапазона.
Известны диодные СВЧ выключатели, состоящие из входной и выходной линий передач с включенным в них последовательно или параллельно переключательным СВЧ диодом и устройства управления для подачи управляющего сигнала на переключательный СВЧ диод (Хижа Г.С., Вендик И.Б., Серебрякова Е.А. СВЧ фазовращатели и переключатели. - М.: Радио и связь, 1984 г., с.20-23; СВЧ устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет/ Под ред. Мальского И.В., Сестрорецкого Б.В. - М.: Сов. Радио, 1969, с.538, 549; Патент Франции №2034620, кл. Н 01 Р 1/00, 08.01.71).
Недостатком таких выключателей является малое ослабление СВЧ сигнала в режиме запирания, обусловленное конечным значением минимального сопротивления открытого переключательного СВЧ диода для параллельной схемы включения диода в линию передачи и конечным значением максимального сопротивления закрытого переключательного СВЧ диода для последовательной схемы включения диода в линию передачи.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому положительному эффекту к предлагаемому является диодный выключатель, состоящий из диэлектрической пластины, на которой расположены входная и выходная разомкнутые на концах микрополосковые линии передачи, между которыми включен переключательный СВЧ диод, подсоединенный к устройству управления (СВЧ устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет / Под ред. Мальского И.В., Сестрорецкого Б.В. - М.: Сов. Радио, 1060, с.549).
Недостатком такого выключателя является малое ослабление СВЧ сигнала в режиме запирания, обусловленное конечным значением максимального сопротивления закрытого переключательного СВЧ диода.
Поставлена задача увеличить ослабление СВЧ сигнала в режиме запирания.
Поставленная задача решается за счет того, что в выключатель, состоящий из диэлектрической пластины, на которой расположены входная разомкнутая на конце микрополосковая линия передачи и выходная линия передачи, между которыми включен переключательный СВЧ диод, подсоединенный к устройству управления, дополнительно введен второй переключательный СВЧ диод, а выходная линия выполнена в виде симметричной щелевой линии (СЩЛ) передачи, короткозамкнутой на конце и расположенной так, что плоскости симметрии микрополосковой и щелевой линий передач совпадают, причем переключательные СВЧ диоды включены между концом микрополосковой линии и разными полуплоскостями щелевой линии на расстоянии
Figure 00000003
Figure 00000004
от короткозамкнутого конца щелевой линии, где Λ - длина волны в щелевой линии на средней частоте рабочего диапазона.
Сущность изобретения поясняется чертежом, где на фиг.1 показано устройство предлагаемого диодного выключателя, на фиг.2 - сечение по А-А, на фиг.3 - силовые линии электрического поля основной волны в микрополосковой линии, на фиг.4 - силовые линии электрического поля основной волны в симметричной щелевой линии, на фиг.5 - расположение диодов в выключателе.
Диодный выключатель состоит из диэлектрической пластины 1, на одной стороне которой расположен центральный проводник входной микрополосковой линии (МПЛ) 2, а в заземляющем проводнике МПЛ расположена короткозамкнутая на конце симметричная щелевая линия (СЩЛ) 3, двух переключательных СВЧ диодов 4 и 5, включенных между концом МПЛ 2 и двумя полуплоскостями 6 и 7 щелевой линии 3 на расстоянии
Figure 00000005
от короткозамкнутого конца щелевой линии, где Λ - длина волны в щелевой линии на средней частоте рабочего диапазона, и устройства управления (УУ) 8, подсоединенного к переключательному СВЧ диоду 4.
Работу выключателя можно пояснить следующим образом. В случае симметричного расположения центрального проводника МПЛ относительно щелевой линии передачи основная волна в МПЛ (фиг.3) не возбуждает основную волну в СЩЛ (фиг.4) и наоборот, т.к. эти волны являются ортогональными. Это обусловливает большую величину развязки между волнами в МПЛ и СЩЛ.
Величина развязки не изменится, если симметрично относительно плоскости симметрии OO′ включить два переключательных СВЧ-диода с одинаковыми параметрами (фиг.5). Благодаря этому диодный выключатель обеспечит большее ослабление сигнала в режиме запирания.
Если комплексные сопротивления диодов VD1 и VD2 не равны между собой, то протекающие по ним токи возбуждают основную волну в СЩЛ, причем ее амплитуда будет тем больше, чем больше будет разница между комплексными сопротивлениями диодов.
Для проверки работоспособности выключателя он был изготовлен на основе диэлектрической пластины из материала ФЛАН-10. В качестве диодов были использованы p-i-n диоды 2А503А. Измерения, проведенные на частоте ƒ=2 ГГц, показали, что выключатель обладает ослаблением в режиме пропускания не более 1,5 Дб и в режиме запирания не менее 38 Дб.
Макет переключателя (прототип), изготовленный на основе МПЛ с одним диодом 2А503А, имел ослабление в режиме запирания не более 15 Дб.
Таким образом, представленный выключатель позволяет увеличить ослабление СВЧ сигнала в режиме запирания.

Claims (1)

  1. Диодный выключатель, состоящий из диэлектрической пластины, на которой расположены входная разомкнутая на конце микрополосковая линия передачи и выходная линия передачи, между которыми включен переключательный СВЧ-диод, подсоединенный к устройству управления, отличающийся тем, что в выключатель введен второй переключательный СВЧ-диод, а выходная линия выполнена в виде щелевой линии передачи, короткозамкнутой на конце и расположенной так, что вертикальные продольные плоскости симметрии микрополосковой и щелевой линий передач совпадают, причем переключательные СВЧ-диоды включены между концом микрополосковой линии и разными полуплоскостями щелевой линии на расстоянии
    Figure 00000006
    от короткозамкнутого конца щелевой линии, где Λ - длина волны в щелевой линии на средней частоте рабочего диапазона, а амплитуда возбуждаемой в симметричной щелевой линии основной волны будет тем больше, чем больше будет разница между комплексными сопротивлениями диодов.
RU2002132350/09A 2002-12-02 2002-12-02 Диодный выключатель RU2234767C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002132350/09A RU2234767C1 (ru) 2002-12-02 2002-12-02 Диодный выключатель

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002132350/09A RU2234767C1 (ru) 2002-12-02 2002-12-02 Диодный выключатель

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2002132350A RU2002132350A (ru) 2004-06-20
RU2234767C1 true RU2234767C1 (ru) 2004-08-20

Family

ID=33413410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002132350/09A RU2234767C1 (ru) 2002-12-02 2002-12-02 Диодный выключатель

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2234767C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2532852C1 (ru) * 2013-04-16 2014-11-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук (ИХКГ СО РАН) Коаксиальный свч выключатель

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
МАЛЬСКИЙ И.В. и др. СВЧ устройства на полупроводниковых диодах. - М.: Сов. радио, 1969, с.549. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2532852C1 (ru) * 2013-04-16 2014-11-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химической кинетики и горения им. В.В. Воеводского Сибирского отделения Российской академии наук (ИХКГ СО РАН) Коаксиальный свч выключатель

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6958665B2 (en) Micro electro-mechanical system (MEMS) phase shifter
HU192180B (en) Microwave symmetrizing transformer for mixers and modulators
Zhang et al. Broadband half-mode substrate integrated waveguide (HMSIW) Wilkinson power divider
EP3282580A1 (en) Multimode operation for differential power amplifiers
EP2625784B1 (en) Switch mode circulator isolated rf mixer
KR100867129B1 (ko) Rf 스위치
US4146896A (en) 180° Phase shifter for microwaves supplied to a load such as a radiating element
RU2234767C1 (ru) Диодный выключатель
US4217565A (en) Hybrid T-junction switch
US3571762A (en) High frequency digital diode phase shifter
RU2438214C1 (ru) МИКРОПОЛОСКОВЫЙ p-i-n-ДИОДНЫЙ СВЧ-ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ
RU2231175C2 (ru) Дискретный петлеобразный диодный свч фазовращатель
US4577167A (en) Microstrip line branching coupler having coaxial coupled remote termination
US20190109377A1 (en) Splitter circuit and antenna
US20030045262A1 (en) Waveguide mixer/coupler
KR20210055487A (ko) 기판 집적 도파관을 이용한 밸런
RU2352031C1 (ru) Фазовращатель свч
RU2249889C2 (ru) Волноводно-полосковый направленный ответвитель
JP4718308B2 (ja) 高周波スイッチ
US3402361A (en) Integrated microwave signal amplifier circuit
Fu et al. Broadband Y-type divider in Ku-band using substrate integrated waveguide
Unlu et al. Triple stub circuit topology as simultaneous insertion phase, amplitude and impedance control circuit for phased array applications
RU2020659C1 (ru) Свч-выключатель
RU2138887C1 (ru) Полосковый неотражающий полосно-заграждающий фильтр (его варианты)
CN115603021B (zh) 定向耦合器和微波器件

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20071203