RU2209487C2 - Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства - Google Patents

Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства Download PDF

Info

Publication number
RU2209487C2
RU2209487C2 RU2001132932/28A RU2001132932A RU2209487C2 RU 2209487 C2 RU2209487 C2 RU 2209487C2 RU 2001132932/28 A RU2001132932/28 A RU 2001132932/28A RU 2001132932 A RU2001132932 A RU 2001132932A RU 2209487 C2 RU2209487 C2 RU 2209487C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
etching
germanium
micromechanical device
crystal
Prior art date
Application number
RU2001132932/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2001132932A (ru
Inventor
С.Ф. Былинкин
В.Д. Вавилов
С.Г. Миронов
Original Assignee
Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "Темп-Авиа"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "Темп-Авиа" filed Critical Открытое акционерное общество Арзамасское научно-производственное предприятие "Темп-Авиа"
Priority to RU2001132932/28A priority Critical patent/RU2209487C2/ru
Publication of RU2001132932A publication Critical patent/RU2001132932A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2209487C2 publication Critical patent/RU2209487C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

Использование: при изготовлении упругих элементов микромеханических датчиков. Техническим результатом изобретения является повышение качества изготавливаемых упругих элементов за счет повышения их прочности и повторяемости упругих характеристик. Сущность изобретения: согласно предложенному способу полученным размерным анизотропным травлением элементы из монокристаллического кремния легируют германием, что позволяет восстановить кристаллическую структуру материала, нарушенную после вытравливания примесных веществ. 2 ил.

Description

Изобретение относится к приборостроению и может применяться для изготовления конструктивных элементов микромеханических приборов на кремниевых монокристаллических подложках, а именно упругих элементов микромеханических датчиков, например подвесов чувствительных маятниковых элементов интегральных акселерометров.
Известен способ изготовления упругого элемента микромеханических устройств [1] путем изотропного травления исходной пластины монокристаллического кремния.
Недостатком известного способа является неточность изготовления конструктивных элементов устройств из-за зависимости скорости травления от температуры и концентрации травителя, а также значительного бокового растравливания монокристаллического кремния.
Этого недостатка лишен способ изготовления упругого элемента, а именно подвеса маятникового элемента интегрального акселерометра [2], заключающийся в размерном анизотропном травлении монокристалла кремния с целью образования геометрической формы элемента.
Основными недостатками известного способа изготовления упругого элемента является низкая повторяемость его упругих характеристик и ограничение по толщине получаемого элемента. Это происходит по следующей причине. Как известно, монокристаллический кремний обычно содержит примеси проводимости, в качестве которых, как правило, применяются бор или фосфор, которые имеют другую, чем у кремния валентность, и при диффузии в кремний атомы этой примеси хаотично замещают в узлах кристаллической решетки атомы кремния, тем самым нарушая его кристаллическую структуру. При последующем анизотропном размерном травлении удаление кремния происходит слой за слоем по атомным плоскостям. Однако примеси имеют большую, чем у кремния скорость травления. Поэтому в местах нахождения примесей травление проникает глубже, чем в основном материале. За счет этого поверхность элемента делается пористой, а у тонких элементов поры могут быть сквозными. Эти поры, играя роль концентраторов напряжений, резко снижают упругие свойства и прочность элемента и соответственно его качество.
Предлагаемым изобретением решается задача повышения качества изготавливаемых упругих элементов за счет повышения их прочности и повторяемости упругих характеристик, а также получения возможности уменьшения их толщины и соответственно жесткости.
Поставленная задача достигается за счет того, что в способе изготовления упругого элемента микромеханического устройства, заключающемся в размерном анизотропном травлении исходного монокристалла кремния для образования геометрической формы элемента, после травления заготовку элемента легируют германием.
Отличительным признаком предлагаемого способа является то, что после операции анизотропного травления монокристалла кремния для устранения дефектов кристаллической решетки исходного материала, возникших из-за вытравливания атомов примеси, полученную заготовку упругого элемента легируют германием. Германий имеет одинаковую с кремнием валентность и его атомы замещают в узлах кристаллической решетки вытравленные атомы примеси, восстанавливая тем самым кристаллическую структуру материала и устраняя его пористость. Тем самым достигается высокая однородность структуры упругого элемента, что соответственно повышает его качество и позволяет снизить толщину упругого элемента без уменьшения его прочности.
Предлагаемый способ поясняется чертежами, где:
На фиг.1 представлен фрагмент структуры кремния с дефектами в виде пор в результате диффузии в него материала с другой валентностью, например фосфора или бора. Тонкими линиями на фиг.1 показано наличие глубоких пор в структуре кремния.
На фиг.2 приведена кристаллическая структура кремния без вышеупомянутых дефектов, полученная при легировании кремния германием, имеющим одинаковую с кремнием валентность.
Предлагаемый способ осуществляют в следующей последовательности.
Сначала методом анизотропного травления из монокристалла кремния, содержащего, например, примеси бора или фосфора, получают требуемую геометрическую форму упругого элемента. Затем в расплав олова добавляют 8-12 маc.% германия и выдерживают в этом расплаве заготовку упругого элемента при температуре 250-400oС в течение 25-30 мин до насыщения кристаллической структуры кремния атомами германия.
Полученная таким образом структура обладает высокой однородностью и имеет, кроме того, собственную электронную проводимость, которая бывает необходимой, например, в интегральных подвесах чувствительного инерционного маятника при использовании этого маятника в качестве подвижного электрода преобразователя перемещений.
Источники информации
1. Журнал "Phys. Scr. T.", т. 79, 1999 г., с. 33.
2. В. Д. Вавилов. Интегральные акселерометры с силовой компенсацией. Радиоэлектронные и телекоммуникационные системы и устройства. Межвузовский сборник научных трудов. Выпуск 4. Н.Новгород, 1998 г., с.88 (прототип).

Claims (1)

  1. Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства, заключающийся в размерном анизотропном травлении исходного монокристалла кремния для образования геометрической формы элемента, отличающийся тем, что после травления заготовку элемента легируют германием.
RU2001132932/28A 2001-12-03 2001-12-03 Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства RU2209487C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2001132932/28A RU2209487C2 (ru) 2001-12-03 2001-12-03 Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2001132932/28A RU2209487C2 (ru) 2001-12-03 2001-12-03 Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2001132932A RU2001132932A (ru) 2002-08-27
RU2209487C2 true RU2209487C2 (ru) 2003-07-27

Family

ID=29211051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2001132932/28A RU2209487C2 (ru) 2001-12-03 2001-12-03 Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2209487C2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2580910C1 (ru) * 2014-12-15 2016-04-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ") Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Вавилов В.Д. Интегральные акселерометры с силовой компенсацией. Радиоэлектронные и телекоммуникационные системы и устройства. Межвузовский сборник научных трудов. Вып. 4. - Н.Новгород, 1998, с. 88. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2580910C1 (ru) * 2014-12-15 2016-04-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ") Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3493068B2 (ja) 結晶性材料からなる加速度センサおよびこの加速度センサの製造方法
US4966663A (en) Method for forming a silicon membrane with controlled stress
Bell et al. Porous silicon as a sacrificial material
EP1345844B1 (en) Soi/glass process for forming thin silicon micromachined structures
US5110373A (en) Silicon membrane with controlled stress
JP5403519B2 (ja) 結晶ダイヤモンド・エアギャップ構造体の作製方法
KR100264292B1 (ko) 구조체와 그 제조방법
EP1041621A3 (en) Multilayered wafer with thrick sacrificial layer using porous silicon or porous silicon oxide and fabrication method thereof
JPH0837314A (ja) シリコンダイアグラムおよびシリコン圧力センサーの製造方法
JP2004525352A (ja) 特に可動質量体を有する半導体構成素子を製作するための方法ならびに該方法により製作された半導体構成素子
JP3451105B2 (ja) シリコン内に埋め込んだボスダイヤフラム構造体を製造する方法、及び、マイクロメカニカルデバイス
EP2019081B1 (en) Boron doped shell for MEMS device
JP4397440B2 (ja) 半導体基板の空洞の上に横たわる単結晶部材を有する半導体構造を形成するためのプロセス
US6232139B1 (en) Method of making suspended thin-film semiconductor piezoelectric devices
US7976714B2 (en) Single SOI wafer accelerometer fabrication process
US20050050971A1 (en) Methods and structure for improving wafer bow control
CN103274351A (zh) 基于mems的电化学地震检波器电极敏感核心及其制造方法
CN103439032A (zh) 硅微谐振器的加工方法
RU2209487C2 (ru) Способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства
US6808956B2 (en) Thin micromachined structures
US20020179563A1 (en) Application of a strain-compensated heavily doped etch stop for silicon structure formation
JPS5944875A (ja) 梁構造体を有する半導体装置
Tomizawa et al. High-sensitivity and low-power inertial MEMS-on-CMOS sensors using low-temperature-deposited poly-SiGe film for the IoT era
JP3530250B2 (ja) 静電容量式加速度センサの製造方法
CN115321474B (zh) 一种基于soi硅片的硅纳米线陀螺仪的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20041204