RU2167840C2 - Радиопоглощающий материал - Google Patents
Радиопоглощающий материал Download PDFInfo
- Publication number
- RU2167840C2 RU2167840C2 RU99111535/03A RU99111535A RU2167840C2 RU 2167840 C2 RU2167840 C2 RU 2167840C2 RU 99111535/03 A RU99111535/03 A RU 99111535/03A RU 99111535 A RU99111535 A RU 99111535A RU 2167840 C2 RU2167840 C2 RU 2167840C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- radioabsorbing
- dielectric
- temperature
- frequency
- dielectric constant
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
Радиопоглощающий материал на основе титаната стронция и дополнительного компонента BiMO3, где M выбирается из группы элементов, включающей хром, марганец, железо. Использование: в радиоэлектронной технике при получении материала с высокими значениями действительной части диэлектрической проницаемости и высокими диэлектрическими потерями в сверхвысокочастотном (СВЧ) диапазоне - радиопоглощающего материала. Технический результат: создание материалов с большим значением диэлектрических потерь в СВЧ-диапазоне в широком температурном и частотном интервалах. 3 табл.
Description
Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано при создании элементов, поглощающих радиоволны высокочастотного и сверхвысокочастотного (СВЧ) диапазонов.
Важным фактором при создании элементов радиопоглощения в радиотехнике СВЧ является наличие у материала больших значений действительной части диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь [1].
Наиболее близким по технической сущности является радиопоглощающий материал на основе титаната стронция SrTiO3 с добавками пятиокиси ниобия Nb2O5 или тантала Ta2O5 [2]. К недостаткам материала относится отсутствие указаний на его возможность использования в широком интервале температур, поскольку как диэлектрическая проницаемость, так и тангенс угла диэлектрических потерь существенно зависят от температуры и частоты. Эти величины могут расти или понижаться при повышении температуры или частоты, или иметь максимумы на их температурных или частотных зависимостях. В патенте [2] приведены данные о значениях диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь материалов только при комнатной температуре и только на двух частотах СВЧ-диапазона.
Цель изобретения состоит в создании материалов с большим значением диэлектрических потерь в СВЧ-диапазоне в более широком температурном и частотном интервалах.
Цель достигается тем, что в радиопоглощающем материале на основе титаната стронция SrTiO3 при замещении в твердом растворе стронция на висмут, а титана на хром, марганец или железо достигается большее значение как диэлектрической проницаемости, так и тангенса угла диэлектрических потерь в СВЧ-диапазоне при комнатной температуре и при повышенной температуре. Изобретение иллюстрируется данными таблиц 1-3.
Как видно из таблицы 1, при комнатной температуре при понижении частоты от 2,0 ГГц до 0,5 ГГц как значения действительной части диэлектрической проницаемости, так и тангенса угла диэлектрических потерь увеличиваются во всех материалах. При этом наибольшее значение диэлектрической проницаемости имеет место в случае материала состава 0,6SrTiO3-0,4BiFeO3, а диэлектрических потерь - в материале 0,4SrTiO3-0,6BiMnO3.
При температуре 100oC в материале 0,6SrTiO3-0,4BiCrO3 диэлектрическая проницаемость при понижении частоты в указанном диапазоне также увеличивается, а тангенс потерь имеет максимальное значение среди указанных в таблице материалов при данной температуре.
Величина тангенса потерь при температурах 100oC и 200oC существенно больше единицы на частотах 0,5 ГГц и 2,0 ГГц в материалах 0,4SrTiO3-0,6BiMnO3 и 0,3SrTiO3-0,7BiMnO3, а в материале 0,4SrTiO3-0,6BiMnO3 и при комнатной температуре на частоте 0,5 ГГц.
Методика получения радиопоглощающего материала заключается в том, что включает в себя смешивание карбоната стронция, оксида титана и дополнительного компонента BiMO3 (M = Cr, Mn, Fe), обжиг смеси на воздухе, формование и спекание при температуре от 800oC до 1300oC в течение нескольких часов в зависимости от химического состава материала.
Для измерения действительной части диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь в диапазоне СВЧ используют резонаторный измеритель параметров сегнетоэлектриков (РИПСЭ-М).
Величины диэлектрической проницаемости и тангенса потерь рассчитывают через измеренные параметры резонатора: изменение резонансной длины и добротности резонатора с образцом относительно его длины и добротности при коротком замыкании торцевого зазора. Методика измерений и расчета действительной части диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь описана в [3, 4].
Измерения проводят на образцах, изготовленных в виде цилиндров диаметром 2 мм и высотой 1 мм с нанесенными на торцевые поверхности методом вжигания серебросодержащей пасты электродами.
Рентгенофазовый анализ, проведенный на рентгеновском дифрактометре ДРОН-3, показал, что образцы однофазны и обладают структурой перовскита.
Таким образом, изобретение позволяет создать материалы с большим значением диэлектрических потерь в СВЧ-диапазоне в широком температурном и частотном интервалах.
Источники информации
1. Сб. "Сегнетомагнитные вещества"/ Под ред. доктора физ.-мат. наук, профессора Ю.Н.Веневцева и доктора физ.-мат. наук В.Н.Любимова // М.: Наука, 1990, с. 152-163.
1. Сб. "Сегнетомагнитные вещества"/ Под ред. доктора физ.-мат. наук, профессора Ю.Н.Веневцева и доктора физ.-мат. наук В.Н.Любимова // М.: Наука, 1990, с. 152-163.
2. Европейский патент N 0331578, МПК6 C 04 B 35/46, 1989 (прототип).
3. Швидченко Б.И., Щеткин Н.А.,Сибирцев С.Н. Импедансный измеритель температурно-реверсивных характеристик сегнетоэлектриков диапазона 0,5-3,0 ГГц // Метрология и точные измерения, 1976, вып. 12 (III), с. 20-23.
4. Щеткин Н. А. , Швидченко Б.И. Измерение сегнетоэлектриков на СВЧ // Измерительная техника, 1974, N 8, с. 56-57.
Claims (1)
- Радиопоглощающий материал на основе титаната стронция, отличающийся тем, что состоит из смеси 0,30 - 0,45 или 0,55 - 0,75 мольных долей титаната стронция, а также 0,70 - 0,55 или 0,45 - 0,25 мольных долей соответственно соединений с общей формулой ВiMO3, где М выбирается из группы элементов, включающей хром, марганец, железо.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU99111535/03A RU2167840C2 (ru) | 1999-05-28 | 1999-05-28 | Радиопоглощающий материал |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU99111535/03A RU2167840C2 (ru) | 1999-05-28 | 1999-05-28 | Радиопоглощающий материал |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU99111535A RU99111535A (ru) | 2001-02-27 |
RU2167840C2 true RU2167840C2 (ru) | 2001-05-27 |
Family
ID=20220644
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU99111535/03A RU2167840C2 (ru) | 1999-05-28 | 1999-05-28 | Радиопоглощающий материал |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2167840C2 (ru) |
-
1999
- 1999-05-28 RU RU99111535/03A patent/RU2167840C2/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Kim et al. | Microstructure and microwave dielectric properties of modified zinc titanates (I) | |
Davis Jr et al. | Some Dielectric Properties of Barium‐Strontium Titanate Ceramics at 3000 Megacycles | |
KR100760433B1 (ko) | CaCu3Ti4O12를 혼입한 동조식 소자 | |
Costa et al. | Microwave dielectric properties of the system Ba1− xSrxTiO3 | |
US6720280B2 (en) | Dielectric composition for high frequency resonators | |
RU2167840C2 (ru) | Радиопоглощающий материал | |
de Castro et al. | Microwave properties of barium nanotitanate dielectric resonators | |
KR100759683B1 (ko) | BiCu3Ti3FeO12를 혼입한 동조식 소자 | |
US5268341A (en) | Dielectric ceramic composition for high-frequency use and dielectric material | |
RU2189954C2 (ru) | Радиопоглощающий материал | |
US5407876A (en) | Dielectric ceramic composition for use in high frequency | |
Dhanya et al. | Dielectric resonators with complex crystal structures in the La 2 O 3–Al 2 O 3–TiO 2 system for microwave applications | |
US5504044A (en) | Dielectric ceramic composition for high-frequency applications | |
Huang et al. | Microwave dielectric properties of (1− x) CaO-xBaO-Li2O-(1− y) Sm2O3-yNd2O3-TiO2 ceramics system | |
US5002913A (en) | Dielectric ceramics for high frequency | |
JPH067441B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
Chen et al. | Microwave dielectric properties and microstructures of La (Mg1/2Ti1/2) O3 with CuO-doped | |
Solomon et al. | Microwave dielectric resonators based on Ba [(Bi0. 2D0. 33+) Nb0. 5] O3 (D3+= Y, Pr, Sm, Gd, Dy, Er) | |
KR20010028177A (ko) | 고주파용 유전체 조성물 | |
Nono et al. | Microstructure Study and Crystalline Phase Formation on Nb~ 2O~ 5-Ba~ 9Ti~ 2O~ 2~ 0 Microwave Resonators | |
KR970001380B1 (ko) | 고주파용 유전체 세라믹스 조성물 | |
FI122780B (fi) | Dielektrinen keraaminen materiaali ja dielektrinen resonaattori, jossa sitä käytetään | |
KR970005886B1 (ko) | 고주파용 유전체 자기조성물 | |
JP3347613B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPS632204A (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20050529 |