RU2142658C1

RU2142658C1 - Resistive material

Info

Publication number: RU2142658C1
Application number: RU97114011/09A
Authority: RU
Inventors: О.Е. Медведь
Original assignee: Ярославская микроэлектронная фирма "Оникс"
Priority date: 1997-08-13
Filing date: 1997-08-13
Publication date: 1999-12-10

Abstract

FIELD: electrical engineering. SUBSTANCE: resistive material primarily used for producing high-resistivity film resistors normally operating at temperatures up to 400 C incorporates 5.0-95.0 mass percent of bismuth sesquioxide ((Bi₂O₃)) and 5.0-95.0 mass percent of neodymium sesquioxide ((Nd₂O₃)). In addition, it may contain in its composition 1.0-10.0 mass percent of ruthenium dioxide ((RVO₂)). EFFECT: improved temperature stability of film resistors. 2 cl, 1 tbl

Description

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при формировании пленочных резисторов с высоким удельным сопротивлением и высокой температурной стабильностью в диапазоне рабочих температур до 400^oC.The invention relates to electrical engineering and can be used in the formation of film resistors with high resistivity and high temperature stability in the range of operating temperatures up to 400 ^o C.

Известен материал на основе полутороокиси висмута с добавками окислов цинка и кобальта при различном содержании компонентов - от 0,065 до 90% (патент Японии N 51-2638, кл. 62 A 221.1, 30.11.76). Known material based on bismuth sesquioxide with the addition of zinc and cobalt oxides with different component contents - from 0.065 to 90% (Japan patent N 51-2638, CL 62 A 221.1, 30.11.76).

Такой материал имеет низкую температурную стабильность. Such a material has low temperature stability.

Наиболее близким техническим решением является резистивный материал на основе полутороокиси висмута с добавкой полутороокиси лантана при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:
Bi₂O₃ - 90,0 - 99,9
La₂O₃ - 0,1 - 10,0
(авторское свидетельство N 945909, кл. H 01 C 7/00, 1981).The closest technical solution is a resistive material based on bismuth sesquioxide with the addition of lanthanum sesquioxide in the following quantitative ratio of components, wt.%:
Bi ₂ O ₃ - 90.0 - 99.9
La ₂ O ₃ - 0.1 - 10.0
(copyright certificate N 945909, class. H 01 C 7/00, 1981).

Такой материал также характеризуется низкой температурной стабильностью и не может быть использован для формирования высокоомных стабильных пленочных резисторов. Such a material is also characterized by low temperature stability and cannot be used to form high-resistance stable film resistors.

Задачей, на решение которой направлено изобретение, является повышение температурной стабильности пленочных резисторов из этого материала. The problem to which the invention is directed, is to increase the temperature stability of film resistors from this material.

Поставленная задача решается тем, что резистивный материал, включающий полутороокись висмута, содержит полутороокись неодима при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:
Bi₂O₃ - 5,0 - 95,0
Nd₂O₃ - 5,0 - 95,0
Резистивный материал может дополнительно содержать двуокись рутения (RuO₂) в количестве 1,0 - 10,0%.The problem is solved in that the resistive material, including bismuth sesquioxide, contains neodymium sesquioxide in the following quantitative ratio of components, wt.%:
Bi ₂ O ₃ - 5.0 - 95.0
Nd ₂ O ₃ - 5.0 - 95.0
The resistive material may further comprise ruthenium dioxide (RuO ₂ ) in an amount of 1.0-10.0%.

Были приготовлены образцы заявляемого резистивного материала с различной концентрацией входящих в его состав компонентов, из которых методом традиционной толстопленочной технологии, включающей шелкотрафаретную печать с последующим вжиганием, были получены пленочные резисторы. Результаты сведены в таблицу. Samples of the inventive resistive material with different concentrations of its constituent components were prepared, of which film resistors were obtained by the method of traditional thick-film technology, including silk-screen printing, followed by annealing. The results are tabulated.

Как следует из таблицы, пленочные резисторы из предлагаемого материала характеризуются высокой температурной стабильностью, а сам материал имеет простой химический состав. As follows from the table, film resistors from the proposed material are characterized by high temperature stability, and the material itself has a simple chemical composition.

Claims

1. Resistive material, including bismuth sesquioxide, characterized in that it contains neodymium sesquioxide in the following quantitative ratio of components, wt.%:
BiO ₃ - 5.0 - 95.0
Nd ₂ O ₃ - 5.0 - 95.0
2. The resistive material according to claim 1, characterized in that it further comprises ruthenium dioxide (RuO ₂ ) in an amount of 1.0 to 10.0 wt.%.