RU207556U1 - Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 < x < 0,27 - Google Patents
Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 < x < 0,27 Download PDFInfo
- Publication number
- RU207556U1 RU207556U1 RU2021123806U RU2021123806U RU207556U1 RU 207556 U1 RU207556 U1 RU 207556U1 RU 2021123806 U RU2021123806 U RU 2021123806U RU 2021123806 U RU2021123806 U RU 2021123806U RU 207556 U1 RU207556 U1 RU 207556U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plate
- target
- deposition
- range
- films
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к распыляемому узлу магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1–xв диапазоне 0,23 <x< 0,27 и может быть использована в электронике, оптоэлектронике, машиностроении, автомобилестроении и др. Узел содержит мишень и охлаждающую пластину. Мишень выполнена из двух металлических пластин, параллельных друг другу, расположенных на одной оси с охлаждающей пластиной и жестко к ней прикрепленных. Внутренняя пластина изготовлена из железа, а внешняя – из никеля. В зоне эрозии внешней пластины выполнены прорези, расположенные симметрично относительно ее центра. Достигаемым техническим результатом является создание узла, позволяющего увеличить номенклатуру получаемых пленок с однородным химическим составом по всей площади, позволяющего осаждать пленки из ферромагнитных бинарных сплавов. 8 ил.
Description
Полезная модель относится к устройствам, используемым для осаждения пленок из ферромагнитных бинарных сплавов Fe x Ni1– x в электронике, оптоэлектронике, машиностроении, автомобилестроении и др. Установлено, что среди магнитомягких бинарных сплавов Fe x Ni1– x максимальную стабильность структуры имеют сплавы при 0.23 < x < 0.27 с температурой Кюри около 776 К.
Для осаждения пленок бинарных сплавов обычно применяют два магнетрона с эффективно охлаждаемыми мишенями из разных металлов, которые расположены рядом друг с другом (в патенте США № 6361668 B1, С23С 14/34) или магнетрон со сплавной мишенью [Milyaev M. A., Bannikova N. S., Naumova L. I. et al. Phys. Met. Metallogr. 120 (2019) 831–837].
Известен магнетрон с распыляемым блоком, описанный в патенте РФ № 2699702 «Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов Ti x W1- x O3». В этом устройстве распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок бинарных твердых растворов реализован на базе цилиндрического магнетрона и содержит мишень, которая выполнена из двух металлических пластин, расположенных на одной оси с магнетроном параллельно друг другу и жестко прикрепленных к нему, причем внутренняя пластина выполнена охлаждаемой, а в зоне ее эрозии внешней пластины выполнены прорези, расположенные симметрично относительно ее центра.
Наиболее близким по совокупности существенных признаков к предлагаемому устройству является распылительный блок магнетрона для осаждения фотокаталитических пленок, описанный в патенте № 2664009 «Распылительный блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов FexTi(1–x)O2 в диапазоне 0 < x < 0.6», который реализован на базе цилиндрического магнетрона и содержит мишень и охлаждающую пластину. Мишень выполнена в виде двух металлических пластин, параллельных друг другу, расположенных на одной оси с охлаждающей пластиной и жестко к ней прикрепленных, причем внутренняя пластина выполнена из железа, а внешняя из титана, и в зоне ее эрозии изготовлены прорези, расположенные симметрично относительно центра охлаждающей пластины.
Достоинством известного устройства является то, что его конструкция позволяет получать пленки твердых растворов с однородным химическим составом по всей площади
Задача, на решение которой направлена заявляемая полезная модель, является создание конструкции узла магнетрона, позволяющего осаждать пленки ферромагнитных бинарных сплавов Fe x Ni1– x при 0.23 < x < 0.27 с однородным химическим составом по всей площади.
Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленок Fe x Ni1– x в диапазоне 0.23 < x < 0.27, как и известный блок, содержит мишень и охлаждающую пластину. Мишень выполнена в виде двух металлических пластин, параллельных друг другу, расположенных на одной оси с охлаждающей пластиной и жестко к ней прикрепленных, причем внутренняя пластина изготовлена из железа, а внешняя из титана, и в зоне ее эрозии изготовлены прорези, расположенные симметрично относительно центра охлаждающей пластины. Но, в отличие от известного блока в предлагаемом устройстве внешняя пластина изготовлена из никеля.
Достигаемым техническим результатом является создание узла, позволяющего увеличить номенклатуру получаемых пленок с однородным химическим составом по всей площади, позволяющего осаждать пленки из ферромагнитных бинарных сплавов Fe x Ni1– x при 0.23 < x < 0.27.
фиг. 1 – конструкция блока магнетрона;
фиг. 2 – зависимости температуры внешней T Ni и внутренней T Fe пластин от плотности тока;
фиг. 3 – зависимости потоков железа Q Fesp, Q Feev и Q Fetot от плотности тока при α = 0.5;
фиг. 4 – зависимости потоков никеля Q Nisp, Q Niev и Q Nitot от плотности тока при α = 0.5;
фиг. 5 – зависимости стехиометрического коэффициента x в пленке Fe x Ni1– x от площади прорезей s 2 и плотности тока;
фиг. 6 – область на плоскости независимых переменных j–s 2, которая соответствует осаждению пленок Fe x Ni1– x при 0.23 < x < 0.27. При значениях j = 350 А/м2 и s 2 = 0.001365 м2 в центре области (отмечено точкой в пересечении штриховых линий) осаждается пленка Fe0.25Ni0.75;
фиг. 7 – зависимость намагниченности насыщения М от толщины пленки h;
фиг. 8 – зависимость коэрцитивной силы H c от толщины пленки h;
Рассмотрим пример выполнения распыляемого узла магнетрона (фиг.1). Предлагаемая полезная модель была реализована на базе цилиндрического сбалансированного магнетрона 1 диаметром 130 мм, на котором авторы выполняли эксперименты. Распыляемый узел содержит на одной оси охлаждающую пластину 2 толщиною 4 мм и мишень. Мишень состоит из двух пластин: внутренняя 3 изготовлена из Fe, внешняя 4 - из Ni. Толщина каждой равна 1 мм. Вся конструкция жестко скреплена с помощью болтов. Между пластинами установлены шайбы толщиною 1 мм, обеспечивающие зазор между ними. Зона эрозии 5 никелевой пластины имеет форму кольца с площадью s = 36 см2. В этой зоне выполнены прорези 6, расположенные симметрично относительно центра мишени. Прорези выполнены в виде отверстий. Суммарная площадь прорезей s 2 задает площадь зоны эрозии внутренней железной пластины 7. Для никелевой пластины площадь аналогичной области равна s 1=s – s 2. Величина s 2 является параметром устройства, который влияет на скорость роста и химический состав пленки.
Устройство работает следующим образом (см. фиг. 1). Распыление металлических пластин происходит в среде Ar при суммарном давлении 2–8 мТорр. Управляя током разряда, железную и никелевую пластины доводят до температур T Fe и T Ni, соответственно (см. фиг. 2). При этом поверхности пластин подвергаются бомбардировке ионами аргона, образующимися в разряде. В результате пластины становится источниками потоков металлов, которые, осаждаясь на подложке, формируют пленку бинарного сплава. Внутренняя пластина 3 через прорези 6 в никелевой пластине 4, имеющие площадь s 2, генерирует поток железа Q Fetot, состоящий из испаренного Q Feev и распыленного Q Fesp компонентов. Внешняя пластина 4 генерирует поток никеля Q Nitot, тоже состоящий из испаренного Q Niev и распыленного Q Nisp компонентов. Площадь, с которой генерируется этот поток, равна s 1 = s – s 2.
Для рассматриваемого магнетрона диаметром 130 мм существует ограничение на величину s 2. Область распыления, внешней пластины, имеющая площадь 36 см2, представляет собой кольцо шириною 17 мм. Поэтому технически возможно изготовить прорези в форме отверстий диаметром не более 17 мм, что ограничивает величину s 2 значением не более 18 см2.
Для определения величин Q Fetot и Q Nitot были использованы оценки температур обеих пластин в форме экспонент, приведенные на фиг. 2. Соотношение компонентов в пленке Fe x Ni1– x задает величина:
Одновременно с этим каждый из компонентов в (1) известным образом зависит от величины s 2. В нашем случае, например, поток железа, состоящий из двух компонентов, равен:
где для железа: S Fe – коэффициент распыления; γFe – коэффициент ионно-электронной эмиссии; A Fe и B Fe – постоянные, задающие давление насыщенного пара; m Fe – масса молекулы; k = 1.38 · 10–23 Дж/К – постоянная Больцмана; j – плотность тока разряда на мишени, А/см2; e = 1.6 · 10–19 Кл – заряд электрона.
Поток никеля, тоже состоящий из двух компонентов, задает выражение
где для никеля: S Ni – коэффициент распыления; γNi – коэффициент ионно-электронной эмиссии; A Ni и B Ni – постоянные, задающие давление насыщенного пара; m Ni – масса молекулы.
На фиг. 3 и 4 даны зависимости потоков Fe и Ni от плотности тока, полученные с помощью выражений (2) и (3), соответственно. Эти зависимости были использованы для изучения влияния величины s 2 и плотности тока на химический состав пленки Fe x Ni1– x . Результаты в виде кривых x = f(s 2, j) представлены на фиг. 5. Как следует из фиг 5 химическим составом пленки можно однозначно управлять, варьируя плотность тока разряда и параметр s 2.
Одновременно с этим на фиг. 5 штриховыми линиями отмечены уровни составов Fe0.23Ni0.77, и Fe0.27Ni0.73. Точки пересечения кривых x = f(s 2, j) с линиями x = 0.23 и x = 0.27 задали область на плоскости независимых переменных j–s 2, которая соответствует осаждению пленок Fe x Ni1– x при 0.23 < x < 0.27 (см. фиг. 6). При значениях j = 350 А/м2 и s 2 = 0.001365 м2 в центре области (отмечено точкой в пересечении штриховых линий) осаждается пленка Fe0.25Ni0.75.
Модель предлагаемого устройства была использована для оценки магнитных свойств пленок. На фиг. 7 и 8 приведены зависимости намагниченности насыщения M и коэрцитивной силы H c от толщины пленки.
Фиг. 5-8 свидетельствуют о том, что поставленная цель достигнута. Предлагаемый узел магнетрона, позволяет осаждать пленки бинарного ферромагнитного бинарного сплава Fe x Ni1– x в диапазоне 0.23 ≤ x ≤ 0.27. При толщине пленки в диапазоне 0.5–1.0 мкм намагниченность насыщения изменяется в диапазоне 0.1–0.3 о.е., а коэрцитивная сила – 45–65 Э.
Claims (2)
-
- Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава Fe x Ni1– x , где 0,23 < x < 0,27, содержащий мишень и охлаждающую пластину, при этом мишень выполнена из двух металлических пластин, расположенных параллельно друг другу на одной оси с охлаждающей пластиной и жестко к ней прикрепленных, причем внутренняя пластина изготовлена из железа, а внешняя пластина выполнена из никеля и в зоне эрозии внешней пластины выполнены прорези, расположенные симметрично относительно ее центра.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2021123806U RU207556U1 (ru) | 2021-08-10 | 2021-08-10 | Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 < x < 0,27 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2021123806U RU207556U1 (ru) | 2021-08-10 | 2021-08-10 | Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 < x < 0,27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU207556U1 true RU207556U1 (ru) | 2021-11-01 |
Family
ID=78467165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2021123806U RU207556U1 (ru) | 2021-08-10 | 2021-08-10 | Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 < x < 0,27 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU207556U1 (ru) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61257473A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-14 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト材 |
US5512150A (en) * | 1995-03-09 | 1996-04-30 | Hmt Technology Corporation | Target assembly having inner and outer targets |
US6361668B1 (en) * | 1996-04-29 | 2002-03-26 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Sputtering installation with two longitudinally placed magnetrons |
RU2454481C2 (ru) * | 2010-06-03 | 2012-06-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам-титан-кремний |
RU2574553C2 (ru) * | 2010-09-28 | 2016-02-10 | Сингулус Текнолоджиз Аг | Нанесение на подложки легированного слоя посредством катодного распыления |
RU2664009C1 (ru) * | 2017-08-28 | 2018-08-14 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Распылительный блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов FexTi(1-x)O2 в диапазоне 0<x<0,6 |
RU2699702C1 (ru) * | 2019-02-07 | 2019-09-09 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3 |
-
2021
- 2021-08-10 RU RU2021123806U patent/RU207556U1/ru active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61257473A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-14 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト材 |
US5512150A (en) * | 1995-03-09 | 1996-04-30 | Hmt Technology Corporation | Target assembly having inner and outer targets |
US6361668B1 (en) * | 1996-04-29 | 2002-03-26 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Sputtering installation with two longitudinally placed magnetrons |
RU2454481C2 (ru) * | 2010-06-03 | 2012-06-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам-титан-кремний |
RU2574553C2 (ru) * | 2010-09-28 | 2016-02-10 | Сингулус Текнолоджиз Аг | Нанесение на подложки легированного слоя посредством катодного распыления |
RU2664009C1 (ru) * | 2017-08-28 | 2018-08-14 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Распылительный блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов FexTi(1-x)O2 в диапазоне 0<x<0,6 |
RU2699702C1 (ru) * | 2019-02-07 | 2019-09-09 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2758137C (en) | Arc evaporation source and film forming method using the same | |
Lin et al. | Structure and properties of CrSiN nanocomposite coatings deposited by hybrid modulated pulsed power and pulsed dc magnetron sputtering | |
Gorban’ et al. | Production and mechanical properties of high-entropic carbide based on the TiZrHfVNbTa multicomponent alloy | |
CN103726012A (zh) | 一种耐腐蚀硬质防护涂层的制备技术 | |
CN101565818A (zh) | 一种溅射镀膜的方法 | |
Spalvins | Survey of ion plating sources | |
Serra et al. | HiPIMS pulse shape influence on the deposition of diamond-like carbon films | |
RU207556U1 (ru) | Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 < x < 0,27 | |
Vetter et al. | Industrial application potential of high power impulse magnetron sputtering for wear and corrosion protection coatings | |
Kosari Mehr et al. | Magnetron sputtering issues concerning growth of magnetic films: a technical approach to background, solutions, and outlook | |
RU2564642C2 (ru) | Источник для нанесения покрытия и способ его изготовления | |
RU201611U1 (ru) | Распыляемый блок магнетрона для осаждения твердых композиционных пленок | |
RU2784453C1 (ru) | Способ получения пленки нитрида пермаллоя FexNi1-xN | |
RU204777U1 (ru) | Распыляемый блок магнетрона для осаждения композиционных пленок TixMoyCr1-x-yN | |
US11578401B2 (en) | Arc source with confined magnetic field | |
Swann | Spatial distribution of sputtered atoms from magnetron source | |
US4476000A (en) | Method of making a magnetic film target for sputtering | |
RU2808293C1 (ru) | Распыляемый узел магнетрона для осаждения композиционных многокомпонентных пленок Ni0.60Co0.3Fe0.1 | |
Borduleva et al. | Magnetron sputtering with hot solid target: thermal processes and erosion | |
Hoshi et al. | High‐rate, low‐temperature sputtering method of facing‐targets type and its application for deposition of magnetic films | |
RU2122243C1 (ru) | Способ получения магнитомягких термостойких аморфных конденсатов 3d-металлов | |
JP7134980B2 (ja) | 所定のカソード材料除去を伴うカソードアーク蒸発 | |
US20060118407A1 (en) | Methods for making low silicon content ni-si sputtering targets and targets made thereby | |
Farahani et al. | Plasma diagnostics in high-power impulse magnetron sputtering of compound NbC target | |
JPS5813622B2 (ja) | マグネトロン型スパッタ装置 |