RU207556U1 - Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 < x < 0,27 - Google Patents

Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 < x < 0,27 Download PDF

Info

Publication number
RU207556U1
RU207556U1 RU2021123806U RU2021123806U RU207556U1 RU 207556 U1 RU207556 U1 RU 207556U1 RU 2021123806 U RU2021123806 U RU 2021123806U RU 2021123806 U RU2021123806 U RU 2021123806U RU 207556 U1 RU207556 U1 RU 207556U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
plate
target
deposition
range
films
Prior art date
Application number
RU2021123806U
Other languages
English (en)
Inventor
Виктор Иванович Шаповалов
Original Assignee
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ «ЛЭТИ»)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») filed Critical федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ «ЛЭТИ»)
Priority to RU2021123806U priority Critical patent/RU207556U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU207556U1 publication Critical patent/RU207556U1/ru

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к распыляемому узлу магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1–xв диапазоне 0,23 <x< 0,27 и может быть использована в электронике, оптоэлектронике, машиностроении, автомобилестроении и др. Узел содержит мишень и охлаждающую пластину. Мишень выполнена из двух металлических пластин, параллельных друг другу, расположенных на одной оси с охлаждающей пластиной и жестко к ней прикрепленных. Внутренняя пластина изготовлена из железа, а внешняя – из никеля. В зоне эрозии внешней пластины выполнены прорези, расположенные симметрично относительно ее центра. Достигаемым техническим результатом является создание узла, позволяющего увеличить номенклатуру получаемых пленок с однородным химическим составом по всей площади, позволяющего осаждать пленки из ферромагнитных бинарных сплавов. 8 ил.

Description

Полезная модель относится к устройствам, используемым для осаждения пленок из ферромагнитных бинарных сплавов Fe x Ni1– x в электронике, оптоэлектронике, машиностроении, автомобилестроении и др. Установлено, что среди магнитомягких бинарных сплавов Fe x Ni1– x максимальную стабильность структуры имеют сплавы при 0.23 < x < 0.27 с температурой Кюри около 776 К.
Для осаждения пленок бинарных сплавов обычно применяют два магнетрона с эффективно охлаждаемыми мишенями из разных металлов, которые расположены рядом друг с другом (в патенте США № 6361668 B1, С23С 14/34) или магнетрон со сплавной мишенью [Milyaev M. A., Bannikova N. S., Naumova L. I. et al. Phys. Met. Metallogr. 120 (2019) 831–837].
Известен магнетрон с распыляемым блоком, описанный в патенте РФ № 2699702 «Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов Ti x W1- x O3». В этом устройстве распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок бинарных твердых растворов реализован на базе цилиндрического магнетрона и содержит мишень, которая выполнена из двух металлических пластин, расположенных на одной оси с магнетроном параллельно друг другу и жестко прикрепленных к нему, причем внутренняя пластина выполнена охлаждаемой, а в зоне ее эрозии внешней пластины выполнены прорези, расположенные симметрично относительно ее центра.
Наиболее близким по совокупности существенных признаков к предлагаемому устройству является распылительный блок магнетрона для осаждения фотокаталитических пленок, описанный в патенте № 2664009 «Распылительный блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов FexTi(1–x)O2 в диапазоне 0 < x < 0.6», который реализован на базе цилиндрического магнетрона и содержит мишень и охлаждающую пластину. Мишень выполнена в виде двух металлических пластин, параллельных друг другу, расположенных на одной оси с охлаждающей пластиной и жестко к ней прикрепленных, причем внутренняя пластина выполнена из железа, а внешняя из титана, и в зоне ее эрозии изготовлены прорези, расположенные симметрично относительно центра охлаждающей пластины.
Достоинством известного устройства является то, что его конструкция позволяет получать пленки твердых растворов с однородным химическим составом по всей площади
Задача, на решение которой направлена заявляемая полезная модель, является создание конструкции узла магнетрона, позволяющего осаждать пленки ферромагнитных бинарных сплавов Fe x Ni1– x при 0.23 < x < 0.27 с однородным химическим составом по всей площади.
Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленок Fe x Ni1– x в диапазоне 0.23 < x < 0.27, как и известный блок, содержит мишень и охлаждающую пластину. Мишень выполнена в виде двух металлических пластин, параллельных друг другу, расположенных на одной оси с охлаждающей пластиной и жестко к ней прикрепленных, причем внутренняя пластина изготовлена из железа, а внешняя из титана, и в зоне ее эрозии изготовлены прорези, расположенные симметрично относительно центра охлаждающей пластины. Но, в отличие от известного блока в предлагаемом устройстве внешняя пластина изготовлена из никеля.
Достигаемым техническим результатом является создание узла, позволяющего увеличить номенклатуру получаемых пленок с однородным химическим составом по всей площади, позволяющего осаждать пленки из ферромагнитных бинарных сплавов Fe x Ni1– x при 0.23 < x < 0.27.
фиг. 1 конструкция блока магнетрона;
фиг. 2 зависимости температуры внешней T Ni и внутренней T Fe пластин от плотности тока;
фиг. 3 зависимости потоков железа Q Fesp, Q Feev и Q Fetot от плотности тока при α = 0.5;
фиг. 4 зависимости потоков никеля Q Nisp, Q Niev и Q Nitot от плотности тока при α = 0.5;
фиг. 5 – зависимости стехиометрического коэффициента x в пленке Fe x Ni1– x от площади прорезей s 2 и плотности тока;
фиг. 6 – область на плоскости независимых переменных js 2, которая соответствует осаждению пленок Fe x Ni1– x при 0.23 < x < 0.27. При значениях j = 350 А/м2 и s 2 = 0.001365 м2 в центре области (отмечено точкой в пересечении штриховых линий) осаждается пленка Fe0.25Ni0.75;
фиг. 7 – зависимость намагниченности насыщения М от толщины пленки h;
фиг. 8 – зависимость коэрцитивной силы H c от толщины пленки h;
Рассмотрим пример выполнения распыляемого узла магнетрона (фиг.1). Предлагаемая полезная модель была реализована на базе цилиндрического сбалансированного магнетрона 1 диаметром 130 мм, на котором авторы выполняли эксперименты. Распыляемый узел содержит на одной оси охлаждающую пластину 2 толщиною 4 мм и мишень. Мишень состоит из двух пластин: внутренняя 3 изготовлена из Fe, внешняя 4 - из Ni. Толщина каждой равна 1 мм. Вся конструкция жестко скреплена с помощью болтов. Между пластинами установлены шайбы толщиною 1 мм, обеспечивающие зазор между ними. Зона эрозии 5 никелевой пластины имеет форму кольца с площадью s = 36 см2. В этой зоне выполнены прорези 6, расположенные симметрично относительно центра мишени. Прорези выполнены в виде отверстий. Суммарная площадь прорезей s 2 задает площадь зоны эрозии внутренней железной пластины 7. Для никелевой пластины площадь аналогичной области равна s 1=s s 2. Величина s 2 является параметром устройства, который влияет на скорость роста и химический состав пленки.
Устройство работает следующим образом (см. фиг. 1). Распыление металлических пластин происходит в среде Ar при суммарном давлении 2–8 мТорр. Управляя током разряда, железную и никелевую пластины доводят до температур T Fe и T Ni, соответственно (см. фиг. 2). При этом поверхности пластин подвергаются бомбардировке ионами аргона, образующимися в разряде. В результате пластины становится источниками потоков металлов, которые, осаждаясь на подложке, формируют пленку бинарного сплава. Внутренняя пластина 3 через прорези 6 в никелевой пластине 4, имеющие площадь s 2, генерирует поток железа Q Fetot, состоящий из испаренного Q Feev и распыленного Q Fesp компонентов. Внешняя пластина 4 генерирует поток никеля Q Nitot, тоже состоящий из испаренного Q Niev и распыленного Q Nisp компонентов. Площадь, с которой генерируется этот поток, равна s 1 = s s 2.
Для рассматриваемого магнетрона диаметром 130 мм существует ограничение на величину s 2. Область распыления, внешней пластины, имеющая площадь 36 см2, представляет собой кольцо шириною 17 мм. Поэтому технически возможно изготовить прорези в форме отверстий диаметром не более 17 мм, что ограничивает величину s 2 значением не более 18 см2.
Для определения величин Q Fetot и Q Nitot были использованы оценки температур обеих пластин в форме экспонент, приведенные на фиг. 2. Соотношение компонентов в пленке Fe x Ni1– x задает величина:
Figure 00000001
Одновременно с этим каждый из компонентов в (1) известным образом зависит от величины s 2. В нашем случае, например, поток железа, состоящий из двух компонентов, равен:
Figure 00000002
где для железа: S Fe – коэффициент распыления; γFe – коэффициент ионно-электронной эмиссии; A Fe и B Fe – постоянные, задающие давление насыщенного пара; m Fe – масса молекулы; k = 1.38 · 10–23 Дж/К – постоянная Больцмана; j – плотность тока разряда на мишени, А/см2; e = 1.6 · 10–19 Кл – заряд электрона.
Поток никеля, тоже состоящий из двух компонентов, задает выражение
Figure 00000003
где для никеля: S Ni – коэффициент распыления; γNi – коэффициент ионно-электронной эмиссии; A Ni и B Ni – постоянные, задающие давление насыщенного пара; m Ni – масса молекулы.
На фиг. 3 и 4 даны зависимости потоков Fe и Ni от плотности тока, полученные с помощью выражений (2) и (3), соответственно. Эти зависимости были использованы для изучения влияния величины s 2 и плотности тока на химический состав пленки Fe x Ni1– x . Результаты в виде кривых x = f(s 2, j) представлены на фиг. 5. Как следует из фиг 5 химическим составом пленки можно однозначно управлять, варьируя плотность тока разряда и параметр s 2.
Одновременно с этим на фиг. 5 штриховыми линиями отмечены уровни составов Fe0.23Ni0.77, и Fe0.27Ni0.73. Точки пересечения кривых x = f(s 2, j) с линиями x = 0.23 и x = 0.27 задали область на плоскости независимых переменных js 2, которая соответствует осаждению пленок Fe x Ni1– x при 0.23 < x < 0.27 (см. фиг. 6). При значениях j = 350 А/м2 и s 2 = 0.001365 м2 в центре области (отмечено точкой в пересечении штриховых линий) осаждается пленка Fe0.25Ni0.75.
Модель предлагаемого устройства была использована для оценки магнитных свойств пленок. На фиг. 7 и 8 приведены зависимости намагниченности насыщения M и коэрцитивной силы H c от толщины пленки.
Фиг. 5-8 свидетельствуют о том, что поставленная цель достигнута. Предлагаемый узел магнетрона, позволяет осаждать пленки бинарного ферромагнитного бинарного сплава Fe x Ni1– x в диапазоне 0.23 ≤ x ≤ 0.27. При толщине пленки в диапазоне 0.5–1.0 мкм намагниченность насыщения изменяется в диапазоне 0.1–0.3 о.е., а коэрцитивная сила – 45–65 Э.

Claims (2)

  1. Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава Fe x Ni1– x , где 0,23 < x < 0,27, содержащий мишень и охлаждающую пластину, при этом мишень выполнена из двух металлических пластин, расположенных параллельно друг другу на одной оси с охлаждающей пластиной и жестко к ней прикрепленных, причем внутренняя пластина изготовлена из железа, а внешняя пластина выполнена из никеля и в зоне эрозии внешней пластины выполнены прорези, расположенные симметрично относительно ее центра.
RU2021123806U 2021-08-10 2021-08-10 Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 < x < 0,27 RU207556U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021123806U RU207556U1 (ru) 2021-08-10 2021-08-10 Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 < x < 0,27

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021123806U RU207556U1 (ru) 2021-08-10 2021-08-10 Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 < x < 0,27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU207556U1 true RU207556U1 (ru) 2021-11-01

Family

ID=78467165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021123806U RU207556U1 (ru) 2021-08-10 2021-08-10 Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 < x < 0,27

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU207556U1 (ru)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61257473A (ja) * 1985-05-08 1986-11-14 Sumitomo Special Metals Co Ltd スパツタリング用タ−ゲツト材
US5512150A (en) * 1995-03-09 1996-04-30 Hmt Technology Corporation Target assembly having inner and outer targets
US6361668B1 (en) * 1996-04-29 2002-03-26 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Sputtering installation with two longitudinally placed magnetrons
RU2454481C2 (ru) * 2010-06-03 2012-06-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам-титан-кремний
RU2574553C2 (ru) * 2010-09-28 2016-02-10 Сингулус Текнолоджиз Аг Нанесение на подложки легированного слоя посредством катодного распыления
RU2664009C1 (ru) * 2017-08-28 2018-08-14 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) Распылительный блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов FexTi(1-x)O2 в диапазоне 0<x<0,6
RU2699702C1 (ru) * 2019-02-07 2019-09-09 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61257473A (ja) * 1985-05-08 1986-11-14 Sumitomo Special Metals Co Ltd スパツタリング用タ−ゲツト材
US5512150A (en) * 1995-03-09 1996-04-30 Hmt Technology Corporation Target assembly having inner and outer targets
US6361668B1 (en) * 1996-04-29 2002-03-26 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Sputtering installation with two longitudinally placed magnetrons
RU2454481C2 (ru) * 2010-06-03 2012-06-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам-титан-кремний
RU2574553C2 (ru) * 2010-09-28 2016-02-10 Сингулус Текнолоджиз Аг Нанесение на подложки легированного слоя посредством катодного распыления
RU2664009C1 (ru) * 2017-08-28 2018-08-14 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) Распылительный блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов FexTi(1-x)O2 в диапазоне 0<x<0,6
RU2699702C1 (ru) * 2019-02-07 2019-09-09 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2758137C (en) Arc evaporation source and film forming method using the same
Lin et al. Structure and properties of CrSiN nanocomposite coatings deposited by hybrid modulated pulsed power and pulsed dc magnetron sputtering
Gorban’ et al. Production and mechanical properties of high-entropic carbide based on the TiZrHfVNbTa multicomponent alloy
CN103726012A (zh) 一种耐腐蚀硬质防护涂层的制备技术
CN101565818A (zh) 一种溅射镀膜的方法
Spalvins Survey of ion plating sources
Serra et al. HiPIMS pulse shape influence on the deposition of diamond-like carbon films
RU207556U1 (ru) Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 &lt; x &lt; 0,27
Vetter et al. Industrial application potential of high power impulse magnetron sputtering for wear and corrosion protection coatings
Kosari Mehr et al. Magnetron sputtering issues concerning growth of magnetic films: a technical approach to background, solutions, and outlook
RU2564642C2 (ru) Источник для нанесения покрытия и способ его изготовления
RU201611U1 (ru) Распыляемый блок магнетрона для осаждения твердых композиционных пленок
RU2784453C1 (ru) Способ получения пленки нитрида пермаллоя FexNi1-xN
RU204777U1 (ru) Распыляемый блок магнетрона для осаждения композиционных пленок TixMoyCr1-x-yN
US11578401B2 (en) Arc source with confined magnetic field
Swann Spatial distribution of sputtered atoms from magnetron source
US4476000A (en) Method of making a magnetic film target for sputtering
RU2808293C1 (ru) Распыляемый узел магнетрона для осаждения композиционных многокомпонентных пленок Ni0.60Co0.3Fe0.1
Borduleva et al. Magnetron sputtering with hot solid target: thermal processes and erosion
Hoshi et al. High‐rate, low‐temperature sputtering method of facing‐targets type and its application for deposition of magnetic films
RU2122243C1 (ru) Способ получения магнитомягких термостойких аморфных конденсатов 3d-металлов
JP7134980B2 (ja) 所定のカソード材料除去を伴うカソードアーク蒸発
US20060118407A1 (en) Methods for making low silicon content ni-si sputtering targets and targets made thereby
Farahani et al. Plasma diagnostics in high-power impulse magnetron sputtering of compound NbC target
JPS5813622B2 (ja) マグネトロン型スパッタ装置