RU2699702C1 - Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3 - Google Patents

Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3 Download PDF

Info

Publication number
RU2699702C1
RU2699702C1 RU2019103454A RU2019103454A RU2699702C1 RU 2699702 C1 RU2699702 C1 RU 2699702C1 RU 2019103454 A RU2019103454 A RU 2019103454A RU 2019103454 A RU2019103454 A RU 2019103454A RU 2699702 C1 RU2699702 C1 RU 2699702C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
magnetron
deposition
film
films
tungsten
Prior art date
Application number
RU2019103454A
Other languages
English (en)
Inventor
Виктор Иванович Шаповалов
Екатерина Андреевна Минжулина
Александр Андреевич Козин
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)
Priority to RU2019103454A priority Critical patent/RU2699702C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2699702C1 publication Critical patent/RU2699702C1/ru

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering

Abstract

Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TiхW1-xO3 относится к устройствам, используемым в электронике, оптоэлектронике, архитектуре, автомобилестроении и др. Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленки в виде твердого раствора TiхW1-xO3 со стехиометрическим коэффициентом в диапазоне 0,01<x<0,05 содержит мишень, размещенную в реактивной среде, состоящей из плазмообразующего газа аргона и кислорода. Мишень выполнена из двух металлических пластин, расположенных на одной оси с магнетроном параллельно друг другу и жестко прикрепленных к нему. Внутренняя пластина выполнена охлаждаемой и изготовлена из титана, а внешняя – изготовлена из вольфрама, при этом в зоне ее эрозии выполнены прорези, расположенные симметрично относительно ее центра. Обеспечивается увеличение энергетической эффективности реактивного магнетронного распыления за счет управления химическим составом пленки TiхW1-xO3 посредством варьирования суммарной площадью прорезей и током разряда. 3 ил.

Description

Предлагаемый блок относится к устройствам, используемым для изготовления, хромогенных пленок, изменяющих прозрачность под воздействием электрического поля, солнечного освещения, водородной среды или ИК излучения. При любом из этих воздействий прозрачность пленки уменьшается и она становится цветной. Пленка окрашивается за счет увеличения в 5-10 раз поглощения в ближнем ИК диапазоне. Такие пленки применяют для изготовления "умных" энергетически эффективных стекол, не эмиссионных индикаторных устройств; зеркал с управляемым коэффициентом отражения, в частности, антибликовых автомобильных зеркал заднего вида. Изучается применение хромогенных пленок в технике резистивной энергонезависимой памяти с произвольным доступом, в устройствах оптической регистрации и хранения (УФ фотохромная память), в качестве оптических модуляторов [Шаповалов В.И. Пленки оксида вольфрама: технология, свойства, применение. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2014. 118].
Наиболее распространенным и изученным хромогенным материалом является оксид вольфрама WO3 [Granqvist C.G. Electrochromics and thermochromics: towards a new paradigm for energy efficient buildings // Materials Today: Proc. 2016. V. 3. P. S2-S11].
Суть хромогенного эффекта в пленке WO3 состоит в том, что при двойной инжекции в нее легких ионов (Н+, Li+, Na+, К+) и электронов возникает ее окрашивание в синий цвет. Интенсивность окраски зависит от концентрации инжектированного заряда. При экстракции заряда пленка возвращается в неокрашенное состояние. Осажденные пленки WO3 практически всегда содержат кислородные вакансии, поэтому их химическую формулу корректнее записывать в виде WO3-х. Процессы окрашивания и обесцвечивания связаны с химической реакцией образования соединения внедрения с переменным составом, в которых внедренные атомы располагаются в пустотах или туннелях кристаллической структуры пленки
Figure 00000001
где М++, Li+, Na+, K+; х - стехиометрический коэффициент, изменяющийся в диапазоне 0-1.
При этом происходит окислительно-восстановительная реакция:
Figure 00000002
приводящая к возникновению в пленке нового субоксидного компонента. Реакция (2) описывает появление ионов W5+ за счет захвата электронов на кислородные вакансии. Компенсатором возникшего заряда являются протоны. Быстрая диффузия протонов в пленку WO3 обеспечена особенностями ее структуры. Основным структурным элементом кристаллической решетки WO3 является кислородный октаэдр WO6, в центре которого расположен ион W6+. Соединяясь вершинами, октаэдры образуют пространственную сетку со сквозными каналами, по которым легко диффундируют протоны. Ионы W5+ являются так называемыми F-центрами окраски.
Наблюдаемая в спектрах пропускания полоса поглощения является результатом межвалентного переноса электронов:
Figure 00000003
где А и В - близко расположенные ионы вольфрама; hv - энергия фотона.
Действенным способом увеличения хромогенных свойств пленок WO3 является создание на их основе композита [Granqvist C.G. Oxide electrochromics: An introduction to devices and materials // Sol. Ener. Mater. Sol. Cells 2012. V. 99. P. 1-13]. Такой композит, содержащий WO3 и несколько процентов оксида, например, титана обычно рассматривают как твердый раствор замещения двух оксидов с химическим составом TixW1-xO3 при 0.01<х<0.05.
Синтез пленок оксидов выполняют с помощью многих методов. Наибольший интерес в промышленности проявляют к методам реактивного магнетронного распыления. Типичный планарный магнетронный источник содержит металлическую мишень, магнитную систему, корпус и систему охлаждения. Работая в среде аргона и кислорода, он дает возможность синтезировать пленку одиночного оксида. Известны магнетронные источники, предназначенные для синтеза композиционных пленок, содержащих два оксида. [Патент РФ 2371514, С23С 14/35; патент США №2371514, С23С 14/34; Abadias, G. Structual and photoelectrochromical properties of Ti1-xWxO2 thin films deposited by magnetron sputtering / G. Abadias, A.S. Gago, N. Alonso-Vante // Sur. Coat. Technol. 2011. V. 205. P. 265-270]. Они обычно содержит два планарных магнетрона, расположенные рядом друг с другом. При этом их эффективно охлаждаемые мишени, изготовленные из разных металлов, находятся в одной плоскости.
Общим недостатком таких магнетронов является низкая энергетическая эффективность реактивного распыления Е1:
Figure 00000004
где Qtot - суммарный поток рабочего вещества, который генерирует магнетрон; Р - мощность разряда. Величина (4) имеет размерность [Дж-1] и задает энергию, которая затрачивается на эмиссию мишенью одного атома. Она служит аналогом коэффициента полезного действия для устройств этого типа.
Наиболее близкой к заявляемому изобретению по совокупности существенных признаков, является дуальная магнетронная распылительная система, описанная в патенте США №6361668 B1, С23С 14/34, взятая за прототип.
В патенте предлагается распыляемый блок, который содержит мишень, состоящую из двух пластин, расположенных в одной плоскости, изготовленные из разных металлов и размещенные в реактивной среде, состоящей из плазмообразующего газа аргона и кислорода. Обе пластины выполнены охлаждаемыми, поэтому они генерируют потоки оксидов только за счет распыления, на что расходуется не более 10-15% мощности потребляемой блоком. Остальная мощность превращается в тепло. Основным недостатком прототипа является низкая энергетическая эффективность реактивного распыления.
Задача, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является создание распыляемого устройства магнетрона, позволяющее увеличить энергетическую эффективность реактивного распыления при синтезе пленок TixW1-xO3 со стехиометрическим коэффициентом в диапазоне 0.01<х<0.05.
Данная задача решается за счет того, что распыляемый блок магнетрона так же, как в известном устройстве, содержит мишень, состоящую из двух пластин, изготовленных из разных металлов и размещенных в реактивной среде, состоящей из плазмообразующего газа аргона и кислорода. Но, в отличие от него, в предлагаемом устройстве пластины расположены, на одной оси с магнетроном параллельно друг другу и жестко прикреплены к нему. Причем внутренняя пластина, выполненная охлаждаемой, изготовлена из титана, а внешняя изготовлена из вольфрама и в зоне ее эрозии выполнены прорези, расположенные симметрично относительно ее центра.
Достигаемым техническим результатом является создание распыляемого устройства магнетрона, имеющего высокую энергетическую эффективность реактивного распыления.
Сущность изобретения поясняется чертежами, где:
фиг. 1 - конструкция распыляемого блока;
фиг. 2 - зависимости плотности потоков оксидов TiO2 и WO3 от плотности тока разряда, которые генерируют внутренняя титановая и внешняя вольфрамовая пластины;
фиг. 3 - зависимости энергетической эффективности магнетрона и стехиометрического коэффициента x в твердом растворе TixW1-xO3 от площади прорезей и плотности тока разряда.
Рассмотрим пример выполнения распыляемого блока магнетрона (фиг. 1). Предлагаемое изобретение было реализовано на базе цилиндрического сбалансированного магнетрона 1 диаметром 130 мм, на котором авторы выполняли эксперименты. Распыляемый блок содержит на одной оси внутреннюю охлаждаемую пластину 2 толщиною 4 мм, изготовленную из титана, и внешнюю пластину 3 толщиною 1 мм, изготовленную из вольфрама Вся конструкция жестко скреплена болтами 4 с корпусом магнетрона 1 и размещена в реактивной среде, состоящей из плазмообразующего газа аргона и кислорода. Зона эрозии 5 вольфрамовой пластины имеет форму кольца с площадью s=36 см2. В этой зоне выполнены прорези 6, расположенные симметрично относительно ее центра. Прорези выполнены в виде отверстий. Суммарная площадь прорезей s2 задает площадь зоны эрозии 7 внутренней пластины. Для внешней пластины площадь аналогичной области равна s1=s-s2. Величина s2 является параметром устройства, который влияет на химический состав пленки.
Устройство работает следующим образом (см. фиг. 1). Распыление мишени происходит в реактивной среде Ar+О2 (Ar - плазмообразующий газ, O2 - химически активный газ) при суммарном давлении 2-8 мТорр. Управляя плотностью тока и расходом кислорода, пластины переводят в оксидный режим работы, при котором их поверхности покрыты соответствующими оксидами. Ионы аргона, образующиеся в разряде, бомбардируют эти поверхности. Внутренняя пластина 2 выполнена охлаждаемой, поэтому поток оксида титана формируется только за счет распыления ее поверхности через прорези 6 в вольфрамовой пластине 3. При этом в пластине 2 возникает область эрозии 7. На фиг. 2, а приведена зависимость плотности потока оксида титана
Figure 00000005
от плотности тока разряда j. Полный поток от внешней пластины с плотностью
Figure 00000006
состоит из распыленного и испаренного потоков с плотностями
Figure 00000007
и
Figure 00000008
соответственно (фиг. 2, б). Указанное отличие между пластинами обусловлено конструктивной особенностью распыляемого узла. Отвод тепла от внешней пластины на два-три порядка меньше, чем от внутренней. Поэтому вольфрамовая пластина может быть нагрета до высокой температуры, при которой величина
Figure 00000009
может значительно превысить величину
Figure 00000007
. Если первая из них имеет зависимость от мощности разряда в форме показательной функции ~10х, то вторая пропорциональна мощности разряда. В результате за счет симметричного расположения прорезей возникают осесимметричные потоки двух оксидов, которые в газовой среде перемешиваются, создавая суммарный поток с однородным распределением молекул в сечениях на расстоянии более 40-60 мм от мишени. На подложке синтезируется однородная пленка в виде твердого раствора двух оксидов TixW1-xO3 с низким (фиг. 3) стехиометрическим коэффициентом (0.01<x<0.05). Химическим составом этого раствора можно управлять, варьируя суммарную площадь прорезей 6.
Предлагаемое устройство было изготовлено и использовано для оценки его относительной энергетической эффективности:
Figure 00000010
Выражение (5) задает отношение энергетических эффективностей предлагаемого устройства E1ST и прототипа с титановой и вольфрамовой холодными пластинами E1CT. Как видно из (5) в конечном итоге величину η задают три потока: распыленного оксида титана
Figure 00000011
распыленного
Figure 00000012
и испаренного
Figure 00000013
оксида вольфрама. Величина (5) зависит от плотности тока разряда j и суммарной площади прорезей s2. Она может быть вычислена, если известны вольтамперные характеристики разряда магнетрона и зависимость температуры вольфрамовой пластины от j и s2. Для измерения этих зависимостей была изготовлена партия вольфрамовых пластин с отверстиями, имеющими суммарную площадь s2=(2, 4, 8, 12, 16 и 18) см2.
По результатам измерений были выполнены необходимые вычисления. Зависимости, приведенные на фиг. 2, б показывают, что при плотности тока больше 160 мА/см2 плотность полного потока оксида вольфрама
Figure 00000014
начинает увеличиваться за счет испарения. Это свидетельствует о том, что поставленная цель достигнута. Зависимости на фиг. 3, а доказывают, что заявляемое изобретение, имеет высокую энергетическую эффективность реактивного распыления. При плотности тока больше 165 мА/см2, величина η начинает экспоненциально возрастать и уже при 185 мА/см2 достигает 2.5. При этом стехиометрическим коэффициентом можно управлять в диапазоне 0.01<х<0.05, изменяя величины j и s2 (фиг. 3, б).

Claims (1)

  1. Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленки в виде твердого раствора TiхW1-xO3 со стехиометрическим коэффициентом в диапазоне 0,01<x<0,05, содержащий мишень, размещенную в реактивной среде, состоящей из плазмообразующего газа аргона и кислорода, отличающийся тем, что мишень выполнена из двух металлических пластин, расположенных на одной оси с магнетроном параллельно друг другу и жестко прикрепленных к нему, причем внутренняя пластина, выполненная охлаждаемой, изготовлена из титана, а внешняя изготовлена из вольфрама, при этом в зоне ее эрозии выполнены прорези, расположенные симметрично относительно ее центра.
RU2019103454A 2019-02-07 2019-02-07 Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3 RU2699702C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019103454A RU2699702C1 (ru) 2019-02-07 2019-02-07 Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019103454A RU2699702C1 (ru) 2019-02-07 2019-02-07 Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2699702C1 true RU2699702C1 (ru) 2019-09-09

Family

ID=67851789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019103454A RU2699702C1 (ru) 2019-02-07 2019-02-07 Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2699702C1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU201611U1 (ru) * 2019-12-06 2020-12-23 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) Распыляемый блок магнетрона для осаждения твердых композиционных пленок
RU204777U1 (ru) * 2021-01-29 2021-06-09 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) Распыляемый блок магнетрона для осаждения композиционных пленок TixMoyCr1-x-yN
RU207556U1 (ru) * 2021-08-10 2021-11-01 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 < x < 0,27

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2352684C1 (ru) * 2007-08-03 2009-04-20 Вадим Георгиевич Глебовский Вольфрам-титановая мишень для магнетронного распыления и способ ее получения
RU2454481C2 (ru) * 2010-06-03 2012-06-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам-титан-кремний
US20180105920A1 (en) * 2015-05-13 2018-04-19 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Reactive sputtering method and method for producing laminate film
US20180342378A1 (en) * 2013-08-14 2018-11-29 Applied Materials, Inc. Sputtering target with backside cooling grooves

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2352684C1 (ru) * 2007-08-03 2009-04-20 Вадим Георгиевич Глебовский Вольфрам-титановая мишень для магнетронного распыления и способ ее получения
RU2454481C2 (ru) * 2010-06-03 2012-06-27 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам-титан-кремний
US20180342378A1 (en) * 2013-08-14 2018-11-29 Applied Materials, Inc. Sputtering target with backside cooling grooves
US20180105920A1 (en) * 2015-05-13 2018-04-19 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Reactive sputtering method and method for producing laminate film

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU201611U1 (ru) * 2019-12-06 2020-12-23 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) Распыляемый блок магнетрона для осаждения твердых композиционных пленок
RU204777U1 (ru) * 2021-01-29 2021-06-09 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) Распыляемый блок магнетрона для осаждения композиционных пленок TixMoyCr1-x-yN
RU207556U1 (ru) * 2021-08-10 2021-11-01 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 < x < 0,27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2699702C1 (ru) Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3
Subrahmanyam et al. Optical and electrochromic properties of oxygen sputtered tungsten oxide (WO3) thin films
Rougier et al. Characterization of pulsed laser deposited WO3 thin films for electrochromic devices
KR920004846B1 (ko) 마그네트론 스퍼터링 장치 및 방법
Lu Effects of oxygen contents on the electrochromic properties of tungsten oxide films prepared by reactive magnetron sputtering
Chen et al. Bond and electrochromic properties of WO3 films deposited with horizontal DC, pulsed DC, and RF sputtering
Choi et al. Low-temperature deposition of thermochromic VO2 thin films on glass substrates
US4258984A (en) Iridium oxide based electrochromic devices
Liu et al. Enhanced thermal stability of solar selective absorber based on nano-multilayered TiAlON films deposited by cathodic arc evaporation
Dillon et al. Thermochromic VO2 sputtered by control of a vanadium-oxygen emission ratio
Ohsaki et al. High rate deposition of TiO2 by DC sputtering of the TiO2− X target
Zuo et al. Spectroscopic investigation on the near-substrate plasma characteristics of chromium HiPIMS in low density discharge mode
Madhuri et al. Optical absorption studies on (V2O5) 1− x–(MoO3) x thin films
Bruns et al. High rate deposition of mixed oxides by controlled reactive magnetron-sputtering from metallic targets
Kim et al. Properties of WO3-x electrochromic thin film prepared by reactive sputtering with various post annealing temperatures
Azens et al. Electrochromism of fluorinated and electron‐bombarded tungsten oxide films
Madhuri et al. Physical investigations on electron beam evaporated V2O5–MoO3 thin films
Sarra-Bournet et al. Low temperature growth of nanocrystalline TiO2 films with Ar/O2 low-field helicon plasma
RU2578336C2 (ru) Улучшенный способ совместного распыления сплавов и соединений с использованием двойной с-mag конструкции катода и соответствующая установка
CN112162405B (zh) 一种兼具非易失性、多结构色、多档位及高透射率对比度的谐振腔膜系及制备方法
Rezek et al. Synergy of experiment and model for reactive HiPIMS: effect of discharge parameters on WOx composition and deposition rate
Vlček et al. Ion-flux characteristics during low-temperature (300° C) deposition of thermochromic VO2 films using controlled reactive HiPIMS
Ye et al. Electrochromic properties of Ni (V) Ox films deposited via reactive magnetron sputtering with a 8V–92Ni alloy target
Choi et al. Oxidation potential control of VO 2 thin films by metal oxide co-sputtering
Sarma et al. Role of ion energy on growth and optical dispersion of nanocrystalline TiO2 films prepared by magnetron sputtering with ion assistance at the substrate