RU2699702C1 - Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3 - Google Patents
Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3 Download PDFInfo
- Publication number
- RU2699702C1 RU2699702C1 RU2019103454A RU2019103454A RU2699702C1 RU 2699702 C1 RU2699702 C1 RU 2699702C1 RU 2019103454 A RU2019103454 A RU 2019103454A RU 2019103454 A RU2019103454 A RU 2019103454A RU 2699702 C1 RU2699702 C1 RU 2699702C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- magnetron
- deposition
- film
- films
- tungsten
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
Abstract
Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TiхW1-xO3 относится к устройствам, используемым в электронике, оптоэлектронике, архитектуре, автомобилестроении и др. Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленки в виде твердого раствора TiхW1-xO3 со стехиометрическим коэффициентом в диапазоне 0,01<x<0,05 содержит мишень, размещенную в реактивной среде, состоящей из плазмообразующего газа аргона и кислорода. Мишень выполнена из двух металлических пластин, расположенных на одной оси с магнетроном параллельно друг другу и жестко прикрепленных к нему. Внутренняя пластина выполнена охлаждаемой и изготовлена из титана, а внешняя – изготовлена из вольфрама, при этом в зоне ее эрозии выполнены прорези, расположенные симметрично относительно ее центра. Обеспечивается увеличение энергетической эффективности реактивного магнетронного распыления за счет управления химическим составом пленки TiхW1-xO3 посредством варьирования суммарной площадью прорезей и током разряда. 3 ил.
Description
Предлагаемый блок относится к устройствам, используемым для изготовления, хромогенных пленок, изменяющих прозрачность под воздействием электрического поля, солнечного освещения, водородной среды или ИК излучения. При любом из этих воздействий прозрачность пленки уменьшается и она становится цветной. Пленка окрашивается за счет увеличения в 5-10 раз поглощения в ближнем ИК диапазоне. Такие пленки применяют для изготовления "умных" энергетически эффективных стекол, не эмиссионных индикаторных устройств; зеркал с управляемым коэффициентом отражения, в частности, антибликовых автомобильных зеркал заднего вида. Изучается применение хромогенных пленок в технике резистивной энергонезависимой памяти с произвольным доступом, в устройствах оптической регистрации и хранения (УФ фотохромная память), в качестве оптических модуляторов [Шаповалов В.И. Пленки оксида вольфрама: технология, свойства, применение. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2014. 118].
Наиболее распространенным и изученным хромогенным материалом является оксид вольфрама WO3 [Granqvist C.G. Electrochromics and thermochromics: towards a new paradigm for energy efficient buildings // Materials Today: Proc. 2016. V. 3. P. S2-S11].
Суть хромогенного эффекта в пленке WO3 состоит в том, что при двойной инжекции в нее легких ионов (Н+, Li+, Na+, К+) и электронов возникает ее окрашивание в синий цвет. Интенсивность окраски зависит от концентрации инжектированного заряда. При экстракции заряда пленка возвращается в неокрашенное состояние. Осажденные пленки WO3 практически всегда содержат кислородные вакансии, поэтому их химическую формулу корректнее записывать в виде WO3-х. Процессы окрашивания и обесцвечивания связаны с химической реакцией образования соединения внедрения с переменным составом, в которых внедренные атомы располагаются в пустотах или туннелях кристаллической структуры пленки
где М+=Н+, Li+, Na+, K+; х - стехиометрический коэффициент, изменяющийся в диапазоне 0-1.
При этом происходит окислительно-восстановительная реакция:
приводящая к возникновению в пленке нового субоксидного компонента. Реакция (2) описывает появление ионов W5+ за счет захвата электронов на кислородные вакансии. Компенсатором возникшего заряда являются протоны. Быстрая диффузия протонов в пленку WO3 обеспечена особенностями ее структуры. Основным структурным элементом кристаллической решетки WO3 является кислородный октаэдр WO6, в центре которого расположен ион W6+. Соединяясь вершинами, октаэдры образуют пространственную сетку со сквозными каналами, по которым легко диффундируют протоны. Ионы W5+ являются так называемыми F-центрами окраски.
Наблюдаемая в спектрах пропускания полоса поглощения является результатом межвалентного переноса электронов:
где А и В - близко расположенные ионы вольфрама; hv - энергия фотона.
Действенным способом увеличения хромогенных свойств пленок WO3 является создание на их основе композита [Granqvist C.G. Oxide electrochromics: An introduction to devices and materials // Sol. Ener. Mater. Sol. Cells 2012. V. 99. P. 1-13]. Такой композит, содержащий WO3 и несколько процентов оксида, например, титана обычно рассматривают как твердый раствор замещения двух оксидов с химическим составом TixW1-xO3 при 0.01<х<0.05.
Синтез пленок оксидов выполняют с помощью многих методов. Наибольший интерес в промышленности проявляют к методам реактивного магнетронного распыления. Типичный планарный магнетронный источник содержит металлическую мишень, магнитную систему, корпус и систему охлаждения. Работая в среде аргона и кислорода, он дает возможность синтезировать пленку одиночного оксида. Известны магнетронные источники, предназначенные для синтеза композиционных пленок, содержащих два оксида. [Патент РФ 2371514, С23С 14/35; патент США №2371514, С23С 14/34; Abadias, G. Structual and photoelectrochromical properties of Ti1-xWxO2 thin films deposited by magnetron sputtering / G. Abadias, A.S. Gago, N. Alonso-Vante // Sur. Coat. Technol. 2011. V. 205. P. 265-270]. Они обычно содержит два планарных магнетрона, расположенные рядом друг с другом. При этом их эффективно охлаждаемые мишени, изготовленные из разных металлов, находятся в одной плоскости.
Общим недостатком таких магнетронов является низкая энергетическая эффективность реактивного распыления Е1:
где Qtot - суммарный поток рабочего вещества, который генерирует магнетрон; Р - мощность разряда. Величина (4) имеет размерность [Дж-1] и задает энергию, которая затрачивается на эмиссию мишенью одного атома. Она служит аналогом коэффициента полезного действия для устройств этого типа.
Наиболее близкой к заявляемому изобретению по совокупности существенных признаков, является дуальная магнетронная распылительная система, описанная в патенте США №6361668 B1, С23С 14/34, взятая за прототип.
В патенте предлагается распыляемый блок, который содержит мишень, состоящую из двух пластин, расположенных в одной плоскости, изготовленные из разных металлов и размещенные в реактивной среде, состоящей из плазмообразующего газа аргона и кислорода. Обе пластины выполнены охлаждаемыми, поэтому они генерируют потоки оксидов только за счет распыления, на что расходуется не более 10-15% мощности потребляемой блоком. Остальная мощность превращается в тепло. Основным недостатком прототипа является низкая энергетическая эффективность реактивного распыления.
Задача, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является создание распыляемого устройства магнетрона, позволяющее увеличить энергетическую эффективность реактивного распыления при синтезе пленок TixW1-xO3 со стехиометрическим коэффициентом в диапазоне 0.01<х<0.05.
Данная задача решается за счет того, что распыляемый блок магнетрона так же, как в известном устройстве, содержит мишень, состоящую из двух пластин, изготовленных из разных металлов и размещенных в реактивной среде, состоящей из плазмообразующего газа аргона и кислорода. Но, в отличие от него, в предлагаемом устройстве пластины расположены, на одной оси с магнетроном параллельно друг другу и жестко прикреплены к нему. Причем внутренняя пластина, выполненная охлаждаемой, изготовлена из титана, а внешняя изготовлена из вольфрама и в зоне ее эрозии выполнены прорези, расположенные симметрично относительно ее центра.
Достигаемым техническим результатом является создание распыляемого устройства магнетрона, имеющего высокую энергетическую эффективность реактивного распыления.
Сущность изобретения поясняется чертежами, где:
фиг. 1 - конструкция распыляемого блока;
фиг. 2 - зависимости плотности потоков оксидов TiO2 и WO3 от плотности тока разряда, которые генерируют внутренняя титановая и внешняя вольфрамовая пластины;
фиг. 3 - зависимости энергетической эффективности магнетрона и стехиометрического коэффициента x в твердом растворе TixW1-xO3 от площади прорезей и плотности тока разряда.
Рассмотрим пример выполнения распыляемого блока магнетрона (фиг. 1). Предлагаемое изобретение было реализовано на базе цилиндрического сбалансированного магнетрона 1 диаметром 130 мм, на котором авторы выполняли эксперименты. Распыляемый блок содержит на одной оси внутреннюю охлаждаемую пластину 2 толщиною 4 мм, изготовленную из титана, и внешнюю пластину 3 толщиною 1 мм, изготовленную из вольфрама Вся конструкция жестко скреплена болтами 4 с корпусом магнетрона 1 и размещена в реактивной среде, состоящей из плазмообразующего газа аргона и кислорода. Зона эрозии 5 вольфрамовой пластины имеет форму кольца с площадью s=36 см2. В этой зоне выполнены прорези 6, расположенные симметрично относительно ее центра. Прорези выполнены в виде отверстий. Суммарная площадь прорезей s2 задает площадь зоны эрозии 7 внутренней пластины. Для внешней пластины площадь аналогичной области равна s1=s-s2. Величина s2 является параметром устройства, который влияет на химический состав пленки.
Устройство работает следующим образом (см. фиг. 1). Распыление мишени происходит в реактивной среде Ar+О2 (Ar - плазмообразующий газ, O2 - химически активный газ) при суммарном давлении 2-8 мТорр. Управляя плотностью тока и расходом кислорода, пластины переводят в оксидный режим работы, при котором их поверхности покрыты соответствующими оксидами. Ионы аргона, образующиеся в разряде, бомбардируют эти поверхности. Внутренняя пластина 2 выполнена охлаждаемой, поэтому поток оксида титана формируется только за счет распыления ее поверхности через прорези 6 в вольфрамовой пластине 3. При этом в пластине 2 возникает область эрозии 7. На фиг. 2, а приведена зависимость плотности потока оксида титана от плотности тока разряда j. Полный поток от внешней пластины с плотностью состоит из распыленного и испаренного потоков с плотностями и соответственно (фиг. 2, б). Указанное отличие между пластинами обусловлено конструктивной особенностью распыляемого узла. Отвод тепла от внешней пластины на два-три порядка меньше, чем от внутренней. Поэтому вольфрамовая пластина может быть нагрета до высокой температуры, при которой величина может значительно превысить величину . Если первая из них имеет зависимость от мощности разряда в форме показательной функции ~10х, то вторая пропорциональна мощности разряда. В результате за счет симметричного расположения прорезей возникают осесимметричные потоки двух оксидов, которые в газовой среде перемешиваются, создавая суммарный поток с однородным распределением молекул в сечениях на расстоянии более 40-60 мм от мишени. На подложке синтезируется однородная пленка в виде твердого раствора двух оксидов TixW1-xO3 с низким (фиг. 3) стехиометрическим коэффициентом (0.01<x<0.05). Химическим составом этого раствора можно управлять, варьируя суммарную площадь прорезей 6.
Предлагаемое устройство было изготовлено и использовано для оценки его относительной энергетической эффективности:
Выражение (5) задает отношение энергетических эффективностей предлагаемого устройства E1ST и прототипа с титановой и вольфрамовой холодными пластинами E1CT. Как видно из (5) в конечном итоге величину η задают три потока: распыленного оксида титана распыленного и испаренного оксида вольфрама. Величина (5) зависит от плотности тока разряда j и суммарной площади прорезей s2. Она может быть вычислена, если известны вольтамперные характеристики разряда магнетрона и зависимость температуры вольфрамовой пластины от j и s2. Для измерения этих зависимостей была изготовлена партия вольфрамовых пластин с отверстиями, имеющими суммарную площадь s2=(2, 4, 8, 12, 16 и 18) см2.
По результатам измерений были выполнены необходимые вычисления. Зависимости, приведенные на фиг. 2, б показывают, что при плотности тока больше 160 мА/см2 плотность полного потока оксида вольфрама начинает увеличиваться за счет испарения. Это свидетельствует о том, что поставленная цель достигнута. Зависимости на фиг. 3, а доказывают, что заявляемое изобретение, имеет высокую энергетическую эффективность реактивного распыления. При плотности тока больше 165 мА/см2, величина η начинает экспоненциально возрастать и уже при 185 мА/см2 достигает 2.5. При этом стехиометрическим коэффициентом можно управлять в диапазоне 0.01<х<0.05, изменяя величины j и s2 (фиг. 3, б).
Claims (1)
- Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленки в виде твердого раствора TiхW1-xO3 со стехиометрическим коэффициентом в диапазоне 0,01<x<0,05, содержащий мишень, размещенную в реактивной среде, состоящей из плазмообразующего газа аргона и кислорода, отличающийся тем, что мишень выполнена из двух металлических пластин, расположенных на одной оси с магнетроном параллельно друг другу и жестко прикрепленных к нему, причем внутренняя пластина, выполненная охлаждаемой, изготовлена из титана, а внешняя изготовлена из вольфрама, при этом в зоне ее эрозии выполнены прорези, расположенные симметрично относительно ее центра.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019103454A RU2699702C1 (ru) | 2019-02-07 | 2019-02-07 | Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019103454A RU2699702C1 (ru) | 2019-02-07 | 2019-02-07 | Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2699702C1 true RU2699702C1 (ru) | 2019-09-09 |
Family
ID=67851789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2019103454A RU2699702C1 (ru) | 2019-02-07 | 2019-02-07 | Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2699702C1 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU201611U1 (ru) * | 2019-12-06 | 2020-12-23 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Распыляемый блок магнетрона для осаждения твердых композиционных пленок |
RU204777U1 (ru) * | 2021-01-29 | 2021-06-09 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Распыляемый блок магнетрона для осаждения композиционных пленок TixMoyCr1-x-yN |
RU207556U1 (ru) * | 2021-08-10 | 2021-11-01 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») | Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 < x < 0,27 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2352684C1 (ru) * | 2007-08-03 | 2009-04-20 | Вадим Георгиевич Глебовский | Вольфрам-титановая мишень для магнетронного распыления и способ ее получения |
RU2454481C2 (ru) * | 2010-06-03 | 2012-06-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам-титан-кремний |
US20180105920A1 (en) * | 2015-05-13 | 2018-04-19 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Reactive sputtering method and method for producing laminate film |
US20180342378A1 (en) * | 2013-08-14 | 2018-11-29 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with backside cooling grooves |
-
2019
- 2019-02-07 RU RU2019103454A patent/RU2699702C1/ru active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2352684C1 (ru) * | 2007-08-03 | 2009-04-20 | Вадим Георгиевич Глебовский | Вольфрам-титановая мишень для магнетронного распыления и способ ее получения |
RU2454481C2 (ru) * | 2010-06-03 | 2012-06-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам-титан-кремний |
US20180342378A1 (en) * | 2013-08-14 | 2018-11-29 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target with backside cooling grooves |
US20180105920A1 (en) * | 2015-05-13 | 2018-04-19 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Reactive sputtering method and method for producing laminate film |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU201611U1 (ru) * | 2019-12-06 | 2020-12-23 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Распыляемый блок магнетрона для осаждения твердых композиционных пленок |
RU204777U1 (ru) * | 2021-01-29 | 2021-06-09 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Распыляемый блок магнетрона для осаждения композиционных пленок TixMoyCr1-x-yN |
RU207556U1 (ru) * | 2021-08-10 | 2021-11-01 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)» (СПбГЭТУ «ЛЭТИ») | Распыляемый узел магнетрона для осаждения пленки бинарного сплава FexNi1-x в диапазоне 0,23 < x < 0,27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2699702C1 (ru) | Распыляемый блок магнетрона для осаждения пленок твердых растворов TixW1-xO3 | |
Subrahmanyam et al. | Optical and electrochromic properties of oxygen sputtered tungsten oxide (WO3) thin films | |
Rougier et al. | Characterization of pulsed laser deposited WO3 thin films for electrochromic devices | |
KR920004846B1 (ko) | 마그네트론 스퍼터링 장치 및 방법 | |
Lu | Effects of oxygen contents on the electrochromic properties of tungsten oxide films prepared by reactive magnetron sputtering | |
Chen et al. | Bond and electrochromic properties of WO3 films deposited with horizontal DC, pulsed DC, and RF sputtering | |
Choi et al. | Low-temperature deposition of thermochromic VO2 thin films on glass substrates | |
US4258984A (en) | Iridium oxide based electrochromic devices | |
Liu et al. | Enhanced thermal stability of solar selective absorber based on nano-multilayered TiAlON films deposited by cathodic arc evaporation | |
Dillon et al. | Thermochromic VO2 sputtered by control of a vanadium-oxygen emission ratio | |
Ohsaki et al. | High rate deposition of TiO2 by DC sputtering of the TiO2− X target | |
Zuo et al. | Spectroscopic investigation on the near-substrate plasma characteristics of chromium HiPIMS in low density discharge mode | |
Madhuri et al. | Optical absorption studies on (V2O5) 1− x–(MoO3) x thin films | |
Bruns et al. | High rate deposition of mixed oxides by controlled reactive magnetron-sputtering from metallic targets | |
Kim et al. | Properties of WO3-x electrochromic thin film prepared by reactive sputtering with various post annealing temperatures | |
Azens et al. | Electrochromism of fluorinated and electron‐bombarded tungsten oxide films | |
Madhuri et al. | Physical investigations on electron beam evaporated V2O5–MoO3 thin films | |
Sarra-Bournet et al. | Low temperature growth of nanocrystalline TiO2 films with Ar/O2 low-field helicon plasma | |
RU2578336C2 (ru) | Улучшенный способ совместного распыления сплавов и соединений с использованием двойной с-mag конструкции катода и соответствующая установка | |
CN112162405B (zh) | 一种兼具非易失性、多结构色、多档位及高透射率对比度的谐振腔膜系及制备方法 | |
Rezek et al. | Synergy of experiment and model for reactive HiPIMS: effect of discharge parameters on WOx composition and deposition rate | |
Vlček et al. | Ion-flux characteristics during low-temperature (300° C) deposition of thermochromic VO2 films using controlled reactive HiPIMS | |
Ye et al. | Electrochromic properties of Ni (V) Ox films deposited via reactive magnetron sputtering with a 8V–92Ni alloy target | |
Choi et al. | Oxidation potential control of VO 2 thin films by metal oxide co-sputtering | |
Sarma et al. | Role of ion energy on growth and optical dispersion of nanocrystalline TiO2 films prepared by magnetron sputtering with ion assistance at the substrate |