RU2074451C1 - Method for generation of beam of negative ions of fullers and/or their compounds - Google Patents
Method for generation of beam of negative ions of fullers and/or their compounds Download PDFInfo
- Publication number
- RU2074451C1 RU2074451C1 RU94008314A RU94008314A RU2074451C1 RU 2074451 C1 RU2074451 C1 RU 2074451C1 RU 94008314 A RU94008314 A RU 94008314A RU 94008314 A RU94008314 A RU 94008314A RU 2074451 C1 RU2074451 C1 RU 2074451C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cell
- external
- fullerenes
- effusion
- derivatives
- Prior art date
Links
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к плазменной технике, в частности к способам получения отрицательных многоатомных ионов. The invention relates to a plasma technique, in particular to methods for producing negative polyatomic ions.
Интенсивные пучки отрицательных ионов могут найти применение при химической ионизации в ионных двигателях, в ускорителях высоких энергий. Intense beams of negative ions can be used in chemical ionization in ion engines and in high-energy accelerators.
Общий подход к получению отрицательных ионов состоит в поверхностной ионизации веществ, при котором решаются сложные технические задачи. Известен способ получения пучка отрицательных ионов фуллеренов [1] в котором используются средства лазерной техники. Известен способ, являющийся наиболее близким аналогом лазерная ионизация посредством воздействия на рабочее вещество лазерного излучения [2]
Недостатками указанных способов являются, во-первых, наличие фрагментации молекул фуллеренов, вызванной лазерным воздействием, во-вторых, необходимость последующей термолизации, и, в-третьих, высокая стоимость оборудования для проведения лазерной ионизации.A general approach to the production of negative ions is the surface ionization of substances, in which complex technical problems are solved. A known method of producing a beam of negative fullerene ions [1] which uses laser technology. The known method, which is the closest analogue to laser ionization by exposing the working substance to laser radiation [2]
The disadvantages of these methods are, firstly, the presence of fragmentation of fullerene molecules caused by laser exposure, secondly, the need for subsequent thermolization, and thirdly, the high cost of equipment for laser ionization.
Задачей настоящего изобретения является создание способа получения пучка отрицательных ионов фуллеренов и/или их производных, свободного от указанных недостатков. The present invention is to provide a method for producing a beam of negative ions of fullerenes and / or their derivatives, free of these disadvantages.
Техническим результатом предложенного изобретения является исключение фрагментации молекул фуллеренов и/или их производных и получение интенсивного пучка ионов с равновесным составом. Кроме того, заявленный способ может быть осуществлен на оборудовании, стоимость которого значительно меньше оборудования для реализации методов лазерной ионизации. The technical result of the proposed invention is the elimination of fragmentation of fullerene molecules and / or their derivatives and obtaining an intense ion beam with an equilibrium composition. In addition, the claimed method can be implemented on equipment, the cost of which is significantly less than the equipment for the implementation of laser ionization methods.
Сущность изобретения заключается в следующем: используют две эффузионные ячейки, одна из которых (внутренняя ячейка) помещена в другую (внешнюю ячейку). Испарение фуллеренов и/или их производных осуществляют через эффузионное отверстие внутренней ячейки, в которую помещают соответствующие вещества в твердом состоянии. Ионизацию пара с последующим извлечением из него отрицательных ионов с помощью электростатического поля для формирования пучка ионов проводят при контакте пара с внутренней поверхностью внешней ячейки, причем во внешнюю ячейку предварительно помещаются вещества или ихсмесь, понижающие работу выхода электрона внутренней поверхности ячейки. Внутренняя ячейка изолирует твердую фазу фуллеренов и/или их производных от контакт с поверхностью внешней ячейки, вследствие чего при нагревании внешней ячейки, а вместе с ней автоматически и внутренней, в полости внешней ячейки образуется недонасыщенный пар фуллеренов. Это дает возможность поднимать температуру ячеек до значений, при которых поверхностная ионизация становится эффективной (выше 650 К). Верхний предел температуры определяется условием эффузионного истечения пара из внешней ячейки (в типичном случае общее давление пара во внешней ячейке не должно превышать 100 Па). Вся система (поверхность ячеек, твердая фаза фуллеренов и пар) находится в состоянии термодинамического равновесия, обеспечивая тем самым равновесность состава пара, в том числе и его ионной компоненты. The essence of the invention is as follows: two effusion cells are used, one of which (the inner cell) is placed in the other (the outer cell). The evaporation of fullerenes and / or their derivatives is carried out through the effusion hole of the inner cell into which the corresponding substances are placed in the solid state. Ionization of the vapor, followed by extraction of negative ions from it using an electrostatic field to form an ion beam, is carried out upon contact of the vapor with the inner surface of the outer cell, and substances or their mixture are preliminarily placed in the outer cell, which reduce the electron work function of the inner surface of the cell. The inner cell isolates the solid phase of fullerenes and / or their derivatives from contact with the surface of the outer cell; as a result, when the outer cell is heated, and together with it automatically and the inner one, an undersaturated fullerene vapor is formed in the cavity of the outer cell. This makes it possible to raise the cell temperature to values at which surface ionization becomes effective (above 650 K). The upper temperature limit is determined by the condition of effusive steam outflow from the outer cell (in a typical case, the total vapor pressure in the outer cell should not exceed 100 Pa). The entire system (cell surface, solid phase of fullerenes and pairs) is in a state of thermodynamic equilibrium, thereby ensuring the equilibrium of the composition of the vapor, including its ionic component.
На чертеже представлена схема устройства для реализации способа, где изображены: 1 внутренняя ячейка, 2 внешняя ячейка, 3 рабочее вещество (фуллерены и/или их производные), 4 вещество или смесь веществ, понижающих работу выхода. The drawing shows a diagram of a device for implementing the method, which shows: 1 inner cell, 2 outer cell, 3 working substance (fullerenes and / or their derivatives), 4 substance or mixture of substances that lower the work function.
В качестве веществ, понижающих работу выхода внутренней поверхности внешней эффузионной ячейки можно использовать галогениды щелочных металлов. As substances that lower the work function of the inner surface of the outer effusion cell, alkali metal halides can be used.
Пример 1. Т=800 К. Смесь AlF3 KF состава 25:75 мол. помещается во внешнюю эффузионную ячейку, выполненную из никеля. Во внутренней никелевой ячейке находится рабочая смесь фуллеренов С60, С70, С76, С78, С84. Плотность пучка отрицательных ионов составила 4 10-8 А/см2.Example 1. T = 800 K. A mixture of AlF 3 KF composition of 25:75 mol. placed in an external effusion cell made of nickel. In the inner nickel cell is a working mixture of fullerenes C60, C70, C76, C78, C84. The density of the beam of negative ions was 4 10 -8 A / cm 2 .
Пример 2. Т=850 К. Смесь AlF3 KF состава 25:75 мол. помещается во внешнюю никелевую эффузионную ячейку. Во внутреннюю ячейку помещено рабочее вещество Cn (n=60, 70, 76, 78, 84). Плотность пучка отрицательных ионов составила 3•10-7 А/см2.Example 2. T = 850 K. A mixture of AlF 3 KF composition of 25:75 mol. placed in an external nickel effusion cell. The working substance Cn (n = 60, 70, 76, 78, 84) is placed in the inner cell. The density of the negative ion beam was 3 • 10 -7 A / cm 2 .
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с известным позволяет добиться увеличения плотности пучков отрицательных ионов фуллеренов и/или их производных и поддерживать стабильность получения пучков многоатомных ионов за счет исключения фрагментации многатомных молекул и получения пучка ионов с равновесным составом. Кроме того, способ может быть реализован на сравнительно дорогом оборудовании. Thus, the proposed method, in comparison with the known method, allows to increase the density of the beams of negative fullerene ions and / or their derivatives and to maintain the stability of the production of polyatomic ion beams by eliminating fragmentation of polyatomic molecules and obtaining an ion beam with an equilibrium composition. In addition, the method can be implemented on relatively expensive equipment.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU94008314A RU2074451C1 (en) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | Method for generation of beam of negative ions of fullers and/or their compounds |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU94008314A RU2074451C1 (en) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | Method for generation of beam of negative ions of fullers and/or their compounds |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU94008314A RU94008314A (en) | 1995-10-27 |
RU2074451C1 true RU2074451C1 (en) | 1997-02-27 |
Family
ID=20153396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU94008314A RU2074451C1 (en) | 1994-03-11 | 1994-03-11 | Method for generation of beam of negative ions of fullers and/or their compounds |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2074451C1 (en) |
-
1994
- 1994-03-11 RU RU94008314A patent/RU2074451C1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
P.A.Limbach et al. Observation of the dously charged gas-phase fullereus anions J. Am. Chem. Soc. 1991, 113, 6795-98. G. Vlmer et.al. Mass spectrometric investigations of purified laboratory-produced C 60 / C 70 . Chem. Phys. Lett., 1991, 182, 114-19. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2748213B2 (en) | Plasma film forming equipment | |
JPH0614518B2 (en) | Surface reaction control method | |
RU2074451C1 (en) | Method for generation of beam of negative ions of fullers and/or their compounds | |
JP2000268741A (en) | Carbon atom cluster ion generating device and carbon atom cluster ion generating method | |
JPS57131373A (en) | Plasma etching device | |
JP3251011B2 (en) | Dry etching method | |
JPS5689835A (en) | Vapor phase growth apparatus | |
JPS5812339B2 (en) | Ion etching method | |
JPS63205033A (en) | Manufacture of liquid metal ion source | |
JPH0115120Y2 (en) | ||
JPS5674836A (en) | Production of magnetic recording medium | |
JPS60262964A (en) | Device for vapor-depositing compound thin film | |
Petravić et al. | Desorption of positive and negative fluorine ions from BaF2 surfaces by core level excitation under electron bombardment | |
SU818365A1 (en) | Method for producing negative hydrogen ions | |
DD146625A1 (en) | DEVICE FOR ION-PROTECTED COATING AND IONING OF SUBSTRATES | |
JPH04110463A (en) | Thin film forming device | |
JPH03271110A (en) | Method and equipment for production of pure material | |
JPH01246756A (en) | Ion source device | |
JPH01319925A (en) | Manufacture of electrolytic capacitor | |
JPH01258352A (en) | Ion implantation method for semiconductor substrate | |
JPH01176072A (en) | Ion plating device | |
JPS6096757A (en) | Thin film vapor deposition apparatus | |
JPS60208038A (en) | Ion beam generator | |
JPH03265506A (en) | Formation of thin compound film | |
JPS6311560U (en) |