RU2072728C1

RU2072728C1 - INTEGRAL SILICON TENZOAXELEROMETER

Info

Publication number: RU2072728C1
Application number: RU94006873/28A
Authority: RU
Inventors: Н.А. Шелепин; Р.С. Брехов
Original assignee: Закрытое акционерное общество "Инновационный центр новых технологий"
Priority date: 1994-02-24
Filing date: 1994-02-24
Publication date: 1997-01-27

Abstract

1. Интегральный кремниевый тензоакселерометр, содержащий выполненные из единой монокристаллической кремниевой подложки с рабочими поверхностями в одной плоскости основание, закрепленное в корпусе, инерционную массу и соединяющий их концентратор механических напряжений, толщина которого меньше толщины основания, на рабочей поверхности концентратора механических напряжений в монокристалле расположены диффузионные тензорезисторы, соединенные металлизацией в мостовую измерительную схему, узлы которой выведены на расположенные на основании контактные площадки, отличающийся тем, что на кремниевой инерционной массе размещен дополнительный груз, масса которого больше кремниевой инерционной массы, при этом общий центр тяжести кремниевой инерционной массы и дополнительного груза равноудален от плоскостей рабочей и противоположной ей нерабочей поверхностей концентратора.2. Тензоакселерометр по п.1, отличающийся тем, что дополнительный груз выполнен из материала, температурный коэффициент расширения которого отличается от температурного коэффициента расширения кремния не более чем в 3 раза.3. Тензоакселерометр по п.1, отличающийся тем, что дополнительный груз соединен с инерционной массой со стороны нерабочей поверхности подложки.1. An integral silicon strain-accelerometer containing a base made of a single monocrystalline silicon substrate with working surfaces in one plane, fixed in the case, an inertial mass and a mechanical stress concentrator connecting them, the thickness of which is less than the thickness of the base, on the working surface of the mechanical stress concentrator in a single crystal there are diffusion strain gauges connected by metallization into a bridge measuring circuit, the nodes of which are brought out to contact pads located on the base, characterized in that an additional weight is placed on the silicon inertial mass, the mass of which is greater than the silicon inertial mass, while the common center of gravity of the silicon inertial mass and the additional weight is equidistant from the planes of the working and opposite non-working surfaces of the concentrator. 2. The tensile accelerometer according to claim 1, characterized in that the additional weight is made of a material, the temperature coefficient of expansion of which differs from the temperature coefficient of expansion of silicon by no more than 3 times. The tensile accelerometer according to claim 1, characterized in that the additional weight is connected to the inertial mass from the side of the non-working surface of the substrate.