RU2036779C1 - Способ получения алмазосодержащего материала - Google Patents

Способ получения алмазосодержащего материала Download PDF

Info

Publication number
RU2036779C1
RU2036779C1 RU92010562/08A RU92010562A RU2036779C1 RU 2036779 C1 RU2036779 C1 RU 2036779C1 RU 92010562/08 A RU92010562/08 A RU 92010562/08A RU 92010562 A RU92010562 A RU 92010562A RU 2036779 C1 RU2036779 C1 RU 2036779C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diamond
materials
silicon
obtaining
bearing material
Prior art date
Application number
RU92010562/08A
Other languages
English (en)
Other versions
RU92010562A (ru
Inventor
С.К. Гордеев
И.Н. Грань
С.Г. Жуков
А.В. Вартанова
С.С. Семенов
Original Assignee
Акционерное общество закрытого типа "Карбид"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество закрытого типа "Карбид" filed Critical Акционерное общество закрытого типа "Карбид"
Priority to RU92010562/08A priority Critical patent/RU2036779C1/ru
Publication of RU92010562A publication Critical patent/RU92010562A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2036779C1 publication Critical patent/RU2036779C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к получению новых материалов, а конкретно - сверхтвердых материалов. Способ состоит в пропитке сформованной из алмазного порошка заготовки жидким кремнием при температуре 1420 - 1700°С и давлении ниже 1000 мм рт. ст. Способ обеспечивает упрощение технологии получения алмазсодержащего материала и повышение производительности процесса. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

Description

Изобретение относится к получению новых материалов, а конкретно сверхтвердых материалов.
Алмазосодержащие поликристаллические материалы, в которых зерна алмаза связаны неметаллической тугоплавкой матрицей получают, как правило, путем спекания исходных алмазных зерен размером от 1 до ≈60 мкм в присутствии небольших добавок неметаллов. Из-за нестабильности алмаза и склонности его к графитации при температурах выше ≈1300оС при низких давлениях, спекание, как правило, проводят в камерах высокого давления в условиях стабильности алмаза (или близких к ним), т. е. при давлениях выше 30 тыс. атмосфер. Условия проведения процесса позволяют получать материал относительно небольших размеров, а технология его получения довольно сложная и требует специального оборудования.
Известен способ получения поликристаллического алмазного материала путем спекания частиц алмаза размером 0,1-5 мк с предварительно нанесенным алмазно-графитовым покрытием толщиной 5-30 А при температурах 1200-1900оС и давлении 40-77 кбар. ((3-6)˙ 107 мм рт.ст.).
Недостатком способа является сложность отдельных стадий технологического процесса как нанесения алмазно-графитового покрытия столь малых толщин, так и собственно спекания, требующее сложного оборудования и имеющее низкую производительность.
Целью настоящего изобретения является упрощение технологии изготовления и повышение производительности процесса.
Поставленная цель достигается тем, что сформованную из алмазного порошка заготовку пропитывают жидким кремнием при температуре 1420-1700оС и давлении ниже 1000 мм рт.ст.
Пропитку при температуре ниже 1420оС осуществить не удается, так как при этих температурах кремний находится в твердом состоянии. Пропитку при температурах выше 1700оС проводить нецелесообразно, так как из-за протекающих процессов графитации алмаза образцы получаются рыхлыми и имеют дефекты. Проведение процесса при давлениях выше 1000 мм рт.ст. нецелесообразно из-за усложнения технологического оборудования.
Сущность предлагаемого технического решения состоит в следующем: из порошка алмаза предварительно формуют заготовку алмазосодержащего материала. При этом возможно использование временных связующих для облегчения процесса формования, например, таких как вода, этиловый спирт. После этого заготовку помещают в печь и пропитывают жидким кремнием при температуре 1420-1700оС и давлении ниже 1000 мм рт.ст. Следует обратить внимание, что в указанном интервале температур довольно быстро протекают процессы графитации алмаза, т.е. его превращения в графит. Однако, в случае пропитки кремнием по предлагаемому техническому решению большая доля алмаза не изменяет своего строения (не графитируется). Отсутствие графитовой фазы в образцах подтверждается рентгеноструктурным анализом. По-видимому, это связано с тем, что процесс графитации на начальных этапах протекает на поверхности зерен алмаза; образующийся в ходе графитации графитоподобный углерод бурно вступает в реакцию с кремнием, образуя слой карбида кремния, прочно связанного с поверхностью алмазного зерна. Карбидокремниевый слой, охватывающий зерно алмаза, имеет очень высокий модуль упругости (400-500 Па) и как бы "сдерживает" переход алмаз графит, требующий большого увеличения объема частицы, что в итоге приводит к возможности изготовления алмазосодержащего материала при низких давлениях в сочетании со столь необычными для изготовления алмазсодержащего материала температурами.
П р и м е р 1. Из алмазного порошка марки АСМ 3/2 формуют заготовки ⌀ 24 мм, высотой 3 мм. В качестве временного связующего при формовании используют этиловый спирт. Заготовки сушат на воздухе в течение 6 ч. Затем заготовки 100 шт помещают в печь, которую затем заполняют аргоном до давления 1000 мм рт.ст. Печь нагревают до 1420оС и сверху подают расплавленный кремний. После остывания печи извлекают полученный материал. Общее время обработки 1,5 ч. При исследовании образца материала ⌀ 10 мм на изнашивание на приборе ИМ-1 с помощью алмазного круга АЧК 150 х 20 х 32 А16В1 100% без СОЖ при нагрузке 1 кгс и V=20 м/с и времени испытания 15 с, износ образца составил 7 мкм/с.
П р и м е р ы 2, 3. Выполняли аналогично на различных количествах заготовок, отличия в осуществлении процесса и свойства полученных материалов представлены в таблице.
Применение предлагаемого технического решения по сравнению с прототипом обеспечивает следующие преимущества.
1. Предлагаемый способ обеспечивает повышение производительности получения алмазсодержащего материала в 15-30 раз и более.
2. Предлагаемый способ осуществляется проще прототипа, так как не требуется использование сложного оборудования камер сверхвысоких давлений и высоких температур, а также создания на поверхности зерен алмаза супертонких покрытий.

Claims (2)

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЛМАЗОСОДЕРЖАЩЕГО МАТЕРИАЛА, при котором при формообразовании заготовки зерна алмаза связывают неметаллическим материалом при температуре выше 1000oС, отличающийся тем, что в качестве неметаллического материала берут кремний, а связывание осуществляют пропиткой алмазных зерен кремнием при давлении ниже 1000 мм рт.ст.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что пропитку производят при 1420 - 1700oС.
RU92010562/08A 1992-12-08 1992-12-08 Способ получения алмазосодержащего материала RU2036779C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU92010562/08A RU2036779C1 (ru) 1992-12-08 1992-12-08 Способ получения алмазосодержащего материала

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU92010562/08A RU2036779C1 (ru) 1992-12-08 1992-12-08 Способ получения алмазосодержащего материала

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU92010562A RU92010562A (ru) 1995-01-27
RU2036779C1 true RU2036779C1 (ru) 1995-06-09

Family

ID=20133244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU92010562/08A RU2036779C1 (ru) 1992-12-08 1992-12-08 Способ получения алмазосодержащего материала

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2036779C1 (ru)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002042240A2 (en) 2000-11-21 2002-05-30 Skeleton Technologies Ag A heat conductive material
EP1253123A1 (en) 1997-09-05 2002-10-30 Frenton Limited Method of manufacturing a diamond-silicon carbide-silicon composite and a composite produced by this method
US6709747B1 (en) 1998-09-28 2004-03-23 Skeleton Technologies Ag Method of manufacturing a diamond composite and a composite produced by same
US8757472B2 (en) 2007-07-17 2014-06-24 David Patrick Egan Method for joining SiC-diamond
RU2566351C2 (ru) * 2013-11-07 2015-10-27 Общество с ограниченной ответственностью "Керамет-Пермь" Способ изготовления изделий из алмазосодержащих композиционных материалов
RU2731703C1 (ru) * 2019-11-15 2020-09-08 Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ЦНИИ КМ "Прометей") Композиционный материал
RU2732258C1 (ru) * 2019-12-19 2020-09-14 Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ЦНИИ КМ "Прометей") Способ получения композиционного материала
RU2759858C1 (ru) * 2020-12-25 2021-11-18 Государственное Научное Учреждение Институт Порошковой Металлургии Имени Академика О.В. Романа Способ получения износостойкого композиционного материала на основе карбида кремния

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР N 549935, кл. B 24D 3/02, опублик. 1983. *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1253123A1 (en) 1997-09-05 2002-10-30 Frenton Limited Method of manufacturing a diamond-silicon carbide-silicon composite and a composite produced by this method
US6709747B1 (en) 1998-09-28 2004-03-23 Skeleton Technologies Ag Method of manufacturing a diamond composite and a composite produced by same
US7008672B2 (en) 1998-09-28 2006-03-07 Skeleton Technologies Ag Method of manufacturing a diamond composite and a composite produced by same
WO2002042240A2 (en) 2000-11-21 2002-05-30 Skeleton Technologies Ag A heat conductive material
US8757472B2 (en) 2007-07-17 2014-06-24 David Patrick Egan Method for joining SiC-diamond
RU2566351C2 (ru) * 2013-11-07 2015-10-27 Общество с ограниченной ответственностью "Керамет-Пермь" Способ изготовления изделий из алмазосодержащих композиционных материалов
RU2731703C1 (ru) * 2019-11-15 2020-09-08 Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ЦНИИ КМ "Прометей") Композиционный материал
RU2732258C1 (ru) * 2019-12-19 2020-09-14 Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ЦНИИ КМ "Прометей") Способ получения композиционного материала
RU2759858C1 (ru) * 2020-12-25 2021-11-18 Государственное Научное Учреждение Институт Порошковой Металлургии Имени Академика О.В. Романа Способ получения износостойкого композиционного материала на основе карбида кремния

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4041117A (en) Silicon carbide sintered body
US4525461A (en) Sintered silicon carbide/graphite/carbon composite ceramic body having ultrafine grain microstructure
CA1334677C (en) Silicon carbide sintered body
EP2176191B1 (en) Method for producing an abrasive compact
US4354991A (en) Dense sintered silicon carbide ceramic
EP0368069B1 (en) Process for preparing polycrystalline cubic boron nitride ceramic masses
US6228293B1 (en) Process for producing a body having a porous matrix from at least one recrystallized material
CN109553419B (zh) 一种气压固相烧结碳化硼复相陶瓷及其制备方法
JPH0768066B2 (ja) 耐熱性複合体及びその製造方法
RU2036779C1 (ru) Способ получения алмазосодержащего материала
EP0698447B1 (en) Abrasive body
US4564601A (en) Shaped polycrystalline silicon carbide articles and isostatic hot-pressing process
EA001843B1 (ru) Способ изготовления абразивных зерен и абразивные зерна, изготовленные этим способом
GB2048953A (en) Sintering silicon carbide in boron containing atmosphere
US4455385A (en) Silicon carbide sintered body
RU2064399C1 (ru) Способ получения алмазосодержащего материала
JPH1017382A (ja) 炭化珪素成形体の製造方法
JPH06263516A (ja) 研磨用成形体
CN113979765B (zh) 一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法
US4843043A (en) Method for manufacturing a sintered body with high density
US4731349A (en) Process of producing alumina-titanium carbide ceramic body
US5139719A (en) Sintering process and novel ceramic material
RU2131805C1 (ru) Способ получения поликристаллического изделия
JPH0359033B2 (ru)
US5441764A (en) Method of manufacturing a compound body and the resulting body

Legal Events

Date Code Title Description
HK4A Changes in a published invention
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20071209