RU2024110608A - Детектор радиации и массив детекторов радиации - Google Patents

Детектор радиации и массив детекторов радиации Download PDF

Info

Publication number
RU2024110608A
RU2024110608A RU2024110608A RU2024110608A RU2024110608A RU 2024110608 A RU2024110608 A RU 2024110608A RU 2024110608 A RU2024110608 A RU 2024110608A RU 2024110608 A RU2024110608 A RU 2024110608A RU 2024110608 A RU2024110608 A RU 2024110608A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
radiation detector
scintillator
semiconductor substrate
substrate
detector according
Prior art date
Application number
RU2024110608A
Other languages
English (en)
Inventor
Сого КАМАКУРА
Хаято НИСИМИЯ
Синтаро КАМАДА
Original Assignee
Хамамацу Фотоникс К.К.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Хамамацу Фотоникс К.К. filed Critical Хамамацу Фотоникс К.К.
Publication of RU2024110608A publication Critical patent/RU2024110608A/ru

Links

Claims (95)

1. Детектор радиации, содержащий:
сцинтиллятор, включающий в себя пару торцевых поверхностей, противоположных друг другу в первом направлении, и одну боковую поверхность, соединяющую пару торцевых поверхностей;
полупроводниковый фотодетектор, включающий в себя полупроводниковую подложку, расположенную напротив этой одной боковой поверхности; и
элемент разводки, электрически соединенный с полупроводниковым фотодетектором, в котором
длина сцинтиллятора в первом направлении больше, чем длина сцинтиллятора во втором направлении, ортогональном к этой одной боковой поверхности,
длина одной боковой поверхности в первом направлении больше, чем ширина одной боковой поверхности в третьем направлении, ортогональном к первому направлению и второму направлению,
полупроводниковая подложка включает в себя первую часть, покрытую одной боковой поверхностью, и вторую часть, не покрытую одной боковой поверхностью,
причем первая часть и вторая часть располагаются в первом направлении,
полупроводниковый фотодетектор включает в себя область фотообнаружения, расположенную в первой части, и первый электрод и второй электрод, расположенные во второй части,
область фотообнаружения включает в себя множество лавинных фотодиодов, функционирующих в режиме Гейгера, и множество гасящих резисторов, электрически соединенных последовательно с одним из анода или катода соответствующего лавинного фотодиода из множества лавинных фотодиодов,
множество гасящих резисторов соединены параллельно с первым электродом,
другой из анода или катода каждого из множества лавинных фотодиодов соединен параллельно со вторым электродом, и
элемент разводки включает в себя проводник, электрически соединенный с первым электродом, и проводник, соединенный со вторым электродом.
2. Детектор радиации по п. 1, в котором сцинтиллятор имеет прямоугольную форму или треугольную форму, если смотреть в первом направлении.
3. Детектор радиации по п. 1 или 2, в котором пара торцевых поверхностей включает в себя одну торцевую поверхность, наклоненную относительно второго направления.
4. Детектор радиации по п. 1 или 2, в котором пара торцевых поверхностей включает в себя одну торцевую поверхность, проходящую во втором направлении, одна торцевая поверхность имеет форму треугольной волны в поперечном сечении.
5. Детектор радиации по п. 1 или 2, в котором пара торцевых поверхностей включает в себя одну торцевую поверхность, проходящую во втором направлении, и одна торцевая поверхность включает в себя шероховатую поверхность.
6. Детектор радиации по любому из пп. 1-5, в котором сцинтиллятор включает в себя другую боковую поверхность, имеющую форму треугольной волны в поперечном сечении, и другая боковая поверхность связывает пару торцевых поверхностей и является смежной с одной боковой поверхностью.
7. Детектор радиации по любому из пп. 1-5, в котором сцинтиллятор включает в себя другую боковую поверхность, которая включает в себя шероховатую поверхность, и другая боковая поверхность связывает пару торцевых поверхностей и является смежной с одной боковой поверхностью.
8. Детектор радиации по любому из пп. 1-7, в котором если смотреть во втором направлении, область фотообнаружения имеет форму контура, соответствующую форме контура одной боковой поверхности.
9. Детектор радиации по любому из пп. 1-8, дополнительно содержащий:
основу; а также первый провод и второй провод, в котором
основа расположена таким образом, что полупроводниковая подложка помещается между основой и сцинтиллятором, и включает в себя третью часть, покрытую полупроводниковой подложкой, и четвертую часть, не покрытую полупроводниковой подложкой,
третья часть и четвертая часть располагаются в первом направлении,
четвертая часть включает в себя первый контакт и второй контакт,
первый контакт и второй контакт и сцинтиллятор располагаются перед одной и той же поверхностью основы, и
первый контакт электрически соединен с первым электродом первым проводом, а второй контакт электрически соединен со вторым электродом вторым проводом.
10. Детектор радиации по п. 9, дополнительно содержащий смолу, покрывающую первый провод и второй провод.
11. Детектор радиации по любому из пп. 1-8, дополнительно содержащий светоотражатель, в котором светоотражатель располагается таким образом, что полупроводниковая подложка помещается между светоотражателем и сцинтиллятором.
12. Детектор радиации по п. 9 или 10, дополнительно содержащий светоотражатель, в котором светоотражатель располагается таким образом, что полупроводниковая подложка и основа помещаются между светоотражателем и сцинтиллятором.
13. Детектор радиации по любому из пп. 1-12, в котором элемент разводки располагается на той же самой боковой поверхности, что и сцинтиллятор, относительно полупроводниковой подложки.
14. Детектор радиации по любому из пп. 1-8 или 11, в котором по меньшей мере часть элемента разводки и сцинтиллятор располагаются перед одной и той же поверхностью полупроводниковой подложки.
15. Детектор радиации по любому из пп. 9, 10 или 12, в котором по меньшей мере часть элемента разводки и сцинтиллятор располагаются перед одной и той же поверхностью основы.
16. Детектор радиации по п. 11 или 12, в котором светоотражатель имеет толщину 0,05-100 мкм.
17. Детектор радиации по любому из пп. 1-16, в котором элемент разводки и полупроводниковая подложка обладают гибкостью, и гибкость элемента разводки является более высокой, чем гибкость полупроводниковой подложки.
18. Детектор радиации, содержащий:
сцинтиллятор, включающий в себя пару торцевых поверхностей, противоположных друг другу в первом направлении, первую боковую поверхность, соединяющую пару торцевых поверхностей, и вторую боковую поверхность, соединяющую пару торцевых поверхностей и смежную с первой боковой поверхностью;
первый полупроводниковый фотодетектор, включающий в себя первую полупроводниковую подложку, расположенную напротив первой боковой поверхности;
второй полупроводниковый фотодетектор, включающий в себя вторую полупроводниковую подложку, расположенную напротив второй боковой поверхности;
первый элемент разводки, электрически соединенный с первым полупроводниковым фотодетектором; и
второй элемент разводки, электрически соединенный со вторым полупроводниковым фотодетектором, причем
сцинтиллятор имеет прямоугольную форму, если смотреть в первом направлении,
длина сцинтиллятора в первом направлении больше, чем обе из длины сцинтиллятора во втором направлении, ортогональном первой боковой поверхности, и длины сцинтиллятора в третьем направлении, ортогональном второй боковой поверхности,
длина первой боковой поверхности в первом направлении больше, чем ширина первой боковой поверхности в третьем направлении,
длина второй боковой поверхности в первом направлении больше, чем ширина второй боковой поверхности во втором направлении,
каждая из первой полупроводниковой подложки и второй полупроводниковой подложки включает в себя первую часть, покрытую соответствующей боковой поверхностью первой боковой поверхности и второй боковой поверхности, и вторую часть, не покрытую соответствующей боковой поверхностью,
причем первая часть и вторая часть располагаются в первом направлении,
каждый из первого полупроводникового фотодетектора и второго полупроводникового фотодетектора включает в себя область фотообнаружения, расположенную в первой части, а также первый электрод и второй электрод, расположенные во второй части,
каждая из областей фотообнаружения включает в себя множество лавинных фотодиодов, функционирующих в режиме Гейгера, и множество гасящих резисторов, электрически соединенных последовательно с одним из анода или катода соответствующего лавинного фотодиода из множества лавинных фотодиодов,
множество гасящих резисторов соединены параллельно с первым электродом,
другой из анода или катода каждого из множества лавинных фотодиодов электрически соединен параллельно со вторым электродом, и
каждый из первого элемента разводки и второго элемента разводки включает в себя проводник, электрически соединенный с первым электродом, и проводник, соединенный со вторым электродом.
19. Детектор радиации по п. 18, в котором пара торцевых поверхностей включает в себя одну торцевую поверхность, наклоненную относительно второго направления.
20. Детектор радиации по п. 18 или 19, в котором пара торцевых поверхностей включает в себя одну торцевую поверхность, проходящую во втором направлении, и одна торцевая поверхность имеет форму треугольной волны в поперечном сечении.
21. Детектор радиации по п. 18 или 19, в котором пара торцевых поверхностей включает в себя одну торцевую поверхность, проходящую во втором направлении, и одна торцевая поверхность включает в себя шероховатую поверхность.
22. Детектор радиации по любому из пп. 18-21, в котором если смотреть во втором направлении, область фотообнаружения первой полупроводниковой подложки имеет форму контура, соответствующую форме контура первой боковой поверхности, и если смотреть в третьем направлении, область фотообнаружения второй полупроводниковой подложки имеет форму контура, соответствующую форме контура второй боковой поверхности.
23. Детектор радиации по любому из пп. 18-22, дополнительно содержащий:
первую основу и вторую основу; а также первый провод и второй провод, в котором
первая основа расположена таким образом, что первая полупроводниковая подложка помещается между первой основой и сцинтиллятором,
вторая основа расположена таким образом, что вторая полупроводниковая подложка помещается между соответствующей второй основой и сцинтиллятором,
первая основа включает в себя третью часть, покрытую первой полупроводниковой подложкой, и четвертую часть, не покрытую первой полупроводниковой подложкой, а вторая основа включает в себя третью часть, покрытую второй полупроводниковой подложкой, и четвертую часть, не покрытую второй полупроводниковой подложкой,
третья часть и четвертая часть располагаются в первом направлении,
каждая из четвертых частей включает в себя первый контакт и второй контакт,
первый контакт и сцинтиллятор располагаются перед той же самой поверхностью первой основы, а второй контакт и сцинтиллятор располагаются перед той же самой поверхностью второй основы, и
первый контакт электрически соединен с первым электродом первым проводом, а второй контакт электрически соединен со вторым электродом вторым проводом.
24. Детектор радиации по п. 23, дополнительно содержащий смолу, покрывающую первый провод и второй провод.
25. Детектор радиации по любому из пп. 18-22, дополнительно содержащий:
первый светоотражатель; и второй светоотражатель, в котором
первый светоотражатель располагается таким образом, что первая полупроводниковая подложка помещается между первым светоотражателем и сцинтиллятором, и
второй светоотражатель располагается таким образом, что вторая полупроводниковая подложка помещается между вторым светоотражателем и сцинтиллятором.
26. Детектор радиации по п. 23 или 24, дополнительно содержащий:
первый светоотражатель; и второй светоотражатель, в котором
первый светоотражатель располагается таким образом, что первая полупроводниковая подложка и первая основа помещаются между первым светоотражателем и сцинтиллятором, и
второй светоотражатель располагается таким образом, что вторая полупроводниковая подложка и вторая основа располагаются между вторым светоотражателем и сцинтиллятором.
27. Детектор радиации по любому из пп. 18-26, в котором первый элемент разводки располагается на той же самой боковой поверхности, что и сцинтиллятор, относительно первой полупроводниковой подложки, и второй элемент разводки располагается на той же самой боковой поверхности, что и сцинтиллятор, относительно второй полупроводниковой подложки.
28. Детектор радиации по любому из пп. 18-22 или 25, в котором по меньшей мере часть первого элемента разводки и сцинтиллятор располагаются перед одной и той же поверхностью первой полупроводниковой подложки, и по меньшей мере часть второго элемента разводки и сцинтиллятор располагаются перед одной и той же поверхностью второй полупроводниковой подложки.
29. Детектор радиации по любому из пп. 23, 24 или 26, в котором по меньшей мере часть первого элемента разводки и сцинтиллятор располагаются перед одной и той же поверхностью первой основы, и по меньшей мере часть второго элемента разводки и сцинтиллятор располагаются перед одной и той же поверхностью второй основы.
30. Детектор радиации по п. 25 или 26, в котором первый светоотражатель и второй светоотражатель имеют толщину 0,05-100 мкм.
31. Детектор радиации по любому из пп. 18-30, в котором
первый элемент разводки, второй элемент разводки, первая полупроводниковая подложка и вторая полупроводниковая подложка обладают гибкостью,
гибкость первого элемента разводки является более высокой, чем гибкость первой полупроводниковой подложки, и
гибкость второго элемента разводки является более высокой, чем гибкость второй полупроводниковой подложки.
32. Массив детекторов радиации, содержащий
множество детекторов радиации, двумерно расположенных в матрице, если смотреть в первом направлении, в котором
каждый из множества детекторов радиации представляет собой детектор радиации по любому из пп. 1-17, и
полупроводниковый фотодетектор одного из детекторов радиации располагается с полупроводниковым фотодетектором другого из детекторов радиации, смежных с этим одним детектором радиации, в направлении, параллельном одной боковой поверхности.
33. Массив детекторов радиации по п. 32, в котором
полупроводниковые фотодетекторы, смежные друг другу в направлении, параллельном одной боковой поверхности, формируются как единое целое.
34. Массив детекторов радиации, содержащий
множество детекторов радиации, двумерно расположенных в матрице, если смотреть в первом направлении, в котором
каждый из множества детекторов радиации представляет собой детектор радиации по любому из пп. 18-31,
первый полупроводниковый фотодетектор одного из детекторов радиации располагается так, чтобы быть смежным с первым полупроводниковым фотодетектором другого из детекторов радиации в третьем направлении, и
второй полупроводниковый фотодетектор одного детектора радиации располагается так, чтобы быть смежным со вторым полупроводниковым фотодетектором другого из детекторов радиации во втором направлении.
35. Массив детекторов радиации по п. 34, в котором первые полупроводниковые фотодетекторы, смежные друг с другом в третьем направлении, формируются как единое целое.
36. Массив детекторов радиации по п. 34 или 35, в котором вторые полупроводниковые фотодетекторы, смежные друг с другом во втором направлении, формируются как единое целое.
RU2024110608A 2021-09-22 2022-08-30 Детектор радиации и массив детекторов радиации RU2024110608A (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-154551 2021-09-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2024110608A true RU2024110608A (ru) 2024-05-03

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10700220B2 (en) Array of Geiger-mode avalanche photodiodes for detecting infrared radiation
US7301214B2 (en) Component of a radiation detector comprising a substrate with positioning structure for a photoelectric element array
JP6839712B2 (ja) 光検出装置
IL166777A (en) Photodiode array and radiation detector
KR20240013293A (ko) 태양 전지용 1차원 금속화
CN113167638B (zh) 光检测装置
WO2020121851A1 (ja) 光検出装置
JPWO2019165287A5 (ru)
RU2024110608A (ru) Детектор радиации и массив детекторов радиации
KR20190077313A (ko) 광 검출 장치
RU2024110609A (ru) Детектор радиации и массив детекторов радиации
JP7206489B2 (ja) 光学モジュール及び光学式エンコーダ
CN211858645U (zh) 光电传感器封装结构及包括该结构的激光雷达
US11901379B2 (en) Photodetector
CN114284307A (zh) 光敏元件、制作方法、感光芯片、光敏探测器和检测装置
WO2023047900A1 (ja) 放射線検出器及び放射線検出器アレイ
WO2023047899A1 (ja) 放射線検出器及び放射線検出器アレイ
CN115704905B (zh) 光电探测器及激光雷达
KR20150084328A (ko) 태양전지 모듈
CN115706175B (zh) 光电探测阵列、光电探测器、及激光雷达
CN115706176B (zh) 光电探测器、设备及存储介质
JP2572389B2 (ja) 高速応答光位置検出器
KR20150100144A (ko) 태양 전지 모듈
JPS58173871A (ja) 光起電力装置
JPS60244883A (ja) X線検出用の素子