RU2024110608A - Детектор радиации и массив детекторов радиации - Google Patents
Детектор радиации и массив детекторов радиации Download PDFInfo
- Publication number
- RU2024110608A RU2024110608A RU2024110608A RU2024110608A RU2024110608A RU 2024110608 A RU2024110608 A RU 2024110608A RU 2024110608 A RU2024110608 A RU 2024110608A RU 2024110608 A RU2024110608 A RU 2024110608A RU 2024110608 A RU2024110608 A RU 2024110608A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- radiation detector
- scintillator
- semiconductor substrate
- substrate
- detector according
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 50
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 2
Claims (95)
1. Детектор радиации, содержащий:
сцинтиллятор, включающий в себя пару торцевых поверхностей, противоположных друг другу в первом направлении, и одну боковую поверхность, соединяющую пару торцевых поверхностей;
полупроводниковый фотодетектор, включающий в себя полупроводниковую подложку, расположенную напротив этой одной боковой поверхности; и
элемент разводки, электрически соединенный с полупроводниковым фотодетектором, в котором
длина сцинтиллятора в первом направлении больше, чем длина сцинтиллятора во втором направлении, ортогональном к этой одной боковой поверхности,
длина одной боковой поверхности в первом направлении больше, чем ширина одной боковой поверхности в третьем направлении, ортогональном к первому направлению и второму направлению,
полупроводниковая подложка включает в себя первую часть, покрытую одной боковой поверхностью, и вторую часть, не покрытую одной боковой поверхностью,
причем первая часть и вторая часть располагаются в первом направлении,
полупроводниковый фотодетектор включает в себя область фотообнаружения, расположенную в первой части, и первый электрод и второй электрод, расположенные во второй части,
область фотообнаружения включает в себя множество лавинных фотодиодов, функционирующих в режиме Гейгера, и множество гасящих резисторов, электрически соединенных последовательно с одним из анода или катода соответствующего лавинного фотодиода из множества лавинных фотодиодов,
множество гасящих резисторов соединены параллельно с первым электродом,
другой из анода или катода каждого из множества лавинных фотодиодов соединен параллельно со вторым электродом, и
элемент разводки включает в себя проводник, электрически соединенный с первым электродом, и проводник, соединенный со вторым электродом.
2. Детектор радиации по п. 1, в котором сцинтиллятор имеет прямоугольную форму или треугольную форму, если смотреть в первом направлении.
3. Детектор радиации по п. 1 или 2, в котором пара торцевых поверхностей включает в себя одну торцевую поверхность, наклоненную относительно второго направления.
4. Детектор радиации по п. 1 или 2, в котором пара торцевых поверхностей включает в себя одну торцевую поверхность, проходящую во втором направлении, одна торцевая поверхность имеет форму треугольной волны в поперечном сечении.
5. Детектор радиации по п. 1 или 2, в котором пара торцевых поверхностей включает в себя одну торцевую поверхность, проходящую во втором направлении, и одна торцевая поверхность включает в себя шероховатую поверхность.
6. Детектор радиации по любому из пп. 1-5, в котором сцинтиллятор включает в себя другую боковую поверхность, имеющую форму треугольной волны в поперечном сечении, и другая боковая поверхность связывает пару торцевых поверхностей и является смежной с одной боковой поверхностью.
7. Детектор радиации по любому из пп. 1-5, в котором сцинтиллятор включает в себя другую боковую поверхность, которая включает в себя шероховатую поверхность, и другая боковая поверхность связывает пару торцевых поверхностей и является смежной с одной боковой поверхностью.
8. Детектор радиации по любому из пп. 1-7, в котором если смотреть во втором направлении, область фотообнаружения имеет форму контура, соответствующую форме контура одной боковой поверхности.
9. Детектор радиации по любому из пп. 1-8, дополнительно содержащий:
основу; а также первый провод и второй провод, в котором
основа расположена таким образом, что полупроводниковая подложка помещается между основой и сцинтиллятором, и включает в себя третью часть, покрытую полупроводниковой подложкой, и четвертую часть, не покрытую полупроводниковой подложкой,
третья часть и четвертая часть располагаются в первом направлении,
четвертая часть включает в себя первый контакт и второй контакт,
первый контакт и второй контакт и сцинтиллятор располагаются перед одной и той же поверхностью основы, и
первый контакт электрически соединен с первым электродом первым проводом, а второй контакт электрически соединен со вторым электродом вторым проводом.
10. Детектор радиации по п. 9, дополнительно содержащий смолу, покрывающую первый провод и второй провод.
11. Детектор радиации по любому из пп. 1-8, дополнительно содержащий светоотражатель, в котором светоотражатель располагается таким образом, что полупроводниковая подложка помещается между светоотражателем и сцинтиллятором.
12. Детектор радиации по п. 9 или 10, дополнительно содержащий светоотражатель, в котором светоотражатель располагается таким образом, что полупроводниковая подложка и основа помещаются между светоотражателем и сцинтиллятором.
13. Детектор радиации по любому из пп. 1-12, в котором элемент разводки располагается на той же самой боковой поверхности, что и сцинтиллятор, относительно полупроводниковой подложки.
14. Детектор радиации по любому из пп. 1-8 или 11, в котором по меньшей мере часть элемента разводки и сцинтиллятор располагаются перед одной и той же поверхностью полупроводниковой подложки.
15. Детектор радиации по любому из пп. 9, 10 или 12, в котором по меньшей мере часть элемента разводки и сцинтиллятор располагаются перед одной и той же поверхностью основы.
16. Детектор радиации по п. 11 или 12, в котором светоотражатель имеет толщину 0,05-100 мкм.
17. Детектор радиации по любому из пп. 1-16, в котором элемент разводки и полупроводниковая подложка обладают гибкостью, и гибкость элемента разводки является более высокой, чем гибкость полупроводниковой подложки.
18. Детектор радиации, содержащий:
сцинтиллятор, включающий в себя пару торцевых поверхностей, противоположных друг другу в первом направлении, первую боковую поверхность, соединяющую пару торцевых поверхностей, и вторую боковую поверхность, соединяющую пару торцевых поверхностей и смежную с первой боковой поверхностью;
первый полупроводниковый фотодетектор, включающий в себя первую полупроводниковую подложку, расположенную напротив первой боковой поверхности;
второй полупроводниковый фотодетектор, включающий в себя вторую полупроводниковую подложку, расположенную напротив второй боковой поверхности;
первый элемент разводки, электрически соединенный с первым полупроводниковым фотодетектором; и
второй элемент разводки, электрически соединенный со вторым полупроводниковым фотодетектором, причем
сцинтиллятор имеет прямоугольную форму, если смотреть в первом направлении,
длина сцинтиллятора в первом направлении больше, чем обе из длины сцинтиллятора во втором направлении, ортогональном первой боковой поверхности, и длины сцинтиллятора в третьем направлении, ортогональном второй боковой поверхности,
длина первой боковой поверхности в первом направлении больше, чем ширина первой боковой поверхности в третьем направлении,
длина второй боковой поверхности в первом направлении больше, чем ширина второй боковой поверхности во втором направлении,
каждая из первой полупроводниковой подложки и второй полупроводниковой подложки включает в себя первую часть, покрытую соответствующей боковой поверхностью первой боковой поверхности и второй боковой поверхности, и вторую часть, не покрытую соответствующей боковой поверхностью,
причем первая часть и вторая часть располагаются в первом направлении,
каждый из первого полупроводникового фотодетектора и второго полупроводникового фотодетектора включает в себя область фотообнаружения, расположенную в первой части, а также первый электрод и второй электрод, расположенные во второй части,
каждая из областей фотообнаружения включает в себя множество лавинных фотодиодов, функционирующих в режиме Гейгера, и множество гасящих резисторов, электрически соединенных последовательно с одним из анода или катода соответствующего лавинного фотодиода из множества лавинных фотодиодов,
множество гасящих резисторов соединены параллельно с первым электродом,
другой из анода или катода каждого из множества лавинных фотодиодов электрически соединен параллельно со вторым электродом, и
каждый из первого элемента разводки и второго элемента разводки включает в себя проводник, электрически соединенный с первым электродом, и проводник, соединенный со вторым электродом.
19. Детектор радиации по п. 18, в котором пара торцевых поверхностей включает в себя одну торцевую поверхность, наклоненную относительно второго направления.
20. Детектор радиации по п. 18 или 19, в котором пара торцевых поверхностей включает в себя одну торцевую поверхность, проходящую во втором направлении, и одна торцевая поверхность имеет форму треугольной волны в поперечном сечении.
21. Детектор радиации по п. 18 или 19, в котором пара торцевых поверхностей включает в себя одну торцевую поверхность, проходящую во втором направлении, и одна торцевая поверхность включает в себя шероховатую поверхность.
22. Детектор радиации по любому из пп. 18-21, в котором если смотреть во втором направлении, область фотообнаружения первой полупроводниковой подложки имеет форму контура, соответствующую форме контура первой боковой поверхности, и если смотреть в третьем направлении, область фотообнаружения второй полупроводниковой подложки имеет форму контура, соответствующую форме контура второй боковой поверхности.
23. Детектор радиации по любому из пп. 18-22, дополнительно содержащий:
первую основу и вторую основу; а также первый провод и второй провод, в котором
первая основа расположена таким образом, что первая полупроводниковая подложка помещается между первой основой и сцинтиллятором,
вторая основа расположена таким образом, что вторая полупроводниковая подложка помещается между соответствующей второй основой и сцинтиллятором,
первая основа включает в себя третью часть, покрытую первой полупроводниковой подложкой, и четвертую часть, не покрытую первой полупроводниковой подложкой, а вторая основа включает в себя третью часть, покрытую второй полупроводниковой подложкой, и четвертую часть, не покрытую второй полупроводниковой подложкой,
третья часть и четвертая часть располагаются в первом направлении,
каждая из четвертых частей включает в себя первый контакт и второй контакт,
первый контакт и сцинтиллятор располагаются перед той же самой поверхностью первой основы, а второй контакт и сцинтиллятор располагаются перед той же самой поверхностью второй основы, и
первый контакт электрически соединен с первым электродом первым проводом, а второй контакт электрически соединен со вторым электродом вторым проводом.
24. Детектор радиации по п. 23, дополнительно содержащий смолу, покрывающую первый провод и второй провод.
25. Детектор радиации по любому из пп. 18-22, дополнительно содержащий:
первый светоотражатель; и второй светоотражатель, в котором
первый светоотражатель располагается таким образом, что первая полупроводниковая подложка помещается между первым светоотражателем и сцинтиллятором, и
второй светоотражатель располагается таким образом, что вторая полупроводниковая подложка помещается между вторым светоотражателем и сцинтиллятором.
26. Детектор радиации по п. 23 или 24, дополнительно содержащий:
первый светоотражатель; и второй светоотражатель, в котором
первый светоотражатель располагается таким образом, что первая полупроводниковая подложка и первая основа помещаются между первым светоотражателем и сцинтиллятором, и
второй светоотражатель располагается таким образом, что вторая полупроводниковая подложка и вторая основа располагаются между вторым светоотражателем и сцинтиллятором.
27. Детектор радиации по любому из пп. 18-26, в котором первый элемент разводки располагается на той же самой боковой поверхности, что и сцинтиллятор, относительно первой полупроводниковой подложки, и второй элемент разводки располагается на той же самой боковой поверхности, что и сцинтиллятор, относительно второй полупроводниковой подложки.
28. Детектор радиации по любому из пп. 18-22 или 25, в котором по меньшей мере часть первого элемента разводки и сцинтиллятор располагаются перед одной и той же поверхностью первой полупроводниковой подложки, и по меньшей мере часть второго элемента разводки и сцинтиллятор располагаются перед одной и той же поверхностью второй полупроводниковой подложки.
29. Детектор радиации по любому из пп. 23, 24 или 26, в котором по меньшей мере часть первого элемента разводки и сцинтиллятор располагаются перед одной и той же поверхностью первой основы, и по меньшей мере часть второго элемента разводки и сцинтиллятор располагаются перед одной и той же поверхностью второй основы.
30. Детектор радиации по п. 25 или 26, в котором первый светоотражатель и второй светоотражатель имеют толщину 0,05-100 мкм.
31. Детектор радиации по любому из пп. 18-30, в котором
первый элемент разводки, второй элемент разводки, первая полупроводниковая подложка и вторая полупроводниковая подложка обладают гибкостью,
гибкость первого элемента разводки является более высокой, чем гибкость первой полупроводниковой подложки, и
гибкость второго элемента разводки является более высокой, чем гибкость второй полупроводниковой подложки.
32. Массив детекторов радиации, содержащий
множество детекторов радиации, двумерно расположенных в матрице, если смотреть в первом направлении, в котором
каждый из множества детекторов радиации представляет собой детектор радиации по любому из пп. 1-17, и
полупроводниковый фотодетектор одного из детекторов радиации располагается с полупроводниковым фотодетектором другого из детекторов радиации, смежных с этим одним детектором радиации, в направлении, параллельном одной боковой поверхности.
33. Массив детекторов радиации по п. 32, в котором
полупроводниковые фотодетекторы, смежные друг другу в направлении, параллельном одной боковой поверхности, формируются как единое целое.
34. Массив детекторов радиации, содержащий
множество детекторов радиации, двумерно расположенных в матрице, если смотреть в первом направлении, в котором
каждый из множества детекторов радиации представляет собой детектор радиации по любому из пп. 18-31,
первый полупроводниковый фотодетектор одного из детекторов радиации располагается так, чтобы быть смежным с первым полупроводниковым фотодетектором другого из детекторов радиации в третьем направлении, и
второй полупроводниковый фотодетектор одного детектора радиации располагается так, чтобы быть смежным со вторым полупроводниковым фотодетектором другого из детекторов радиации во втором направлении.
35. Массив детекторов радиации по п. 34, в котором первые полупроводниковые фотодетекторы, смежные друг с другом в третьем направлении, формируются как единое целое.
36. Массив детекторов радиации по п. 34 или 35, в котором вторые полупроводниковые фотодетекторы, смежные друг с другом во втором направлении, формируются как единое целое.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021-154551 | 2021-09-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2024110608A true RU2024110608A (ru) | 2024-05-03 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10700220B2 (en) | Array of Geiger-mode avalanche photodiodes for detecting infrared radiation | |
US7301214B2 (en) | Component of a radiation detector comprising a substrate with positioning structure for a photoelectric element array | |
JP6839712B2 (ja) | 光検出装置 | |
IL166777A (en) | Photodiode array and radiation detector | |
KR20240013293A (ko) | 태양 전지용 1차원 금속화 | |
CN113167638B (zh) | 光检测装置 | |
WO2020121851A1 (ja) | 光検出装置 | |
JPWO2019165287A5 (ru) | ||
RU2024110608A (ru) | Детектор радиации и массив детекторов радиации | |
KR20190077313A (ko) | 광 검출 장치 | |
RU2024110609A (ru) | Детектор радиации и массив детекторов радиации | |
JP7206489B2 (ja) | 光学モジュール及び光学式エンコーダ | |
CN211858645U (zh) | 光电传感器封装结构及包括该结构的激光雷达 | |
US11901379B2 (en) | Photodetector | |
CN114284307A (zh) | 光敏元件、制作方法、感光芯片、光敏探测器和检测装置 | |
WO2023047900A1 (ja) | 放射線検出器及び放射線検出器アレイ | |
WO2023047899A1 (ja) | 放射線検出器及び放射線検出器アレイ | |
CN115704905B (zh) | 光电探测器及激光雷达 | |
KR20150084328A (ko) | 태양전지 모듈 | |
CN115706175B (zh) | 光电探测阵列、光电探测器、及激光雷达 | |
CN115706176B (zh) | 光电探测器、设备及存储介质 | |
JP2572389B2 (ja) | 高速応答光位置検出器 | |
KR20150100144A (ko) | 태양 전지 모듈 | |
JPS58173871A (ja) | 光起電力装置 | |
JPS60244883A (ja) | X線検出用の素子 |