KR20150100144A - 태양 전지 모듈 - Google Patents

Abstract

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.
본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 반도체 기판, 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 위치하는 복수의 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및 제1 태양 전지와 제2 태양 전지를 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터;를 포함하고, 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지 각각에서 반도체 기판의 측면에는 절연성 재질의 반사부가 형성된다.

Description

태양 전지 모듈{SOLAR CELL MODULE}

본 발명은 태양 전지 모듈에 관한 것이다.

일반적인 태양 전지는 p형과 n형처럼 서로 다른 도전성 타입(conductive type)의 반도체로 이루어진 기판(substrate) 및 에미터부(emitter), 그리고 기판과 에미터부에 각각 연결된 전극을 구비한다. 이때, 기판과 에미터부의 계면에는 p-n 접합이 형성되어 있다.

특히, 태양전지의 효율을 높이기 위해 실리콘 기판의 수광면에 전극을 형성하지 않고, 실리콘 기판의 이면 만으로 n 전극 및 p 전극을 형성한 이면 전극 형 태양 전지 셀에 대한 연구 개발이 진행되고 있다. 이와 같은 이면 전극 형 태양전지 셀을 복수 개 연결하여 전기적으로 접속하는 모듈화 기술도 진행되고 있다.

상기 모듈과 기술에는 복수 개의 태양전지 셀을 금속 인터커넥터로 전기적으로 연결하는 방법과, 미리 배선이 형성된 배선기판을 이용해 전기적으로 연결하는 방법이 대표적이다.

본 발명은 태양 전지 모듈을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 일례는 반도체 기판, 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 위치하는 복수의 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및 제1 태양 전지와 제2 태양 전지를 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터;를 포함하고, 제1 태양 전지 및 제2 태양 전지 각각에서 반도체 기판의 측면에는 절연성 재질의 반사부가 형성된다.

여기서, 제1 태양 전지의 반도체 기판의 측면에 형성된 반사부는 제2 태양 전지의 반도체 기판의 측면에 형성된 반사부와 이격될 수 있다.

아울러, 태양 전지 모듈은 제1, 2 태양 전지의 전면에 배치되는 전면 유리 기판; 및 제1, 2 태양 전지와 전면 유리 기판 사이에 배치되는 제1 봉지재;를 더 포함하고, 반사부의 굴절률은 제1 봉지재의 굴절률과 다를 수 있다.

또한, 반사부는 티타늄 옥사이드(TiO2) 및 흰색 형광체 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

또한, 제1, 2 태양 전지 각각은 복수의 제1 전극에 접속하는 제1 보조 전극과 복수의 제2 전극에 접속하는 제2 보조 전극을 더 포함할 수 있다.

이와 같은 경우, 제1, 2 태양 전지 각각에서 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극의 일부분은 반도체 기판 밖으로 노출될 수 있다.

이때, 인터커넥터는 반도체 기판 밖으로 노출되는 제1 보조 전극 또는 제2 보조 전극의 전면에 접속되되, 인터커넥터와 제1, 2 태양 전지 각각에 포함되는 반도체 기판의 측면 사이는 서로 이격될 수 있다.

아울러, 반사부는 인터커넥터와 반도체 기판의 측면 사이의 이격된 공간에 위치할 수 있다.

또한, 인터커넥터는 제1, 2 태양 전지 각각에 포함되는 제1 보조 전극 또는 제2 보조 전극의 후면에 접속될 수도 있다. 이때, 반사부는 제1, 2 태양 전지 반도체 기판 밖으로 노출되는 제1 보조 전극 또는 제2 보조 전극의 전면 전체 위에 형성될 수 있다.

또한, 제1, 2 태양 전지 각각은 전면에 제1 보조 전극 및 제2 보조 전극을 구비하는 절연성 부재를 더 포함하고, 반도체 기판과 절연성 부재가 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자를 형성될 수 있다.

이때, 제1, 2 태양 전지 각각에서 제1 보조 전극은 제1 전극과 연결되는 제1 접속부와 일단이 제1 접속부의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터와 접속되는 제1 패드부를 포함하고, 제2 보조 전극은 제2 전극과 연결되는 제2 접속부와 일단이 제2 접속부의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터와 접속되는 제2 패드부를 포함할 수 있다.

이때, 인터커넥터는 제1 패드부 또는 제2 패드부 각각의 전면 위에 반도체 기판과 이격되어 접속될 수 있다.

아울러, 반사부는 제1 패드부 또는 제2 패드부 각각의 전면 영역 중에서 반도체 기판과 인터커넥터 사이의 이격된 공간에 위치할 수 있다.

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 반사부를 구비함으로써 태양 전지 모듈의 광학적 이득을 보다 증가시킬 수 있으며, 아울러, 반도체 기판과 인터커넥터가 단락되는 것을 보다 용이하게 방지할 수 있다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 단면 일부분을 도시한 것이다.
도 2는 도 1에 도시된 태양 전지 모듈을 위에서 바라본 모습니다.
도 3은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 4는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다.
도 5는 도 4에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일부 사시도의 일례이다.
도 6는 도 5에 도시한 태양 전지를 6-6 라인을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 7는 도 5 및 도 6에서 설명한 태양 전지에서 각각 낱개로 접속될 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)의 전극 패턴에 관한 일례를 설명하기 위한 도이다.
도 8은 도 7에 도시된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 접속된 상태를 설명하기 위한 도이다.
도 9a는 도 8에서 6a-6a 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 9b는 도 8에서 6b-6b 라인의 단면을 도시한 것이다.
도 9c는 도 8에서 6c-6c 라인의 단면을 도시한 것이다.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다양한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 부여하였다.

이하에서, 전면이라 함은 직사광이 입사되는 태양 전지의 일면일 수 있으며, 후면이라 함은 직사광이 입사되지 않거나, 직사광이 아닌 반사광이 입사될 수 있는 태양 전지의 반대면일 수 있다.

이하에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈에 대하여 설명한다.

도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제1 실시예를 설명하기 위한 도이다.

여기서, 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈의 단면 일부분을 도시한 것이고, 도 2는 도 1에 도시된 태양 전지 모듈을 위에서 바라본 모습니다.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 태양 전지 모듈은 전면 유리 기판(FG), 상부 봉지재(EC1), 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2)를 포함하는 복수의 태양 전지, 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2)를 전기적으로 서로 연결하는 인터커넥터(IC), 반사부(300), 하부 봉지재(EC2), 및 후면 시트(BS)를 포함할 수 있다.

도 1에 도시된 바와 같이, 전면 유리 기판(FG)은 인터커넥터(IC)에 의해 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2)가 서로 연결되는 셀 스트링의 전면 위에 위치할 수 있으며, 투과율이 높고 파손을 방지하기 위해 강화 유리 등으로 이루어질 수 있다. 이때, 강화 유리는 철 성분 함량이 낮은 저철분 강화 유리(low iron tempered glass)일 수 있으며, 도시되지는 않았지만, 빛의 산란 효과를 높이기 위해서 내측면은 엠보싱(embossing)처리가 행해질 수 있다.

상부 봉지재(EC1)는 전면 유리 기판(FG)과 셀 스트링 사이에 위치할 수 있으며, 하부 봉지재(EC2)는 셀 스트링의 후면, 즉 후면 시트(BS)와 셀 스트링 사이에 위치할 수 있다.

이와 같은 상부 봉지재(EC1) 및 하부 봉지재(EC2)는 습기 침투로 인한 금속의 부식 등을 방지하고 태양 전지 모듈(100)을 충격으로부터 보호하는 재질로 형성될 수 있다.

이러한 상부 봉지재(EC1) 및 하부 봉지재(EC2)는 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 태양 전지의 전면 및 후면에 각각 배치된 상태에서 라미네이션 공정(lamination process) 시에 복수의 태양 전지와 일체화될 수 있다.

이러한 상부 봉지재(EC1) 및 하부 봉지재(EC2)는 에틸렌 비닐 아세테이트(EVA, ethylene vinyl acetate) 등으로 이루어질 수 있다.

아울러, 후면 시트(BS)는 시트 형태로 하부 봉지재(EC2)의 후면에 위치하고, 태양 전지 모듈의 후면으로 습기가 침투하는 것을 방지할 수 있다.

이와 같이, 후면 시트(BS)이 시트 형태로 형성된 경우, EP/PE/FP (fluoropolymer/polyeaster/fluoropolymer)와 같은 절연 물질로 이루어질 수 있다.

다음, 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2)를 포함하는 복수의 태양 전지 각각은 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 복수의 제1 전극(C141), 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 복수의 제2 전극(C142), 복수의 제1 전극(C141)에 연결되는 제1 보조 전극(P141), 복수의 제2 전극(C142)에 연결되는 제2 보조 전극(P142), 및 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 후면에 배치되는 절연성 부재(200)를 포함한다.

본 발명에 따른 태양 전지는 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142)이 미리 형성되고, 절연성 부재(200)에 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 미리 형성된 상태에서, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다. 이때, 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)은 서로 접속되고, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)이 서로 접속될 수 있다.

그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 다르게, 절연성 부재(200)가 생략되는 것도 가능하다. 즉, 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 부착되어, 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)이 서로 접속되고, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)이 서로 접속된 이후, 절연성 부재(200)가 제거될 수 있다. 그러나, 이하에서는 절연성 부재(200)가 있는 경우를 일례로 설명한다. 이와 같은 본 발명의 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지에 대해서는 도 5 이하에서 보다 상세하게 설명한다.

인터커넥터(IC)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2)를 서로 전기적으로 연결할 수 있다. 즉, 인터커넥터(IC)는 제1 태양 전지(CE1)의 제1 보조 전극(P141)과 제2 태양 전지(CE2)의 제2 보조 전극(P142)을 서로 전기적으로 연결하거나 제1 태양 전지(CE1)의 제2 보조 전극(P142)과 제2 태양 전지(CE2)의 제1 보조 전극(P141)을 서로 전기적으로 연결할 수 있다.

이를 위해, 인터커넥터(IC)는 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)과 중첩될 수 있다.

여기서, 인터커넥터(IC)는 도전성 재질로 형성될 수 있으며, 일례로 Cu, Ni과 같은 도정성 재질이 사용될 수 있으며, 인터커넥터(IC)의 산화방지를 위해 인터커넥터(IC)의 표면은 솔더(solder) 물질로 코팅될 수 있다.

이때, 인터커넥터(IC)는 제1, 2 보조 전극(P141, P142) 각각에 인터커넥터 접착제(ICA)에 의해 접속될 수 있다.

이를 위해, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 각각에서 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 일부분은 반도체 기판(110) 밖으로 노출될 수 있고, 인터커넥터(IC)는 일례로, 반도체 기판(110) 밖으로 노출되는 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)의 전면에 접속될 수 있다.

이때, 인터커넥터(IC)와 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 각각에 포함되는 반도체 기판(110)의 측면 사이는 G1 또는 G2의 간격으로 서로 이격되어 형성될 수 있다.

여기서 인터커넥터 접착제(ICA)는 도전성 재질이면 어떠한 재질이든 무관하다. 이와 같은 인터커넥터 접착제(ICA)는 일례로, 후술할 전극 접착제(ECA)와 동일한 재질일 수 있다.

이와 같이, 인터커넥터(IC)에 의해 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2)를 포함하는 복수의 태양 전지 각각이 서로 연결되어, 제1 방향(x)으로 제1 태양 전지(CE1)와 제2 태양 전지(CE2)가 배열되는 스트링(ST)으로 형성될 수 있다.

한편, 이와 같은 본 발명의 태양 전지 모듈에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(CE1) 및 제2 태양 전지(CE2) 각각에 포함되는 반도체 기판(110)의 측면에는 절연성 재질의 반사부(300)가 형성될 수 있다.

여기서, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 반사부(300)는 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)에 포함된 반도체 기판(110) 밖으로 노출되는 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)의 전면 위에 형성되되, 인터커넥터(IC)와 반도체 기판(110)의 측면 사이에 G1 또는 G2의 간격만큼 이격된 공간에 위치할 수 있다.

이에 따라, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제1 실시예는 도 1에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)와 반도체 기판(110)의 측면 사이의 이격된 공간으로 입사되는 빛을 반사부(300)로 반사시켜, 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)으로 입사시킬 수 있다.

또한, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 태양 전지(CE1)의 반도체 기판(110)의 측면에 형성된 반사부(300)는 제2 태양 전지(CE2)의 반도체 기판(110)의 측면에 형성된 반사부(300)와 이격되어 형성될 수 있다.

이와 같은, 반사부(300)는 절연성 재질을 포함할 수 있고, 일례로, 열경화성 수지 또는 에폭시 계열, 아크릴 계열, 및 폴리 에틸렌 프탈레이트(polyethylene phthalate, PET) 재질 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.

아울러, 반사부(300)의 반사 효과를 위해, 반사부(300)의 굴절률은 상부 봉지재(EC1)의 굴절률과 다를 수 있다. 구체적으로, 광반사는 두 매질 사이의 굴절률의 차이가 클수록 커질 수 있으므로, 반사부(300)의 반사 효과를 크게 하기 위해 반사부(300)의 굴절률은 상부 봉지재(EC1)의 굴절률보다 높거나 작을 수 있다. 일례로, 상부 봉지재(EC1)의 굴절률이 1.48인 경우, 반사부(300)의 굴절률은 1.2 ~ 1.6 사이에서 1. 48을 제외한 값을 가질 수 있다.

또한, 반사부(300)는 실리콘 산화물(SiOx), 티타늄 옥사이드(TiO2) 및 흰색 형광체 재질 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 이와 같은 경우, 반사부(300)의 굴절률이 상부 봉지재(EC1)의 굴절률보다 높을 수도 있다.

여기서, 티타늄 산화물(TiO2)은 반사부(300)의 막강도를 높일 수 있다.

아울러, 절연성 재질을 포함하는 반사부(300)는 반도체 기판(110)의 측면과 인터커넥터(IC) 사이에 위치하여, 반도체 기판(110)과 인터커넥터(IC)가 단락되는 것을 방지할 수 있다. 보다 구체적으로, 반도체 기판(110)과 인터커넥터(IC)가 직접 접속될 경우, 인터커넥터(IC)로 흐르는 일부 전류가 반도체 기판(110)으로 누설될 수 있는데, 절연성 재질의 반사부(300)는 이를 방지할 수 있다.

아울러, 인터커넥터(IC)를 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2)에 접속시킬 때, 반도체 기판(110)의 측면에 미리 형성된 반사부(300)로 인하여, 인터커넥터(IC)와 반도체 기판(110) 사이에 공간을 이격시키기 위해 별도로 얼라인을 맞출 필요가 없어, 인터커넥터(IC) 공정을 보다 용이하게 수행할 수 있다.

지금까지는 인터커넥터(IC)가 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 전면에 접속되어, 반사부(300)가 반도체 기판(110)과 인터커넥터(IC) 사이의 공간에 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 인터커넥터(IC)가 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 후면에 접속될 수도 있다. 이에 대해 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제2 실시예를 설명하기 위한 도이다.

도 3에 대한 설명에서는 도 1 및 도 2에서 중복되는 내용에 대한 설명은 생략한다.

도 3에 도시된 바와 같이, 인터커넥터(IC)는 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 각각에 포함되는 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)의 후면에 접속될 수 있다. 이때에는, 반사부(300)가 제1, 2 태양 전지(CE1, CE2) 반도체 기판(110) 밖으로 노출되는 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)의 전체 전면 위에 형성될 수 있다.

따라서, 도 3에서는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 다르게, 반사부(300)가 반도체 기판(110)의 밖으로 노출된 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 전면 끝단까지 형성될 수 있다.

이와 같은 제2 실시예의 경우에도, 반사부(300)의 반사로 인하여 반도체 기판(110)으로 보다 많은 빛이 흡수되도록 할 수 있다.

아울러, 도 3과 같이, 제2 실시예의 경우에는 인터커넥터(IC)가 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)의 후면에 접속되도록 하기 위하여, 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 제1 방향(x) 끝단이 절연성 부재의 제1 방향(x) 끝단보다 더 길게 나올 수 있다.

아울러, 지금까지는 반사부(300)가 반도체 기판(110)의 측면 중에서 제2 방향(y)과 나란한 면에만 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게 반사부(300)는 반도체 기판(110)의 모든 측면에도 형성될 수 있다.

도 4는 본 발명에 따른 태양 전지 모듈의 제3 실시예를 설명하기 위한 도이다.

도 4에 대한 설명에서는 도 1 내지 도 3에서 중복되는 내용에 대한 설명은 생략한다.

구체적으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 반사부(300)는 각 태양 전지에 포함되는 반도체 기판(110)의 4 측면에 형성될 수 있다. 즉, 반도체 기판(110)의 전면 및 후면을 제외한 4 측면에 반사부(300)가 형성되는 것도 가능하다.

이와 같이, 본 발명의 태양 전지 모듈의 제1 실시예 내지 제3 실시예에 따라 적용되는 태양 전지는 제1, 2전극이 미리 형성된 반도체 기판(110)과 제1, 2 보조 전극(P141, P142)이 미리 형성된 절연성 부재가 각각 낱개로 접속된 이후, 반사부(300)가 반도체 기판(110)의 측면에 형성될 수 있다.

이하에서는 이와 같은 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지에 대해 설명한다. 이하의 도 5 내지 도 9c에서는 제3 실시예에 적용되는 태양 전지를 일례로 설명한다.

이와 같이, 본 발명에 따른 태양 전지 모듈은 반사부를 구비함으로써, 반도체 기판으로 보다 많은 빛이 입사되도록 하여 태양 전지 모듈의 광학적 이득을 보다 증가시킬 수 있으며, 아울러, 반도체 기판과 인터커넥터가 단락되는 것을 보다 용이하게 방지할 수 있다.

도 5 내지 도 7은 도 4에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일례를 설명하기 위한 도이다.

도 5는 도 4에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지의 일부 사시도의 일례이고, 도 6는 도 5에 도시한 태양 전지를 6-6 라인을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 7는 도 5 및 도 6에서 설명한 태양 전지에서 각각 낱개로 접속될 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)의 전극 패턴에 관한 일례를 설명하기 위한 도이다.

여기서, 도 7의 (a)는 반도체 기판(110)의 후면에 배치되는 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)의 패턴 일례 설명하기 위한 도이고, 도 7의 (b)는 도 7의 (a)에서 7(b)-7(b) 라인에 따른 단면도이고, 도 7의 (c)는 절연성 부재(200)의 전면에 배치되는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 패턴 일례을 설명하기 위한 도이고, 도 7의 (d)는 도 7의 (c)에서 7(d)-7(d) 라인에 따른 단면도이다.

도 5 및 도 6를 참고로 하면, 본 발명에 따른 태양 전지의 일례는 반도체 기판(110), 반사 방지막(130), 에미터부(121), 후면 전계부(back surface field;BSF, 172), 복수의 제1 전극(C141), 복수의 제2 전극(C142), 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 및 절연성 부재(200)를 포함할 수 있다.

여기서, 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)는 생략될 수도 있으며, 아울러, 반사 방지막(130)과 빛이 입사되는 반도체 기판(110) 사이에 위치하며, 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 높은 농도로 함유된 불순물부인 전면 전계부(미도시)를 더 구비하는 것도 가능하다.

이하에서는 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 반사 방지막(130)과 후면 전계부(172)가 포함된 것을 일례로 설명한다.

반도체 기판(110)은 제1 도전성 타입, 예를 들어 n형 도전성 타입의 실리콘으로 이루어진 벌크형 반도체 기판(110)일 수 있다. 이와 같은 반도체 기판(110)은 실리콘 재질로 형성되는 웨이퍼에 제1 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 형성될 수 있다.

이러한 반도체 기판(110)의 상부 표면은 텍스처링되어 요철면인 텍스처링 표면(textured surface)을 가질 수 있다. 반사 방지막(130)은 반도체 기판(110)의 입사면 상부에 위치하며, 한층 또는 복수 층으로 이루어질 수 있으며, 수소화된 실리콘 질화막(SiNx:H) 등으로 이루어질 수 있다. 아울러, 추가적으로 반도체 기판(110)의 전면에 전면 전계부 등이 더 형성되는 것도 가능하다.

에미터부(121)는 전면과 마주보고 있는 반도체 기판(110)의 후면 내에 서로 이격되어 위치하며, 서로 나란한 방향으로 뻗어 있다. 이와 같은 에미터부(121)는 복수 개일 수 있으며, 복수의 에미터부(121)는 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입일 수 있다.

이와 같은 복수의 에미터부(121)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)의 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입인 p형의 불순물이 확산 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다.

복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)의 후면 내부에 복수 개가 위치할 수 있으며, 복수의 에미터부(121)와 나란한 방향으로 이격되어 형성되며 복수의 에미터부(121)와 동일한 방향으로 뻗어 있다. 따라서, 도 5 및 도 6에 도시한 것처럼, 반도체 기판(110)의 후면에서 복수의 에미터부(121)와 복수의 후면 전계부(172)는 교대로 위치한다.

복수의 후면 전계부(172)는 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물이 반도체 기판(110)보다 고농도로 함유한 불순물, 예를 들어 n++ 부이다. 이와 같은 복수의 후면 전계부(172)는 결정질 실리콘 반도체 기판(110)과 동일한 도전성 타입의 불순물(n++)이 확산 또는 증착 공정을 통하여 고농도로 함유되어 형성될 수 있다.

복수의 제1 전극(C141)은 에미터부(121)와 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 에미터부(121)를 따라서 서로 이격되어 연장된다. 따라서, 에미터부(121)가 제1 방향(x)으로 연장된 경우, 제1 전극(C141)도 제1 방향(x)으로 연장될 수 있고, 에미터부(121)가 제2 방향(y)으로 연장된 경우, 제1 전극(C141)도 제2 방향(y)으로 연장될 수 있다.

또한, 복수의 제2 전극(C142)은 후면 전계부(172)를 통하여 반도체 기판(110)과 각각 물리적 및 전기적으로 연결되어 복수의 후면 전계부(172)를 따라서 연장된다.

따라서, 후면 전계부(172)가 제1 방향(x)으로 연장된 경우, 제2 전극(C142)도 제1 방향(x)으로 연장될 수 있고, 후면 전계부(172)가 제2 방향(y)으로 연장된 경우, 제2 전극(C142)도 제2 방향(y)으로 연장될 수 있다.

여기서, 반도체 기판(110)의 후면 상에서 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)은 서로 물리적으로 이격되어, 전기적으로 격리되어 있다.

따라서, 에미터부(121) 상에 형성된 제1 전극(C141)은 해당 에미터부(121)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 정공을 수집하고, 후면 전계부(172) 상에 형성된 제2 전극(C142)은 해당 후면 전계부(172)쪽으로 이동한 전하, 예를 들어, 전자를 수집할 수 있다.

제1 보조 전극(P141)은 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함하고, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)는 복수의 제1 전극(C141)과 연결되며, 제1 패드부(PP141)는 도 7에 도시된 바와 같이, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다.

이와 같은 제1 접속부(PC141)는 복수 개로 형성되어 각각이 복수 개의 제1 전극(C141)에 접속될 수도 있고, 이와 다르게 하나의 통 전극으로 형성되어, 하나의 통 전극에 복수 개의 제1 전극(C141)이 접속될 수도 있다.

아울러, 제1 접속부(PC141)가 복수 개로 형성된 경우, 제1 접속부(PC141)는 복수의 제1 전극(C141)과 동일한 방향으로 형성될 수도 있고, 교차하는 방향으로 형성될 수도 있다. 이때, 이와 같은 제1 접속부(PC141)는 제1 전극(C141)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

제2 보조 전극(P142)은 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함할 수 있다. 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)는 복수의 제2 전극(C142)과 연결되며, 제2 패드부(PP142)는 도 7에 도시된 바와 같이, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단이 인터커넥터(IC)와 접속될 수 있다.

이와 같은 제2 접속부(PC142)도 도시된 바와 같이, 복수 개로 형성되어 각각이 복수 개의 제2 전극(C142)에 접속될 수도 있고, 도시된 바와 다르게 하나의 통 전극으로 형성되어, 하나의 통 전극에 복수 개의 제2 전극(C142)이 접속될 수도 있다.

여기서, 제2 접속부(PC142)가 복수 개로 형성된 경우, 제2 접속부(PC142)는 복수의 제2 전극(C142)과 동일한 방향으로 형성될 수도 있고, 교차하는 방향으로 형성될 수도 있다. 이때, 제2 접속부(PC142)는 제2 전극(C142)과 중첩되는 부분에서 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

이와 같은 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 재질은 Cu, Au, Ag, Al 중 적어도 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있다.

아울러, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)은 도전성 재질의 전극 접착제(ECA)를 통하여 제1 전극(C141)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2 보조 전극(P142)은 전극 접착제(ECA)를 통하여 제2 전극(C142)에 전기적으로 연결될 수 있다.

이와 같은 전극 접착제(ECA)의 재질은 전도성 물질이면, 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 낮은 온도인 140℃ ~ 180℃에서 녹는점이 형성되는 도전성 물질이 더 바람직하다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 녹는점은 달라질 수도 있다.

또한, 전술한 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이 및 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142) 사이에는 단락을 방지하는 절연층(IL)이 위치할 수 있다. 이와 같은 절연층(IL)은 에폭시(epoxy)와 같은 절연성 수지가 포함될 수 있다.

아울러, 도 5 및 도 6에서는 제1 전극(C141)과 제1 보조 전극(P141)의 제1 접속부(PC141)가 서로 중첩되고, 제2 전극(C142)과 제2 보조 전극(P142)의 제2 접속부(PC142)가 중첩되는 경우만 도시하고 있으나, 이와 다르게 제1 전극(C141)과 제2 접속부(PC142)가 서로 중첩될 수 있고, 제2 전극(C142)과 제1 접속부(PC141)가 서로 중첩될 수도 있다. 이와 같은 경우, 제1 전극(C141)과 제2 접속부(PC142) 사이 및 제2 전극(C142)과 제1 접속부(PC141) 사이에도 단락을 방지하는 절연층(IL)이 위치할 수 있다.

절연성 부재(200)는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)의 후면에 배치될 수 있다.

이와 같은 절연성 부재(200)의 재질은 절연성 재질이면 특별한 제한이 없으나, 상대적으로 녹는점이 높은 것이 바람직할 수 있으며, 일례로, 고온에 대해 내열성 있는 polyimide, epoxy-glass, polyester, BT(bismaleimide triazine) 레진 중 적어도 하나의 재질을 포함하여 형성될 수 있다.

이와 같은 절연성 부재(200)는 유연한(flexible) 필름 형태로 형성되거나 유연하지 않고 단단한 플레이트(plate) 형태로 형성될 수 있다.

이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지는 절연성 부재(200)의 전면에 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 미리 형성되고, 반도체 기판(110)의 후면에 복수의 제1 전극(C141) 및 복수의 제2 전극(C142)이 미리 형성된 상태에서, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)이 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자로 형성될 수 있다.

즉, 하나의 절연성 부재(200)에 부착되어 접속되는 반도체 기판(110)은 하나일 수 있고, 이와 같은 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)은 서로 부착되어 하나의 일체형 개별 소자로 형성되어 하나의 태양 전지 셀을 형성할 수 있다.

보다 구체적으로 설명하면, 하나의 절연성 부재(200)와 하나의 반도체 기판(110)을 서로 부착하여 하나의 일체형 개별 소자로 형성하는 공정에 의해, 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 복수의 제1 전극(C141)과 복수의 제2 전극(C142) 각각은 하나의 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)과 부착되어 전기적으로 서로 연결될 수 있다.

이와 같은 본 발명에 따른 태양 전지에서, 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142) 각각의 두께(T2)는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 두께(T1)보다 클 수 있다.

이와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142) 각각의 두께(T2)를 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142) 각각의 두께(T1)보다 크게 함으로써, 태양 전지 제조 공정 시간을 보다 단축할 수 있고, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)을 반도체 기판(110)의 후면에 바로 형성하는 것보다 기판에 대한 열팽창 스트레스를 보다 감소시킬 수 있어, 태양 전지의 효율을 보다 향상시킬 수 있다.

이와 같은 절연성 부재(200)는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)을 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)에 접착시킬 때에, 공정을 보다 용이하게 도와주는 역할을 한다.

즉, 반도체 제조 공정으로 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142)이 형성된 반도체 기판(110)의 후면에 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 형성된 절연성 부재(200)의 전면을 부착시켜 접속시킬 때에, 절연성 부재(200)는 얼라인 공정이나 접속 단계를 보다 용이하게 도와줄 수 있다.

따라서, 이와 같은 절연성 부재(200)는 접속 단계에 의해 제1, 2 전극(C141, C142)에 제1, 2 보조 전극(P141, P142)이 각각 접속된 이후, 제거될 수 있다. 따라서, 태양 전지의 최종 소자에서는 절연성 부재(200)가 생략될 수 있다. 이하에서는 지금까지와 같이, 절연성 부재(200)가 구비된 경우를 일례로 설명한다.

이와 같은 구조로 제조된 본 발명에 따른 태양 전지에서 제1 보조 전극(P141)을 통하여 수집된 정공과 제2 보조 전극(P142)을 통하여 수집된 전자는 외부의 회로 장치를 통하여 외부 장치의 전력으로 이용될 수 있다.

지금까지는 반도체 기판(110)이 결정질 실리콘 반도체 기판(110)이고, 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 확산 공정을 통하여 형성된 경우를 예로 설명하였다.

그러나, 이와 다르게 비정질 실리콘 재질로 형성된 에미터부(121)와 후면 전계부(172)가 결정질 반도체 기판(110)과 접합하는 이종 접합 태양 전지나, 에미터부(121)가 반도체 기판(110)의 전면에 위치하고, 반도체 기판(110)에 형성된 복수의 비아홀을 통해 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 연결되는 구조의 태양 전지에서도 본 발명이 동일하게 적용될 수 있다.

한편, 이와 같은 구조에서, 반도체 기판(110)의 후면에 형성되는 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)의 패턴과, 절연성 부재(200)의 전면에 형성되는 제1 보조 전극(P141) 및 제2 보조 전극(P142)의 패턴에 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.

도 7의 (a) 및 (b)에 도시된 하나의 반도체 기판(110)의 후면에 도 7의 (c) 및 (d)에 도시된 하나의 절연성 부재(200)의 전면이 부착되어 접속됨으로써, 하나의 일체형 개별 소자를 형성할 수 있다. 즉, 절연성 부재(200)와 반도체 기판(110)은 1:1로 결합 또는 부착될 수 있다.

이때, 도 7의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)의 후면에는 복수 개의 제1 전극(C141)과 복수 개의 제2 전극(C142)이 서로 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있다.

아울러, 도 7의 (c) 및 (d)에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 절연성 부재(200)의 전면에는 제1 보조 전극(P141)과 제2 보조 전극(P142)이 형성될 수 있다.

여기서, 전술한 바와 같이, 제1 보조 전극(P141)은 제1 접속부(PC141)와 제1 패드부(PP141)를 포함하고, 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)는 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 제1 패드부(PP141)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 일단이 제1 접속부(PC141)의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터(IC)에 접속될 수 있다.

아울러, 제2 보조 전극(P142)도 제2 접속부(PC142)와 제2 패드부(PP142)를 포함하고, 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)는 제1 접속부(PC141)와 이격되어 제1 방향(x)으로 길게 형성될 수 있으며, 제2 패드부(PP142)는 제2 방향(y)으로 길게 형성되며, 일단이 제2 접속부(PC142)의 끝단에 연결되며, 타단은 인터커넥터(IC)에 접속될 수 있다.

여기서, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142)는 서로 이격되고, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141)도 서로 이격될 수 있다.

따라서, 절연성 부재(200)의 전면에서, 제1 방향(x)의 양끝단 중 일단에는 제1 패드부(PP141)가 형성되고, 타단에는 제2 패드부(PP142)가 형성될 수 있다.

이와 같이 본 발명에 따른 태양 전지는 하나의 반도체 기판(110)에 하나의 절연성 부재(200)만 결합되어, 하나의 일체형 개별 소자를 형성함으로써, 태양 전지 모듈 제조 공정을 보다 용이하게 할 수 있으며, 태양 전지 모듈 제조 공정 중에 어느 하나의 태양 전지에 포함된 반도체 기판(110)이 파손되거나 결함이 발생하더라도 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 해당 태양 전지만 교체할 수 있고, 공정 수율을 보다 향상시킬 수 있다.

아울러, 이와 같이, 하나의 일체형 개별 소자로 형성되는 태양 전지는 제조 공정시 반도체 기판(110)에 가해지는 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.

여기서, 절연성 부재(200)의 면적을 반도체 기판(110)의 면적과 동일하거나 크게 함으로써, 태양 전지와 태양 전지를 서로 연결할 때에, 절연성 부재(200)의 전면에 인터커넥터(IC)가 부착될 수 있는 영역을 충분히 확보할 수 있다. 이를 위해, 절연성 부재(200)의 면적은 반도체 기판(110)의 면적보다 클 수 있다.

이를 위해, 절연성 부재(200)의 제1 방향(x)으로의 길이를 반도체 기판(110)의 제1 방향(x)으로의 길이보다 길게 할 수 있다.

도 8은 도 7에 도시된 반도체 기판(110)과 절연성 부재(200)가 서로 접속된 상태를 설명하기 위한 도이고, 도 9a는 도 8에서 6a-6a 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 9b는 도 8에서 6b-6b 라인의 단면을 도시한 것이고, 도 9c는 도 8에서 6c-6c 라인의 단면을 도시한 것이다.

도 8에 도시된 바와 같이, 하나의 반도체 기판(110)이 하나의 절연성 부재(200)에 완전히 중첩 및 접속되어 하나의 태양 전지 개별 소자가 형성될 수 있다.

아울러, 도 8에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(110)과 절연성 부재가 접속된 이후, 반도체 기판(110)의 측면에는 반사부(300)가 형성될 수 있다.

아울러, 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 반도체 기판(110)과 중첩되는 제1 영역(PP141-S1, PP142-S1)과, 반도체 기판(110)과 중첩되지 않는 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 포함할 수 있다.

이와 같이, 인터커넥터(IC)와 연결될 수 있는 공간을 확보하기 위하여 마련된 제1 패드부(PP141)의 제2 영역(PP141-S2) 및 제2 패드부(PP142)의 제2 영역(PP142-S2)에 인터커넥터(IC)가 연결될 수 있다.

본 발명에 따른 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142) 각각은 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2)을 구비함으로써, 인터커넥터(IC)를 보다 용이하게 연결할 수 있으며, 아울러, 인터커넥터(IC)를 연결할 때에, 반도체 기판(110)에 대한 열팽창 스트레스를 최소화할 수 있다.

아울러, 전술한 바와 같이, 복수의 태양 전지를 연결하기 위해 이와 같은 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142)에 인터커넥터(IC)가 접속될 수 있다.

따라서, 이를 위하여, 반사부(300)는 인터커넥터(IC)가 접속될 부분을 제외한 제1, 2 패드부(PP141, PP142)의 전면의 일부분 위에 형성될 수 있다.

이와 같이, 반사부(300)가 반도체 기판(110)의 측면에 형성된 경우, 인터커넥터(IC)는 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142) 각각의 전면 위에 반도체 기판(110)과 이격되어 접속될 수 있다. 즉, 인터커넥터(IC)는 반도체 기판(110)으로부터 반사부(300)의 폭만큼 이격되어 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142)에 접속될 수 있다.

따라서, 도 8에서 제2 방향(y)의 단면을 보면, 도 9a에 도시된 바와 같이, 제1 방향(x)으로 형성된 반도체 기판(110)의 측면 및 절연층의 측면에 반사부(300)가 형성될 수 있다. 아울러, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제1 전극(C141)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제1 접속부(PC141)는 서로 중첩되며, 전극 접착제(ECA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

아울러, 반도체 기판(110)의 후면에 형성된 제2 전극(C142)과 절연성 부재(200)의 전면에 형성된 제2 접속부(PC142)도 서로 중첩되며, 전극 접착제(ECA)에 의해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

또한, 제1 전극(C141)과 제2 전극(C142) 사이의 서로 이격된 공간에는 절연층(IL)이 채워질 수 있고, 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.

아울러, 도 8에서 제1 방향(x)으로 제1, 2 보조 전극(P141, P142)의 단면을 보면, 도 9b 및 도 9c에 도시된 바와 같이, 반사부(300)는 제1 패드부(PP141)의 제2 영역(PP141-S2) 중에서 제2 방향(y)으로 형성된 반도체 기판(110)의 측면 및 제2 패드부(PP142)의 제2 영역(PP142-S2) 중에서 제2 방향(y)으로 형성된 반도체 기판(110)의 측면에 형성될 수 있다.

이에 따라, 인터커넥터(IC)는 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142) 각각의 전면 위에 반도체 기판(110)과 이격되어 접속될 수 있다.

따라서, 인터커넥터(IC)가 접속될 경우, 반사부(300)는 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142) 각각의 전면 영역 중에서 반도체 기판(110)과 인터커넥터(IC) 사이의 이격된 공간에 위치할 수 있다.

아울러, 도 9b에 도시된 바와 같이, 제2 접속부(PC142)와 제1 패드부(PP141) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있으며, 도 9c에 도시된 바와 같이, 제1 접속부(PC141)와 제2 패드부(PP142) 사이의 이격된 공간에도 절연층(IL)이 채워질 수 있다.

아울러, 도 5 내지 도 9c에서는 도 4에 도시된 태양 전지 모듈에 적용되는 태양 전지를 일례로 설명하였으나, 도 3에 도시된 태양 전지 모듈과 같이, 인터커넥터(IC)가 인터커넥터(IC)는 제1, 2 패드부(PP141, PP142)의 후면에 접속되는 경우, 반사부(300)는 도 8 내지 도 9c에 도시된 바와 다르게, 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142) 각각의 전면 영역 중에서 반도체 기판(110)의 밖으로 노출된 전체 부분 위에 형성될 수 있다. 즉, 반사부(300)는 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142) 각각의 제2 영역(PP141-S2, PP142-S2) 전체 위에 형성될 수 있다.

지금까지는 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 나란한 방향으로 중첩되어 연결되는 경우에 대해 설명하였으나, 이와 다르게, 반도체 기판(110)에 형성된 제1 전극(C141) 및 제2 전극(C142)이 절연성 부재(200)에 형성된 제1 접속부(PC141) 및 제2 접속부(PC142)와 교차하는 방향으로 중첩되어 접속할 수도 있다.

또한, 도시된 바와 다르게 제1 접속부(PC141)와 제2 접속부(PC142)가 복수 개로 형성되지 않고, 하나의 통전극으로 형성될 수 있으며, 하나의 통전극으로 형성되는 제1 접속부(PC141)에는 복수 개의 제1 전극(C141)이 접속될 수 있고, 하나의 통전극으로 형성되는 제2 접속부(PC142)에는 복수 개의 제2 전극(C142)이 접속될 수 있다.

지금까지는 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142)가 각각 하나로만 형성된 경우를 일례로 설명하였으나, 이와 다르게, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142)가 각각 복수 개로 형성될 수도 있다. 복수 개로 형성된 제1 패드부(PP141) 또는 제2 패드부(PP142) 각각에 복수 개의 제1 접속부(PC141) 또는 복수 개의 제2 접속부(PC142)가 연결될 수도 있다.

따라서, 제1 패드부(PP141)와 제2 패드부(PP142)는 인터커넥터(IC)의 끝단에 직접 접속될 수 있다.

아울러, 도 8 내지 도 9c에서는 본 발명에 따른 태양 전지에서 절연성 부재(200)가 구비된 경우를 일례로 도시하고 설명하였으나, 이와 다르게, 절연성 부재(200)는 제1, 2 전극(C141, C142)과 제1, 2 보조 전극(P141, P142)이 서로 접속된 이후 제거될 수 있고, 이와 같이, 절연성 부재(200)가 제거된 상태에서 인터커넥터(IC)가 제1 보조 전극(P141) 또는 제2 보조 전극(P142)에 접속될 수 있다.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (15)

1. 반도체 기판, 상기 반도체 기판의 후면에 서로 이격되어 위치하는 복수의 제1 전극과 제2 전극을 포함하는 제1 태양 전지와 제2 태양 전지; 및
   상기 제1 태양 전지와 상기 제2 태양 전지를 서로 전기적으로 연결하는 인터커넥터;를 포함하고,
   상기 제1 태양 전지 및 상기 제2 태양 전지 각각에서 상기 반도체 기판의 측면에는 절연성 재질의 반사부가 형성된 태양 전지 모듈.
2. 제1 항에 있어서,
   상기 제1 태양 전지의 반도체 기판의 측면에 형성된 반사부는 상기 제2 태양 전지의 반도체 기판의 측면에 형성된 반사부와 이격되어 있는 태양 전지 모듈.
3. 제1 항에 있어서,
   상기 태양 전지 모듈은
   상기 제1, 2 태양 전지의 전면에 배치되는 전면 유리 기판; 및
   상기 제1, 2 태양 전지와 상기 전면 유리 기판 사이에 배치되는 제1 봉지재;를 더 포함하고,
   상기 반사부의 굴절률은 상기 제1 봉지재의 굴절률과 다른 태양 전지 모듈.
4. 제1 항에 있어서,
   상기 반사부는 티타늄 옥사이드(TiO2) 및 흰색 형광체 재질 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지 모듈.
5. 제1 항에 있어서,
   상기 제1, 2 태양 전지 각각은
   상기 복수의 제1 전극에 접속하는 제1 보조 전극과 상기 복수의 제2 전극에 접속하는 제2 보조 전극을 더 포함하는 태양 전지 모듈.
6. 제5 항에 있어서,
   상기 제1, 2 태양 전지 각각에서
   상기 제1 보조 전극 및 상기 제2 보조 전극의 일부분은 상기 반도체 기판 밖으로 노출되는 태양 전지 모듈.
7. 제5 항에 있어서,
   상기 인터커넥터는
   상기 반도체 기판 밖으로 노출되는 상기 제1 보조 전극 또는 상기 제2 보조 전극의 전면에 접속되는 태양 전지 모듈.
8. 제6 항에 있어서,
   상기 인터커넥터와 상기 제1, 2 태양 전지 각각에 포함되는 반도체 기판의 측면 사이는 서로 이격되는 태양 전지 모듈.
9. 제8 항에 있어서,
   상기 반사부는
   상기 인터커넥터와 상기 반도체 기판의 측면 사이의 이격된 공간에 위치하는 태양 전지 모듈.
10. 제6 항에 있어서,
    상기 인터커넥터는 상기 제1, 2 태양 전지 각각에 포함되는 제1 보조 전극 또는 제2 보조 전극의 후면에 접속되는 태양 전지 모듈.
11. 제10 항에 있어서,
    상기 반사부는 상기 제1, 2 태양 전지 상기 반도체 기판 밖으로 노출되는 제1 보조 전극 또는 제2 보조 전극의 전면 전체 위에 형성되는 태양 전지 모듈.
12. 제5 항에 있어서,
    상기 제1, 2 태양 전지 각각은
    전면에 상기 제1 보조 전극 및 상기 제2 보조 전극을 구비하는 절연성 부재를 더 포함하고,
    상기 반도체 기판과 상기 절연성 부재가 각각 낱개로 접속되어 하나의 개별 소자를 형성하는 태양 전지 모듈.
13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1, 2 태양 전지 각각에서
    상기 제1 보조 전극은
    상기 제1 전극과 연결되는 제1 접속부와
    일단이 상기 제1 접속부의 끝단에 연결되며, 타단이 상기 인터커넥터와 접속되는 제1 패드부를 포함하고,
    상기 제2 보조 전극은
    상기 제2 전극과 연결되는 제2 접속부와
    일단이 상기 제2 접속부의 끝단에 연결되며, 타단이 상기 인터커넥터와 접속되는 제2 패드부를 포함하는 태양 전지 모듈.
14. 제13 항에 있어서,
    상기 인터커넥터는
    상기 제1 패드부 또는 상기 제2 패드부 각각의 전면 위에 상기 반도체 기판과 이격되어 접속되는 태양 전지 모듈.
15. 제14 항에 있어서,
    상기 반사부는
    상기 제1 패드부 또는 제2 패드부 각각의 전면 영역 중에서 상기 반도체 기판과 상기 인터커넥터 사이의 이격된 공간에 위치하는 태양 전지 모듈.

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