RU2022396C1 - Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов - Google Patents

Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов Download PDF

Info

Publication number
RU2022396C1
RU2022396C1 SU5021323A RU2022396C1 RU 2022396 C1 RU2022396 C1 RU 2022396C1 SU 5021323 A SU5021323 A SU 5021323A RU 2022396 C1 RU2022396 C1 RU 2022396C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
compound
boron nitride
rolivsan
toluene
semiconductor chips
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
Л.Г. Царева
Б.А. Зайцев
М.Ф. Лебединская
В.А. Зуйкова
Original Assignee
Царева Людмила Георгиевна
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Царева Людмила Георгиевна filed Critical Царева Людмила Георгиевна
Priority to SU5021323 priority Critical patent/RU2022396C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2022396C1 publication Critical patent/RU2022396C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

Использование: в качестве защиты p-n-переходов, работающих в режиме больших токов и в условиях отвода тепла. Сущность изобретения: повышение удельной теплопроводности достигается путем ввода в состав композиции вюрцитного нитрида бора в соотношении, мас.%: роливсан МВ-1 70; толуол 5; вюрцитный нитрид бора 25. 2 ил., 1 табл.

Description

Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для использования в качестве защиты p-n-переходов от внешних воздействий, работающих в режиме больших токов и в условиях отвода тепла.
Известны электроизоляционные кремнийорганические лаки типа КО-916, КО-916А, КО-918, КО-921, КО-922, КО-926, КО-928, КО-945, которые представляют собой растворы кремнийорганических полимеров, модифицированных или немодифицированных органическими соединениями в органических растворителях. Лаки не имеют механических включений, массовая доля нелетучих веществ колеблется от 45±2% для одних лаков до 70±2% для других. Продолжительность желатинизации, например, для лака КО-926 - 5-20 мин, для КО-928 - 1-10 мин, удельное объемное эл. сопротивление пленки лака не менее 1012 Ом˙ м; эл. прочность пленки лака не менее 60-70 МВ/м (см. ГОСТ 16508-70, лаки кремнийорганические электроизоляционные).
Недостаток лаков - низкий коэффициент теплопроводности.
Широко распространена эмаль ЭП-91, представляющая собой суспензию пигментов в эпоксидном лаке с добавлением карбомидоформальдегидной смолы (см. эмаль электроизоляционная ЭП-91 ГОСТ 15943-80) где массовая доля летучих веществ 36-40%; удельное объемное сопротивление 1015 Ом ˙см при f = 106 Гц; при Т = (20±2)оС tg δ≅ 0,045; после действия относительной влажности (98±2)оС при Т = (40±2)оС в течение 48 ч tg (δ ≅ 0,055.
Недостатком лака является низкая теплопроводность.
Известен лак ПАИ-М (см. ШКФЛО 020.010 ТУ), который представляет собой однокомпонентную систему с содержанием нелетучих компонентов от 20 до 30% с концентрацией следующих ионных примесей,%: Na+ 2 ˙ 10-4 K+ 2 ˙ 10-4 Cl 5 ˙ 10-4
Для получения требуемой вязкости лак ПАИ-М разбавляется диметилацетомидом, диметилформамидом. Недостатками лака ПАИ-М являются необходимость использования осушенных либо с минимальным содержанием влаги растворителей; хрупкость при таблетировании; низкая теплопроводимость; большое количество летучих компонентов (70-80%).
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому положительному эффекту к заявляемому изобретению является теплостойкий компаунд роливсан МВ-1 [1] , который представляет собой глицериноподобную мономерно-олигомерную композицию в исходном состоянии, состоящую из ненасыщенных эфиров и олигоэфиров: бис (4-винилфениловый) эфир, метакриловый эфир - 4-винил-4- - (1-оксиэтил) дифенилоксида, диметакриловый эфир бис 4 - (1-оксиэтил) фенилового эфира, олигоэфиры общей формулы:
Figure 00000001
xAσ·CH=
Figure 00000002
CHArCH=CH)
Figure 00000003
Ar, где X = - CH = CH2 или
CH2=
Figure 00000004
OO
Figure 00000005

Ar = - n - Ph OPh; n = 0 - 3; толуол
Компаунд отверждается с помощью полимеризационно-полициклоконденсаци- онного метода, когда имеет место трехмерная совместная полимеризация ненасыщенных компонентов системы. В процессе отверждения при Т = 120-250оС выделяется лишь 4-6% летучих продуктов (в основном воды и метакриловой кислоты). Недостатком компаунда является невысокая теплопроводность.
Целью изобретения является повышение удельной теплопроводности компаунда.
Цель достигается тем, что в состав композиции дополнительно введен вюрцитный нитрид бора, мас.%: Роливсан МВ-1 70 Толуол 5 Вюрцитный нитрид бора 25 (BNВ) Тетраэдрическая структура BNВ построена по принципу плотнейших шаровых упаковок. Базис решетки BNВ содержит четыре атома с координатами: B - 0,0,0; 1/3, 2/3, 1/2; N - 0,0 3/8; 1/3, 2/3, 7/8 (см. фиг. 1)
Межслоевое расстояние в структуре - 0,2115 нм при равенстве межатомных расстояний в слое. BNВ высокоустойчив при действии HCl, H2SO4, HNO3, HF, H3PO4, смеси H2SO4 + K2SO4, обладает высоким электросопротивлением и теплопроводностью, приближающейся теоретически к 1300 Вт/м. К (см. Boron Nitride. Catalog H 8745 Union Carbige Corp., 1966, р. 8). Из всех модификаций нитрида бора BNВ проявляет наименьшую стойкость против окисления, что обусловлено его высокой дисперсностью (фиг. 2), где приведена кривая окисления BNB с ростом температуры.
Изготовление компаунда продемонстрировано на следующем примере.
Компаунд составляет из следующих компонентов.%: Роливсан МВ-1 70 Толуол 5 Вюрцитный нитрид бора 25
Роливсан МВ-1 помещается в емкость, которая нагревается в воздушном термостате (ТУ 16531 40972) или в жидком ультратермостате УТ-15 (ТУ 64-1-26-22-75) при Т = 60-70оС до получения гомогенной массы при периодическом взбалтывании.
Производится отбор необходимого количества роливсана в стеклянную, фарфоровую или из нержавеющей стали емкость и взвешивание на лабораторных равноплечных весах 3-го класса ВЛР-1 кг.
При тщательном перемешивании соединяются расчетные количества толуола и вюрцитного нитрида бора, а затем - с подогретым роливсаном. Жизнеспособность подготовленного компаунда составляет 24 ч.
Для проведения испытаний подготовлены макетные образцы в виде таблетки диаметром 14±1 мм и высотой h = 4±1 мм с различным содержанием (%) BNB в композиции. В качестве материала формы использовалось кварцевое стекло. Отверждение компаунда производилось в термостате при Т=+200оС в течение 2 ч.
Измерение коэффициента теплопроводности производилось на измерителе теплопроводимости экспресс-методом ИТЭМ-1М.
Результаты измерений коэффициента теплопроводности, состав компаунда, габариты отвержденной таблетки, режим отверждения компаунда сведены в таблицу.
Дальнейшее увеличение дозы вюрцитного нитрида бора приводит к увеличению вязкости, препятствующей растеканию нанесенного компаунда по поверхности.
Использование компаунда существенно повышает способность передачи тепла от разогретого объема в окружающее пространство, обеспечивает значение интенсивности отказов в течение минимальной наработки полупроводниковых приборов λэ = 3 х 10-7 1/ч.

Claims (1)

  1. КОМПАУНД ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ, включающий роливсан МВ-1 и толуол, отличающийся тем, что в его состав введен вюрцитный нитрид бора при следующем соотношении компонентов, мас.%:
    Роливсан МВ-1 70
    Толуол 5
    Вюрцитный нитрид бора 25
SU5021323 1991-07-15 1991-07-15 Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов RU2022396C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5021323 RU2022396C1 (ru) 1991-07-15 1991-07-15 Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5021323 RU2022396C1 (ru) 1991-07-15 1991-07-15 Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2022396C1 true RU2022396C1 (ru) 1994-10-30

Family

ID=21593984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU5021323 RU2022396C1 (ru) 1991-07-15 1991-07-15 Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2022396C1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Информационный листок N 87-41 УДК 621.315.616.97, 667.621. Серия Р47 09.53678.7 "Новые теплостойкие компаунды и связующие - роливсаны./Л., 1987. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4108825A (en) Flame retardant heat-curable silicone compositions containing ceric hydrate
JP2986825B2 (ja) 熱伝導性オルガノシロキサン組成物
US3108985A (en) Polysiloxane polymer with a calcined volatile-free filler
JPS5950181B2 (ja) 高温でセラミツク化するシリコ−ン組成物
US5530060A (en) Silicone composition capable of yeilding a cured product having good thermal conductivity
GB1020827A (en) Improved organosiloxane encapsulating resins
KR20080012912A (ko) 유기실란 화합물과 붕소 화합물로 이루어진 중합체
EP0210022A2 (en) Storage stable, one part polyorganosiloxane compositions
EP0693517A1 (en) Curable silicone-modified polyimide compositions
US3839246A (en) Two-part room temperature vulcanizable systems
EP0124106B1 (en) Poly(arylene sulfide) compositions
US3079361A (en) Treated siliceous article
JPS6033846B2 (ja) シリコーン共重合体とその製法
CA1103832A (en) Siloxane-epoxy molding compound with improved crack resistance
JPS61183326A (ja) 耐熱性のすぐれたフオームに転化しうるオルガノポリシロキサン組成物
US2481349A (en) Polymerization of organic silicon
US3519670A (en) Borosilicone materials
RU2022396C1 (ru) Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов
KR100852028B1 (ko) 실리콘 고무 조성물 및 그의 용도
JPS6043841B2 (ja) 熱硬化性組成物
US3772066A (en) Process of coating metal substrates with silicone elastomer
RU2022398C1 (ru) Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов
RU2022397C1 (ru) Компаунд для защиты полупроводниковых кристаллов
JP2812139B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH06157551A (ja) シリコーン変性酸無水物及びその製造方法