RU2020116823A - Графен и производство графена - Google Patents

Графен и производство графена Download PDF

Info

Publication number
RU2020116823A
RU2020116823A RU2020116823A RU2020116823A RU2020116823A RU 2020116823 A RU2020116823 A RU 2020116823A RU 2020116823 A RU2020116823 A RU 2020116823A RU 2020116823 A RU2020116823 A RU 2020116823A RU 2020116823 A RU2020116823 A RU 2020116823A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
composition according
paragraphs
flakes
composition
spectra
Prior art date
Application number
RU2020116823A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2752945C2 (ru
RU2020116823A3 (ru
Inventor
Рене ХОФФМАНН
Кристоф Е. НЕБЕЛЬ
Сара РОШЕР
Original Assignee
Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф. filed Critical Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.
Publication of RU2020116823A publication Critical patent/RU2020116823A/ru
Publication of RU2020116823A3 publication Critical patent/RU2020116823A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2752945C2 publication Critical patent/RU2752945C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/184—Preparation
    • C01B32/19—Preparation by exfoliation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/198—Graphene oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B1/00—Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
    • C25B1/01—Products
    • C25B1/135—Carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B11/00—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
    • C25B11/04—Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
    • C25B11/042—Electrodes formed of a single material
    • C25B11/043—Carbon, e.g. diamond or graphene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B13/00—Diaphragms; Spacing elements
    • C25B13/04—Diaphragms; Spacing elements characterised by the material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B9/00—Cells or assemblies of cells; Constructional parts of cells; Assemblies of constructional parts, e.g. electrode-diaphragm assemblies; Process-related cell features
    • C25B9/17—Cells comprising dimensionally-stable non-movable electrodes; Assemblies of constructional parts thereof
    • C25B9/19—Cells comprising dimensionally-stable non-movable electrodes; Assemblies of constructional parts thereof with diaphragms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B9/00—Cells or assemblies of cells; Constructional parts of cells; Assemblies of constructional parts, e.g. electrode-diaphragm assemblies; Process-related cell features
    • C25B9/40—Cells or assemblies of cells comprising electrodes made of particles; Assemblies of constructional parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/30—Electrodes characterised by their material
    • H01G11/32—Carbon-based
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/58—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic compounds other than oxides or hydroxides, e.g. sulfides, selenides, tellurides, halogenides or LiCoFy; of polyanionic structures, e.g. phosphates, silicates or borates
    • H01M4/583—Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
    • H01M4/587—Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx for inserting or intercalating light metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
    • H01M4/624—Electric conductive fillers
    • H01M4/625—Carbon or graphite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/04—Specific amount of layers or specific thickness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/20—Graphene characterized by its properties
    • C01B2204/32—Size or surface area
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/82—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by IR- or Raman-data
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/20—Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
    • C01P2004/24—Nanoplates, i.e. plate-like particles with a thickness from 1-100 nanometer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13—Energy storage using capacitors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/842—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure for carbon nanotubes or fullerenes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
  • Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
  • Electrodes For Compound Or Non-Metal Manufacture (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Claims (41)

1. Композиция, содержащая
дегидрированный графит, содержащий множество чешуек, имеющих
по меньшей мере одну чешуйку из 10 с размером свыше 10 квадратных микрометров,
среднюю толщину 10 атомных слоев или менее, и
характерную плотность дефектов по меньшей мере 50% μ-рамановских спектров дегидрированного графита, полученных при возбуждении на длине волны 532 нм с разрешением лучше, чем 1,8 обратных сантиметров, имеющих отношение площадей D/G ниже 0,5, причем эта композиция является композитом, и по меньшей мере 5% участков sp3-гибридизованного углерода композиции являются одними или более из: a) функционализированных неводородной химической группой, b) сшитых с участками sp3-гибридизованного углерода других чешуек.
2. Композиция по п. 1, причем по меньшей мере 10% участков sp3-гибридизованного углерода композиции являются одними или более из:
a) функционализированных неводородной химической группой,
b) сшитых с участками sp3-гибридизованного углерода других чешуек.
3. Композиция по п. 1, причем по меньшей мере 30% участков sp3-гибридизованного углерода композиции являются одними или более из: a) функционализированных неводородной химической группой, b) сшитых с участками sp3-гибридизованного углерода других чешуек.
4. Композиция по п. 1, дополнительно содержащая значение коэффициента смешанной корреляции подгонки одиночного 2D пика μ-рамановских спектров дегидрированного графита, полученных при возбуждении на длине волны 532 нм с разрешением лучше, чем 1,8 обратных сантиметров, большее чем 0,99 для более чем 50% этих спектров.
5. Композиция по любому из пп. 1-4, в которой более чем 60%, например более чем 80%, или более чем 85% μ-рамановских спектров дегидрированного графита имеют значение коэффициента смешанной корреляции, большее чем 0,99.
6. Композиция по любому из пп. 1-5, в которой более чем 40%, например, более чем 50% или более чем 65% μ-рамановских спектров дегидрированного графита имеют значение коэффициента смешанной корреляции, большее чем 0,995.
7. Композиция по любому из пп. 1-6, в которой по меньшей мере одна чешуйка из шести имеет размер свыше 10 квадратных микрометров, например, по меньшей мере одна чешуйка из четырех.
8. Композиция по любому из пп. 1-7, в которой по меньшей мере одна чешуйка из десяти имеет размер свыше 25 квадратных микрометров, например, по меньшей мере две чешуйки из десяти.
9. Композиция по любому из пп. 1-8, в которой упомянутая средняя толщина составляет семь атомных слоев или менее, например, пять атомных слоев или менее.
10. Композиция по любому из пп. 1-9, в которой упомянутая плотность дефектов является характерной для по меньшей мере 80% полученных спектров, имеющих отношение площадей D/G ниже 0,5, например, по меньшей мере 95% полученных спектров, имеющих отношение площадей D/G ниже 0,5.
11. Композиция по любому из пп. 1-10, в которой упомянутая плотность дефектов является характерной для по меньшей мере 50% полученных спектров, имеющих отношение площадей D/G ниже 0,2, например, по меньшей мере 70% полученных спектров, имеющих отношение площадей D/G ниже 0,2.
12. Композиция по любому из пп. 1-11, в которой упомянутая плотность дефектов является характерной при среднем отношении площадей D/G ниже 0,8, например, ниже 0,5 или ниже 0,2.
13. Композиция по любому из пп. 1-12, причем эта композиция является дисперсным порошком чешуек дегидрированного графита, например, черным дисперсным порошком чешуек дегидрированного графита.
14. Композиция по любому из пп. 1-13, в которой множество чешуек дегидрированного графита являются морщинистыми, смятыми или сложенными, например, множество чешуек собраны в трехмерную структуру.
15. Композиция по любому из пп. 1-14, в которой полная ширина на половине максимума пика G в μ-рамановских спектрах дегидрированного графита, полученных при возбуждении на длине волны 532 нм с разрешением лучше, чем 1,8 обратных сантиметров, составляет более чем 20 обратных сантиметров, например, более чем 25 обратных сантиметров или более чем 30 обратных сантиметров.
16. Композиция по любому из пп. 1-15, в которой μ-рамановские спектры дегидрированного графита, полученные при возбуждении на длине волны 532 нм с разрешением лучше, чем 1,8 обратных сантиметров, демонстрируют широкий пик в диапазоне между 1000 и 1800 обратными сантиметрами с полной шириной на половине максимума более чем 200 обратных сантиметров, например более чем 400 обратных сантиметров.
17. Композиция по любому из пп. 1-16, в которой более чем 1%, например, более чем 5% или более чем 10% чешуек имеют толщину более 10 атомных слоев.
18. Композиция по любому из пп. 1-17, причем эта композиция является композитом, например, при этом композит дополнительно включает в себя активированный уголь, или при этом композит дополнительно включает в себя полимер.
19. Электрод, содержащий композицию по любому из пп. 1-18.
20. Аккумулятор или электролитический конденсатор, содержащий электрод по п. 19, причем, например, аккумулятор является литиевым аккумулятором, литий-ионным аккумулятором, аккумулятором с кремниевым анодом или литий-серным аккумулятором.
21. Композиция, содержащая
гидрированный графит, содержащий множество чешуек, имеющих по меньшей мере одну чешуйку из 10 с размером свыше 10 квадратных микрометров,
среднюю толщину 10 атомных слоев или менее, и характерную плотность дефектов μ-рамановских спектров гидрированного графита, полученных при возбуждении на длине волны 532 нм с разрешением лучше, чем 1,8 обратных сантиметров, и мощностью возбуждения ниже 2 мВт в фокусе объектива со 100-кратным увеличением, имеющих среднее отношение площадей D/G, составляющее между 0,2 и 4, причем большинство этих дефектов представляют собой обратимое гидрирование участков sp3-гибридизованного углерода вдали от краев чешуек, причем эта композиция является композитом, и по меньшей мере 5% участков sp3-гибридизованного углерода композиции являются одними или более из: a) функционализированных неводородной химической группой, или b) сшитых с участками sp3-гибридизованного углерода других чешуек.
22. Композиция по п. 21, причем по меньшей мере 10% участков sp3-гибридизованного углерода композиции являются одними или более из: a) функционализированных неводородной химической группой, или b) сшитых с участками sp3-гибридизованного углерода других чешуек.
23. Композиция по п. 21, причем по меньшей мере 30% участков sp3-гибридизованного углерода композиции являются одними или более из: a) функционализированных неводородной химической группой, или b) сшитых с участками sp3-гибридизованного углерода других чешуек.
24. Композиция по любому из пп. 21-23, дополнительно содержащая значение коэффициента смешанной корреляции подгонки одиночного 2D пика μ-рамановских спектров графита после термообработки в инертной атмосфере при 2 мбар и 800°C, полученных при возбуждении на длине волны 532 нм с разрешением лучше, чем 1,8 обратных сантиметров, большее чем 0,99 для более чем 50% этих спектров.
25. Композиция по любому из пп. 21-24, в которой более чем 60%, например, более чем 80% или более чем 85% μ-рамановских спектров графита имеют значение коэффициента смешанной корреляции, большее чем 0,99.
26. Композиция по любому из пп. 21-25, в которой более чем 40%, например, более чем 50% или более чем 65% μ-рамановских спектров графита имеют значение коэффициента смешанной корреляции, большее чем 0,995.
27. Композиция по любому из пп. 21-26, в которой по меньшей мере одна чешуйка из шести имеет размер свыше 10 квадратных микрометров, например, по меньшей мере одна чешуйка из четырех.
28. Композиция по любому из пп. 21-27, в которой по меньшей мере одна чешуйка из десяти имеет размер свыше 25 квадратных микрометров, например, по меньшей мере две чешуйки из десяти.
29. Композиция по любому из пп. 21-28, в которой упомянутая средняя толщина составляет семь атомных слоев или менее, например, пять атомных слоев или менее.
30. Композиция по любому из пп. 21-29, в которой плотность дефектов является характерной для по меньшей мере 50% μ-рамановских спектров, полученных при возбуждении на длине волны 532 нм с разрешением лучше, чем 1,8 обратных сантиметров, и мощностью возбуждения ниже 2 мВт в фокусе объектива со 100-кратным увеличением, имеющих отношение площадей D/G выше 0,5, например, по меньшей мере 80% или по меньшей мере 95% полученных спектров, имеющих отношение площадей D/G выше 0,5.
31. Композиция по любому из пп. 21-30, в которой плотность дефектов является характерной для по меньшей мере 50% полученных спектров, имеющих отношение площадей D/G выше 0,8, например, по меньшей мере 60% или по меньшей мере 90% полученных спектров, имеющих отношение площадей D/G выше 0,8.
32. Композиция по любому из пп. 21-31, в которой плотность дефектов является характерной при среднем отношении площадей D/G, составляющем между 0,4 и 2, например, между 0,8 и 1,5.
33. Композиция по любому из пп. 21-32, в которой по меньшей мере 60%, например, по меньшей мере 75% дефектов представляют собой обратимое гидрирование участков sp3-гибридизованного углерода вдали от краев чешуек.
RU2020116823A 2016-02-12 2016-09-30 Графен и производство графена RU2752945C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016202202.4A DE102016202202B4 (de) 2016-02-12 2016-02-12 Vorrichtung und Verfahren zur Expansion von Graphit zu Graphen
DE102016202202.4 2016-02-12

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018131253A Division RU2722528C2 (ru) 2016-02-12 2016-09-30 Графен и производство графена

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2020116823A true RU2020116823A (ru) 2020-07-28
RU2020116823A3 RU2020116823A3 (ru) 2020-09-28
RU2752945C2 RU2752945C2 (ru) 2021-08-11

Family

ID=57047230

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020116823A RU2752945C2 (ru) 2016-02-12 2016-09-30 Графен и производство графена
RU2018131253A RU2722528C2 (ru) 2016-02-12 2016-09-30 Графен и производство графена

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018131253A RU2722528C2 (ru) 2016-02-12 2016-09-30 Графен и производство графена

Country Status (18)

Country Link
US (3) US10662537B2 (ru)
EP (3) EP4019665A1 (ru)
JP (4) JP6993343B2 (ru)
KR (3) KR102449147B1 (ru)
CN (3) CN113800506A (ru)
AU (3) AU2016392473B2 (ru)
BR (2) BR122020010527B1 (ru)
CA (2) CA3013381A1 (ru)
CL (2) CL2018002147A1 (ru)
CO (1) CO2018009412A2 (ru)
DE (1) DE102016202202B4 (ru)
IL (4) IL290742B2 (ru)
MX (2) MX2018009766A (ru)
MY (1) MY190010A (ru)
PL (1) PL3414361T3 (ru)
RU (2) RU2752945C2 (ru)
SG (2) SG10202113158RA (ru)
WO (1) WO2017137103A1 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018207825B3 (de) 2018-05-18 2019-10-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Acoustic-Wave-Resonator und elektronische Filterschaltung
GB2581355B (en) * 2019-02-13 2022-11-30 Altered Carbon Ltd Aqueous ink comprising polyvinyl pyrrolidone and graphene material
JP7195513B2 (ja) * 2019-06-09 2022-12-26 博 小林 グラフェンの扁平面同士が重なり合って接合した該グラフェンの集まりからなるグラフェンシートを製造する方法と、該グラフェンシートの表面を金属ないしは絶縁性の金属酸化物の微粒子の集まりで覆う方法
US20210078863A1 (en) * 2019-09-12 2021-03-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Method and apparatus for the expansion of graphite

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5503717A (en) * 1994-06-13 1996-04-02 Kang; Feiyu Method of manufacturing flexible graphite
JP4157615B2 (ja) * 1998-03-18 2008-10-01 ペルメレック電極株式会社 不溶性金属電極の製造方法及び該電極を使用する電解槽
CA2410055A1 (en) * 2000-05-24 2001-11-29 Superior Graphite Co. Method of preparing graphite intercalation compounds and resultant products
US20020168314A1 (en) * 2001-03-08 2002-11-14 Roemmler Mike G. Method of making expanded graphite with high purity and related products
RU2233794C1 (ru) * 2003-07-14 2004-08-10 Авдеев Виктор Васильевич Способ получения пенографита и пенографит, полученный данным способом
JP2008503059A (ja) 2004-06-14 2008-01-31 マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー 電気化学的方法、デバイス、および構造体
GB2412484B (en) * 2004-07-27 2006-03-22 Intellikraft Ltd Improvements relating to electrode structures in batteries
WO2006068660A2 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 Diamond Innovations, Inc. Electrochemical dissolution of conductive composites
KR101344493B1 (ko) 2007-12-17 2013-12-24 삼성전자주식회사 단결정 그라펜 시트 및 그의 제조방법
FR2940965B1 (fr) * 2009-01-12 2011-04-08 Centre Nat Rech Scient Procede de preparation de graphenes
WO2011031949A1 (en) 2009-09-10 2011-03-17 Lockheed Martin Corporation Graphene nanoelectronic device fabrication
WO2013192513A2 (en) * 2012-06-21 2013-12-27 Molecular Rebar Design, Llc Binders, electrolytes and separator films for energy storage and collection devices using discrete carbon nanotubes
JPWO2011136186A1 (ja) 2010-04-26 2013-07-18 旭硝子株式会社 電極材料
WO2011159922A2 (en) * 2010-06-16 2011-12-22 The Research Foundation Of State University Of New York Graphene films and methods of making thereof
GB201104096D0 (en) 2011-03-10 2011-04-27 Univ Manchester Production of graphene
CN102683389B (zh) * 2011-11-04 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板及其制备方法
GB201204279D0 (en) * 2012-03-09 2012-04-25 Univ Manchester Production of graphene
NL2008538C2 (en) * 2012-03-26 2013-09-30 Stichting Wetsus Ct Excellence Sustainable Water Technology Energy generating system using capacitive electrodes and method there for.
JP5836866B2 (ja) 2012-03-30 2015-12-24 株式会社東芝 炭素電極とその製造方法およびそれを用いた光電変換素子
US20140017440A1 (en) * 2012-07-10 2014-01-16 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Structure of graphene oxide, the method of fabrication of the structure, the method of fabricating field-effect transistor using the structure
CN102807213B (zh) * 2012-08-30 2015-09-09 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 电化学制备石墨烯的方法
GB201215766D0 (en) * 2012-09-04 2012-10-17 True 2 Materials A novek method to create graphite oxide, graphene oxide and graphene freestanding sheets
US9312130B2 (en) * 2012-09-14 2016-04-12 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Surface doping and bandgap tunability in hydrogenated graphene
US9533889B2 (en) * 2012-11-26 2017-01-03 Nanotek Instruments, Inc. Unitary graphene layer or graphene single crystal
GB201309639D0 (en) * 2013-05-30 2013-07-17 Univ Manchester Electrochemical process for production of graphene
US9422164B2 (en) * 2013-07-17 2016-08-23 Nanotek Instruments, Inc. Electrochemical method of producing nano graphene platelets
GB2516919B (en) * 2013-08-06 2019-06-26 Univ Manchester Production of graphene and graphane
CN103449402B (zh) * 2013-08-23 2015-10-14 吉林大学 一种氢化碳纳米球及其制备方法和用途
KR101494868B1 (ko) * 2013-11-19 2015-02-23 한화케미칼 주식회사 관능화 그래핀의 제조 방법, 제조 장치, 및 관능화 그래핀
EP2878709A1 (en) * 2013-11-28 2015-06-03 Basf Se Preparation of two dimensional carbon materials by electrochemical exfoliation
CN103693638B (zh) 2013-12-09 2015-08-19 中国科学院山西煤炭化学研究所 一种电化学溶胀石墨制备石墨烯的方法
TWI632112B (zh) * 2013-12-11 2018-08-11 安炬科技股份有限公司 Method for preparing nano graphene sheets
WO2015131933A1 (en) 2014-03-05 2015-09-11 Westfälische Wilhelms-Universität Münster Method of producing graphene by exfoliation of graphite
JP2016018695A (ja) 2014-07-09 2016-02-01 株式会社豊田自動織機 Ｓｉ含有炭素材料の製造方法、リチウムイオン二次電池用負極活物質、リチウムイオン二次電池用負極及びリチウムイオン二次電池

Also Published As

Publication number Publication date
WO2017137103A1 (en) 2017-08-17
RU2752945C2 (ru) 2021-08-11
KR20180110084A (ko) 2018-10-08
MY190010A (en) 2022-03-22
JP6993343B2 (ja) 2022-01-13
CL2023001807A1 (es) 2024-01-26
CN112938951B (zh) 2023-09-26
KR102449147B1 (ko) 2022-09-29
US10662537B2 (en) 2020-05-26
JP2019512441A (ja) 2019-05-16
IL290742A (en) 2022-04-01
RU2018131253A (ru) 2020-03-12
SG11201806748SA (en) 2018-09-27
IL285784B (en) 2022-07-01
DE102016202202A1 (de) 2017-08-17
CL2018002147A1 (es) 2019-03-08
AU2024200233A1 (en) 2024-02-15
DE102016202202B4 (de) 2017-12-14
MX2023001108A (es) 2023-02-22
AU2022221429B2 (en) 2023-11-09
CN108699708B (zh) 2021-09-24
CA3225021A1 (en) 2017-08-17
EP4283020A2 (en) 2023-11-29
CA3013381A1 (en) 2017-08-17
JP2023178471A (ja) 2023-12-14
IL290742B1 (en) 2023-12-01
BR112018016389A2 (pt) 2018-12-18
IL308113A (en) 2023-12-01
CN108699708A (zh) 2018-10-23
CO2018009412A2 (es) 2018-09-20
KR20230156957A (ko) 2023-11-15
US20170298523A1 (en) 2017-10-19
AU2022221429A1 (en) 2022-10-06
SG10202113158RA (en) 2021-12-30
US20230002913A1 (en) 2023-01-05
KR20220137782A (ko) 2022-10-12
AU2016392473B2 (en) 2022-07-21
BR122020010527B1 (pt) 2022-03-22
PL3414361T3 (pl) 2022-08-08
IL261061A (en) 2018-10-31
IL285784A (en) 2021-09-30
IL290742B2 (en) 2024-04-01
CN113800506A (zh) 2021-12-17
IL261061B (en) 2022-03-01
BR112018016389B8 (pt) 2022-11-29
EP3414361A1 (en) 2018-12-19
RU2018131253A3 (ru) 2020-03-12
US20200283915A1 (en) 2020-09-10
MX2018009766A (es) 2018-11-29
JP2022008546A (ja) 2022-01-13
EP4019665A1 (en) 2022-06-29
RU2722528C2 (ru) 2020-06-01
BR112018016389B1 (pt) 2022-03-15
RU2020116823A3 (ru) 2020-09-28
EP3414361B1 (en) 2022-02-23
AU2016392473A1 (en) 2018-08-09
JP2023178465A (ja) 2023-12-14
EP4283020A3 (en) 2024-06-05
CN112938951A (zh) 2021-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wu et al. Morphology controlled hierarchical NiS/carbon hexahedrons derived from nitrilotriacetic acid-assembly strategy for high-performance hybrid supercapacitors
Gomes High performance hybrid supercapacitor based on doped zucchini-derived carbon dots and graphene
RU2020116823A (ru) Графен и производство графена
Zhao et al. Alternately stacked metallic 1T-MoS2/polyaniline heterostructure for high-performance supercapacitors
Kim et al. All-graphene-battery: bridging the gap between supercapacitors and lithium ion batteries
Kim et al. Carbon nanomaterials supported Ni (OH) 2/NiO hybrid flower structure for supercapacitor
Niu et al. Compact-designed supercapacitors using free-standing single-walled carbon nanotube films
JP6256855B2 (ja) 二次電池用負極材料、電極構造体、二次電池、及びこれらの製造方法
Ling et al. Freeze-drying for sustainable synthesis of nitrogen doped porous carbon cryogel with enhanced supercapacitor and lithium ion storage performance
Jafta et al. Manganese oxide/graphene oxide composites for high-energy aqueous asymmetric electrochemical capacitors
Huang et al. Synthesis of 3D reduced graphene oxide/unzipped carbon nanotubes/polyaniline composite for high-performance supercapacitors
Chen et al. Facilitated charge transport in ternary interconnected electrodes for flexible supercapacitors with excellent power characteristics
Pallavolu et al. Superior energy‐power performance of N‐doped carbon nano‐onions‐based asymmetric and symmetric supercapacitor devices
Du et al. Fabrication of hierarchical carbon layer encapsulated polyaniline core-shell structure nanotubes and application in supercapacitors
Mao et al. Cetyltrimethylammonium bromide intercalated graphene/polypyrrole nanowire composites for high performance supercapacitor electrode
Van Hoa et al. Three-dimensional reduced graphene oxide-grafted polyaniline aerogel as an active material for high performance supercapacitors
Tan et al. Dulse‐derived porous carbon–polyaniline nanocomposite electrode for high‐performance supercapacitors
Abdah et al. Advancements in MXene-polymer composites for high-performance supercapacitor applications
Zhang et al. Polypyrrole wrapped graphene/TiO2 composites hydrogels for high performance supercapacitors
Pattananuwat et al. Polypyrrole nanoparticles embedded nitrogen-doped graphene composites as novel cathode for long life cycles and high-power zinc-ion hybrid supercapacitors
Li et al. Bubble up induced graphene microspheres for engineering capacitive energy storage
Gedela et al. Electrochemically active polyaniline nanofibers (PANi NFs) coated graphene nanosheets/PANi NFs composite coated on different flexible substrates
Yan et al. Based on the performance of hydrotalcite as anode material for a Zn–Ni secondary cell, a modification: PPY coated Zn–Al–LDH was adopted
Rafidi et al. Renewable and soft dynamic supercapacitors based on poly (acrylamide) hydrogel electrolytes and porous carbon electrodes
JP7425605B2 (ja) 炭素材料及びその製造方法、蓄電デバイス用電極材料、並びに蓄電デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
HZ9A Changing address for correspondence with an applicant