RU2019110761A - Газовый датчик - Google Patents
Газовый датчик Download PDFInfo
- Publication number
- RU2019110761A RU2019110761A RU2019110761A RU2019110761A RU2019110761A RU 2019110761 A RU2019110761 A RU 2019110761A RU 2019110761 A RU2019110761 A RU 2019110761A RU 2019110761 A RU2019110761 A RU 2019110761A RU 2019110761 A RU2019110761 A RU 2019110761A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- metal
- gas sensitive
- gas
- sensitive element
- sensitive surface
- Prior art date
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 48
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 13
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 12
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims 12
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims 4
- 150000003624 transition metals Chemical group 0.000 claims 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 2
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
- C23C14/0629—Sulfides, selenides or tellurides of zinc, cadmium or mercury
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/087—Oxides of copper or solid solutions thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
- G01N33/0036—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Claims (25)
1. Чувствительный к газу элемент, содержащий:
корпус, содержащий полупроводник, который является оксидом металла первого металла;
чувствительную к газу поверхность, находящуюся над корпусом, содержащую металлооксидный полупроводник первого металла и легирующую примесь, содержащую второй металл, который является переходным металлом и отличается от первого металла; а также
вспомогательный компонент, содержащий:
(1) расположенный внутри второй металл, расположенный в чувствительном к газу элементе между корпусом и чувствительной к газу поверхностью, или
(2) халькогенид металла, расположенный на чувствительной к газу поверхности или расположенный внутри чувствительного к газу элемента между корпусом и чувствительной к газу поверхностью, прилегая к чувствительной к газу поверхности.
2. Чувствительный к газу элемент по п. 1, отличающийся тем, что вспомогательный компонент содержит: (1) внутренне расположенный второй металл, расположенный в чувствительном к газу элементе между корпусом и чувствительной к газу поверхностью, и металлооксидный полупроводник первого металла, расположенный между внутренне расположенным вторым металлом и чувствительной к газу поверхностью, который прилегает к чувствительной к газу поверхности.
3. Чувствительный к газу элемент по п. 2, дополнительно содержащий металлооксидный полупроводник первого металла, расположенный между внутренне расположенным вторым металлом и чувствительной к газу поверхностью.
4. Чувствительный к газу элемент по п. 2 или 3, содержащий множество чередующихся отложений металлооксидного полупроводника первого металла и отложений второго металла, расположенных в чувствительном к газу элементе между корпусом и чувствительной к газу поверхностью.
5. Чувствительный к газу элемент по любому из пп. 1-4, отличающийся тем, что вспомогательный компонент содержит: (2) халькогенид металла, расположенный на чувствительной к газу поверхности, или расположенный внутри чувствительного к газу элемента между корпусом и чувствительной к газу поверхностью, прилегая к чувствительной к газу поверхности, который стабилизирует второй металл, находящийся на чувствительной к газу поверхности.
6. Чувствительный к газу элемент по п. 5, отличающийся тем, что халькогенид металла расположен на чувствительной к газу поверхности.
7. Чувствительный к газу элемент по п. 5, отличающийся тем, что халькогенид металла расположен внутри чувствительного к газу элемента между корпусом и чувствительной к газу поверхностью, прилегая к чувствительной к газу поверхности, который стабилизирует второй металл на чувствительной к газу поверхности.
8. Чувствительный к газу элемент по любому из пп. 5-7, отличающийся тем, что халькогенид металла содержит сульфид металла.
9. Чувствительный к газу элемент по любому из пп. 1-8, отличающийся тем, что второй металл представляет собой один или большее количество переходных металлов в диапазоне от 5 группы до 11 группы.
10. Чувствительный к газу элемент по любому из пп. 1-9, отличающийся тем, что первый металл представляет собой алюминий, висмут, кадмий, церий, хром, кобальт, медь, железо, галлий, индий, молибден, ниобий, тантал, олово, титан, вольфрам, ванадий или цинк.
11. Чувствительный к газу элемент по любому из пп. 1-10, отличающийся тем, что первый металл представляет собой олово, а второй металл представляет собой медь.
12. Газовый датчик, содержащий чувствительный к газу элемент по любому из пп. 1-11, расположенный между электродами, соединенными цепью измерения напряжения, цепью измерения тока, цепью измерения сопротивления, цепью измерения импеданса или цепью измерения проводимости.
13. Газовый датчик по п. 12, отличающийся тем, что цепь измерения сопротивления содержит сигнальный процессор, откалиброванный для определения концентрации сероводорода на основе измеренного сопротивления на чувствительной к газу поверхности.
14. Способ использования газового датчика по п. 12 или 13, включающий воздействие на чувствительную к газу поверхность тестируемым газом и измерение сопротивления чувствительного к газу элемента между электродами для определения присутствия или концентрации газового компонента.
15. Способ по п. 14, отличающийся тем, что газовый компонент содержит сероводород.
16. Способ изготовления чувствительного к газу элемента, включающий размещение легирующей примеси переходного металла, содержащей второй металл, который является переходным металлом, на поверхности полупроводника, являющегося оксидом металла первого металла, и: (1) размещение второго металла в чувствительном к газу элементе между поверхностью и корпусом металлооксидного полупроводника первого металла или (2) размещение халькогенида металла поверх легированной поверхности или в чувствительном к газу элементе между корпусом, содержащим металлооксидный полупроводник первого металла, и легированной поверхностью, прилегая к легированной поверхности.
17. Способ по п. 16, отличающийся тем, что (1) включает нанесение второго металла на корпус, нанесение металлооксидного полупроводника первого металла на нанесенный второй металл и нанесение второго металла на нанесенный металлооксидный полупроводник первого металла.
18. Способ по п. 16 или 17, отличающийся тем, что (1) включает попеременное нанесение второго металла и металлооксидного полупроводника первого металла для образования множества чередующихся отложений второго металла и металлооксидного полупроводника первого металла между корпусом и легированной поверхностью.
19. Способ по любому из пп. 16-18, отличающийся тем, что (2) включает размещение халькогенида металла поверх легированной поверхности.
20. Способ по любому из пп. 16-19, отличающийся тем, что (2) включает размещение халькогенида металла между корпусом металлооксидного полупроводника первого металла и легированной поверхностью, прилегая к легированной поверхности.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662409626P | 2016-10-18 | 2016-10-18 | |
| US62/409,626 | 2016-10-18 | ||
| PCT/US2017/057181 WO2018075634A1 (en) | 2016-10-18 | 2017-10-18 | Gas sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2019110761A true RU2019110761A (ru) | 2020-11-20 |
Family
ID=60191567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019110761A RU2019110761A (ru) | 2016-10-18 | 2017-10-18 | Газовый датчик |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20190317036A1 (ru) |
| EP (2) | EP3529601B1 (ru) |
| BR (1) | BR112019007608A2 (ru) |
| CA (1) | CA3040910A1 (ru) |
| MX (1) | MX2019004380A (ru) |
| RU (1) | RU2019110761A (ru) |
| WO (1) | WO2018075634A1 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102017208418A1 (de) * | 2017-05-18 | 2018-11-22 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer nanokristallinen, gassensitiven Schichtstruktur, entsprechende nanokristalline, gassensitive Schichtstruktur, und Gassensor mit einer entsprechenden nanokristallinen, gassensitiven Schichtstruktur |
| TWI832211B (zh) * | 2022-04-15 | 2024-02-11 | 崑山科技大學 | 以濺鍍處理製備氫氣感測器的方法 |
| US20230358715A1 (en) | 2022-05-06 | 2023-11-09 | Carrier Corporation | Surface modified matrix barrier for a gas detector device |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4334672C2 (de) * | 1993-10-12 | 1996-01-11 | Bosch Gmbh Robert | Sensor zum Nachweis von Stickoxid |
| DE4445359A1 (de) * | 1994-12-20 | 1996-06-27 | Bosch Gmbh Robert | Sensor zum Nachweis von brennbaren Gasen |
| JP4640960B2 (ja) * | 2005-07-12 | 2011-03-02 | 富士電機システムズ株式会社 | 薄膜ガスセンサ |
| EP1950558B1 (en) * | 2007-01-16 | 2019-04-03 | NGK Spark Plug Co., Ltd. | Gas sensor |
| US9831427B1 (en) * | 2014-08-21 | 2017-11-28 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Ion-barrier for memristors/ReRAM and methods thereof |
| KR101767886B1 (ko) * | 2015-07-31 | 2017-08-14 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 세라믹/금속 적층형 가스센서 및 그 제조방법 |
-
2017
- 2017-10-18 US US16/343,156 patent/US20190317036A1/en not_active Abandoned
- 2017-10-18 EP EP17791891.9A patent/EP3529601B1/en active Active
- 2017-10-18 RU RU2019110761A patent/RU2019110761A/ru not_active Application Discontinuation
- 2017-10-18 CA CA3040910A patent/CA3040910A1/en not_active Abandoned
- 2017-10-18 EP EP22202241.0A patent/EP4166940A1/en active Pending
- 2017-10-18 WO PCT/US2017/057181 patent/WO2018075634A1/en unknown
- 2017-10-18 BR BR112019007608A patent/BR112019007608A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2017-10-18 MX MX2019004380A patent/MX2019004380A/es unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4166940A1 (en) | 2023-04-19 |
| EP3529601B1 (en) | 2023-01-04 |
| WO2018075634A1 (en) | 2018-04-26 |
| EP3529601A1 (en) | 2019-08-28 |
| CA3040910A1 (en) | 2018-04-26 |
| BR112019007608A2 (pt) | 2019-07-02 |
| MX2019004380A (es) | 2019-08-12 |
| US20190317036A1 (en) | 2019-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2019110761A (ru) | Газовый датчик | |
| Qin et al. | Microfabricated electrochemical pH and free chlorine sensors for water quality monitoring: recent advances and research challenges | |
| WO2013122672A1 (en) | Noise shielding techniques for ultra low current measurements in biochemical applications | |
| CN105301061B (zh) | 一种自组装式网格状α-MoO3纳米带气敏传感器 | |
| JPWO2011040244A1 (ja) | マルチモーダルセンサ | |
| KR100912714B1 (ko) | 염분측정기 | |
| CN104807855A (zh) | 微机电气体感测装置 | |
| TWI648864B (zh) | 感測裝置及離子檢測方法 | |
| US9880119B2 (en) | Apparatus for identifying a value of a property of a fluid which is to be measured, method for operating an apparatus for identifying a value of a property of a fluid which is to be measured, and method for manufacturing an apparatus for identifying a value of a property of a fluid which is to be measured | |
| CN107543853B (zh) | 电化学检测器 | |
| US20200256826A1 (en) | Pulse-driven capacitive detection for field-effect transistors | |
| TWI435873B (zh) | 抗體探針電感測晶片之電子傳導分子 | |
| CN208366907U (zh) | 基于二硒化钨的柔性离子传感器 | |
| CN107576854B (zh) | 一种带叉指的同心圆状mems低电导率传感器及使用方法 | |
| CN108845017A (zh) | 一种基于二硒化钨的柔性离子传感器 | |
| CN102590291A (zh) | 一种改进型湿度传感器的制作方法 | |
| TW201314184A (zh) | 比例式多重切換物液位量測方法及裝置 | |
| Mahajan et al. | Mercury (II) ion sensing with PVC-matrix based membrane sensors | |
| US10605769B2 (en) | Sensing device and biological detection method | |
| US9103773B2 (en) | Capacitive element sensor and method for manufacturing same | |
| Dean et al. | A PCB environmental sensor for use in monitoring drought conditions in estuaries | |
| Fighera et al. | Three-electrode on-chip sensors for voltammetric detection of trace metals in natural waters | |
| JP2020148775A (ja) | センサー、二重または三重結合を有する揮発性化合物の検知方法、およびセンサーの作製方法 | |
| CN106979800A (zh) | 光和气体复合探测器 | |
| EP3325958A1 (en) | Sensor element for a chemical sensor and chemical sensor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20201019 |