RU2017125009A3 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- RU2017125009A3 RU2017125009A3 RU2017125009A RU2017125009A RU2017125009A3 RU 2017125009 A3 RU2017125009 A3 RU 2017125009A3 RU 2017125009 A RU2017125009 A RU 2017125009A RU 2017125009 A RU2017125009 A RU 2017125009A RU 2017125009 A3 RU2017125009 A3 RU 2017125009A3
- Authority
- RU
- Russia
Links
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017125009A RU2737136C2 (ru) | 2017-07-13 | 2017-07-13 | Изготовление свободного от дефектов устройства на основе ребра в области поперечного эпитаксиального наращивания |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017125009A RU2737136C2 (ru) | 2017-07-13 | 2017-07-13 | Изготовление свободного от дефектов устройства на основе ребра в области поперечного эпитаксиального наращивания |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015151126A Division RU2626970C2 (ru) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | Изготовление свободного от дефектов устройства на основе ребра в области поперечного эпитаксиального наращивания |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2017125009A RU2017125009A (ru) | 2019-01-14 |
| RU2017125009A3 true RU2017125009A3 (ru) | 2020-10-09 |
| RU2737136C2 RU2737136C2 (ru) | 2020-11-25 |
Family
ID=65013832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017125009A RU2737136C2 (ru) | 2017-07-13 | 2017-07-13 | Изготовление свободного от дефектов устройства на основе ребра в области поперечного эпитаксиального наращивания |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2737136C2 (ru) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100546488B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2006-01-26 | 한국전자통신연구원 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| KR20060005041A (ko) * | 2004-07-12 | 2006-01-17 | 삼성전자주식회사 | 핀 전계 효과 트랜지스터의 제조방법 |
| US8058692B2 (en) * | 2008-12-29 | 2011-11-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multiple-gate transistors with reverse T-shaped fins |
| RU2408951C2 (ru) * | 2009-04-02 | 2011-01-10 | Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ФГУ "НПК "ТЦ" МИЭТ) | Способ изготовления самомасштабированной самосовмещенной транзисторной структуры |
| US9768305B2 (en) * | 2009-05-29 | 2017-09-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Gradient ternary or quaternary multiple-gate transistor |
| EP2315239A1 (en) * | 2009-10-23 | 2011-04-27 | Imec | A method of forming monocrystalline germanium or silicon germanium |
-
2017
- 2017-07-13 RU RU2017125009A patent/RU2737136C2/ru active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2017125009A (ru) | 2019-01-14 |
| RU2737136C2 (ru) | 2020-11-25 |