RU2016143559A - Конденсатор и способ его изготовления - Google Patents
Конденсатор и способ его изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2016143559A RU2016143559A RU2016143559A RU2016143559A RU2016143559A RU 2016143559 A RU2016143559 A RU 2016143559A RU 2016143559 A RU2016143559 A RU 2016143559A RU 2016143559 A RU2016143559 A RU 2016143559A RU 2016143559 A RU2016143559 A RU 2016143559A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- molecular material
- anisometric
- substituents
- alkyl
- capacitor
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 12
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/14—Organic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/14—Organic dielectrics
- H01G4/18—Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose
- H01G4/186—Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose halogenated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Claims (40)
1. Конденсатор, содержащий:
первый электрод;
второй электрод; и
диэлектрический слой молекулярного материала, расположенный между указанными первым и вторым электродами,
причем указанные электроды являются плоскими, планарными и расположены параллельно друг другу, а
молекулярный материал описан общей формулой:
где:
Сердечник - поляризуемый проводящий анизометрический сердечник, имеющий π-сопряженные системы и характеризующийся продольной осью;
D и Н - изолирующие заместители; и
p и q - количества заместителей D и Н соответственно,
причем указанные заместители присоединены к поляризуемому анизометрическому сердечнику в позициях вершин, а p и q независимо выбраны из значений 1, 2, 3, 4 и 5.
2. Конденсатор по п. 1, в котором по меньшей мере каждая одна из изолирующих групп D и по меньшей мере одна из изолирующих групп Н независимо выбрана из группы, состоящей из алкильных, фторированных алкильных, хлорированных алкильных, разветвленных и сложных алкильных, разветвленных и сложных фторированных алкильных, разветвленных и сложных хлорированных алкильных групп и любой их комбинации.
3. Конденсатор по п. 1, в котором анизометрические сердечники формируют проводящие пакеты благодаря π-π-взаимодействию, и изолирующие заместители формируют изолирующие субслои, окружающие указанные пакеты, причем угол α кручения сформирован между продольными осями расположенных рядом анизометрических сердечников, при этом указанный угол кручения находится в диапазоне 0°≤α≤90°, и расстояние между сердечниками в пакетах составляет 0,34±0,1 нм.
4. Конденсатор по п. 3, в котором анизометрические сердечники формируют скрученные проводящие пакеты, в котором указанный угол кручения находится в диапазоне 0°<α≤90°.
5. Конденсатор по п. 4, в котором диэлектрический слой молекулярного материала имеет шестиугольную кристаллическую структуру.
6. Конденсатор по п. 3, в котором анизометрические сердечники формируют проводящие пакеты, причем указанный угол кручения α=0, и продольные оси анизометрических сердечников перпендикулярны электродам.
7. Конденсатор по п. 6, в котором диэлектрический слой молекулярного материала имеет ламеллярную кристаллическую структуру.
8. Конденсатор по п. 7, в котором указанные поляризуемые анизометрические сердечники обладают трансляционной периодичностью и симметрией по меньшей мере в одном направлении.
9. Конденсатор по п. 1, в котором поляризуемым анизометрическим сердечником является электропроводящий олигомер, и указанные электропроводящие олигомеры формируют молекулярные пакеты благодаря π-π-взаимодействию.
10. Конденсатор по п. 9, в котором указанный электропроводящий олигомер выбран из группы, состоящей из следующих структурных формул 1-7:
где n=2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 или 12.
11. Конденсатор по п. 1, в котором электроды выполнены из Pt, Cu, Al, Ag или Au.
12. Конденсатор по п. 1, содержащий два электрода, выполненные из меди, полианилин (PANI) в качестве поляризуемого анизометрического сердечника и фторированные алкильные заместители в качестве изолирующих заместителей.
13. Способ изготовления конденсатора, включающий в себя этапы:
a) подготовки проводящей подложки, служащей в качестве одного из электродов,
b) нанесения молекулярного материала на подложку,
c) формирования твердого слоя молекулярного материала, и
d) формирования второго электрода на твердом слое молекулярного материала, причем молекулярный материал описан общей формулой:
где:
Сердечник - поляризуемый проводящий анизометрический сердечник, имеющий π-сопряженные системы и характеризующийся продольной осью;
D и Н - изолирующие заместители; и
p и q - количества заместителей D и Н соответственно,
при этом указанные заместители присоединены к поляризуемому анизометрическому сердечнику в позициях вершин, и p и q независимо выбраны из значений 1, 2, 3, 4 и 5.
14. Способ по п.13, согласно которому по меньшей мере одна из изолирующих групп D и Н независимо выбрана из списка, содержащего алкильные, фторированные алкильные, хлорированные алкильные, разветвленные и сложные алкильные, разветвленные и сложные фторированные алкильные, разветвленные и сложные хлорированные алкильные группы и любую их комбинацию.
15. Способ по п. 13, согласно которому этап b) нанесения включает в себя нанесение раствора молекулярного материала, и этап с) формирования твердого слоя включает в себя сушку для формирования твердого слоя молекулярного материала.
16. Способ по п. 13, согласно которому этап b) нанесения включает в себя нанесение расплава молекулярного материала, и этап с) формирования твердого слоя включает в себя остывание для формирования твердого слоя молекулярного материала.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201461991871P | 2014-05-12 | 2014-05-12 | |
US61/991,871 | 2014-05-12 | ||
PCT/US2015/030356 WO2015175522A1 (en) | 2014-05-12 | 2015-05-12 | Capacitor and method of production thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2016143559A true RU2016143559A (ru) | 2018-06-19 |
Family
ID=54480548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016143559A RU2016143559A (ru) | 2014-05-12 | 2015-05-12 | Конденсатор и способ его изготовления |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9589727B2 (ru) |
EP (1) | EP3143651B1 (ru) |
JP (2) | JP2017520128A (ru) |
KR (1) | KR20170005821A (ru) |
CN (1) | CN106463618B (ru) |
AU (1) | AU2015259345B2 (ru) |
CA (1) | CA2948008A1 (ru) |
IL (1) | IL248829A0 (ru) |
MX (1) | MX2016014827A (ru) |
RU (1) | RU2016143559A (ru) |
SG (1) | SG11201609438UA (ru) |
TW (1) | TW201618139A (ru) |
WO (1) | WO2015175522A1 (ru) |
ZA (1) | ZA201608040B (ru) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10319523B2 (en) | 2014-05-12 | 2019-06-11 | Capacitor Sciences Incorporated | Yanli dielectric materials and capacitor thereof |
US20170301477A1 (en) * | 2016-04-04 | 2017-10-19 | Capacitor Sciences Incorporated | Electro-polarizable compound and capacitor |
RU2016143558A (ru) | 2014-05-12 | 2018-06-13 | Кэпэситор Сайенсиз Инкорпорейтед | Устройство для хранения энергии и способ его изготовления |
US10347423B2 (en) | 2014-05-12 | 2019-07-09 | Capacitor Sciences Incorporated | Solid multilayer structure as semiproduct for meta-capacitor |
US10340082B2 (en) * | 2015-05-12 | 2019-07-02 | Capacitor Sciences Incorporated | Capacitor and method of production thereof |
SG11201703441YA (en) | 2014-11-04 | 2017-05-30 | Capacitor Sciences Inc | Energy storage devices and methods of production thereof |
JP2018511167A (ja) | 2015-02-26 | 2018-04-19 | キャパシタ サイエンシス インコーポレイテッド | 自己修復コンデンサおよびその製造方法 |
US9932358B2 (en) | 2015-05-21 | 2018-04-03 | Capacitor Science Incorporated | Energy storage molecular material, crystal dielectric layer and capacitor |
US9941051B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-04-10 | Capactor Sciences Incorporated | Coiled capacitor |
US10026553B2 (en) | 2015-10-21 | 2018-07-17 | Capacitor Sciences Incorporated | Organic compound, crystal dielectric layer and capacitor |
DE102015224739A1 (de) * | 2015-12-09 | 2017-06-14 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Auslösen von Fußgängerschutzmitteln und/oder Fußgängerwarnmitteln |
US10305295B2 (en) | 2016-02-12 | 2019-05-28 | Capacitor Sciences Incorporated | Energy storage cell, capacitive energy storage module, and capacitive energy storage system |
US20170236641A1 (en) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | Capacitor Sciences Incorporated | Furuta co-polymer and capacitor |
US20170236642A1 (en) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | Capacitor Sciences Incorporated | para-FURUTA POLYMER AND CAPACITOR |
US20170233528A1 (en) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | Capacitor Sciences Incorporated | Sharp polymer and capacitor |
US10636575B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-04-28 | Capacitor Sciences Incorporated | Furuta and para-Furuta polymer formulations and capacitors |
US9978517B2 (en) * | 2016-04-04 | 2018-05-22 | Capacitor Sciences Incorporated | Electro-polarizable compound and capacitor |
US20170283618A1 (en) * | 2016-04-04 | 2017-10-05 | Capacitor Sciences Incorporated | Non-linear dielectric materials and capacitor |
US10153087B2 (en) | 2016-04-04 | 2018-12-11 | Capacitor Sciences Incorporated | Electro-polarizable compound and capacitor |
US11092142B2 (en) * | 2017-11-20 | 2021-08-17 | Capacitor Sciences Incorporated | Plasma electric propulsion device |
WO2018021328A1 (ja) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | 日産化学工業株式会社 | 重合体組成物 |
US10395841B2 (en) | 2016-12-02 | 2019-08-27 | Capacitor Sciences Incorporated | Multilayered electrode and film energy storage device |
US10388461B2 (en) | 2017-08-02 | 2019-08-20 | Perriquest Defense Research Enterprises, Llc | Capacitor arrangements |
US10163575B1 (en) | 2017-11-07 | 2018-12-25 | Capacitor Sciences Incorporated | Non-linear capacitor and energy storage device comprising thereof |
EP3717485A4 (en) * | 2017-11-20 | 2021-07-07 | Capacitor Sciences Incorporated | HEIN ELECTRO-POLARIZABLE COMPOUND AND CONDENSER THEREOF |
US10403435B2 (en) | 2017-12-15 | 2019-09-03 | Capacitor Sciences Incorporated | Edder compound and capacitor thereof |
US11482529B2 (en) * | 2019-02-27 | 2022-10-25 | Kepler Computing Inc. | High-density low voltage non-volatile memory with unidirectional plate-line and bit-line and pillar capacitor |
JP7444561B2 (ja) | 2019-08-08 | 2024-03-06 | 株式会社東芝 | アルミニウム電解コンデンサ、電気機器、及びアルミニウム電解コンデンサの製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6501093B1 (en) | 1994-04-04 | 2002-12-31 | Alvin M. Marks | Quantum energy storage or retrieval device |
US7033406B2 (en) | 2001-04-12 | 2006-04-25 | Eestor, Inc. | Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries |
AU2002327747A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-07 | 3M Innovative Properties Company | Substituted pentacene semiconductors |
DE10248722A1 (de) * | 2002-10-18 | 2004-05-06 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltungsanordnung mit Kondensator und Herstellungsverfahren |
JP4299297B2 (ja) * | 2003-02-07 | 2009-07-22 | 昭和電工株式会社 | コンデンサおよび該コンデンサの製造方法 |
US7466536B1 (en) | 2004-08-13 | 2008-12-16 | Eestor, Inc. | Utilization of poly(ethylene terephthalate) plastic and composition-modified barium titanate powders in a matrix that allows polarization and the use of integrated-circuit technologies for the production of lightweight ultrahigh electrical energy storage units (EESU) |
JP3841814B1 (ja) | 2005-04-28 | 2006-11-08 | 三井金属鉱業株式会社 | キャパシタ層形成材及びそのキャパシタ層形成材の製造方法 |
EP1966810B1 (en) | 2005-12-28 | 2012-01-25 | The Penn State Research Foundation | High electric energy density polymer capacitors with fast discharge speed and high efficiency based on unique poly(vinylidene fluoride) copolymers and terpolymers as dielectric materials |
US20080002329A1 (en) * | 2006-07-02 | 2008-01-03 | Pohm Arthur V | High Dielectric, Non-Linear Capacitor |
GB0616358D0 (en) * | 2006-08-16 | 2006-09-27 | Crysoptix Ltd | Anisotropic polymer film and method of production thereof |
GB0622150D0 (en) * | 2006-11-06 | 2006-12-20 | Kontrakt Technology Ltd | Anisotropic semiconductor film and method of production thereof |
US8524398B2 (en) | 2009-04-01 | 2013-09-03 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | All-electron battery having area-enhanced electrodes |
JP2012515448A (ja) | 2009-01-16 | 2012-07-05 | ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | 量子ドット型ウルトラキャパシタ及び電子バッテリー |
KR20110122051A (ko) * | 2010-05-03 | 2011-11-09 | 제일모직주식회사 | 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자 |
US20120008251A1 (en) * | 2010-07-12 | 2012-01-12 | Wei-Ching Yu | Film capacitors comprising melt-stretched films as dielectrics |
KR101517532B1 (ko) * | 2011-07-05 | 2015-05-04 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유전체 박막, 유전체 박막 소자 및 박막 콘덴서 |
CN104053689B (zh) | 2011-12-09 | 2017-01-18 | 南洋理工大学 | 聚(偏氟乙烯)系聚合物和至少一种类型的导电聚合物的接枝共聚物,以及形成该接枝共聚物的方法 |
US9087645B2 (en) | 2012-01-30 | 2015-07-21 | QuantrumScape Corporation | Solid state energy storage devices |
US20130334657A1 (en) | 2012-06-15 | 2013-12-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Planar interdigitated capacitor structures and methods of forming the same |
-
2015
- 2015-05-12 KR KR1020167033251A patent/KR20170005821A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-05-12 US US14/710,491 patent/US9589727B2/en active Active
- 2015-05-12 JP JP2017512654A patent/JP2017520128A/ja active Pending
- 2015-05-12 WO PCT/US2015/030356 patent/WO2015175522A1/en active Application Filing
- 2015-05-12 TW TW104115076A patent/TW201618139A/zh unknown
- 2015-05-12 EP EP15792405.1A patent/EP3143651B1/en active Active
- 2015-05-12 MX MX2016014827A patent/MX2016014827A/es unknown
- 2015-05-12 RU RU2016143559A patent/RU2016143559A/ru not_active Application Discontinuation
- 2015-05-12 SG SG11201609438UA patent/SG11201609438UA/en unknown
- 2015-05-12 AU AU2015259345A patent/AU2015259345B2/en not_active Ceased
- 2015-05-12 CA CA2948008A patent/CA2948008A1/en not_active Abandoned
- 2015-05-12 CN CN201580025110.6A patent/CN106463618B/zh active Active
-
2016
- 2016-11-08 IL IL248829A patent/IL248829A0/en unknown
- 2016-11-21 ZA ZA2016/08040A patent/ZA201608040B/en unknown
-
2020
- 2020-04-24 JP JP2020077405A patent/JP2020120130A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3143651A4 (en) | 2017-12-13 |
JP2017520128A (ja) | 2017-07-20 |
SG11201609438UA (en) | 2016-12-29 |
KR20170005821A (ko) | 2017-01-16 |
ZA201608040B (en) | 2018-11-28 |
AU2015259345A1 (en) | 2016-11-24 |
MX2016014827A (es) | 2017-03-10 |
JP2020120130A (ja) | 2020-08-06 |
CA2948008A1 (en) | 2015-11-19 |
TW201618139A (zh) | 2016-05-16 |
WO2015175522A1 (en) | 2015-11-19 |
US20160020027A1 (en) | 2016-01-21 |
IL248829A0 (en) | 2017-01-31 |
CN106463618A (zh) | 2017-02-22 |
EP3143651A1 (en) | 2017-03-22 |
AU2015259345B2 (en) | 2018-03-01 |
US9589727B2 (en) | 2017-03-07 |
CN106463618B (zh) | 2019-06-14 |
EP3143651B1 (en) | 2020-09-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2016143559A (ru) | Конденсатор и способ его изготовления | |
JP2017519374A5 (ru) | ||
RU2017112074A (ru) | Устройства для хранения энергии и способы их получения | |
RU2016143558A (ru) | Устройство для хранения энергии и способ его изготовления | |
CN103985532B (zh) | 电子器件的制造方法 | |
JP2008171824A5 (ru) | ||
AR106439A1 (es) | Compuesto orgánico, capa dieléctrica cristalina y capacitor | |
JP2006236556A5 (ru) | ||
JP2016535441A5 (ru) | ||
JP2012519939A5 (ru) | ||
KR20180021069A (ko) | 코일 커패시터 | |
JP2012527745A5 (ru) | ||
FR2961353B1 (fr) | Antenne pour milieu humide | |
WO2014029751A3 (en) | Fuse element | |
EP4346350A2 (en) | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof | |
MY165848A (en) | Parallel stacked symmetrical and differential inductor | |
JP2013140716A5 (ru) | ||
RU2017135100A (ru) | Силовой кабель с системой сшитой электрической изоляции и способ извлечения из него побочных продуктов сшивания | |
CN103887012A (zh) | 一种石墨烯导线的生产方法 | |
KR20110109084A (ko) | 평각 에나멜선 및 그 제조방법 | |
JPWO2020008435A5 (ru) | ||
CN205211454U (zh) | 一种工业用高频数字通信电缆 | |
WO2014150827A1 (en) | Low static discharge lan twisted pair cable | |
CN104466422A (zh) | 一种具有类矩形微结构的超材料 | |
CN103928112A (zh) | 一种低烟无卤聚烯烃护套电缆 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20180514 |