RU2016143559A - Конденсатор и способ его изготовления - Google Patents

Конденсатор и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2016143559A
RU2016143559A RU2016143559A RU2016143559A RU2016143559A RU 2016143559 A RU2016143559 A RU 2016143559A RU 2016143559 A RU2016143559 A RU 2016143559A RU 2016143559 A RU2016143559 A RU 2016143559A RU 2016143559 A RU2016143559 A RU 2016143559A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
molecular material
anisometric
substituents
alkyl
capacitor
Prior art date
Application number
RU2016143559A
Other languages
English (en)
Inventor
Павел Иван ЛАЗАРЕВ
Original Assignee
Кэпэситор Сайенсиз Инкорпорейтед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Кэпэситор Сайенсиз Инкорпорейтед filed Critical Кэпэситор Сайенсиз Инкорпорейтед
Publication of RU2016143559A publication Critical patent/RU2016143559A/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/14Organic dielectrics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • H01G4/008Selection of materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/14Organic dielectrics
    • H01G4/18Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose
    • H01G4/186Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose halogenated
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40Capacitors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Claims (40)

1. Конденсатор, содержащий:
первый электрод;
второй электрод; и
диэлектрический слой молекулярного материала, расположенный между указанными первым и вторым электродами,
причем указанные электроды являются плоскими, планарными и расположены параллельно друг другу, а
молекулярный материал описан общей формулой:
Figure 00000001
где:
Сердечник - поляризуемый проводящий анизометрический сердечник, имеющий π-сопряженные системы и характеризующийся продольной осью;
D и Н - изолирующие заместители; и
p и q - количества заместителей D и Н соответственно,
причем указанные заместители присоединены к поляризуемому анизометрическому сердечнику в позициях вершин, а p и q независимо выбраны из значений 1, 2, 3, 4 и 5.
2. Конденсатор по п. 1, в котором по меньшей мере каждая одна из изолирующих групп D и по меньшей мере одна из изолирующих групп Н независимо выбрана из группы, состоящей из алкильных, фторированных алкильных, хлорированных алкильных, разветвленных и сложных алкильных, разветвленных и сложных фторированных алкильных, разветвленных и сложных хлорированных алкильных групп и любой их комбинации.
3. Конденсатор по п. 1, в котором анизометрические сердечники формируют проводящие пакеты благодаря π-π-взаимодействию, и изолирующие заместители формируют изолирующие субслои, окружающие указанные пакеты, причем угол α кручения сформирован между продольными осями расположенных рядом анизометрических сердечников, при этом указанный угол кручения находится в диапазоне 0°≤α≤90°, и расстояние между сердечниками в пакетах составляет 0,34±0,1 нм.
4. Конденсатор по п. 3, в котором анизометрические сердечники формируют скрученные проводящие пакеты, в котором указанный угол кручения находится в диапазоне 0°<α≤90°.
5. Конденсатор по п. 4, в котором диэлектрический слой молекулярного материала имеет шестиугольную кристаллическую структуру.
6. Конденсатор по п. 3, в котором анизометрические сердечники формируют проводящие пакеты, причем указанный угол кручения α=0, и продольные оси анизометрических сердечников перпендикулярны электродам.
7. Конденсатор по п. 6, в котором диэлектрический слой молекулярного материала имеет ламеллярную кристаллическую структуру.
8. Конденсатор по п. 7, в котором указанные поляризуемые анизометрические сердечники обладают трансляционной периодичностью и симметрией по меньшей мере в одном направлении.
9. Конденсатор по п. 1, в котором поляризуемым анизометрическим сердечником является электропроводящий олигомер, и указанные электропроводящие олигомеры формируют молекулярные пакеты благодаря π-π-взаимодействию.
10. Конденсатор по п. 9, в котором указанный электропроводящий олигомер выбран из группы, состоящей из следующих структурных формул 1-7:
Figure 00000002
Figure 00000003
Figure 00000004
где n=2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 или 12.
11. Конденсатор по п. 1, в котором электроды выполнены из Pt, Cu, Al, Ag или Au.
12. Конденсатор по п. 1, содержащий два электрода, выполненные из меди, полианилин (PANI) в качестве поляризуемого анизометрического сердечника и фторированные алкильные заместители в качестве изолирующих заместителей.
13. Способ изготовления конденсатора, включающий в себя этапы:
a) подготовки проводящей подложки, служащей в качестве одного из электродов,
b) нанесения молекулярного материала на подложку,
c) формирования твердого слоя молекулярного материала, и
d) формирования второго электрода на твердом слое молекулярного материала, причем молекулярный материал описан общей формулой:
Figure 00000005
где:
Сердечник - поляризуемый проводящий анизометрический сердечник, имеющий π-сопряженные системы и характеризующийся продольной осью;
D и Н - изолирующие заместители; и
p и q - количества заместителей D и Н соответственно,
при этом указанные заместители присоединены к поляризуемому анизометрическому сердечнику в позициях вершин, и p и q независимо выбраны из значений 1, 2, 3, 4 и 5.
14. Способ по п.13, согласно которому по меньшей мере одна из изолирующих групп D и Н независимо выбрана из списка, содержащего алкильные, фторированные алкильные, хлорированные алкильные, разветвленные и сложные алкильные, разветвленные и сложные фторированные алкильные, разветвленные и сложные хлорированные алкильные группы и любую их комбинацию.
15. Способ по п. 13, согласно которому этап b) нанесения включает в себя нанесение раствора молекулярного материала, и этап с) формирования твердого слоя включает в себя сушку для формирования твердого слоя молекулярного материала.
16. Способ по п. 13, согласно которому этап b) нанесения включает в себя нанесение расплава молекулярного материала, и этап с) формирования твердого слоя включает в себя остывание для формирования твердого слоя молекулярного материала.
RU2016143559A 2014-05-12 2015-05-12 Конденсатор и способ его изготовления RU2016143559A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201461991871P 2014-05-12 2014-05-12
US61/991,871 2014-05-12
PCT/US2015/030356 WO2015175522A1 (en) 2014-05-12 2015-05-12 Capacitor and method of production thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2016143559A true RU2016143559A (ru) 2018-06-19

Family

ID=54480548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016143559A RU2016143559A (ru) 2014-05-12 2015-05-12 Конденсатор и способ его изготовления

Country Status (14)

Country Link
US (1) US9589727B2 (ru)
EP (1) EP3143651B1 (ru)
JP (2) JP2017520128A (ru)
KR (1) KR20170005821A (ru)
CN (1) CN106463618B (ru)
AU (1) AU2015259345B2 (ru)
CA (1) CA2948008A1 (ru)
IL (1) IL248829A0 (ru)
MX (1) MX2016014827A (ru)
RU (1) RU2016143559A (ru)
SG (1) SG11201609438UA (ru)
TW (1) TW201618139A (ru)
WO (1) WO2015175522A1 (ru)
ZA (1) ZA201608040B (ru)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10319523B2 (en) 2014-05-12 2019-06-11 Capacitor Sciences Incorporated Yanli dielectric materials and capacitor thereof
US20170301477A1 (en) * 2016-04-04 2017-10-19 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
RU2016143558A (ru) 2014-05-12 2018-06-13 Кэпэситор Сайенсиз Инкорпорейтед Устройство для хранения энергии и способ его изготовления
US10347423B2 (en) 2014-05-12 2019-07-09 Capacitor Sciences Incorporated Solid multilayer structure as semiproduct for meta-capacitor
US10340082B2 (en) * 2015-05-12 2019-07-02 Capacitor Sciences Incorporated Capacitor and method of production thereof
SG11201703441YA (en) 2014-11-04 2017-05-30 Capacitor Sciences Inc Energy storage devices and methods of production thereof
JP2018511167A (ja) 2015-02-26 2018-04-19 キャパシタ サイエンシス インコーポレイテッド 自己修復コンデンサおよびその製造方法
US9932358B2 (en) 2015-05-21 2018-04-03 Capacitor Science Incorporated Energy storage molecular material, crystal dielectric layer and capacitor
US9941051B2 (en) 2015-06-26 2018-04-10 Capactor Sciences Incorporated Coiled capacitor
US10026553B2 (en) 2015-10-21 2018-07-17 Capacitor Sciences Incorporated Organic compound, crystal dielectric layer and capacitor
DE102015224739A1 (de) * 2015-12-09 2017-06-14 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Auslösen von Fußgängerschutzmitteln und/oder Fußgängerwarnmitteln
US10305295B2 (en) 2016-02-12 2019-05-28 Capacitor Sciences Incorporated Energy storage cell, capacitive energy storage module, and capacitive energy storage system
US20170236641A1 (en) * 2016-02-12 2017-08-17 Capacitor Sciences Incorporated Furuta co-polymer and capacitor
US20170236642A1 (en) * 2016-02-12 2017-08-17 Capacitor Sciences Incorporated para-FURUTA POLYMER AND CAPACITOR
US20170233528A1 (en) * 2016-02-12 2017-08-17 Capacitor Sciences Incorporated Sharp polymer and capacitor
US10636575B2 (en) 2016-02-12 2020-04-28 Capacitor Sciences Incorporated Furuta and para-Furuta polymer formulations and capacitors
US9978517B2 (en) * 2016-04-04 2018-05-22 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US20170283618A1 (en) * 2016-04-04 2017-10-05 Capacitor Sciences Incorporated Non-linear dielectric materials and capacitor
US10153087B2 (en) 2016-04-04 2018-12-11 Capacitor Sciences Incorporated Electro-polarizable compound and capacitor
US11092142B2 (en) * 2017-11-20 2021-08-17 Capacitor Sciences Incorporated Plasma electric propulsion device
WO2018021328A1 (ja) * 2016-07-26 2018-02-01 日産化学工業株式会社 重合体組成物
US10395841B2 (en) 2016-12-02 2019-08-27 Capacitor Sciences Incorporated Multilayered electrode and film energy storage device
US10388461B2 (en) 2017-08-02 2019-08-20 Perriquest Defense Research Enterprises, Llc Capacitor arrangements
US10163575B1 (en) 2017-11-07 2018-12-25 Capacitor Sciences Incorporated Non-linear capacitor and energy storage device comprising thereof
EP3717485A4 (en) * 2017-11-20 2021-07-07 Capacitor Sciences Incorporated HEIN ELECTRO-POLARIZABLE COMPOUND AND CONDENSER THEREOF
US10403435B2 (en) 2017-12-15 2019-09-03 Capacitor Sciences Incorporated Edder compound and capacitor thereof
US11482529B2 (en) * 2019-02-27 2022-10-25 Kepler Computing Inc. High-density low voltage non-volatile memory with unidirectional plate-line and bit-line and pillar capacitor
JP7444561B2 (ja) 2019-08-08 2024-03-06 株式会社東芝 アルミニウム電解コンデンサ、電気機器、及びアルミニウム電解コンデンサの製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6501093B1 (en) 1994-04-04 2002-12-31 Alvin M. Marks Quantum energy storage or retrieval device
US7033406B2 (en) 2001-04-12 2006-04-25 Eestor, Inc. Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries
AU2002327747A1 (en) * 2001-09-27 2003-04-07 3M Innovative Properties Company Substituted pentacene semiconductors
DE10248722A1 (de) * 2002-10-18 2004-05-06 Infineon Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung mit Kondensator und Herstellungsverfahren
JP4299297B2 (ja) * 2003-02-07 2009-07-22 昭和電工株式会社 コンデンサおよび該コンデンサの製造方法
US7466536B1 (en) 2004-08-13 2008-12-16 Eestor, Inc. Utilization of poly(ethylene terephthalate) plastic and composition-modified barium titanate powders in a matrix that allows polarization and the use of integrated-circuit technologies for the production of lightweight ultrahigh electrical energy storage units (EESU)
JP3841814B1 (ja) 2005-04-28 2006-11-08 三井金属鉱業株式会社 キャパシタ層形成材及びそのキャパシタ層形成材の製造方法
EP1966810B1 (en) 2005-12-28 2012-01-25 The Penn State Research Foundation High electric energy density polymer capacitors with fast discharge speed and high efficiency based on unique poly(vinylidene fluoride) copolymers and terpolymers as dielectric materials
US20080002329A1 (en) * 2006-07-02 2008-01-03 Pohm Arthur V High Dielectric, Non-Linear Capacitor
GB0616358D0 (en) * 2006-08-16 2006-09-27 Crysoptix Ltd Anisotropic polymer film and method of production thereof
GB0622150D0 (en) * 2006-11-06 2006-12-20 Kontrakt Technology Ltd Anisotropic semiconductor film and method of production thereof
US8524398B2 (en) 2009-04-01 2013-09-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University All-electron battery having area-enhanced electrodes
JP2012515448A (ja) 2009-01-16 2012-07-05 ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ 量子ドット型ウルトラキャパシタ及び電子バッテリー
KR20110122051A (ko) * 2010-05-03 2011-11-09 제일모직주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
US20120008251A1 (en) * 2010-07-12 2012-01-12 Wei-Ching Yu Film capacitors comprising melt-stretched films as dielectrics
KR101517532B1 (ko) * 2011-07-05 2015-05-04 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 유전체 박막, 유전체 박막 소자 및 박막 콘덴서
CN104053689B (zh) 2011-12-09 2017-01-18 南洋理工大学 聚(偏氟乙烯)系聚合物和至少一种类型的导电聚合物的接枝共聚物,以及形成该接枝共聚物的方法
US9087645B2 (en) 2012-01-30 2015-07-21 QuantrumScape Corporation Solid state energy storage devices
US20130334657A1 (en) 2012-06-15 2013-12-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Planar interdigitated capacitor structures and methods of forming the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP3143651A4 (en) 2017-12-13
JP2017520128A (ja) 2017-07-20
SG11201609438UA (en) 2016-12-29
KR20170005821A (ko) 2017-01-16
ZA201608040B (en) 2018-11-28
AU2015259345A1 (en) 2016-11-24
MX2016014827A (es) 2017-03-10
JP2020120130A (ja) 2020-08-06
CA2948008A1 (en) 2015-11-19
TW201618139A (zh) 2016-05-16
WO2015175522A1 (en) 2015-11-19
US20160020027A1 (en) 2016-01-21
IL248829A0 (en) 2017-01-31
CN106463618A (zh) 2017-02-22
EP3143651A1 (en) 2017-03-22
AU2015259345B2 (en) 2018-03-01
US9589727B2 (en) 2017-03-07
CN106463618B (zh) 2019-06-14
EP3143651B1 (en) 2020-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2016143559A (ru) Конденсатор и способ его изготовления
JP2017519374A5 (ru)
RU2017112074A (ru) Устройства для хранения энергии и способы их получения
RU2016143558A (ru) Устройство для хранения энергии и способ его изготовления
CN103985532B (zh) 电子器件的制造方法
JP2008171824A5 (ru)
AR106439A1 (es) Compuesto orgánico, capa dieléctrica cristalina y capacitor
JP2006236556A5 (ru)
JP2016535441A5 (ru)
JP2012519939A5 (ru)
KR20180021069A (ko) 코일 커패시터
JP2012527745A5 (ru)
FR2961353B1 (fr) Antenne pour milieu humide
WO2014029751A3 (en) Fuse element
EP4346350A2 (en) Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
MY165848A (en) Parallel stacked symmetrical and differential inductor
JP2013140716A5 (ru)
RU2017135100A (ru) Силовой кабель с системой сшитой электрической изоляции и способ извлечения из него побочных продуктов сшивания
CN103887012A (zh) 一种石墨烯导线的生产方法
KR20110109084A (ko) 평각 에나멜선 및 그 제조방법
JPWO2020008435A5 (ru)
CN205211454U (zh) 一种工业用高频数字通信电缆
WO2014150827A1 (en) Low static discharge lan twisted pair cable
CN104466422A (zh) 一种具有类矩形微结构的超材料
CN103928112A (zh) 一种低烟无卤聚烯烃护套电缆

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20180514