RU2015154180A - Управление удалением в системах памяти - Google Patents

Управление удалением в системах памяти Download PDF

Info

Publication number
RU2015154180A
RU2015154180A RU2015154180A RU2015154180A RU2015154180A RU 2015154180 A RU2015154180 A RU 2015154180A RU 2015154180 A RU2015154180 A RU 2015154180A RU 2015154180 A RU2015154180 A RU 2015154180A RU 2015154180 A RU2015154180 A RU 2015154180A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
data
invalid data
storage cells
cells
area
Prior art date
Application number
RU2015154180A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2638006C2 (ru
Inventor
Йогеш Б. ВАКШОР
Дэвид Дж. ПЕЛСТЕР
Синь ГО
Original Assignee
Интел Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Интел Корпорейшн filed Critical Интел Корпорейшн
Publication of RU2015154180A publication Critical patent/RU2015154180A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2638006C2 publication Critical patent/RU2638006C2/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223—User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023—Free address space management
    • G06F12/0238—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246—Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • G11C11/5621—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using charge storage in a floating gate
    • G11C11/5628—Programming or writing circuits; Data input circuits
    • G11C11/5635—Erasing circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/102—External programming circuits, e.g. EPROM programmers; In-circuit programming or reprogramming; EPROM emulators
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
    • G11C16/16—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/32—Timing circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
    • G11C16/3495—Circuits or methods to detect or delay wearout of nonvolatile EPROM or EEPROM memory devices, e.g. by counting numbers of erase or reprogram cycles, by using multiple memory areas serially or cyclically
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/10—Providing a specific technical effect
    • G06F2212/1032—Reliability improvement, data loss prevention, degraded operation etc
    • G06F2212/1036—Life time enhancement
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7204—Capacity control, e.g. partitioning, end-of-life degradation
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7205—Cleaning, compaction, garbage collection, erase control
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7207—Details relating to flash memory management management of metadata or control data
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7208—Multiple device management, e.g. distributing data over multiple flash devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7209—Validity control, e.g. using flags, time stamps or sequence numbers
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00—Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72—Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7211—Wear leveling
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits

Claims (56)

1. Способ, содержащий:
в ответ на прием уведомления о том, что данные, сохраненные в области ячеек сохранения в системе энергонезависимой памяти, содержат недействительные данные, система сохраняет недействительные данные, помечая область, как содержащую недействительные данные; и
управляют временем, в течение которого область ячеек сохранения находится в состоянии удаления, ассоциированном с последующей перезаписью недействительных данных в ячейках сохранения данными замещения.
2. Способ по п. 1, в котором управление временем включает в себя задержку операции удаления недействительных данных в ячейках сохранения в области и замену недействительных данных данными замещения, задержанная операция уменьшает время до величины ниже заданного порогового значения времени.
3. Способ по п. 2, в котором задержка операции удаления недействительных данных
включает в себя:
отслеживают необходимость в пространстве для сохранения в системе энергонезависимой памяти; и
удаляют недействительные данные в области сохранения в ответ на детектирование необходимости сохранять данные замещения в системе с энергонезависимой памятью.
4. Способ по п. 2 или 3, дополнительно содержащий
после удаления недействительных данных, инициируют сохранение данных замещения в ячейках сохранения в области, для обеспечения того, что время, в течение которого ячейки сохранения установлены в состояние удаленных данных, будет меньше, чем заданное пороговое значение времени.
5. Способ по п. 2, в котором управление временем включает в себя:
уменьшают скорость собственных потерь заряда, ассоциированных с данными замещения, содержащимися в ячейках сохранения, скорость собственных потерь заряда зависит от величины времени, в течение которого установки ячеек замещения были установлены в состояние удаленных данных, перед сохранением данных замещения в ячейках сохранения.
6. Способ по п. 1 или 2, в котором управление временем, ассоциированное с перезаписью недействительных данных, включает в себя:
поддерживают установки ячеек сохранения в ранее запрограммированном состоянии для сохранения недействительных данных, до приема команды на удаление данных в ячейках сохранения, команду принимают в ответ на детектирование, что резервная полоса в системе энергонезависимой памяти была переведена в состояние текущей полосы, в которой сохраняют вновь принятые данные; и
обозначают область удаленных данных ячеек сохранения, как резервную полосу.
7. Способ по п. 1, дополнительно содержащий:
принимают команду на модификацию недействительных данных в ячейках сохранения; и в ответ на прием этой команды, модифицируют участок, составляющий менее, чем все установки ячеек данных в области, в состояние не удаленных данных, в котором недействительные данные становятся поврежденными.
8. Способ по п. 7, в котором модификация менее чем всех установок ячеек данных в состояние неудаленных данных включает в себя:
изменяют установки первой группы ячеек в области из первого состояния не удаленных данных на второе состояние не удаленных данных для того, чтобы сделать недействительные данные недоступными.
9. Способ по п. 1, или 7, или 8, дополнительно содержащий:
повышают пороговое значение удаления, ассоциированное с ячейками сохранения; и модифицируют установки ячеек сохранения так, чтобы они попадали в пределы диапазона, определенного повышенным пороговым значением удаления.
10. Способ по п. 1, или 2, или 7, или 8,дополнительно содержащий:
выполняют частичное удаление данных в области для разрушения недействительных данных.
11. Способ по п. 1, в котором управление временем включает в себя:
удаляют область ячеек сохранения, для разрушения недействительных данных; и программируют область ячеек сохранения временными данными перед перезаписью временных данных данными замещения.
12. Способ по п. 1 или 11, в котором управление временем включает в себя:
уменьшают скорость собственных потерь заряда, ассоциированных с данными замещения, содержащимися в ячейках сохранения.
13. Способ по п. 1 или 11, в котором управление временем включает в себя:
управляют временем, чтобы оно было ниже порогового значения.
14. Способ по п. 1, в котором маркировка области включает в себя:
модифицируют данные, сохраненные в заданном местоположении в области, для обозначения, что эта область включает в себя недействительные данные, способ, дополнительно содержащий:
используют установку данных в заданном местоположении для определения, что в области содержатся недействительные данные.
15. Устройство для сохранения данных, содержащее:
систему энергонезависимой памяти, включающую в себя множество устройств энергонезависимой памяти; и
логику обработки, выполненную с возможностью:
в ответ на прием уведомления, что данные, содержащиеся в области ячеек сохранения в энергонезависимой системе памяти, содержат недействительные данные, маркируют область, как содержащую недействительные данные; и
управляют величиной времени, в течение которого область установлена в состояние удаленных данных, во взаимосвязи с последующей перезаписью недействительных данных в ячейках сохранения данными замещения.
16. Устройство по п. 15, в котором логическая схема обработки дополнительно выполнена с возможностью задержки операции удаления недействительных данных в ячейках сохранения в области и замены недействительных данных данными замещения, задержанная операция уменьшает время до величины ниже заданного порогового значения времени.
17. Устройство по п. 16, в котором логическая схема обработки дополнительно выполнена с возможностью:
отслеживать необходимость в пространстве для сохранения в системе энергонезависимой памяти; и удалять недействительные данные в области сохранения в ответ на детектирование необходимости сохранять данные замещения в системе с энергонезависимой памятью.
18. Устройство по п. 15 или 17, в котором логическая схема обработки дополнительно выполнена с возможностью:
после удаления недействительных данных, инициировать сохранение данных замещения в ячейках сохранения в области, для обеспечения того, что время, в течение которого ячейки сохранения установлены в состояние удаленных данных, будет меньше, чем заданное пороговое значение времени.
19. Устройство по п. 16, в котором логическая схема обработки дополнительно выполнена с возможностью:
уменьшать скорость собственных потерь заряда, ассоциированных с данными замещения, содержащимися в ячейках сохранения, скорость собственных потерь заряда зависит от величины времени, в течение которого установки ячеек замещения были установлены в состояние удаленных данных, перед сохранением данных замещения в ячейках сохранения.
20. Устройство по п. 15 или 19, в котором логическая схема обработки дополнительно выполнена с возможностью:
поддержки установки ячеек сохранения в ранее запрограммированном состоянии для сохранения недействительных данных, до приема команды на удаление данных в ячейках сохранения, команду принимают в ответ на детектирование, что резервная полоса в системе энергонезависимой памяти была переведена в состояние текущей полосы, в которой сохраняют вновь принятые данные.
21. Компьютерная система, включающая в себя устройство по п. 15, или 16, или 17, или 19, компьютерная система, дополнительно содержащая:
аппаратные средства процессора хост компьютера, выполненные с возможностью обмена данными с логикой обработки и сохранения соответствующих данных в системе памяти.
22. Компьютерная система, включающая в себя устройство по п. 15, или 16, или 17, или 19, в которой энергонезависимая система памяти представляет собой твердотельный привод, к которому имеет доступ компьютерная система.
23. Компьютерная система по п. 22, компьютерная система, дополнительно содержащая:
экран дисплея, на котором представляют изображение на основе, по меньшей мере, частично соответствующих данных, сохраненных в твердотельном приводе.
24. Считываемые компьютером аппаратные средства сохранения, имеющие инструкции, сохраненные в них, инструкции при их выполнении аппаратными средствами компьютерного процессора, обеспечивают выполнение аппаратными средствами компьютерного процессора следующих операций:
в ответ на прием уведомления о том, что данные, сохраненные в области ячеек сохранения в системе энергонезависимой памяти, содержат недействительные данные, маркируют область, как содержащую недействительные данные; и
управляют временем, в течение которого область ячеек сохранения находится в состоянии удаленных данных, в ассоциации с последующей перезаписью недействительных данных в ячейках сохранения данными замещения.
25. Считываемые компьютером аппаратные средства накопителя по п. 24, в которых управление временем включает в себя:
выполняют задержку операции удаления недействительных данных в ячейках сохранения в области и заменяют недействительные данные данными замещения, задержанная операция уменьшает время до величины ниже заданного порогового значения времени.
RU2015154180A 2013-07-16 2014-07-16 Управление удалением в системах памяти RU2638006C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/943,762 US9483397B2 (en) 2013-07-16 2013-07-16 Erase management in memory systems
US13/943,762 2013-07-16
PCT/US2014/046849 WO2015009827A1 (en) 2013-07-16 2014-07-16 Erase management in memory systems

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015154180A true RU2015154180A (ru) 2017-06-21
RU2638006C2 RU2638006C2 (ru) 2017-12-08

Family

ID=52344556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015154180A RU2638006C2 (ru) 2013-07-16 2014-07-16 Управление удалением в системах памяти

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9483397B2 (ru)
EP (2) EP3489956B1 (ru)
JP (1) JP6112595B2 (ru)
KR (1) KR101686376B1 (ru)
CN (2) CN110047546B (ru)
BR (2) BR122018075830B1 (ru)
RU (1) RU2638006C2 (ru)
WO (1) WO2015009827A1 (ru)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9274866B2 (en) * 2013-12-09 2016-03-01 International Business Machines Corporation Programming non-volatile memory using a relaxed dwell time
US9390003B2 (en) * 2013-12-09 2016-07-12 International Business Machines Corporation Retirement of physical memory based on dwell time
US10019179B2 (en) 2015-10-16 2018-07-10 Toshiba Memory Corporation Memory device that writes data into a block based on time passage since erasure of data from the block
JP6765321B2 (ja) * 2017-02-28 2020-10-07 キオクシア株式会社 メモリシステムおよび制御方法
JP6765322B2 (ja) * 2017-02-28 2020-10-07 キオクシア株式会社 メモリシステムおよび制御方法
CN113641630A (zh) * 2017-03-27 2021-11-12 珠海极海半导体有限公司 一种flash存储器
KR102611345B1 (ko) * 2018-07-31 2023-12-08 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 컨트롤러 및 그 동작 방법
US10628076B1 (en) * 2018-10-01 2020-04-21 Micron Technology, Inc. Data erasure in memory sub-systems
CN109920462B (zh) * 2019-03-01 2021-01-22 中国科学院微电子研究所 一种数据写入控制电路和控制方法
JP2020198128A (ja) * 2020-08-31 2020-12-10 キオクシア株式会社 メモリシステム
JP7132291B2 (ja) * 2020-08-31 2022-09-06 キオクシア株式会社 メモリシステムおよび制御方法
US11734193B2 (en) * 2020-12-14 2023-08-22 Micron Technology, Inc. Exclusion regions for host-side memory address translation
CN112908392B (zh) * 2021-02-09 2023-09-15 东芯半导体股份有限公司 控制非易失性存储器参数的控制方法
US11550955B1 (en) * 2021-07-20 2023-01-10 Red Hat, Inc. Automatically anonymizing data in a distributed storage system
CN113835970B (zh) * 2021-10-09 2022-05-10 南阳理工学院 一种计算机存储器优化装置及其优化方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2582487B2 (ja) * 1991-07-12 1997-02-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
US5808937A (en) * 1994-12-16 1998-09-15 National Semiconductor Corporation Self-convergent method for programming FLASH and EEPROM memory cells that moves the threshold voltage from an erased threshold voltage range to one of a plurality of programmed threshold voltage ranges
US5860124A (en) * 1996-09-30 1999-01-12 Intel Corporation Method for performing a continuous over-write of a file in nonvolatile memory
JP2004240660A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不揮発性メモリ装置の制御方法
US8504798B2 (en) * 2003-12-30 2013-08-06 Sandisk Technologies Inc. Management of non-volatile memory systems having large erase blocks
US7873885B1 (en) * 2004-01-20 2011-01-18 Super Talent Electronics, Inc. SSD test systems and methods
US20060002197A1 (en) 2004-06-30 2006-01-05 Rudelic John C Method and apparatus to detect invalid data in a nonvolatile memory following a loss of power
KR100876084B1 (ko) * 2007-02-13 2008-12-26 삼성전자주식회사 플래시 저장 장치로 삭제 정보를 전달할 수 있는 컴퓨팅시스템
US7783845B2 (en) * 2005-11-14 2010-08-24 Sandisk Corporation Structures for the management of erase operations in non-volatile memories
KR100848315B1 (ko) * 2005-12-08 2008-07-24 한국전자통신연구원 이중 저널링을 이용한 데이터 저장 공간 확보 방법
US20080282024A1 (en) * 2007-05-09 2008-11-13 Sudeep Biswas Management of erase operations in storage devices based on flash memories
JP4461170B2 (ja) * 2007-12-28 2010-05-12 株式会社東芝 メモリシステム
JP2009252255A (ja) * 2008-04-01 2009-10-29 Renesas Technology Corp 不揮発性半導体記憶装置
US7979626B2 (en) * 2008-05-13 2011-07-12 Microsoft Corporation Flash recovery employing transaction log
US8040744B2 (en) * 2009-01-05 2011-10-18 Sandisk Technologies Inc. Spare block management of non-volatile memories
US7907449B2 (en) * 2009-04-09 2011-03-15 Sandisk Corporation Two pass erase for non-volatile storage
US8166233B2 (en) * 2009-07-24 2012-04-24 Lsi Corporation Garbage collection for solid state disks
TWI457940B (zh) 2009-05-15 2014-10-21 Macronix Int Co Ltd 區塊為基礎快閃記憶體之位元組存取
RU90233U1 (ru) * 2009-08-31 2009-12-27 Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Накопитель с контролем местоположения
EP2302636B1 (fr) * 2009-09-21 2014-11-05 STMicroelectronics (Rousset) SAS Procédé de lecture d'une mémoire non volatile au moyen de métadonnées et d'une table de correspondance
US8271719B2 (en) 2009-10-29 2012-09-18 Freescale Semiconductor, Inc. Non-volatile memory controller device and method therefor
US8296506B2 (en) 2009-11-09 2012-10-23 Lite-On It Corporation Method for managing a non-violate memory and computer readable medium thereof
US8677203B1 (en) * 2010-01-11 2014-03-18 Apple Inc. Redundant data storage schemes for multi-die memory systems
TWI489466B (zh) 2011-06-15 2015-06-21 Phison Electronics Corp 記憶體抹除方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置
JP4988054B2 (ja) * 2011-08-12 2012-08-01 株式会社東芝 メモリシステム
WO2013030866A1 (en) * 2011-08-29 2013-03-07 Hitachi, Ltd. Semiconductor storage device comprising electrically rewritable nonvolatile semiconductor memory
US9274937B2 (en) * 2011-12-22 2016-03-01 Longitude Enterprise Flash S.A.R.L. Systems, methods, and interfaces for vector input/output operations

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015009827A1 (en) 2015-01-22
BR122018075830B1 (pt) 2023-11-07
JP2016525240A (ja) 2016-08-22
CN105340020A (zh) 2016-02-17
KR20160003720A (ko) 2016-01-11
US9483397B2 (en) 2016-11-01
BR112015031202A2 (pt) 2017-07-25
CN110047546A (zh) 2019-07-23
CN105340020B (zh) 2019-08-20
KR101686376B1 (ko) 2016-12-13
JP6112595B2 (ja) 2017-04-12
EP3489956A1 (en) 2019-05-29
US20150026386A1 (en) 2015-01-22
RU2638006C2 (ru) 2017-12-08
BR112015031202B1 (pt) 2022-06-14
CN110047546B (zh) 2023-04-04
EP3489956B1 (en) 2021-09-08
EP3022740B1 (en) 2019-03-06
EP3022740A4 (en) 2017-03-08
EP3022740A1 (en) 2016-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2015154180A (ru) Управление удалением в системах памяти
TWI632457B (zh) 用於資料儲存裝置的損耗平均方法
US10176119B2 (en) Workload detection and media cache management
CN102789431B (zh) 数据保护方法和系统
US20150143174A1 (en) Method and apparatus for recovering metadata lost during an unexpected power down event
CN106155258B (zh) 一种掉电保护的电路及相关方法
US20140241071A1 (en) Fast Power Loss Recovery By Swapping Boot and Recovery Data Sets in a Memory
JP2014199583A5 (ru)
US20170083233A1 (en) Data Storage Method and Electronic Device
US10162561B2 (en) Managing backup of logical-to-physical translation information to control boot-time and write amplification
JP2011159069A (ja) 半導体記憶装置及びその制御方法
US20140223231A1 (en) Solid state drive management in power loss recovery
US9921916B2 (en) Management of power loss in a memory device
US9898211B2 (en) Nonvolatile memory control device, nonvolatile memory control method and computer readable storage medium
US9122636B2 (en) Hard power fail architecture
US10198198B2 (en) Storage device that stores setting values for operation thereof
US9400746B2 (en) Data storage device and flash memory control method
TWI520140B (zh) 資料儲存裝置以及快閃記憶體控制方法
US20140325123A1 (en) Information processing apparatus, control circuit, and control method
WO2013147923A1 (en) Solid state drive management in power loss recovery
CN108762670B (zh) 一种ssd固件中数据块的管理方法、系统及装置
US20150234607A1 (en) Disk drive and data save method
US9036432B2 (en) Method for controlling data write operation of a mass storage device
US11175841B2 (en) Write management of flash memory
US20120151148A1 (en) Systems and methods for background destaging storage tracks