RU2014670C1 - Устройство осаждения слоев из газовой фазы - Google Patents

Устройство осаждения слоев из газовой фазы Download PDF

Info

Publication number
RU2014670C1
RU2014670C1 SU5022747A RU2014670C1 RU 2014670 C1 RU2014670 C1 RU 2014670C1 SU 5022747 A SU5022747 A SU 5022747A RU 2014670 C1 RU2014670 C1 RU 2014670C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
plate
reactor
chamber
movement
reloading
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
В.Н. Баранов
Н.С. Волков
Э.Б. Сигалов
М.Л. Коротков
А.И. Любушкин
Е.В. Марков
Г.Л. Фрыгин
А.П. Верещака
А.А. Овечкин
И.И. Савин
Original Assignee
Научно-исследовательский институт точного машиностроения
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский институт точного машиностроения filed Critical Научно-исследовательский институт точного машиностроения
Priority to SU5022747 priority Critical patent/RU2014670C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2014670C1 publication Critical patent/RU2014670C1/ru

Links

Images

Abstract

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и ИС. Сущность изобретения: устройство содержит реакционный блок, включающий кварцевый реактор с излучателем, корпус с подложкодержателем, перегрузочную камеру, включающую механизм перегрузки и шлюзовую камеру с уплотняющей крышкой, герметичный кожух, охлаждаемый экран, установленный с возможностью перемещения. При этом крышка шлюзовой камеры снабжена захватами для фиксации пластины и состыкована с механизмом перегрузки с возможностью перемещения через разъем в реакционном блоке. 2 з.п.ф-лы, 4 ил.

Description

Изобретение относится к устройствам осаждения полупроводниковых слоев из газовой фазы для поштучной обработки пластин и может быть использовано для термического отжига пластин в различных газовых средах, осаждения диэлектрических слоев (двуокись кремния, нитрид кремния и др.) и эпитаксиальных слоев кремния в технологии производства полупроводников и микроэлектронике.
Известно устройство осаждения слоев из газовой фазы для поштучной обработки пластин, содержащее вертикальный цилиндрический кварцевый реактор с горловиной в нижней части для подачи реакционного газа.
Внутри реактора коаксиально установлена кварцевая труба с отверстиями для отвода газа и гнездом в торцевой части для размещения кремниевой пластины рабочей поверхностью вниз и размещенным в трубе опирающимся на пластину цилиндрическим подложкодержателем. Сверху реактор уплотняется фланцем и снабжается патрубком отвода газа. Нагрев пластины осуществляется за счет излучения нагреваемого с помощью токов высокой частоты подложкодержателя.
При проведении, например, процесса эпитаксиального наращивания кремния устройство работает в следующей последовательности. При открытом фланце реактора устанавливают пластину в гнездо рабочей поверхности вниз и над ней - подложкодержатель, после чего фланец уплотняется. После азотной и водородной продувок реактора включается нагрев, по достижении рабочей температуры в смеси водорода и хлористого водорода осуществляется травление пластин и пари подаче в газ - носитель четыреххлористого кремния и лигатуры - эпитаксиальное наращивание. По достижении требуемой толщины осаждаемого слоя прекращают подачу реакционных газов, отключают нагрев, охлаждают подложкодержатель и пластину в среде водорода и азота, после чего открывают фланец реактора и выгружают подложкодержатель и обрабатываемую пластину.
Недостатком устройства являются низкие производительность и качество осаждаемых слоев. Первый недостаток объясняется необходимостью выполнения полного цикла указанных технологических операций, большим объемом реактора и, как следствие, большим расходом газа-носителя, значительной тепловой инерцией подложкодержателя, а второй - сложностью обеспечения равномерного нагрева пластины и повышенной дефектностью эпитаксиального слоя из-за осаждения продуктов реакции на стенках верхней части реактора, через которую осуществляется загрузка пластины, и осыпания частиц на дно реактора с возможностью их рециркуляцией в зону роста. Процесс зарастания реактора порошкообразным осадком прогрессирует из-за адсорбции стенками реактора молекул воды и кислорода из атмосферы.
Известно также устройство, выполненное на более высоком техническом уровне. Оно содержит состыкованные между собой перегрузочную и кассетную камеры. Реакционная камера образована лучепрозрачным реактором в виде колпака с внешним ИК-излучателем, установленным на перегрузочной камере и герметично с ней уплотненным. Внутри перегрузочной камеры размещен уплотняющий реактор подвижный корпус с дисковым подложкодержателем для размещения пластин. Реакционная камера снабжена патрубками подачи и отвода парогазовой смеси, подложкодержатель выполнен с возможностью вращения, а корпус - с возможностью вертикального перемещения из положения уплотнения реактора в положение перегрузки.
Перегрузочная камера выполнена герметичной, содержит перегрузчик и уплотняющую заслонку, за которой размещено кассетное устройство, содержащее два герметичных отсека, в каждом из которых установлена кассета для пластин с механизмами перемещения. Объем перегрузочной камеры постоянно продувается водородом, отсеки кассеты - водородом и азотом.
При проведении эпитаксиального наращивания кремния работа устройства осуществляется в следующей последовательности. Кассета с пластинами устанавливается в продуваемый азотом отсек кассетного устройства, далее шунтируется в отсек, продуваемый водородом. При опущенном корпусе с подложкодержателем с помощью перегрузчика осуществляют перегрузку пластины из кассеты на подложкодержатель, далее перегрузочная камеры герметизируется уплотняющей заслонкой, корпус с пластиной поднимается в верхнее положение и герметизирует реактор. Включается нагрев, по достижении рабочей температуры проводится травление и эпитаксиальное наращивание. Далее нагрев отключается и после остывания пластины до 600оС корпус с пластиной опускается в нижнее положение, перегрузочная камера разгерметизируется и перегрузчик переносит пластину с подложкодержателя в то же гнездо кассеты, откуда она выгружалась. Далее кассета перемещается на следующую позицию, откуда перегрузчик выгружает пластину на подложкодержатель, герметизируется перерузочное устройство и реактор, и операции повторяются по обработке следующей пластины. После обработки всех пластин кассета перегружается в азотный отсек и заменяется на новую. Основными недостатками установки является низкая производительность и качество осаждения слоев. Первый недостаток объясняется длительным временем охлаждения пластины и большим реакционным объемом, требующим длительной продувки при смене газовой среды, второй - сложностью обеспечения равномерного нагрева пластины от удаленных линейных излучателей и повышенной дефектностью при положении пластины рабочей поверхностью вверх.
В связи с общностью основных конструктивных признаков в качестве прототипа предлагаемого принимается устройство, содержащее кассетное устройство для загрузки и выгрузки пластин, состыкованное с перегрузочной камерой и вмонтированными шлюзовой камерой и реакционным блоком. Перегрузочная камера имеет форму диска с внутренней полостью, в которой на оси установлена поворотная пластина с гнездами для размещения обрабатываемой пластины рабочей поверхностью вверх. В перегрузочной камере соосно с гнездами платформы имеются отверстия для размещения реакционного блока и шлюзовой камеры. Реакционный блок выполнен из двух частей: расположенный под пластиной кварцевый иллюминатор с внешним излучателем типа галогенных ламп и расположенный над пластиной корпус в виде газораспределительной насадки с отверстием для пирометрического контроля температуры. Зазор между ними уплотнен платформой при наличии щелевого зазора по периметру. В объем перегрузочной камеры подается водород, он же является газом-носителем в реакторе.
Шлюзовая камера содержит уплотняющую крышку и шток с манжетным уплотнением и пневматическим приводом, обеспечивающие загрузку и выгрузку пластин в перегрузочную камеру из кассетного устройства. Дополнительный механизм перегрузки обеспечивает транспортировку пластины от шлюзовой камеры до кассеты и обратно. Работа устройства при нанесении эпитаксиальных слоев кремния осуществляется в следующей последовательности.
В состоянии загрузки крышки и шток шлюза находится в верхнем положении, причем перегрузочная камера уплотняется штоком с помощью манжет. Из кассеты пластина переносится на шток под крышку, далее крышка опускается и уплотняется относительно камеры, образуя шлюзовую полость, продуваемую азотом и водородом. После продувки шток с пластиной опускается в нижнее положение и пластина перекладывается в гнездо поворотной платформы, после поворота которой на 180о оно перемещается в реактор. После продувки объема реактора водородом включают нагрев, при достижении рабочей температуры пластину травят хлористым водородом, далее в реактор подают SiCl4 (или другие кремнийсодержащие хлориды или гидриды) с легирующими добавками. После отключения нагрева реактор продувают водородом, платформа поворачивается на 180о, осуществляя перенос пластины из реактора на шток, после подъема которого в верхнее положение пластина покидает перегрузочную камеру и продувается азотом в шлюзовой камере. После подъема крышки она перегружается автономным перегрузчиком в кассетное устройство. Далее работа повторяется в описанной последовательности.
Недостатками устройства являются низкая производительность из-за ограниченной скорости нагрева вследствие неоднородности нагрева и возникновения дефектов по линиям скольжения и низкое качество осаждаемых слоев за счет повышенной дефектности, что объясняется размещением пластины рабочей поверхностью вверх, и низкой чистотой обработки, когда имеет место попадание продуктов реакции из реактора в перегрузочное устройство и обратно.
Целью изобретения является повышение производительности и качества обработки за счет сокращения времени нагрева и охлаждения. Эта цель достигается тем, что устройство снабжено герметичным кожухом для размещения выполненного соосно и по форме пластины с возможностью перемещения относительно нее излучателя и подвижным охлаждаемым экраном для отсечки теплового потока на пластину в отведенном положении излучателя, а крышка шлюза снабжена захватами для фиксации пластины и состыкована с механизмом перегрузки с возможностью перемещения через разъем между реактором и корпусом в положение соосно с подложкодержателем и обратно. Для формирования разъема между реактором и корпусом, последний уплотнен с перегрузочной камерой и закреплен неподвижно, а реактор выполнен подвижным и уплотнен с перегрузочной камерой через мембрану. Для обеспечения двухстороннего нагрева пластины корпус снабжен герметизированными с ним реактором с кожухом и размещенным в нем выполненным соосно по форме пластины с возможностью перемещения относительно нее излучателем с подвижным охлаждаемым экраном для отсечки теплового потока на пластину в отведенном положении излучателя.
Сопоставительный анализ с прототипом и аналогами показывает, что заявляемое устройство отличается наличием новых элементов (герметичный кожух, подвижный охлаждаемый экран излучателя, захваты перегрузчика) и оригинальным выполнением существующих элементов, что позволяет получить неожиданный эффект (выполнения подвижных излучателя и реактора позволяют формировать герметичный реактор с минимальным объемом и тепловой инерцией, подвижный излучатель - быстрый нагрев и охлаждение, а оригинальное выполнение захватов позволяют совместить функции шлюзования и загрузки-выгрузки пластины при простоте конструкции и быстродействии).
На фиг.1 дан продольный разрез устройства; на фиг.2 - перегрузочная камеры в плане со шлюзом и двумя реакционными блоками, разрез А-А на фиг.1; на фиг.3 - продольный разрез позиции обработки с обеспечением двухстороннего нагрева, разрез Б-Б на фиг.2; на фиг.4 - продольный разрез крышки в месте выполнения захвата, разрез В-В на фиг.2.
Устройство термического отжига и осаждения слоев из газовой фазы содержит реакционный блок 1 и шлюзовую камеру 2, вмонтированные в перегрузочную камеру 3 с механизмом перегрузки 4, пристыкованный к перегрузочной камере 3 бокс 5 с приемной и загрузочной кассетами 6 и механизмом загрузки и выгрузки 7 и манипулятором 8 для транспортировки обрабатываемых пластин 9. Реакционный блок 1 включает в себя размещенные соосно обрабатываемой пластине кварцевый реактор 10 в форме иллюминатора и излучатель 11, выполненный в виде кожуха 12 с футеровкой 13 и проволочного многозвенного высокотемпературного нагревателя 14, закрепленного с помощью изоляторов 15, а также и регулирующие термопары 16 в кварцевом чехле 17. Излучатель 11 размещен внутри герметичного кожуха 18 на штоке 19 с возможностью перемещения от рабочей позиции до зоны ожидания 20, где смонтированы два раздвижных водоохлаждаемых экрана 21 для отсечки теплового потока от излучателя 11 на пластину 9. Реактор 10 уплотнен в металлических водоохлаждаемых фланцах 22 и через герметизирующую мембрану 23 закреплен в проеме 24 перегрузочной камеры 3 и герметизируется закрепленным неподвижно на камере 3 водоохлаждаемым корпусом 25. Фланец 22 с реактором 10 может быть отведен в верхнее положение или уплотнен с корпусом 25 с помощью поворотных вилок 26, соединенных с фланцем 22 через проушину 27. Корпус 25 снабжен устройствами подачи газа 28 и его отвода 29, и торцевым водоохлаждаемым отражателем 30 с подложкодержателем 31 в виде опор для размещения пластины 9. Для обеспечения большей равномерности нагрева пластины 9 возможно встраивание вместо отражателя 30 дополнительного реактора 10 с излучателем 11 и кожухом 18 (см.фиг. 3) симметрично верхнему исполнению (при неподвижном корпусе 25). Шлюзовая камера 2 образована кольцом 32 перегрузочной камеры 3, уплотненным сверху крышкой 33 с четырьмя механическими захватами 34 и снизу выполненной по форме пластины 9 платформой 35, манипулятора 8. Крышка 33 закреплена на кронштейне 36 механизма перегрузки 4, обеспечивающего позиционное перемещение его в реактор и обратно. Захват 34 содержит поворотный рычаг 37, поджимаемый к пластине 9 пружиной 38 и отжимаемый пневмоцилиндром 39, шток 40 которого уплотнен с помощью сильфона 41. Продувка шлюзовой камеры 2 осуществляется через устройства подачи 42 и отвода 43 газа, фиксация пластин на платформе 35 - за счет подключения вакуумной откачки к полости в упорах 44. Уплотнение крышки 33 относительно кольца 32 производится пневмоприжимом 45, снабженным сильфоном 46 и отжимной пружиной 47. Платформа 35 закреплена на штоке 48 поворотного пневмоцилиндра 49, установленного на оси 50. В нижнем положении (после поворота пневмоцилиндра на 180о и выдвижения штока 48) платформа 35 входит в контакт с пневмотранспортным лотком 51, снабженным наклонными отверстиями 52, обеспечивающими перемещение пластины 9 на газовой подушке из кассеты 6 к платформе 35 и обратно (в зависимости от направления отверстий, через которые подается газ). Шаговое перемещение кассеты 6 при загрузке и выгрузке пластины 9 обеспечивается с помощью механизма перемещения 53, герметизация бокса 5 и возможность ручной смены кассеты 6 - за счет дверцы 54. В бокс 5 обеспечивается непрерывная подача азота, а в перегрузочную камеру 3 - водорода (или газа - носителя, подаваемого в реакционный блок 1). Производительность устройства повышается при размещении шлюзовой камеры 2 между двумя реакционными блоками 1 одинаковой конструкции (см. фиг.2), что позволяет завершать перегрузочные операции за время технологического цикла в одном из реакционных блоков.
При проведении отжига в водороде или осаждении слоев из газовой фазы устройство, изображенное на фиг.1-4, работает в следующей последовательности. Исходное состояние - приемная кассета 6 внизу пустая, загрузочная - вверху с пластинами 9, в шлюзовой камере 2 и реакционном блоке 1 нет пластин 9, манипулятор 8 с платформой 35 в нижнем положении, крышка 33 уплотняет кольцо 32, излучатель (или излучатели) 11 находятся в зоне ожидания 20 в разогретом до рабочей температуры состоянии и закрыт экранами 21, фланец 22 с реактором 10 уплотнен с корпусом 25. Включается механизм 53, обеспечивая пошаговое перемещение загрузочной кассеты 6 вниз, при этом обеспечивается перемещение пластины 9 по лотку 51 в зону взаимодействия с манипулятором 8 за счет подачи азота в направленные в сторону манипулятора 8 отверстия 52. Включается вакуумная откачка из упоров 44 платформы 35, что обеспечивает фиксацию пластины 9 по периметру ее рабочей поверхности на участках до 3 мм от края, после чего шток 48 перемещается в пневмоцилиндр 49, который поворачивается после этого на 180о и возвращает шток 48 в исходное состояние, уплотняя платформой 35 шлюзовую камеру 2. После отключения вакуумной откачки из упоров 44 шток 40 захватов 34 уходит в верхнее положение и рычаги 37 фиксируют пластину 9 в положение удержания под крышкой 33 механизма перегрузки 4, одновременно с этим объем шлюза продувается водородом. Отжимается пневмоприжим 45, а с помощью вилок 26 реактор 10 поднимается в верхнее положение. Механизмом перегрузки 4 крышка 33 с удерживаемой пластиной 9 перемещается через разъем между реактором 10 и корпусом 25 в реакционный блок 1, а после разжимания схватов 34 пластина 9 опускается на подложкодержателе крышка 35 возвращается в шлюз 2 в исходное состояние и уплотняется пневмоприжимом 45. Далее в реакционном блоке 1 начинается технологический процесс: продувка газом-носителем через устройства 28, 29 и нагрев пластины 9 до рабочей температуры путем открывания экранов 21 и опускания излучателя 11 в рабочее положение. По мере приближения излучателя 11 к пластине 9 плавно возрастает тепловой поток (за счет изменения расстояния и значительной тепловой инерции излучателя, в рабочем режиме), причем наличие нескольких кольцевых тепловых зон позволяет получать высокую однородность нагрева пластины ( ± - 3оС по полю пластины) и стабильные воспроизводимые условия термообработки ( ± - 1оС на излучателе 11). После газотермической обработки пластины 9 (хлористый водород, парогазовая смесь или водород - при отжиге) горячий излучатель 11 отводят в зону ожидания 20 и закрывают экранами 21, обеспечивая плавное охлаждение пластины 9 с 1200оС до 600-700оС за 20-30 с, после чего реактор 10 поднимается в верхнее положение, отжимается пневмоприжим 45 и крышка 33 с отжатыми захватами 34 перемещается через разъем между реактором 10 и корпусом 25 в реакционный блок 1, где с помощью захватов 34 снимает пластину 9 с подложкодержателя 31 и, возвратившись в шлюз 2 в исходное состояние, освобождает пластину от захватов 34 и опускает ее на упоры 44. После продувки шлюза 2 азотом включается вакуумная откачка из упоров 44 платформы 35, которая с помощью пневмоцилиндра 48 опускается и поворачивается на 180о, выдвигается в крайнее положение с последующим отключением вакуумной откачки и перегрузкой обработанной пластины 9 на лоток 51 и далее - в приемную кассету 6. После перемещения кассет 6 на одну позицию повторяется работа устройства в описанной последовательности. Технологический процесс может проводиться и при пониженном давлении (вакууме) в реакционном блоке. В этом случае давление в герметичном объеме под кожухом 18 поддерживается на уровне давления в реакционном объеме, что гарантирует целостность кварцевого реактора 10, имеющего плоскую форму. Аналогично возможно проведение процесса и при повышенном давлении, например в ампульном процессе без протока газа через реактор, что позволит реализовать проведение эпитаксиального наращивания кремния по йодидной технологии. При осаждении эпитаксиальных слоев кремния целесообразно поддерживать реактор в исходном состоянии для снижения уровня дефектности и постоянства электрофизических параметров наращиваемых слоев. Это достигается введением дополнительной операции травления кварцевого реактора без пластины. При наличии одного реакционного блока 1 данная операция проводится во временном интервале операций: с выгрузки обработанной пластины 9 из реакционного блока 1 в шлюзовую камеру 2 по загрузку необработанной пластины 9 в шлюз 2 включительно. Она сводится к нагреву до 1000оС кварцевого реактора в среде хлористого водорода и остывания до 700оС в среде водорода. Далее в реакционный блок загружается пластина 9 для проведения технологического процесса. Для двух реакционных блоков 1 циклограмма работы устройства строится из учета травления реактора 10 в одном блоке 1 и осаждения - в другом и далее наоборот. Для прототипа данная операция неприемлема из-за негерметичности реакционного блока и возможности загрязнения перегрузочной камеры.
По сравнению с прототипом обеспечивается увеличение на 20-30% скорости нагрева и охлаждения пластины при условии равномерности ее нагрева и воспроизводимости температурного режима обработки. Это достигается за счет локального теплового воздействия излучателя 11 на пластину 9, так как они имеют идентичные размеры и в рабочем состоянии находятся в тепловом контакте, когда пластина 9 становится как бы частью излучателя 11. Воспроизводимость режимов нагрева и охлаждения достигается использованием излучателя 11 с стабилизированным тепловым потоком и массой в десятки раз превышающий массу пластины 9. Быстрое охлаждение пластины 9 в диапазоне 1200-700оС обеспечивается за счет удаления излучателя 11 в зону ожидания 20 и отсутствия обратного лучистого потока на пластину 9 от экранов 21 и кожуха 18, в диапазоне 700-100оС, за счет размещения пластины 9 в контакте с крышкой 33 и платформой 35. С учетом сокращения времени на нагрев и охлаждение пластины производительность устройства увеличивается в 1,2-1,3 раза для однореакторной системы и в 1,5-2 раза (в зависимости от длительности процесса) - для двухреакторной.
По сравнению с прототипом обеспечиваются условия, обеспечивающие повышение качества осаждаемых слоев. Повышение равномерности нагрева пластины позволяет уменьшить термонапряжение и как следствие - коэффициент заполнения линиями скольжения до величины 0,05-0,1 за счет герметичности реакционного блока 1, периодического травления стенок реактора 10, ориентации пластины 9 рабочей поверхностью вниз снижается плотность точечных дефектов до величины 0,1 см-2. Это позволяет повысить выход годных структур в технологии производства как дискретных структур так и СБИС.

Claims (3)

1. УСТРОЙСТВО ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, содержащее реакционный блок, включающий кварцевый реактор с излучателем и уплотняющий его с возможностью разъема корпус с подложкодержателем для размещения пластины и устройствами подачи и отвода газов и состыкованную с блоком перегрузочную камеру, включающую механизм перегрузки и шлюзовую камеру с уплотняющей крышкой на форме обрабатываемой пластины, отличающееся тем, что устройство снабжено герметичным кожухом для размещения излучателя, выполненного по форме пластины и установленного соосно с пластиной с возможностью перемещения относительно нее, охлаждаемым экраном, установленным с возможностью перемещения, при этом крышка шлюзовой камеры снабжена захватами для фиксации пластины и состыкована с механизмом перегрузки с возможностью перемещения через разъем в реакционном блоке.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что корпус неподвижно закреплен на перегрузочной камере, а реактор установлен с возможностью перемещения и герметично состыкован с перегрузочной камерой через мембрану.
3. Устройство по пп.1 и 2, отличающееся тем, что корпус снабжен реактором с кожухом и размещенным в нем излучателем, выполненным по форме обрабатываемой пластины и установленным соосно с пластиной с возможностью перемещения, и охлаждаемым экраном, установленным с возможностью перемещения.
SU5022747 1991-07-01 1991-07-01 Устройство осаждения слоев из газовой фазы RU2014670C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5022747 RU2014670C1 (ru) 1991-07-01 1991-07-01 Устройство осаждения слоев из газовой фазы

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5022747 RU2014670C1 (ru) 1991-07-01 1991-07-01 Устройство осаждения слоев из газовой фазы

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2014670C1 true RU2014670C1 (ru) 1994-06-15

Family

ID=21594683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU5022747 RU2014670C1 (ru) 1991-07-01 1991-07-01 Устройство осаждения слоев из газовой фазы

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2014670C1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5060354A (en) Heated plate rapid thermal processor
US5820366A (en) Dual vertical thermal processing furnace
US5252807A (en) Heated plate rapid thermal processor
KR0149442B1 (ko) 기판상의 층용착 방법 및 그 처리 시스템
US6753506B2 (en) System and method of fast ambient switching for rapid thermal processing
JPS6256232B2 (ru)
CN113604873B (zh) 一种气相外延系统及其维护操作方法
JPS612321A (ja) 垂直ホツトウオール型cvdリアクタ
RU2014670C1 (ru) Устройство осаждения слоев из газовой фазы
US8771416B2 (en) Substrate processing apparatus with an insulator disposed in the reaction chamber
US20090011606A1 (en) Substrate Processing Apparatus and Semiconductor Device Producing Method
KR100732516B1 (ko) 탄소나노튜브 합성을 위한 장치 및 방법
JP3122883B2 (ja) 気相成長装置
JPH0355840A (ja) 縦型処理装置における処理方法
JP2744933B2 (ja) 縦型処理装置及び処理装置
JPH02319A (ja) 処理装置及び方法
RU2053585C1 (ru) Устройство осаждения слоев из газовой фазы
JP3069104B2 (ja) 処理装置
JP7192756B2 (ja) 気相成長装置及び気相成長方法
CN113604875B (zh) 一种气相外延系统及其维护操作方法
KR100350612B1 (ko) 이중수직형열처리로(爐)
JP2001026871A (ja) 成膜方法及び成膜装置
JP2008103508A (ja) 半導体デバイスの製造方法
JPH05267432A (ja) 半導体製造装置及びそのウェーハカセット棚
JPH02138730A (ja) 処理装置および処理方法