RU2014139261A - Массив оптических элементов, устройство фотоэлектрического преобразования и система съемки изображений - Google Patents

Массив оптических элементов, устройство фотоэлектрического преобразования и система съемки изображений Download PDF

Info

Publication number
RU2014139261A
RU2014139261A RU2014139261A RU2014139261A RU2014139261A RU 2014139261 A RU2014139261 A RU 2014139261A RU 2014139261 A RU2014139261 A RU 2014139261A RU 2014139261 A RU2014139261 A RU 2014139261A RU 2014139261 A RU2014139261 A RU 2014139261A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
optical element
straight line
plane
interval
array
Prior art date
Application number
RU2014139261A
Other languages
English (en)
Inventor
Кадзуя ИГАРАСИ
Кадзунари КАВАБАТА
Дзун ИБА
Original Assignee
Кэнон Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Кэнон Кабусики Кайся filed Critical Кэнон Кабусики Кайся
Publication of RU2014139261A publication Critical patent/RU2014139261A/ru

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00Simple or compound lenses
    • G02B3/0006Arrays
    • G02B3/0037Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00Simple or compound lenses
    • G02B3/0006Arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Lenses (AREA)

Abstract

1. Массив оптических элементов, содержащий:множество оптических элементов, включающих в себя по меньшей мере первый оптический элемент и второй оптический элемент, расположенные в одной и той же плоскости,причем первый оптический элемент расположен в центре области массива, которая является областью в той же самой плоскости, в которой расположены оптические элементы,второй оптический элемент находится дальше от центра области массива, чем первый оптический элемент,ортогональная проекция первого оптического элемента на плоскость включает в себя первый конец и второй конец, расположенный ближе ко второму оптическому элементу, чем первый конец, и расположенный на первой прямой линии, которая проходит через первый конец и центр области массива,ортогональная проекция вершины первого оптического элемента на плоскость расположена на равном расстоянии от первого конца и от второго конца и расположена в первой позиции на первой прямой линии,ортогональная проекция второго оптического элемента на плоскость включает в себя третий конец, который расположен на первой прямой линии, и четвертый конец, который расположен на первой прямой линии, и который находится дальше от центра области массива, чем третий конец,ортогональная проекция вершины второго оптического элемента на плоскость расположена во второй позиции на первой прямой линии,интервал между третьим концом и второй позицией меньше, чем интервал между первым концом и первой позицией, и также меньше, чем интервал между четвертым концом и второй позицией,на разрезе первого оптического элемента, причем упомянутый разрез перпендикулярен плоскости и включает в себя первую пр

Claims (18)

1. Массив оптических элементов, содержащий:
множество оптических элементов, включающих в себя по меньшей мере первый оптический элемент и второй оптический элемент, расположенные в одной и той же плоскости,
причем первый оптический элемент расположен в центре области массива, которая является областью в той же самой плоскости, в которой расположены оптические элементы,
второй оптический элемент находится дальше от центра области массива, чем первый оптический элемент,
ортогональная проекция первого оптического элемента на плоскость включает в себя первый конец и второй конец, расположенный ближе ко второму оптическому элементу, чем первый конец, и расположенный на первой прямой линии, которая проходит через первый конец и центр области массива,
ортогональная проекция вершины первого оптического элемента на плоскость расположена на равном расстоянии от первого конца и от второго конца и расположена в первой позиции на первой прямой линии,
ортогональная проекция второго оптического элемента на плоскость включает в себя третий конец, который расположен на первой прямой линии, и четвертый конец, который расположен на первой прямой линии, и который находится дальше от центра области массива, чем третий конец,
ортогональная проекция вершины второго оптического элемента на плоскость расположена во второй позиции на первой прямой линии,
интервал между третьим концом и второй позицией меньше, чем интервал между первым концом и первой позицией, и также меньше, чем интервал между четвертым концом и второй позицией,
на разрезе первого оптического элемента, причем упомянутый разрез перпендикулярен плоскости и включает в себя первую прямую линию, первый оптический элемент включает в себя первый внешний край, который продолжается от вершины первого оптического элемента до второго конца,
на разрезе второго оптического элемента, причем упомянутый
разрез перпендикулярен плоскости и включает в себя первую прямую линию, второй оптический элемент включает в себя второй внешний край, который продолжается от вершины второго оптического элемента до четвертого конца, и
радиус кривизны второго внешнего края или медианное значение радиуса кривизны второго внешнего края больше или равно 80% и меньше или равно 120% радиуса кривизны первого внешнего края или медианного значения радиуса кривизны первого внешнего края.
2. Массив оптических элементов по п. 1, в котором интервал между третьим концом и четвертым концом меньше, чем интервал между первым концом и вторым концом.
3. Массив оптических элементов по п. 1, в котором второй оптический элемент имеет форму, которая симметрична относительно упомянутого разреза.
4. Массив оптических элементов по п. 1, в котором оптические элементы дополнительно содержат третий оптический элемент, расположенный дальше от центра области массива, чем второй оптический элемент, вдоль первой прямой линии,
ортогональная проекция третьего оптического элемента на плоскость включает в себя пятый конец, который расположен на первой прямой линии, и шестой конец, который расположен на первой прямой линии, и который находится дальше от центра области массива, чем пятый конец,
ортогональная проекция вершины третьего оптического элемента на плоскость расположена в третьей позиции на первой прямой линии,
интервал между пятым концом и третьей позицией меньше, чем интервал между третьим концом и второй позицией,
на разрезе третьего оптического элемента, причем упомянутый разрез перпендикулярен плоскости и включает в себя первую прямую линию, третий оптический элемент включает в себя третий внешний край, который продолжается от вершины третьего оптического элемента до шестого конца, и
радиус кривизны третьего внешнего края или медианное значение радиуса кривизны третьего внешнего края больше или
равно 80% и меньше или равно 120% радиуса кривизны второго внешнего края или больше или равно 80% и меньше или равно 120% медианного значения радиуса кривизны второго внешнего края.
5. Массив оптических элементов по п. 4, в котором оптические элементы дополнительно содержат четвертый оптический элемент, смежный с первым оптическим элементом вдоль первой прямой линии, пятый оптический элемент, смежный со вторым оптическим элементом вдоль первой прямой линии, и шестой оптический элемент, смежный с третьим оптическим элементом вдоль первой прямой линии,
причем интервал между вторым оптическим элементом и пятым оптическим элементом больше, чем интервал между первым оптическим элементом и четвертым оптическим элементом, и
интервал между третьим оптическим элементом и шестым оптическим элементом больше, чем интервал между вторым оптическим элементом и пятым оптическим элементом.
6. Массив оптических элементов по п. 4, в котором интервал между пятым концом и шестым концом меньше, чем интервал между третьим концом и четвертым концом.
7. Массив оптических элементов по п. 1, в котором массив оптических элементов включает в себя первую область, в которой расположено множество первых оптических элементов, и вторую область, в которой расположено множество вторых оптических элементов.
8. Массив оптических элементов по п. 1, в котором ортогональная проекция второго оптического элемента на плоскость имеет первую ширину вдоль второй прямой линии в четвертой позиции, расположенной на первой прямой линии во втором оптическом элементе, причем вторая прямая линия расположена на плоскости и перпендикулярна первой прямой линии, и вторую ширину вдоль второй прямой линии в пятой позиции на первой прямой линии во втором оптическом элементе, причем пятая позиция расположена еще дальше от центра области массива, чем четвертая позиция, вторая ширина меньше, чем первая ширина,
на первом разрезе второго оптического элемента, причем первый разрез перпендикулярен плоскости и включает в себя первую
ширину, второй оптический элемент имеет первый радиус кривизны и первую наибольшую высоту,
на втором разрезе второго оптического элемента, причем второй разрез перпендикулярен плоскости и включает в себя вторую ширину, второй оптический элемент имеет второй радиус кривизны и вторую наибольшую высоту, и
второй радиус кривизны больше, чем первый радиус кривизны, и вторая наибольшая высота меньше, чем первая наибольшая высота.
9. Массив оптических элементов по п. 1, в котором ортогональная проекция второго оптического элемента на плоскость имеет первую ширину вдоль второй прямой линии в четвертой позиции, расположенной на первой прямой линии во втором оптическом элементе, причем вторая прямая линия расположена на плоскости и перпендикулярна первой прямой линии, и вторую ширину вдоль второй прямой линии в пятой позиции на первой прямой линии во втором оптическом элементе, причем пятая позиция расположена еще дальше от центра области массива, чем четвертая позиция, вторая ширина меньше, чем первая ширина,
на первом разрезе второго оптического элемента, причем первый разрез перпендикулярен плоскости и включает в себя первую ширину, второй оптический элемент имеет первую наибольшую высоту,
на втором разрезе второго оптического элемента, причем второй разрез перпендикулярен плоскости и включает в себя вторую ширину, второй оптический элемент имеет вторую наибольшую высоту, и
упомянутая вторая высота меньше, чем упомянутая первая высота, и пятая позиция расположена на внешнем крае ортогональной проекции второго оптического элемента на плоскость.
10. Массив оптических элементов, содержащий:
множество оптических элементов, включающих в себя по меньшей мере первый оптический элемент и второй оптический элемент, расположенные в одной и той же плоскости,
причем второй оптический элемент находится дальше от центра области массива, которая является областью в той же самой
плоскости, в которой расположены оптические элементы, чем первый оптический элемент,
ортогональная проекция первого оптического элемента на плоскость включает в себя первый конец и второй конец, расположенный дальше от центра области массива, чем первый конец, и расположенный на первой прямой линии, которая проходит через первый конец и центр области массива,
ортогональная проекция вершины первого оптического элемента на плоскость расположена в первой позиции на первой прямой линии,
ортогональная проекция второго оптического элемента на плоскость включает в себя третий конец, который расположен на первой прямой линии, и четвертый конец, который расположен на первой прямой линии, и который находится дальше от центра области массива, чем третий конец,
ортогональная проекция вершины второго оптического элемента на плоскость расположена во второй позиции на первой прямой линии,
интервал между третьим концом и второй позицией меньше, чем интервал между первым концом и первой позицией, и также меньше, чем интервал между четвертым концом и второй позицией,
на разрезе первого оптического элемента, причем упомянутый разрез перпендикулярен плоскости и включает в себя первую прямую линию, первый оптический элемент включает в себя первый внешний край, который продолжается от вершины первого оптического элемента до второго конца,
на разрезе второго оптического элемента, причем упомянутый разрез перпендикулярен плоскости и включает в себя первую прямую линию, второй оптический элемент включает в себя второй внешний край, который продолжается от вершины второго оптического элемента до четвертого конца, и
радиус кривизны второго внешнего края или медианное значение радиуса кривизны второго внешнего края больше или равно 80% и меньше или равно 120% радиуса кривизны первого внешнего края или больше или равно 80% и меньше или равно 120% медианного значения радиуса кривизны первого внешнего края.
11. Массив оптических элементов по п. 10, в котором интервал между третьим концом и четвертым концом меньше, чем интервал между первым концом и вторым концом.
12. Массив оптических элементов по п. 10, в котором второй оптический элемент имеет форму, которая симметрична относительно упомянутого разреза.
13. Массив оптических элементов по п. 10, в котором оптические элементы дополнительно содержат третий оптический элемент, расположенный дальше от центра области массива, чем второй оптический элемент, вдоль первой прямой линии,
ортогональная проекция третьего оптического элемента на плоскость включает в себя пятый конец, который расположен на первой прямой линии, и шестой конец, который расположен на первой прямой линии, и который находится дальше от центра области массива, чем пятый конец,
ортогональная проекция вершины третьего оптического элемента на плоскость расположена в третьей позиции на первой прямой линии,
интервал между пятым концом и третьей позицией меньше, чем интервал между третьим концом и второй позицией,
на разрезе третьего оптического элемента, причем упомянутый разрез перпендикулярен плоскости и включает в себя первую прямую линию, третий оптический элемент включает в себя третий внешний край, который продолжается от вершины третьего оптического элемента до шестого конца, и
радиус кривизны третьего внешнего края или медианное значение радиуса кривизны третьего внешнего края больше или равно 80% и меньше или равно 120% радиуса кривизны второго внешнего края или больше или равно 80% и меньше или равно 120% медианного значения радиуса кривизны второго внешнего края.
14. Массив оптических элементов по п. 13, в котором оптические элементы дополнительно содержат четвертый оптический элемент, смежный с первым оптическим элементом вдоль первой прямой линии, пятый оптический элемент, смежный со вторым оптическим элементом вдоль первой прямой линии, и шестой оптический элемент, смежный с третьим оптическим элементом вдоль
первой прямой линии,
причем интервал между вторым оптическим элементом и пятым оптическим элементом больше, чем интервал между первым оптическим элементом и четвертым оптическим элементом, и
интервал между третьим оптическим элементом и шестым оптическим элементом больше, чем интервал между вторым оптическим элементом и пятым оптическим элементом.
15. Массив оптических элементов по п. 13, в котором интервал между пятым концом и шестым концом меньше, чем интервал между третьим концом и четвертым концом.
16. Устройство фотоэлектрического преобразования, содержащее:
массив оптических элементов по п. 1 или 10; и
полупроводниковую подложку, включающую в себя первый элемент фотоэлектрического преобразования, который обеспечен так, чтобы соответствовать первому оптическому элементу, и второй элемент фотоэлектрического преобразования, который обеспечен так, чтобы соответствовать второму оптическому элементу.
17. Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 16, в котором первый элемент фотоэлектрического преобразования образует первый пиксель, и второй элемент фотоэлектрического преобразования образует второй пиксель,
ортогональные проекции первого пикселя и второго пикселя на плоскость включают в себя прямоугольные области, имеющие соответствующие центры,
ортогональные проекции первого оптического элемента и второго оптического элемента имеют соответствующие центры, и
на ортогональных проекциях первого пикселя, второго пикселя, первого оптического элемента и второго оптического элемента на плоскость центр второго оптического элемента и центр прямоугольной области второго пикселя расположены вдоль первой прямой линии, и центр второго оптического элемента смещен от центра прямоугольной области второго пикселя к центру области массива на первое расстояние.
18. Система съемки изображения, содержащая:
устройство фотоэлектрического преобразования, включающее в себя массив оптических элементов по п. 1 или 10, и полупроводниковую подложку, включающую в себя первый элемент фотоэлектрического преобразования, который обеспечен так, чтобы соответствовать первому оптическому элементу, и второй элемент фотоэлектрического преобразования, который обеспечен так, чтобы соответствовать второму оптическому элементу; и
блок обработки сигналов, который обрабатывает сигнал от устройства фотоэлектрического преобразования.
RU2014139261A 2013-10-09 2014-09-29 Массив оптических элементов, устройство фотоэлектрического преобразования и система съемки изображений RU2014139261A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013212298A JP6292814B2 (ja) 2013-10-09 2013-10-09 光学素子アレイ、光電変換装置、及び撮像システム
JP2013-212298 2013-10-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2014139261A true RU2014139261A (ru) 2016-04-20

Family

ID=51786792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014139261A RU2014139261A (ru) 2013-10-09 2014-09-29 Массив оптических элементов, устройство фотоэлектрического преобразования и система съемки изображений

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9274254B2 (ru)
EP (1) EP2860758A3 (ru)
JP (1) JP6292814B2 (ru)
CN (1) CN104570170A (ru)
BR (1) BR102014025042A2 (ru)
RU (1) RU2014139261A (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201336319A (zh) * 2012-02-23 2013-09-01 Novatek Microelectronics Corp 消除影像色彩偏差的方法與裝置
KR101586765B1 (ko) * 2015-02-27 2016-01-25 주식회사 다우인큐브 반도체 공정 기반 3차원 가상 형상 모델링 방법
JP2016218115A (ja) * 2015-05-14 2016-12-22 キヤノン株式会社 光学素子の設計方法、光学素子アレイ、センサアレイおよび撮像装置
US10665627B2 (en) * 2017-11-15 2020-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor device and method for forming the image sensor device having a first lens and a second lens over the first lens
WO2020071053A1 (en) * 2018-10-05 2020-04-09 Ricoh Company, Ltd. Optical element, display device, display system, and mobile object
KR20200108133A (ko) * 2019-03-06 2020-09-17 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이미징 장치
JP2020155514A (ja) * 2019-03-19 2020-09-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサチップ及び電子機器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08116041A (ja) 1994-10-13 1996-05-07 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置の製造方法
JP3462736B2 (ja) 1997-11-17 2003-11-05 ペンタックス株式会社 固体撮像素子
JP2004347693A (ja) * 2003-05-20 2004-12-09 Seiko Epson Corp マイクロレンズアレイ、空間光変調装置、プロジェクタ及びマイクロレンズアレイの製造方法
JP4796287B2 (ja) 2004-08-06 2011-10-19 パナソニック株式会社 固体撮像装置
JP2007208817A (ja) 2006-02-03 2007-08-16 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2007335723A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Fujifilm Corp 固体撮像素子用マイクロレンズ及びその製造方法
US20080011936A1 (en) * 2006-07-14 2008-01-17 Visera Technologies Company Ltd, Roc Imaging sensor having microlenses of different radii of curvature
JP2008153370A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
JP5239417B2 (ja) * 2008-03-14 2013-07-17 凸版印刷株式会社 マイクロレンズアレイの製造方法及び濃度分布マスク及びその設計方法
JP2010245202A (ja) 2009-04-03 2010-10-28 Panasonic Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2013044970A (ja) 2011-08-24 2013-03-04 V Technology Co Ltd マイクロレンズアレイの製造方法及びマイクロレンズアレイ

Also Published As

Publication number Publication date
US20150097996A1 (en) 2015-04-09
EP2860758A3 (en) 2015-05-20
BR102014025042A2 (pt) 2015-12-22
JP2015075663A (ja) 2015-04-20
JP6292814B2 (ja) 2018-03-14
CN104570170A (zh) 2015-04-29
US9274254B2 (en) 2016-03-01
EP2860758A2 (en) 2015-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014139261A (ru) Массив оптических элементов, устройство фотоэлектрического преобразования и система съемки изображений
JP2015162646A5 (ru)
EA201290222A1 (ru) Защитное устройство
EP3595008A3 (en) Solid-state image pickup device and electronic apparatus
JP2013045089A5 (ja) 撮像システム
WO2015147963A3 (en) Anti-reflection layer for back-illuminated sensor
EP4016992A3 (en) Imaging apparatus, imaging device, and image processing apparatus
EP2876478A3 (en) Six-piece optical lens for capturing image and six-piece optical modules for capturing image
JP2016058538A5 (ru)
WO2014070927A3 (en) Expanded-field-of-view image and video capture
WO2015001769A3 (en) Solid-state image-capturing device and production method thereof, and electronic appliance
JP2015510586A5 (ru)
JP2012191376A5 (ru)
DE602009000570D1 (de) Bildaufnahmevorrichtung
WO2017155748A3 (en) Array-based floating display
JP2014089432A5 (ru)
GB201201228D0 (en) Image reading apparatus
RU2013147423A (ru) Датчик изображения и устройство формирования изображения
JP2013225812A5 (ru)
RU2014139258A (ru) Твердотельное устройство формирования изображения, способ изготовления этого устройства и система формирования изображения
JP2013247246A5 (ru)
JP2011091368A5 (ru)
JP2017005145A5 (ru)
RU2016118405A (ru) Твердотельный датчик изображений и камера
JP2016219469A5 (ru)

Legal Events

Date Code Title Description
FA94 Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees)

Effective date: 20170407