RU2013147131A - Термоэлектрическое устройство с тонкопленочными полупроводниковыми ветвями и увеличенной поверхностью теплоотвода - Google Patents
Термоэлектрическое устройство с тонкопленочными полупроводниковыми ветвями и увеличенной поверхностью теплоотвода Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013147131A RU2013147131A RU2013147131/28A RU2013147131A RU2013147131A RU 2013147131 A RU2013147131 A RU 2013147131A RU 2013147131/28 A RU2013147131/28 A RU 2013147131/28A RU 2013147131 A RU2013147131 A RU 2013147131A RU 2013147131 A RU2013147131 A RU 2013147131A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- branches
- type
- thermoelectric device
- thin
- semiconductor branches
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
Термоэлектрическое устройство с тонкопленочными полупроводниковыми ветвями и увеличенной поверхностью теплоотвода, выполненное из полупроводниковых ветвей p- и n-типа таким образом, что все ветви p-типа расположены в одной плоскости, а все ветви n-типа в другой параллельной плоскости, отличающееся тем, что: полупроводниковые ветви изготовлены в виде тонких пленок различной толщины для p- и n-типа, а также применения различных материалов металлических спаев для входящего и выходящего тока между спаями и полупроводниковыми ветвями и использование дополнительного теплоотвода от внутренних поверхностей термоэлектрического устройства.
Claims (1)
- Термоэлектрическое устройство с тонкопленочными полупроводниковыми ветвями и увеличенной поверхностью теплоотвода, выполненное из полупроводниковых ветвей p- и n-типа таким образом, что все ветви p-типа расположены в одной плоскости, а все ветви n-типа в другой параллельной плоскости, отличающееся тем, что: полупроводниковые ветви изготовлены в виде тонких пленок различной толщины для p- и n-типа, а также применения различных материалов металлических спаев для входящего и выходящего тока между спаями и полупроводниковыми ветвями и использование дополнительного теплоотвода от внутренних поверхностей термоэлектрического устройства.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013147131/28A RU2575618C2 (ru) | 2013-10-22 | Термоэлектрическое устройство с тонкопленочными полупроводниковыми ветвями и увеличенной поверхностью теплоотвода |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013147131/28A RU2575618C2 (ru) | 2013-10-22 | Термоэлектрическое устройство с тонкопленочными полупроводниковыми ветвями и увеличенной поверхностью теплоотвода |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013147131A true RU2013147131A (ru) | 2015-04-27 |
| RU2575618C2 RU2575618C2 (ru) | 2016-02-20 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3788624A4 (en) | Multi-die module with low power operation | |
| GB2530675A (en) | Integrated thermoelectric cooling | |
| WO2013006703A3 (en) | Power mosfet with integrated gate resistor and diode-connected mosfet | |
| EP3595001A4 (en) | SUBSTRATE FOR POWER MODULE WITH A THERMAL SINK | |
| FR3029355B1 (fr) | Generateur thermoelectrique | |
| EA201692287A1 (ru) | Антигенсвязывающая молекула, перенаправляющая т-клетки на клетки, обладающие иммуносупрессорной функцией | |
| IN2014MU03848A (ru) | ||
| TW201613098A (en) | Semiconductor device | |
| EP3248956A4 (en) | Silicon nitride sintered compact having high thermal conductivity, silicon nitride substrate and silicon nitride circuit substrate using same, and semiconductor device | |
| IL276793A (en) | High power semiconductor device with optimized field board design | |
| EP3745453A4 (en) | SUBSTRATE FOR POWER MODULE WITH HEAT SINK, AND POWER MODULE | |
| EP3514265A4 (en) | GROUP III NITRIDE LAMINATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE LAMINATE | |
| JP2016111131A5 (ru) | ||
| EP3595003A4 (en) | Power module substrate with heat sink | |
| EP3514266A4 (en) | Group iii v compound semiconductor substrate and group iii v compound semiconductor substrate with epitaxial layer | |
| RU2013105301A (ru) | Газовый датчик | |
| RU2014101079A (ru) | Светотиристор | |
| FR2977984B1 (fr) | Generateur thermoelectrique integre, et circuit integre comprenant un tel generateur | |
| EP3780116A4 (en) | WIDE BAND FORBIDDEN SEMICONDUCTOR DEVICE | |
| EP3597797A4 (en) | GROUP III SEMICONDUCTOR NITRIDE SUBSTRATE | |
| RU2013147131A (ru) | Термоэлектрическое устройство с тонкопленочными полупроводниковыми ветвями и увеличенной поверхностью теплоотвода | |
| CL2016001521A1 (es) | Diodo de derivación incorporado | |
| ITUA20161357A1 (it) | Dispositivo termoelettrico in particolare termogeneratore e relativo processo di fabbricazione | |
| RU2014101069A (ru) | Термоэлектрический генератор с высоким градиентом температур между спаями | |
| EP3649270A4 (en) | Silicon nitride films with high nitrogen content |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20150701 |
|
| FZ9A | Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal) |
Effective date: 20150923 |