RU2013126359A

RU2013126359A - Инжекционный лазер с модулированным излучением

Info

Publication number: RU2013126359A
Application number: RU2013126359/28A
Authority: RU
Inventors: Сергей Олегович Слипченко; Илья Сергеевич Тарасов; Никита Александрович Пихтин
Original assignee: Общество с ограниченной ответственностью "Эйрсенс"
Priority date: 2013-05-31
Filing date: 2013-05-31
Publication date: 2014-12-10
Also published as: RU2548034C2

Abstract

1. Инжекционный лазер, включающий выращенную на подложке гетероструктуру, содержащую волноводный слой, заключенный между широкозонными эмиттерами p- и n-типа проводимости, являющимися одновременно ограничительными слоями, активную область, состоящую по меньшей мере из одного квантово-размерного активного слоя, оптический Фабри-Перо резонатор, резонатор для замкнутой моды, по меньшей мере один первый омический контакт, расположенный со стороны эмиттера p-типа проводимости и формирующий секцию усиления с расположенной в ней областью инжекции, и по меньшей мере один второй омический контакт, расположенный со стороны эмиттера p-типа проводимости вне области распространения мод Фабри-Перо резонатора и формирующий секцию управления с расположенной в ней областью поглощения, и третий омический контакт на внешней стороне подложки, при этом по меньшей мере один первый омический контакт электрически изолирован по меньшей мере от одного второго омического контакта, а секции усиления и секции управления оптически связаны по меньшей мере через часть волноводного слоя общего для секций усиления и управления.2. Лазер по п.1, отличающийся тем, что секция управления включает активную область, состоящую по меньшей мере из одного квантоворазмерного активного слоя, обеспечивающего уменьшение поглощения фотонов ЗМ при инжекции носителей заряда в активную область в случае прямо смещенного p-n перехода секции управления.3. Лазер по п.1, отличающийся тем, что секция управления включает активную область, состоящую по меньшей мере из одного квантоворазмерного активного слоя, обеспечивающего увеличение поглощения фотонов ЗМ при

Claims

1. Инжекционный лазер, включающий выращенную на подложке гетероструктуру, содержащую волноводный слой, заключенный между широкозонными эмиттерами p- и n-типа проводимости, являющимися одновременно ограничительными слоями, активную область, состоящую по меньшей мере из одного квантово-размерного активного слоя, оптический Фабри-Перо резонатор, резонатор для замкнутой моды, по меньшей мере один первый омический контакт, расположенный со стороны эмиттера p-типа проводимости и формирующий секцию усиления с расположенной в ней областью инжекции, и по меньшей мере один второй омический контакт, расположенный со стороны эмиттера p-типа проводимости вне области распространения мод Фабри-Перо резонатора и формирующий секцию управления с расположенной в ней областью поглощения, и третий омический контакт на внешней стороне подложки, при этом по меньшей мере один первый омический контакт электрически изолирован по меньшей мере от одного второго омического контакта, а секции усиления и секции управления оптически связаны по меньшей мере через часть волноводного слоя общего для секций усиления и управления.

2. Лазер по п.1, отличающийся тем, что секция управления включает активную область, состоящую по меньшей мере из одного квантоворазмерного активного слоя, обеспечивающего уменьшение поглощения фотонов ЗМ при инжекции носителей заряда в активную область в случае прямо смещенного p-n перехода секции управления.

3. Лазер по п.1, отличающийся тем, что секция управления включает активную область, состоящую по меньшей мере из одного квантоворазмерного активного слоя, обеспечивающего увеличение поглощения фотонов ЗМ при экстракции носителей заряда из активной области в случае обратно смещенного p-n перехода секции управления.

4. Лазер по п.1, отличающийся тем, что волноводный слой секции управления формирует по крайней мере часть области объемного заряда

5. Лазер по п.1, отличающийся тем, что электрическая изоляция первого омического контакта от второго омического контакта образована протравленными мезаканавками.

6. Лазер по п.1, отличающийся тем, что электрическая изоляция первого омического контакта от второго омического контакта образована имплантированными ионами кислорода, или аргона, или азота, или водорода.

7. Лазер по п.1, отличающийся тем, что электрическая изоляция первого омического контакта от второго омического контакта образована зарощенным высокоомным материалом.

8. Лазер по п.1, отличающийся тем, что зеркала резонаторов для ФПМ и ЗМ могут быть образованы естественно сколотыми гранями кристалла инжекционного лазера.

9. Лазер по п.1, отличающийся тем, что зеркала резонаторов для ФПМ и ЗМ могут быть образованы протравленными мезаканавками.

10. Лазер по п.1, отличающийся тем, что зеркала резонаторов для ФПМ и ЗМ могут быть образованы нанесенными распределенными дифракционными отражателями.