RU2013117115A - Улучшенный способ совместного распыления сплавов и соединений с использованием двойной с-mag конструкции катода и соответствующая установка - Google Patents
Улучшенный способ совместного распыления сплавов и соединений с использованием двойной с-mag конструкции катода и соответствующая установка Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013117115A RU2013117115A RU2013117115/02A RU2013117115A RU2013117115A RU 2013117115 A RU2013117115 A RU 2013117115A RU 2013117115/02 A RU2013117115/02 A RU 2013117115/02A RU 2013117115 A RU2013117115 A RU 2013117115A RU 2013117115 A RU2013117115 A RU 2013117115A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- target
- spray
- targets
- sprayed
- sputtering
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
- C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
- C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3417—Arrangements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления покрытого изделия, содержащего поддерживаемую подложкой пленку, включающий в себя:обеспечение наличия первой и второй вращающихся цилиндрических распыляемых мишеней, причем первая распыляемая мишень содержит первый распыляемый материал, а вторая распыляемая мишень содержит второй распыляемый материал,распыление первой и второй распыляемых мишеней, и при этом по меньшей мере один магнитный стержень второй распыляемой мишени ориентирован так, чтобы во время распыления второй мишени второй распыляемый материал из второй мишени распылялся на первую мишень, а во время распыления первой мишени первый распыляемый материал первой мишени и второй распыляемый материал, который был распылен на первую мишень из второй мишени, напылялся на подложку с образованием пленки.2. Способ по п. 1, включающий в себя распыление первой и второй распыляемых мишеней, когда первая и вторая распыляемые мишени расположены в распылительной камере рядом друг с другом так, что никаких других распыляемых мишеней не находится между первой и второй распыляемыми мишенями.3. Способ по п. 1, включающий в себя распыление второй мишени так, чтобы значительная часть второго распыляемого материала, который распыляется из второй мишени, распылялась на первую мишень.4. Способ по п. 1, включающий в себя распыление из второй мишени так, чтобы по меньшей мере примерно 30% второго распыляемого материала, который распыляется из второй мишени, распылялось на первую мишень.5. Способ по п. 1, включающий в себя распыление второй мишени так, чтобы по меньшей мере примерно 40% второго распыляемого материала, который распыляется из второй мише�
Claims (22)
1. Способ изготовления покрытого изделия, содержащего поддерживаемую подложкой пленку, включающий в себя:
обеспечение наличия первой и второй вращающихся цилиндрических распыляемых мишеней, причем первая распыляемая мишень содержит первый распыляемый материал, а вторая распыляемая мишень содержит второй распыляемый материал,
распыление первой и второй распыляемых мишеней, и при этом по меньшей мере один магнитный стержень второй распыляемой мишени ориентирован так, чтобы во время распыления второй мишени второй распыляемый материал из второй мишени распылялся на первую мишень, а во время распыления первой мишени первый распыляемый материал первой мишени и второй распыляемый материал, который был распылен на первую мишень из второй мишени, напылялся на подложку с образованием пленки.
2. Способ по п. 1, включающий в себя распыление первой и второй распыляемых мишеней, когда первая и вторая распыляемые мишени расположены в распылительной камере рядом друг с другом так, что никаких других распыляемых мишеней не находится между первой и второй распыляемыми мишенями.
3. Способ по п. 1, включающий в себя распыление второй мишени так, чтобы значительная часть второго распыляемого материала, который распыляется из второй мишени, распылялась на первую мишень.
4. Способ по п. 1, включающий в себя распыление из второй мишени так, чтобы по меньшей мере примерно 30% второго распыляемого материала, который распыляется из второй мишени, распылялось на первую мишень.
5. Способ по п. 1, включающий в себя распыление второй мишени так, чтобы по меньшей мере примерно 40% второго распыляемого материала, который распыляется из второй мишени, распылялось на первую мишень.
6. Способ по п. 1, дополнительно включающий в себя ориентирование магнитов первой и второй мишеней так, чтобы зона плазменной эрозии первой мишени была в основном ориентирована обращенной в первом направлении, которое направлено практически к подложке, а зона плазменной эрозии второй мишени была в основном ориентирована обращенной во втором направлении, которое находится под углом от примерно 70-170° относительно первого направления.
7. Способ по п. 1, дополнительно включающий в себя ориентирование магнитов первой и второй мишеней так, чтобы зона плазменной эрозии первой мишени была в основном ориентирована обращенной в первом направлении, которое направлено практически к подложке, а зона плазменной эрозии второй мишени была в основном ориентирована обращенной во втором направлении, которое находится под углом от примерно 90-150° относительно первого направления.
8. Способ по п. 1, дополнительно включающий в себя ориентирование узла магнитных стержней первой мишени и узла магнитных стержней второй мишени так, чтобы они были практически перпендикулярны друг другу.
9. Способ по п. 1, при этом зона плазменной эрозии второй мишени обращена к первой мишени, а зона плазменной эрозии первой мишени обращена к подложке.
10. Способ по п. 1, дополнительно включающий в себя подачу реакционно-способного газа, содержащего кислород, главным образом из верхнего газового впуска распылительной камеры, в которой расположены мишени, и при этом распыление второго распыляемого материала из второй мишени на первую мишень образует на первой мишени керамический слой, содержащий второй распыляемый материал.
11. Способ по п. 1, при этом для первой мишени предусмотрена первая напряженность магнитного поля, а для второй мишени предусмотрена вторая напряженность магнитного поля, и при этом первая и вторая напряженности магнитного поля являются разными.
12. Способ по п. 11, при этом вторая напряженность магнитного поля более сильная, чем первая напряженность магнитного поля.
13. Способ по п. 1, при этом пленка содержит практически равные количества материалов первой и второй мишеней.
14. Способ по п. 1, при этом тонкая пленка содержит больше материала первой мишени, чем материала второй мишени.
15. Способ по п. 1, при этом материалы первой и второй мишеней представляют собой металлы или металлические сплавы.
16. Способ изготовления покрытого изделия, содержащего поддерживаемую стеклянной подложкой пленку, включающий в себя:
распыление первой и второй распыляемых мишеней, при этом по меньшей мере один магнит второй распыляемой мишени ориентирован так, чтобы во время распыления второй мишени второй распыляемый материал из второй мишени распылялся к первой мишени, а во время распыления первой мишени первый распыляемый материал первой мишени и второй распыляемый материал, который был распылен на первую мишень из второй мишени, напылялся на стеклянную подложку с образованием пленки, которая является практически прозрачной; и
ориентирование зоны плазменной эрозии первой мишени в основном обращенной в первом направлении, которое направлено практически к подложке, и ориентирование зоны плазменной эрозии второй мишени в основном обращенной во втором направлении, которое направлено практически к первой мишени и находится под углом от примерно 70-170° относительно первого направления.
17. Способ по п. 16, включающий в себя распыление первой и второй распыляемых мишеней, когда первая и вторая распыляемые мишени расположены в распылительной камере смежными друг другу так, что никаких других распыляемых мишеней не находится между первой и второй распыляемыми мишенями.
18. Способ по п. 16, включающий в себя распыление второй мишени так, чтобы значительная часть второго распыляемого материала, который распыляется из второй мишени, распылялась на первую мишень.
19. Способ по п. 16, включающий в себя распыление второй мишени так, чтобы по меньшей мере примерно 30% второго распыляемого материала, который распыляется из второй мишени, распылялось на первую мишень.
20. Способ по п. 16, дополнительно включающий в себя ориентирование узла магнитных стержней первой мишени и узла магнитных стержней второй мишени так, чтобы они были практически перпендикулярны друг другу.
21. Распылительная установка для напыления пленки на подложку, включающая в себя:
первую и вторую смежные распыляемые мишени без других распыляемых мишеней между первой и второй распыляемыми мишенями, при этом по меньшей мере один магнит второй распыляемой мишени ориентирован так, чтобы во время распыления второй мишени второй распыляемый материал из второй мишени распылялся к первой мишени, а во время распыления первой мишени первый распыляемый материал первой мишени и второй распыляемый материал, который был распылен на первую мишень из второй мишени, распылялся к подложке с образованием пленки;
при этом зона плазменной эрозии первой мишени ориентирована в основном обращенной в первой направлении, которое направлено практически нормально к подложке, а зона плазменной эрозии второй мишени ориентирована в основном обращенной во втором направлении, которое направлено практически к первой мишени и находится под углом от примерно 70-170° относительно первого направления.
22. Установка по п. 21, при этом узел магнитных стержней первой мишени и узел магнитных стержней второй мишени перпендикулярны друг другу плюс/минус примерно 20 °.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/923,389 | 2010-09-17 | ||
US12/923,389 US20120067717A1 (en) | 2010-09-17 | 2010-09-17 | Method of co-sputtering alloys and compounds using a dual C-MAG cathode arrangement and corresponding apparatus |
PCT/US2011/000982 WO2012036718A1 (en) | 2010-09-17 | 2011-06-01 | Improved method of co-sputtering alloys and compounds using a dual c-mag cathode arrangement and corresponding apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013117115A true RU2013117115A (ru) | 2014-10-27 |
RU2578336C2 RU2578336C2 (ru) | 2016-03-27 |
Family
ID=44627283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013117115/02A RU2578336C2 (ru) | 2010-09-17 | 2011-06-01 | Улучшенный способ совместного распыления сплавов и соединений с использованием двойной с-mag конструкции катода и соответствующая установка |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120067717A1 (ru) |
EP (1) | EP2616566B1 (ru) |
BR (1) | BR112013006338A2 (ru) |
ES (1) | ES2673272T3 (ru) |
MX (1) | MX351707B (ru) |
PL (1) | PL2616566T3 (ru) |
RU (1) | RU2578336C2 (ru) |
TR (1) | TR201809669T4 (ru) |
WO (1) | WO2012036718A1 (ru) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105006501A (zh) * | 2015-08-14 | 2015-10-28 | 厦门神科太阳能有限公司 | Cigs基薄膜太阳能电池的制备方法及制备装置 |
RU2623944C1 (ru) * | 2016-02-08 | 2017-06-29 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН) | Способ получения композиционного пористого биоактивного покрытия |
CN108018533A (zh) * | 2017-11-24 | 2018-05-11 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种多层异靶材膜镀膜系统及其镀膜方法 |
CN108977787B (zh) * | 2018-09-17 | 2019-10-18 | 重庆大学 | 一种磁控溅射镀膜阴极结构 |
DE102020120424A1 (de) | 2020-08-03 | 2022-02-03 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Sputtervorrichtung, Verfahren, Steuervorrichtung und Halbleiterbauelement |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5317006A (en) | 1989-06-15 | 1994-05-31 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Cylindrical magnetron sputtering system |
AU8320491A (en) * | 1990-07-06 | 1992-02-04 | Boc Group, Inc., The | Method and apparatus for co-sputtering and cross-sputtering homogeneous films |
US5262032A (en) | 1991-05-28 | 1993-11-16 | Leybold Aktiengesellschaft | Sputtering apparatus with rotating target and target cooling |
DE4125110C2 (de) | 1991-07-30 | 1999-09-09 | Leybold Ag | Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen |
US5403458A (en) | 1993-08-05 | 1995-04-04 | Guardian Industries Corp. | Sputter-coating target and method of use |
US5405517A (en) * | 1993-12-06 | 1995-04-11 | Curtis M. Lampkin | Magnetron sputtering method and apparatus for compound thin films |
US5527439A (en) | 1995-01-23 | 1996-06-18 | The Boc Group, Inc. | Cylindrical magnetron shield structure |
US5591314A (en) | 1995-10-27 | 1997-01-07 | Morgan; Steven V. | Apparatus for affixing a rotating cylindrical magnetron target to a spindle |
ES2257047T3 (es) * | 1998-04-16 | 2006-07-16 | Bekaert Advanced Coatings Nv. | Medios para controlar la erosion y la pulverizacion del objetivo en un magnetron. |
US6488824B1 (en) * | 1998-11-06 | 2002-12-03 | Raycom Technologies, Inc. | Sputtering apparatus and process for high rate coatings |
WO2002084702A2 (en) * | 2001-01-16 | 2002-10-24 | Lampkin Curtis M | Sputtering deposition apparatus and method for depositing surface films |
RU2242821C2 (ru) * | 2002-10-17 | 2004-12-20 | Институт сильноточной электроники СО РАН | Магнетронная распылительная система |
JP2006083408A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 真空成膜装置 |
EP1856712A2 (en) * | 2005-01-13 | 2007-11-21 | Cardinal CG Company | Reduced maintenance sputtering chambers |
DE102008034960A1 (de) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Beschichtungskammer zur Beschichtung eines Substrats mit einer transparenten Metalloxid-Schicht |
-
2010
- 2010-09-17 US US12/923,389 patent/US20120067717A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-06-01 ES ES11726528.0T patent/ES2673272T3/es active Active
- 2011-06-01 RU RU2013117115/02A patent/RU2578336C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-06-01 PL PL11726528T patent/PL2616566T3/pl unknown
- 2011-06-01 BR BR112013006338A patent/BR112013006338A2/pt active Search and Examination
- 2011-06-01 EP EP11726528.0A patent/EP2616566B1/en not_active Not-in-force
- 2011-06-01 WO PCT/US2011/000982 patent/WO2012036718A1/en active Application Filing
- 2011-06-01 TR TR2018/09669T patent/TR201809669T4/tr unknown
- 2011-06-01 MX MX2013002898A patent/MX351707B/es active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2578336C2 (ru) | 2016-03-27 |
US20120067717A1 (en) | 2012-03-22 |
PL2616566T3 (pl) | 2018-09-28 |
TR201809669T4 (tr) | 2018-07-23 |
ES2673272T3 (es) | 2018-06-21 |
EP2616566B1 (en) | 2018-04-11 |
WO2012036718A1 (en) | 2012-03-22 |
MX2013002898A (es) | 2013-04-11 |
BR112013006338A2 (pt) | 2016-06-21 |
EP2616566A1 (en) | 2013-07-24 |
MX351707B (es) | 2017-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2013117115A (ru) | Улучшенный способ совместного распыления сплавов и соединений с использованием двойной с-mag конструкции катода и соответствующая установка | |
WO2013045454A3 (en) | Coating of substrates using hipims | |
JP2009001902A5 (ru) | ||
WO2011056581A3 (en) | Rotary magnetron magnet bar and apparatus containing the same for high target utilization | |
JP2009024230A5 (ru) | ||
TWI557252B (zh) | 用於濺射沉積裝置之陰極組件與在濺射沉積裝置中沉積薄膜於基板上之方法 | |
KR20150052359A (ko) | 기판 코팅 방법 및 코팅 장치 | |
TW200604365A (en) | Magnetron sputtering method and magnetron sputtering system | |
TW200712233A (en) | Coating machine and method for operating a coating machine | |
MY171465A (en) | Method to produce highly transparent hydrogenated carbon protective coating for transparent substrates | |
EP4130332A3 (en) | Spallation resistant thermal barrier coating | |
TW200704803A (en) | Oscillating magnet in sputtering system | |
JP2014162992A (ja) | 円筒形の蒸着源 | |
US20060157347A1 (en) | Reduced maintenance sputtering chambers | |
US20120228124A1 (en) | Method of creating pvd layers using a cylindrical rotating cathode and apparatus for carrying out this method | |
TW200704804A (en) | Cross-contaminant shield in sputtering system | |
CN201722425U (zh) | 真空磁控溅射贵金属薄膜镀制设备 | |
TW200902743A (en) | Swinging magnets to improve target utilization | |
TW200706671A (en) | Rotating pallet in sputtering system | |
RU2012141139A (ru) | Источник для нанесения покрытия и способ его изготовления | |
JP6396367B2 (ja) | Pvdアレイ用の多方向レーストラック回転カソード | |
TW200706691A (en) | Insulated pallet in cleaning chamber | |
KR102150455B1 (ko) | 스퍼터링 장치 및 이를 포함하는 증착장치 | |
RU123778U1 (ru) | Устройство для нанесения тонких пленок | |
ATE530679T1 (de) | Sputtersystem |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200602 |