RU2013109843A - METHOD FOR REMOVING OXIDES FROM SURFACE OF SILICON PLATES - Google Patents

METHOD FOR REMOVING OXIDES FROM SURFACE OF SILICON PLATES Download PDF

Info

Publication number
RU2013109843A
RU2013109843A RU2013109843/28A RU2013109843A RU2013109843A RU 2013109843 A RU2013109843 A RU 2013109843A RU 2013109843/28 A RU2013109843/28 A RU 2013109843/28A RU 2013109843 A RU2013109843 A RU 2013109843A RU 2013109843 A RU2013109843 A RU 2013109843A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon wafers
silicon
before spraying
processing
wafers before
Prior art date
Application number
RU2013109843/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2534444C2 (en
Inventor
Тагир Абдурашидович Исмаилов
Айшат Расуловна Шахмаева
Патимат Расуловна Захарова
Original Assignee
Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) filed Critical Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту)
Priority to RU2013109843/28A priority Critical patent/RU2534444C2/en
Publication of RU2013109843A publication Critical patent/RU2013109843A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2534444C2 publication Critical patent/RU2534444C2/en

Links

Abstract

Обработка кремниевых пластин перед напылением, включающая травление кремния с полным удалением остатков окисла с поверхности кремниевых пластин перед напылением обратной стороны, отличающаяся тем, что в качестве травителя используется раствор, в состав которого входят бифторид аммония и деионизованная вода, компоненты раствора выбираются в следующем соотношении:NHHF:HO=1:26,время обработки остатков окисла с кремниевых пластин при этом составляет не более 10 с при комнатной температуре. Processing of silicon wafers before spraying, including etching of silicon with the complete removal of oxide residues from the surface of silicon wafers before spraying the reverse side, characterized in that a solution containing ammonium bifluoride and deionized water is used as an etchant, the solution components are selected in the following ratio: NHHF: HO = 1: 26, the processing time of the oxide residues from silicon wafers in this case is no more than 10 s at room temperature.

Claims (1)

Обработка кремниевых пластин перед напылением, включающая травление кремния с полным удалением остатков окисла с поверхности кремниевых пластин перед напылением обратной стороны, отличающаяся тем, что в качестве травителя используется раствор, в состав которого входят бифторид аммония и деионизованная вода, компоненты раствора выбираются в следующем соотношении:Processing of silicon wafers before spraying, including etching of silicon with the complete removal of oxide residues from the surface of silicon wafers before spraying the reverse side, characterized in that a solution containing ammonium bifluoride and deionized water is used as an etchant, the solution components are selected in the following ratio: NH4HF2:H2O=1:26,NH 4 HF 2 : H 2 O = 1: 26, время обработки остатков окисла с кремниевых пластин при этом составляет не более 10 с при комнатной температуре. the processing time of the residual oxide from silicon wafers in this case is no more than 10 s at room temperature.
RU2013109843/28A 2013-03-05 2013-03-05 Method of removing oxide from silicon plate surface RU2534444C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013109843/28A RU2534444C2 (en) 2013-03-05 2013-03-05 Method of removing oxide from silicon plate surface

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013109843/28A RU2534444C2 (en) 2013-03-05 2013-03-05 Method of removing oxide from silicon plate surface

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013109843A true RU2013109843A (en) 2014-09-10
RU2534444C2 RU2534444C2 (en) 2014-11-27

Family

ID=51539907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013109843/28A RU2534444C2 (en) 2013-03-05 2013-03-05 Method of removing oxide from silicon plate surface

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2534444C2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2757762C1 (en) * 2021-03-30 2021-10-21 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук Method for manufacturing thin-film tunnel junctions by the method of separate lithography

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2156015C2 (en) * 1997-03-11 2000-09-10 Волков Владимир Владимирович Manufacturing process for chip with single-sided contacts for high-power light-emitting diode
RU2119462C1 (en) * 1997-03-12 1998-09-27 Новочеркасский государственный технический университет Etching liquor
RU2323503C2 (en) * 2006-06-05 2008-04-27 Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл" (ООО "Кристалл") Method for treatment of single-crystalline silicon wafer surface
KR100741991B1 (en) * 2006-06-29 2007-07-23 삼성전자주식회사 Silicon oxide etching solution and method of forming contact hole using the same
RU2376676C1 (en) * 2008-07-17 2009-12-20 Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Method of processing silicon crystals

Also Published As

Publication number Publication date
RU2534444C2 (en) 2014-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IL270708A (en) Etching solution having silicon oxide corrosion inhibitor and method of using the same
JP2017103388A5 (en)
TW201614106A (en) Plasma-free metal etch
BR112018072175A2 (en) Method for preparing textured structure of crystalline silicon solar cell
SG10201805798UA (en) Etching method and residue removal method
JP2013084939A5 (en) Method for manufacturing semiconductor device
PH12017501562A1 (en) Activation method for silicon substrates
EP2704214A3 (en) Method for manufacturing solar cell
WO2012165861A3 (en) Substrate processing system and substrate processing method using the same
GB2572033A (en) Electrolytic treatment for nuclear decontamination
WO2012021025A3 (en) Texture-etchant composition for crystalline silicon wafer and method for texture-etching (2)
SG11202101588UA (en) Wafer dicing using hybrid laser scribing and plasma etch approach with intermediate breakthrough treatment
TW201611914A (en) Method for cleaning semiconductor substrate and method for fabricating semiconductor device
CN103361734B (en) A kind of method improving output efficiency of polycrystalline silicon
RU2013109843A (en) METHOD FOR REMOVING OXIDES FROM SURFACE OF SILICON PLATES
MY184912A (en) Compositions for anti pattern collapse treatment comprising gemini additives
WO2016032856A3 (en) Sequential etching treatment for solar cell fabrication
TW201612973A (en) Method for etching
PH12014501790A1 (en) Etching liquid for forming texture
RU2009124736A (en) METHOD FOR PROCESSING SUBSTATES IN A LIQUID ETCHER
TW201612307A (en) Cleaning solution for photo-resist and use of cleaning solution for removal of photo-resist etching residues
WO2014158320A8 (en) Wet cleaning of chamber component
TW201612659A (en) Stripping solution, stripping method using the stripping solution, manufacturing method of semiconductor substrate products
JP2014175521A5 (en)
RU2014127447A (en) METHOD FOR PROCESSING THE SURFACE OF PLATES FOR THE FORMATION OF SOLAR ELEMENTS

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150306