RU2013103122A - Способ формирования эпитаксиальных наноструктур меди на поверхности полупроводниковых подложек - Google Patents
Способ формирования эпитаксиальных наноструктур меди на поверхности полупроводниковых подложек Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013103122A RU2013103122A RU2013103122/28A RU2013103122A RU2013103122A RU 2013103122 A RU2013103122 A RU 2013103122A RU 2013103122/28 A RU2013103122/28 A RU 2013103122/28A RU 2013103122 A RU2013103122 A RU 2013103122A RU 2013103122 A RU2013103122 A RU 2013103122A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- copper
- nanostructures
- islands
- deposition
- epitaxial
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
1. Способ формирования эпитаксиальных наноструктур меди на поверхности полупроводниковых подложек, включающий осаждение меди на атомарно-чистой поверхности Si(111)7×7 с формированием буферного слоя силицида меди CuSi моноатомной толщины при температуре 550-600°C в условиях сверхвысокого вакуума с последующим осаждением на него меди, отличающийся тем, что осаждение меди на подготовленную подложку силицида меди осуществляют при температуре подложки 500-550°C и эффективной толщине меди в диапазоне от 0,4 до 2,5 нм при том, что при эффективной толщине меди от 0,4 до 0,8 нм формируют островки эпитаксиальных наноструктур меди треугольной и многоугольной формы, а при толщине меди в диапазоне от 0,8 до 2,5 нм наряду с островками меди треугольной и многоугольной форм формируют идеально ровные проволоки меди.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что боковые грани сформированных эпитаксиальных наноструктур ориентированы вдоль кристаллографических направлений <110>Cu║<112>Si.
Claims (2)
1. Способ формирования эпитаксиальных наноструктур меди на поверхности полупроводниковых подложек, включающий осаждение меди на атомарно-чистой поверхности Si(111)7×7 с формированием буферного слоя силицида меди Cu2Si моноатомной толщины при температуре 550-600°C в условиях сверхвысокого вакуума с последующим осаждением на него меди, отличающийся тем, что осаждение меди на подготовленную подложку силицида меди осуществляют при температуре подложки 500-550°C и эффективной толщине меди в диапазоне от 0,4 до 2,5 нм при том, что при эффективной толщине меди от 0,4 до 0,8 нм формируют островки эпитаксиальных наноструктур меди треугольной и многоугольной формы, а при толщине меди в диапазоне от 0,8 до 2,5 нм наряду с островками меди треугольной и многоугольной форм формируют идеально ровные проволоки меди.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что боковые грани сформированных эпитаксиальных наноструктур ориентированы вдоль кристаллографических направлений <110>Cu║<112>Si.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013103122/28A RU2522844C1 (ru) | 2013-01-23 | 2013-01-23 | Способ формирования эпитаксиальных наноструктур меди на поверхности полупроводниковых подложек |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013103122/28A RU2522844C1 (ru) | 2013-01-23 | 2013-01-23 | Способ формирования эпитаксиальных наноструктур меди на поверхности полупроводниковых подложек |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2522844C1 RU2522844C1 (ru) | 2014-07-20 |
| RU2013103122A true RU2013103122A (ru) | 2014-07-27 |
Family
ID=51217506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013103122/28A RU2522844C1 (ru) | 2013-01-23 | 2013-01-23 | Способ формирования эпитаксиальных наноструктур меди на поверхности полупроводниковых подложек |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2522844C1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2624836C1 (ru) * | 2016-08-11 | 2017-07-07 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет" (ДВФУ) | Способ формирования массива ферромагнитных нанопроволок на ступенчатой поверхности полупроводниковых подложек с буферным слоем меди |
| RU2650658C1 (ru) * | 2016-12-19 | 2018-04-16 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Многослойные магниторезистивные нанопроволоки |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3560333B2 (ja) * | 2001-03-08 | 2004-09-02 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 金属ナノワイヤー及びその製造方法 |
| KR100502821B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2005-07-22 | 이호영 | 구리산화물 또는 구리 나노와이어로 이루어진 전자방출팁의 저온 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 전자방출팁을 포함하는 디스플레이 장치 또는 광원 |
| RU2270164C2 (ru) * | 2003-10-09 | 2006-02-20 | Александр Викторович Принц | Способ изготовления нановолокон |
| KR100874202B1 (ko) * | 2006-11-29 | 2008-12-15 | 한양대학교 산학협력단 | 실리사이드 촉매를 이용한 나노 와이어 제조 방법 |
| RU2359356C1 (ru) * | 2007-11-26 | 2009-06-20 | Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН | Способ создания проводящих нанопроволок на поверхности полупроводниковых подложек |
| RU2465670C1 (ru) * | 2011-08-03 | 2012-10-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет" | Способ формирования эпитаксиальных пленок кобальта на поверхности полупроводниковых подложек |
-
2013
- 2013-01-23 RU RU2013103122/28A patent/RU2522844C1/ru active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2522844C1 (ru) | 2014-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Chang et al. | Graphene-assisted quasi-van der Waals epitaxy of AlN film for ultraviolet light emitting diodes on nano-patterned sapphire substrate | |
| GB2531453A (en) | Formation of heteroepitaxial layers with rapid thermal processing to remove lattice dislocations | |
| JP2012109583A5 (ru) | ||
| JP2012142629A5 (ru) | ||
| GB2529953A (en) | Nanostructures and nanofeatures with Si (111) planes on Si (100) wafers for III-N epitaxy | |
| FR2977260B1 (fr) | Procede de fabrication d'une couche epitaxiale epaisse de nitrure de gallium sur un substrat de silicium ou analogue et couche obtenue par ledit procede | |
| EA201890168A1 (ru) | Нанопроволока или нанопирамидки, выращенные на графитовой подложке | |
| JP2014236093A5 (ru) | ||
| TWI699818B (zh) | 具有第三族氮化物及金剛石層之晶圓及其製造方法 | |
| Li et al. | Nucleation layer design for growth of a high-quality AlN epitaxial film on a Si (111) substrate | |
| JP2014090169A5 (ru) | ||
| JP2009177145A5 (ru) | ||
| RU2009122487A (ru) | ПЛАСТИНА С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ | |
| WO2017041661A1 (zh) | 一种半导体元件及其制备方法 | |
| EP2560194A4 (en) | SEMICONDUCTOR DEVICE OF SILICON CARBIDE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME | |
| WO2017016527A3 (zh) | 一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 | |
| TWI440074B (zh) | 一種在三族氮化物磊晶過程中降低缺陷產生的方法 | |
| GB2541146A (en) | Method of manufacturing a germanium-on-insulator substrate | |
| JP2010283337A5 (ru) | ||
| WO2017161935A1 (zh) | 氮化物底层、发光二极管及底层制备方法 | |
| JP6248532B2 (ja) | ３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル層の製造方法、３Ｃ−ＳｉＣエピタキシャル基板および半導体装置 | |
| JP2010103514A5 (ru) | ||
| JP2015214448A5 (ru) | ||
| WO2017135401A1 (ja) | 半導体基板 | |
| RU2013103122A (ru) | Способ формирования эпитаксиальных наноструктур меди на поверхности полупроводниковых подложек |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE Effective date: 20170531 |