RU2012121239A - Свч способ обнаружения и оценки неоднородностей в диэлектрических покрытиях на металле - Google Patents

Abstract

СВЧ способ обнаружения и оценки неоднородностей в диэлектрических покрытиях на металле, заключающийся в создании электромагнитного поля поверхностной медленной волны Е-типа в объеме контролируемого диэлектрического покрытия на электропроводящей подложке, сканировании поверхности покрытия с заданным шагом, регистрации изменения напряженности электрического поля, вычислении коэффициента нормального затухания поля поверхностной медленной волны, расчете его математического ожидания и дисперсии в каждой точке сканирования, формировании двумерной матрицы значений дисперсии коэффициента нормального затухания поля по всей поверхности сканирования и оценке по пространственной картине распределения дисперсии границ неоднородностей, отличающийся тем, что после формирования двумерной матрицы значений дисперсии коэффициента нормального затухания поля по всей поверхности сканирования, дополнительно возбуждают поверхностные электромагнитные волны Е-волну, длина волны λкоторой меньше длины волны λпервого электромагнитного поля так, что произведение коэффициента фазы второй электромагнитной волны βна толщину покрытия b удовлетворяло условию, и Н-волну на длине волны λтак, чтобы выполнялось условие π/2<βb≤π/2+Δ, где Δ<<π/2,последовательно регистрируют изменения напряженности поля волн электрического Еи магнитного Нтипа, рассчитывают коэффициент нормального затухания электрического поля, его математическое ожидание и дисперсию в каждой точке сканирования и их значения запоминают в микропроцессорном устройстве,усредняют значения дисперсий коэффициента затухания поля для волн электрического типа,и д

Claims (1)

1. СВЧ способ обнаружения и оценки неоднородностей в диэлектрических покрытиях на металле, заключающийся в создании электромагнитного поля поверхностной медленной волны Е-типа в объеме контролируемого диэлектрического покрытия на электропроводящей подложке, сканировании поверхности покрытия с заданным шагом, регистрации изменения напряженности электрического поля, вычислении коэффициента нормального затухания поля поверхностной медленной волны, расчете его математического ожидания и дисперсии в каждой точке сканирования, формировании двумерной матрицы значений дисперсии коэффициента нормального затухания поля по всей поверхности сканирования и оценке по пространственной картине распределения дисперсии границ неоднородностей, отличающийся тем, что после формирования двумерной матрицы значений дисперсии коэффициента нормального затухания поля по всей поверхности сканирования, дополнительно возбуждают поверхностные электромагнитные волны Е-волну, длина волны λ₂ которой меньше длины волны λ₁ первого электромагнитного поля так, что произведение коэффициента фазы второй электромагнитной волны β_E2 на толщину покрытия b удовлетворяло условию

   

   , и Н-волну на длине волны λ₃ так, чтобы выполнялось условие π/2<β_Hb≤π/2+Δ_H, где Δ_H<<π/2,

   последовательно регистрируют изменения напряженности поля волн электрического Е_λ2 и магнитного Н_λ3 типа, рассчитывают коэффициент нормального затухания электрического поля, его математическое ожидание и дисперсию в каждой точке сканирования и их значения запоминают в микропроцессорном устройстве,

   усредняют значения дисперсий коэффициента затухания поля для волн электрического типа

   

   ,

   

   и для волны магнитного типа

   

   по всей площади сканирования в соответствии с выражением

   

   ,

   где t∈(1, 2, 3) - порядковый номер возбуждаемых волн E_λ1, E_λ2 и H_λ3; i∈(1…m) - координаты точек измерений по оси x; k∈(1…p) - координаты точек измерения по оси z,

   рассчитывают абсолютное отклонение дисперсий коэффициента затухания поля

   

   ,

   

   ,

   

   для каждой волны E_λ1, E_λ2, и Н_λ3 от среднего и усредняют их значение в каждой точке сканирования поверхности в соответствии с выражением:

   

   ,

   формируют двумерную матрицу средних значений дисперсий коэффициента нормального затухания поля по всей поверхности сканирования,

   строят по всей поверхности сканирования пространственное распределение средних значений дисперсий коэффициента нормального затухания поля поверхностных медленных волн E_λ1, E_λ2 и Н_λ3, пространственная картина которых визуально отображает распределение неоднородностей и их границу.