RU2012107135A - Средство для удаления фоторезиста после ионной имплантации для перспективных областей применения полупроводников - Google Patents

Средство для удаления фоторезиста после ионной имплантации для перспективных областей применения полупроводников Download PDF

Info

Publication number
RU2012107135A
RU2012107135A RU2012107135/04A RU2012107135A RU2012107135A RU 2012107135 A RU2012107135 A RU 2012107135A RU 2012107135/04 A RU2012107135/04 A RU 2012107135/04A RU 2012107135 A RU2012107135 A RU 2012107135A RU 2012107135 A RU2012107135 A RU 2012107135A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
composition
alcohols
amine
composition according
propanol
Prior art date
Application number
RU2012107135/04A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2575012C2 (ru
Inventor
ЧиенШин ЧЕН
МейЧин ШЕН
ЧиаХао ЧАН
Андреас КЛИПП
Original Assignee
Басф Се
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Басф Се filed Critical Басф Се
Publication of RU2012107135A publication Critical patent/RU2012107135A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2575012C2 publication Critical patent/RU2575012C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/37—Polymers
    • C11D3/3746—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C11D3/3757—(Co)polymerised carboxylic acids, -anhydrides, -esters in solid and liquid compositions
    • C11D3/3765—(Co)polymerised carboxylic acids, -anhydrides, -esters in solid and liquid compositions in liquid compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

1. Композиция для удаления фоторезиста после ионной имплантации, содержащая:(a) амин,(b) органический растворитель A, и(c) сорастворитель,гдеданная композиция по существу не содержит воду;амин представляет собой гидроксид четвертичного аммония;органический растворитель A выбран из группы, состоящей из диметилсульфоксида (DMSO), диметилсульфона (DMSO), 1-метил-2-пирролидинона (NMP), Y-бутиролактона (BLO)(GBL), этилметилкетона, 2-пентанона, 3-пентанона, 2-гексанона и изобутилметилкетона, 1-пропанола, 2-пропанола, бутилового спирта, пентанола, 1-гексанола, 1-гептанола, 1-октанола, этилдигликоля (EDG), бутилдигликоля (BDG), бензилового спирта, бензальдегида, тридекана, додекана, ундекана, декана, N,N-диметилэтаноламина, ди-н-пропиламина, три-н-пропиламина,изобутиламина, втор-бутиламина, циклогексиламина, метиламилина, о-толуидина, м-толуидина, о-хлоранилина, м-хлоранилина, октиламина, N,N-диэтилгидроксиламина, хинолина, N,N-диметилэтаноламина, N,N-диметилформамида и их комбинации;исорастворитель выбран из группы, состоящей из изопропиловых спиртов, изобутиловых спиртов, втор-бутиловых спиртов, изопентиловых спиртов, трет-пентиловых спиртов, этиленгликоля (EG), пропиленгликоля, 1,2-пропандиола, 1,3-пропандиола, 1,2,3-пропантриола, 1-амино-2-пропанола, изопропилацетата, этилацетоацетата, триэтаноламина, этаноламина (МЕА), формамида, диметилацетамида (DMAC), 2-метиламино-этанола (NMEA), N-этилдиизопропиламина и их комбинации.2. Композиция по п.1, в которой амин представляет собой гидроксид тетраметиламмония (ТМАН), гидроксид бензилтриметиламмония (ВТМАН) или их комбинацию.3. Композиция по п.1, в которой амин присутствует в количестве от 1 до 10 мас.% композиции.4. Композ�

Claims (16)

1. Композиция для удаления фоторезиста после ионной имплантации, содержащая:
(a) амин,
(b) органический растворитель A, и
(c) сорастворитель,
где
данная композиция по существу не содержит воду;
амин представляет собой гидроксид четвертичного аммония;
органический растворитель A выбран из группы, состоящей из диметилсульфоксида (DMSO), диметилсульфона (DMSO2), 1-метил-2-пирролидинона (NMP), Y-бутиролактона (BLO)(GBL), этилметилкетона, 2-пентанона, 3-пентанона, 2-гексанона и изобутилметилкетона, 1-пропанола, 2-пропанола, бутилового спирта, пентанола, 1-гексанола, 1-гептанола, 1-октанола, этилдигликоля (EDG), бутилдигликоля (BDG), бензилового спирта, бензальдегида, тридекана, додекана, ундекана, декана, N,N-диметилэтаноламина, ди-н-пропиламина, три-н-пропиламина,
изобутиламина, втор-бутиламина, циклогексиламина, метиламилина, о-толуидина, м-толуидина, о-хлоранилина, м-хлоранилина, октиламина, N,N-диэтилгидроксиламина, хинолина, N,N-диметилэтаноламина, N,N-диметилформамида и их комбинации;
и
сорастворитель выбран из группы, состоящей из изопропиловых спиртов, изобутиловых спиртов, втор-бутиловых спиртов, изопентиловых спиртов, трет-пентиловых спиртов, этиленгликоля (EG), пропиленгликоля, 1,2-пропандиола, 1,3-пропандиола, 1,2,3-пропантриола, 1-амино-2-пропанола, изопропилацетата, этилацетоацетата, триэтаноламина, этаноламина (МЕА), формамида, диметилацетамида (DMAC), 2-метиламино-этанола (NMEA), N-этилдиизопропиламина и их комбинации.
2. Композиция по п.1, в которой амин представляет собой гидроксид тетраметиламмония (ТМАН), гидроксид бензилтриметиламмония (ВТМАН) или их комбинацию.
3. Композиция по п.1, в которой амин присутствует в количестве от 1 до 10 мас.% композиции.
4. Композиция по п.3, в которой амин присутствует в количестве от 1 до 4 мас.% композиции.
5. Композиция по п.1, в которой органический растворитель А представляет собой диметилсульфоксид (DMSO), 1-метил-2-пирролидинон (NMP), бензиловый спирт, пропанол, бутилдигликоль, пентанол, N,N-диметилэтаноламин, бензальдегид или их смесь.
6. Композиция по п.5, в которой органический растворитель А представляет собой DMSO, NMP, бензиловый спирт, бутилдигликоль или их смесь.
7. Композиция по п.1, в которой сорастворитель выбран из группы, состоящей из этиленгликоля, 1,2-пропандиола, 1-амино-2-пропанола, триэтаноламина, этаноламина (МЕА), изопропилацетата и их комбинации.
8. Композиция по п.7, в которой сорастворитель представляет собой этиленгликоль, триэтаноламин, МЕА или их комбинацию.
9. Композиция по п.1, в которой содержание воды в композиции составляет менее 3 мас.% композиции.
10. Композиция по п.9, в которой содержание воды в композиции составляет менее 1 мас.% композиции.
11. Композиция по п.10, в которой содержание воды в композиции составляет менее 0.5 мас.% композиции.
12. Способ удаления фоторезиста после ионной имплантации, включающий стадии:
(a) обеспечение субстрата с имплантированными фоторезистами, и
(b) контактирование субстрата с композицией по п.1 при температуре обработки в течение периода времени, достаточного для удаления фоторезиста с субстрата.
13. Способ по п.12, в котором температура обработки находится в пределах от 25°C до 90°C.
14. Способ по п.13, в котором температура обработки находится в пределах от 40°C до 80°C.
15. Способ по п.14, в котором температура обработки находится в пределах от 60°C до 80°C.
16. Способ по п.12, в котором время контакта составляет от 20 мин до 1 ч.
RU2012107135/04A 2009-07-30 2010-07-26 Средство для удаления фоторезиста после ионной имплантации для перспективных областей применения полупроводников RU2575012C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US22976009P 2009-07-30 2009-07-30
US61/229,760 2009-07-30
PCT/EP2010/060762 WO2011012559A2 (en) 2009-07-30 2010-07-26 Post ion implant stripper for advanced semiconductor application

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012107135A true RU2012107135A (ru) 2013-09-10
RU2575012C2 RU2575012C2 (ru) 2016-02-10

Family

ID=

Also Published As

Publication number Publication date
JP6165442B2 (ja) 2017-07-19
WO2011012559A2 (en) 2011-02-03
WO2011012559A3 (en) 2011-03-24
JP2013500503A (ja) 2013-01-07
EP2460177A2 (en) 2012-06-06
KR101746879B1 (ko) 2017-06-14
TW201128327A (en) 2011-08-16
MY185453A (en) 2021-05-19
EP2460177B1 (en) 2016-03-23
KR20120041777A (ko) 2012-05-02
CN102473638B (zh) 2015-02-18
US9484218B2 (en) 2016-11-01
US20120129747A1 (en) 2012-05-24
TWI594088B (zh) 2017-08-01
SG177755A1 (en) 2012-03-29
IL217708A (en) 2017-07-31
SG10201404328QA (en) 2014-10-30
CN102473638A (zh) 2012-05-23
IL217708A0 (en) 2012-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013500503A5 (ru)
KR101746879B1 (ko) 고급 반도체 적용을 위한 이온 주입 후 스트리퍼
CA2106750C (en) Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins
US20080139436A1 (en) Two step cleaning process to remove resist, etch residue, and copper oxide from substrates having copper and low-K dielectric material
US20120295447A1 (en) Compositions and Methods for Texturing of Silicon Wafers
JP5015508B2 (ja) ストリッパー
JP2016040382A5 (ru)
JPH0468624B2 (ru)
CN107346095B (zh) 一种半导体制程正性光刻胶去胶液及应用
WO2015119759A1 (en) Composition for removing substances from substrates
CN117518750A (zh) 一种光刻胶剥离液及其制备方法和应用
KR20080031565A (ko) 포토레지스트 박리용 조성물 및 이를 이용한 박리 방법
TW201418913A (zh) 一種去除光阻殘留物的清洗液
KR20090080206A (ko) 포토레지스트 박리용 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트박리 방법
CN106997158B (zh) 光刻胶去除用剥离液组合物
CN109164686B (zh) 一种正性光刻胶去胶清洗组合物及其应用
CN111381458B (zh) 一种光刻胶清洗液
RU2575012C2 (ru) Средство для удаления фоторезиста после ионной имплантации для перспективных областей применения полупроводников
CN106752293B (zh) 一种废旧易拉罐表面脱漆剂及其制备方法和应用
JP2013243363A (ja) シリコンウェハをテクスチャ形成するための組成物及び方法
CN102981379A (zh) 一种光刻胶清洗剂组合物
CN103236471B (zh) 一种图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法
CN106527066B (zh) 一种光阻残留物清洗液
Liu et al. The Change in the Expression of Gamma-Amino Butyric Acid A Receptor Subunits in Rat's Flocculus
CN112578647A (zh) 一种适用于去除正负光刻胶的清洗液