RU2012104520A - PHOTOELECTRIC CONVERTER, PHOTOELECTRIC CONVERTER AND SYSTEM FOR READING IMAGES - Google Patents

PHOTOELECTRIC CONVERTER, PHOTOELECTRIC CONVERTER AND SYSTEM FOR READING IMAGES Download PDF

Info

Publication number
RU2012104520A
RU2012104520A RU2012104520/28A RU2012104520A RU2012104520A RU 2012104520 A RU2012104520 A RU 2012104520A RU 2012104520/28 A RU2012104520/28 A RU 2012104520/28A RU 2012104520 A RU2012104520 A RU 2012104520A RU 2012104520 A RU2012104520 A RU 2012104520A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
section
plane
refractive index
photovoltaic
receiving surface
Prior art date
Application number
RU2012104520/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2497234C2 (en
Inventor
Таро КАТО
Тадаси САВАЯМА
Хироси ИКАКУРА
Original Assignee
Кэнон Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Кэнон Кабусики Кайся filed Critical Кэнон Кабусики Кайся
Publication of RU2012104520A publication Critical patent/RU2012104520A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2497234C2 publication Critical patent/RU2497234C2/en

Links

Abstract

1. Фотоэлектрический преобразующий элемент, содержащийучасток фотоэлектрического преобразования иэлемент для создания светового тракта к упомянутому участку фотоэлектрического преобразования, нанесенный на упомянутый участок фотоэлектрического преобразования и окруженный изолирующей пленкой,при этом упомянутый элемент включает в себяпервый участок ивторой участок, имеющий такой же стехиометрический состав, как упомянутый первый участок, а также имеющий больший показатель преломления, чем показатель преломления упомянутого первого участка,и при этом упомянутый второй участок выполнен неразрывным с упомянутым первым участком и окружает упомянутый первый участок, а показатель преломления упомянутого первого участка больше, чем показатель преломления упомянутой изолирующий пленки, в пределах некоторой плоскости, параллельной светоприемной поверхности упомянутого участка фотоэлектрического преобразования, и в пределах другой плоскости, параллельной упомянутой светоприемной поверхности и находящейся ближе к упомянутой светоприемной поверхности, чем упомянутая некоторая плоскость,и при этом толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой другой плоскости меньше, чем толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой некоторой плоскости.2. Фотоэлектрический преобразующий элемент, содержащийучасток фотоэлектрического преобразования иэлемент для создания светового тракта к упомянутому участку фотоэлектрического преобразования, нанесенный на упомянутый участок фотоэлектрического преобразования и окруженный изолирующей пленкой, при этом упомянутая изолирующая пленка1. A photovoltaic conversion element comprising a photovoltaic conversion section and an element for creating a light path to said photovoltaic conversion section deposited on said photoelectric conversion section and surrounded by an insulating film, said element including a first section and a second section having the same stoichiometric composition as said the first section, as well as having a higher refractive index than the refractive index of the said first of the second portion, and wherein said second portion is inseparable from said first portion and surrounds said first portion, and the refractive index of said first portion is greater than the refractive index of said insulating film, within a plane parallel to the light receiving surface of said photoelectric conversion section, and within another plane parallel to said light receiving surface and closer to said light receiving surface than said melting some plane, and the thickness of said second portion within said another plane is smaller than the thickness of said second portion within said certain ploskosti.2. A photovoltaic conversion element comprising a photoelectric conversion section and an element for creating a light path to said photoelectric conversion section deposited on said photoelectric conversion section and surrounded by an insulating film, wherein said insulating film

Claims (28)

1. Фотоэлектрический преобразующий элемент, содержащий1. Photovoltaic conversion element containing участок фотоэлектрического преобразования иplot of photovoltaic conversion and элемент для создания светового тракта к упомянутому участку фотоэлектрического преобразования, нанесенный на упомянутый участок фотоэлектрического преобразования и окруженный изолирующей пленкой,an element for creating a light path to said photoelectric conversion section deposited on said photoelectric conversion section and surrounded by an insulating film, при этом упомянутый элемент включает в себяwherein said element includes первый участок иfirst section and второй участок, имеющий такой же стехиометрический состав, как упомянутый первый участок, а также имеющий больший показатель преломления, чем показатель преломления упомянутого первого участка,a second portion having the same stoichiometric composition as said first portion, and also having a higher refractive index than the refractive index of said first portion, и при этом упомянутый второй участок выполнен неразрывным с упомянутым первым участком и окружает упомянутый первый участок, а показатель преломления упомянутого первого участка больше, чем показатель преломления упомянутой изолирующий пленки, в пределах некоторой плоскости, параллельной светоприемной поверхности упомянутого участка фотоэлектрического преобразования, и в пределах другой плоскости, параллельной упомянутой светоприемной поверхности и находящейся ближе к упомянутой светоприемной поверхности, чем упомянутая некоторая плоскость,and wherein said second section is made inextricably with said first section and surrounds said first section, and the refractive index of said first section is greater than the refractive index of said insulating film, within a plane parallel to the light receiving surface of said photoelectric conversion section, and within another a plane parallel to said light receiving surface and being closer to said light receiving surface than said some th plane и при этом толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой другой плоскости меньше, чем толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой некоторой плоскости.and wherein the thickness of said second section within said other plane is less than the thickness of said second section within said certain plane. 2. Фотоэлектрический преобразующий элемент, содержащий2. A photovoltaic conversion element containing участок фотоэлектрического преобразования иplot of photovoltaic conversion and элемент для создания светового тракта к упомянутому участку фотоэлектрического преобразования, нанесенный на упомянутый участок фотоэлектрического преобразования и окруженный изолирующей пленкой, при этом упомянутая изолирующая пленка включает в себя первый изолирующий слой и второй изолирующий слой оксида кремния или силикатного стекла,an element for creating a light path to said photoelectric conversion section deposited on said photoelectric conversion section and surrounded by an insulating film, said insulating film including a first insulating layer and a second insulating layer of silicon oxide or silicate glass, при этом упомянутый элемент включает в себяwherein said element includes первый участок из нитрида кремния иthe first portion of silicon nitride and второй участок из нитрида кремния, имеющий большую плотность нитрида кремния, чем плотность нитрида кремния на упомянутом первом участке,a second portion of silicon nitride having a higher density of silicon nitride than the density of silicon nitride in said first portion, и при этом упомянутый второй участок расположен между упомянутым первым участком и упомянутым первым изолирующим слоем, и упомянутый второй участок выполнен неразрывным с упомянутым первым участком и окружает упомянутый первый участок в пределах некоторой плоскости, параллельной светоприемной поверхности упомянутого участка фотоэлектрического преобразования,and wherein said second section is located between said first section and said first insulating layer, and said second section is made inextricably with said first section and surrounds said first section within a plane parallel to the light receiving surface of said photoelectric conversion section, и при этом упомянутый второй участок расположен между упомянутым первым участком и упомянутым вторым изолирующим слоем, а кроме того, упомянутый второй участок выполнен неразрывным с упомянутым первым изолирующим участком и окружает упомянутый первый участок в пределах другой плоскости, параллельной светоприемной поверхности упомянутого участка фотоэлектрического преобразования и находящейся ближе к упомянутой светоприемной поверхности, чем упомянутая некоторая плоскость,and wherein said second section is located between said first section and said second insulating layer, and in addition, said second section is made inextricably with said first insulating section and surrounds said first section within another plane parallel to the light receiving surface of said photoelectric conversion section and located closer to said light receiving surface than said certain plane, и при этом толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой другой плоскости меньше, чем толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой некоторой плоскости.and wherein the thickness of said second section within said other plane is less than the thickness of said second section within said certain plane. 3. Фотоэлектрический преобразующий элемент, содержащий3. Photovoltaic conversion element containing участок фотоэлектрического преобразования иplot of photovoltaic conversion and элемент для создания светового тракта к упомянутому участку фотоэлектрического преобразования, нанесенный на упомянутый участок фотоэлектрического преобразования и окруженный изолирующей пленкой, при этом упомянутая изолирующая пленка включает в себя первый изолирующий слой и второй изолирующий слой оксида кремния или силикатного стекла,an element for creating a light path to said photoelectric conversion section deposited on said photoelectric conversion section and surrounded by an insulating film, said insulating film including a first insulating layer and a second insulating layer of silicon oxide or silicate glass, при этом упомянутый элемент включает в себяwherein said element includes первый участок из нитрида кремния иthe first portion of silicon nitride and второй участок из нитрида кремния, имеющий больший индекс кремния для нитрида, чем индекс кремния для нитрида упомянутого первого участка,a second silicon nitride section having a larger silicon index for nitride than the silicon index for nitride of said first section, и при этом упомянутый второй участок расположен между упомянутым первым участком и упомянутым первым изолирующим слоем и упомянутый второй участок выполнен неразрывным с упомянутым первым участком и окружает упомянутый первый участок в пределах некоторой плоскости, параллельной светоприемной поверхности упомянутого участка фотоэлектрического преобразования,and wherein said second section is located between said first section and said first insulating layer and said second section is made inextricably with said first section and surrounds said first section within a plane parallel to the light receiving surface of said photoelectric conversion section, и при этом упомянутый второй участок расположен между упомянутым первым участком и упомянутым вторым изолирующим слоем и упомянутый второй участок выполнен неразрывным с упомянутым первым участком и окружает упомянутый первый участок в пределах другой плоскости, параллельной упомянутой светоприемной поверхности участка фотоэлектрического преобразования и находящейся ближе к упомянутой светоприемной поверхности, чем упомянутая некоторая плоскость,and wherein said second portion is located between said first portion and said second insulating layer, and said second portion is inextricable with said first portion and surrounds said first portion within another plane parallel to said light receiving surface of the photoelectric conversion section and being closer to said light receiving surface than the mentioned some plane, и при этом толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой другой плоскости меньше, чем толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой некоторой плоскости.and wherein the thickness of said second section within said other plane is less than the thickness of said second section within said certain plane. 4. Фотоэлектрический преобразующий элемент, содержащий4. A photovoltaic conversion element containing участок фотоэлектрического преобразования иplot of photovoltaic conversion and элемент для создания светового тракта к упомянутому участку фотоэлектрического преобразования, нанесенный на упомянутый участок фотоэлектрического преобразования и окруженный изолирующей пленкой,an element for creating a light path to said photoelectric conversion section deposited on said photoelectric conversion section and surrounded by an insulating film, при этом упомянутый элемент включает в себяwherein said element includes первый участок иfirst section and второй участок, имеющий меньший показатель преломления, чем показатель преломления упомянутого первого участка,a second portion having a lower refractive index than the refractive index of said first portion, и при этом упомянутый второй участок выполнен неразрывным с упомянутым первым участком и окружает упомянутый первый участок, а показатель преломления упомянутого второго участка больше, чем показатель преломления упомянутой изолирующий пленки, в пределах некоторой плоскости, параллельной светоприемной поверхности упомянутого участка фотоэлектрического преобразования, и в пределах другой плоскости, параллельной упомянутой светоприемной поверхности и находящейся ближе к упомянутой светоприемной поверхности, чем упомянутая некоторая плоскость,and wherein said second section is made inextricably with said first section and surrounds said first section, and the refractive index of said second section is greater than the refractive index of said insulating film, within a plane parallel to the light receiving surface of said photoelectric conversion section, and within another a plane parallel to said light receiving surface and being closer to said light receiving surface than said some th plane и при этом толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой другой плоскости меньше, чем толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой некоторой плоскости.and wherein the thickness of said second section within said other plane is less than the thickness of said second section within said certain plane. 5. Фотоэлектрический преобразующий элемент, содержащий5. Photovoltaic conversion element containing участок фотоэлектрического преобразования иplot of photovoltaic conversion and элемент для создания светового тракта к упомянутому участку фотоэлектрического преобразования, нанесенный на упомянутый участок фотоэлектрического преобразования и окруженный изолирующей пленкой, при этом упомянутая изолирующая пленка включает в себя первый изолирующий слой и второй изолирующий слой оксида кремния или силикатного стекла,an element for creating a light path to said photoelectric conversion section deposited on said photoelectric conversion section and surrounded by an insulating film, said insulating film including a first insulating layer and a second insulating layer of silicon oxide or silicate glass, при этом упомянутый элемент включает в себяwherein said element includes первый участок из нитрида кремния иthe first portion of silicon nitride and второй участок из нитрида кремния, имеющий меньшую плотность упомянутого нитрида кремния, чем плотность на упомянутом первом участке,a second portion of silicon nitride having a lower density of said silicon nitride than the density of said first portion, и при этом упомянутый второй участок расположен между упомянутым первым участком и упомянутым первым изолирующим слоем и упомянутый второй участок выполнен неразрывным с помянутым первым участком и окружает упомянутый первый участок в пределах некоторой плоскости, параллельной светоприемной поверхности упомянутого участка фотоэлектрического преобразования,and wherein said second portion is located between said first portion and said first insulating layer, and said second portion is inextricable with the first portion mentioned, and surrounds said first portion within a plane parallel to the light receiving surface of said photoelectric conversion section, и при этом упомянутый второй участок расположен между упомянутым первым участком и упомянутым вторым изолирующим слоем, и упомянутый второй участок выполнен неразрывным с упомянутым первым участком и окружает упомянутый первый участок в пределах другой плоскости, параллельной упомянутой светоприемной поверхности и находящейся ближе к упомянутой светоприемной поверхности, чем упомянутая некоторая плоскость,and wherein said second section is located between said first section and said second insulating layer, and said second section is made inextricably with said first section and surrounds said first section within another plane parallel to said light receiving surface and being closer to said light receiving surface than mentioned some plane и при этом толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой другой плоскости меньше, чем толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой некоторой плоскости.and wherein the thickness of said second section within said other plane is less than the thickness of said second section within said certain plane. 6. Фотоэлектрический преобразующий элемент, содержащий6. Photovoltaic conversion element containing участок фотоэлектрического преобразования иplot of photovoltaic conversion and элемент для создания светового тракта к упомянутому участку фотоэлектрического преобразования, нанесенный на упомянутый участок фотоэлектрического преобразования и окруженный изолирующей пленкой, при этом упомянутая изолирующая пленка включает в себя первый изолирующий слой и второй изолирующий слой оксида кремния или силикатного стекла,an element for creating a light path to said photoelectric conversion section deposited on said photoelectric conversion section and surrounded by an insulating film, said insulating film including a first insulating layer and a second insulating layer of silicon oxide or silicate glass, при этом упомянутый элемент включает в себяwherein said element includes первый участок из нитрида кремния иthe first portion of silicon nitride and второй участок из нитрида кремния, имеющий индекс кремния для нитрида ниже, чем индекс кремния для нитрида упомянутого первого участка,a second silicon nitride section having a silicon index for nitride lower than a silicon index for nitride of said first section, и при этом упомянутый второй участок расположен между упомянутым первым участком и упомянутым первым изолирующим слоем и упомянутый второй участок выполнен неразрывным с помянутым первым участком и окружает упомянутый первый участок в пределах некоторой плоскости, параллельной светоприемной поверхности упомянутого участка фотоэлектрического преобразования,and wherein said second portion is located between said first portion and said first insulating layer, and said second portion is inextricable with the first portion mentioned, and surrounds said first portion within a plane parallel to the light receiving surface of said photoelectric conversion section, и при этом упомянутый второй участок расположен между упомянутым первым участком и упомянутым вторым изолирующим слоем и упомянутый второй участок выполнен неразрывным с упомянутым первым участком и окружает упомянутый первый участок в пределах другой плоскости, параллельной светоприемной поверхности упомянутого участка фотоэлектрического преобразования и находящейся ближе к упомянутой светоприемной поверхности, чем упомянутая некоторая плоскость,and wherein said second portion is located between said first portion and said second insulating layer, and said second portion is inextricable with said first portion and surrounds said first portion within another plane parallel to the light receiving surface of said photoelectric conversion section and being closer to said light receiving surface than the mentioned some plane, и при этом толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой другой плоскости меньше, чем толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой некоторой плоскости.and wherein the thickness of said second section within said other plane is less than the thickness of said second section within said certain plane. 7. Фотоэлектрический преобразующий элемент по п.4, в котором упомянутый второй участок имеет тот же стехиометрический состав, что и упомянутый первый участок.7. The photovoltaic conversion element according to claim 4, in which said second section has the same stoichiometric composition as said first section. 8. Фотоэлектрический преобразующий элемент по любому из пп.1-6, в котором показатели преломления упомянутого первого участка и упомянутого второго участка непрерывно изменяются от оси, перпендикулярной упомянутой светоприемной поверхности и проходящей через упомянутый первый участок по направлению к упомянутой изолирующей пленке в пределах упомянутой некоторой плоскости и упомянутой другой плоскости.8. The photovoltaic conversion element according to any one of claims 1 to 6, in which the refractive indices of said first portion and said second portion continuously vary from an axis perpendicular to said light receiving surface and passing through said first portion towards said insulating film within said some plane and said other plane. 9. Фотоэлектрический преобразующий элемент по любому из пп.1-6, в котором толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой другой плоскости является равной или меньшей, чем половина толщины упомянутого второго участка в пределах упомянутой некоторой плоскости.9. The photovoltaic conversion element according to any one of claims 1 to 6, in which the thickness of said second section within said other plane is equal to or less than half the thickness of said second section within said certain plane. 10. Фотоэлектрический преобразующий элемент по п.9, в котором упомянутый элемент предусмотрен в пределах участка проема упомянутой изолирующей пленки, который имеет боковую поверхность, неразрывно идущую от верхней поверхности упомянутой изолирующей пленки, и нижнюю поверхность, неразрывную с упомянутой боковой поверхностью,10. The photovoltaic conversion element according to claim 9, in which said element is provided within an opening portion of said insulating film, which has a side surface that extends inextricably from the upper surface of said insulating film and a lower surface that is inextricable with said side surface и при этом плоскость, включающая в себя упомянутую светоприемную поверхность принята за первую плоскость, а плоскость, включающая в себя упомянутую верхнюю поверхность, параллельная упомянутой первой плоскости, принята за вторую плоскость, причем упомянутая плоскость дна расположена между упомянутой первой плоскостью и упомянутой второй плоскостью в пределах третьей плоскости, параллельной упомянутой первой плоскости,and wherein the plane including said light receiving surface is adopted as a first plane, and the plane including said upper surface parallel to said first plane is taken as a second plane, said bottom plane being located between said first plane and said second plane in within a third plane parallel to said first plane, и при этом плоскость, расположенная на одинаковом расстоянии от упомянутой второй плоскости и упомянутой третьей плоскости, параллельная упомянутой третьей плоскости, принята за четвертую плоскость,and wherein the plane located at the same distance from said second plane and said third plane parallel to said third plane is taken as the fourth plane, и при этом плоскость, расположенная на одинаковом расстоянии от упомянутой второй плоскости и упомянутой четвертой плоскости, параллельная упомянутой первой плоскости, принята за пятую плоскость,and wherein the plane located at the same distance from said second plane and said fourth plane parallel to said first plane is taken as the fifth plane, и при этом плоскость, расположенная на одинаковом расстоянии от упомянутой третьей плоскости и упомянутой четвертой плоскости, параллельная упомянутой первой плоскости, принята за шестую плоскость,and wherein the plane located at the same distance from said third plane and said fourth plane parallel to said first plane is taken as the sixth plane, и при этом упомянутая некоторая плоскость представляет собой упомянутую пятую плоскости или расположена между упомянутой четвертой плоскостью и упомянутой пятой плоскостью, а упомянутая другая плоскость расположена между упомянутой третьей плоскостью и упомянутой четвертой плоскостью.and wherein said certain plane is said fifth plane or is located between said fourth plane and said fifth plane, and said other plane is located between said third plane and said fourth plane. 11. Фотоэлектрический преобразующий элемент по любому из пп.1-6, в котором, если принять длину света, поступающего в упомянутый элемент, равной λ, показатель преломления упомянутой изолирующей пленки равным n0 и показатель преломления упомянутого второго участка равным n1, то максимальное значение толщины упомянутого второго участка больше, чем λ / 2 ( n 1 2   −   n 0 2 )
Figure 00000001
 , а минимальное значение толщины упомянутого второго участка меньше, чем λ / 4 ( n 1 2   −   n 0 2 )
Figure 00000002
 .11. The photovoltaic converting element according to any one of claims 1 to 6, in which, if we take the length of the light entering the said element equal to λ, the refractive index of said insulating film is n 0 and the refractive index of said second section is n 1 , then the maximum the thickness value of said second portion is greater than λ / 2 ( n one 2 - n 0 2 )
Figure 00000001
 and the minimum thickness value of said second portion is less than λ / four ( n one 2 - n 0 2 )
Figure 00000002
 . 12. Фотоэлектрический преобразующий элемент по п.1 или 4, в котором упомянутая изолирующая пленка представляет собой многослойную пленку, включающую в себя12. The photovoltaic conversion element according to claim 1 or 4, wherein said insulating film is a multilayer film including первый и второй изолирующие слои с высоким показателем преломления, каждый из которых имеет показатель преломления, не меньший, чем показатели преломления, по меньшей мере, одного из упомянутого первого участка и упомянутого второго участка, и окружают упомянутый элемент, иthe first and second insulating layers with a high refractive index, each of which has a refractive index not less than the refractive indices of at least one of said first section and said second section, and surround said element, and первый и второй изолирующие слои с низким показателем преломления, каждый из которых имеет показатель преломления, меньший, чем показатели преломления обоих из упомянутого первого участка и упомянутого второго участка, и окружают упомянутый элемент,the first and second insulating layers with a low refractive index, each of which has a refractive index less than the refractive indices of both of said first section and said second section, and surround said element, и при этом толщина каждого из упомянутых первого и второго изолирующих слоев с высоким показателем преломления меньше, чем толщина каждого из упомянутых первого и второго изолирующих слоев с низким показателем преломления,and wherein the thickness of each of said first and second high refractive index insulating layers is less than the thickness of each of said first and second low refractive index insulating layers, и при этом упомянутый первый изолирующий слой с низким показателем преломления расположен между упомянутым первым изолирующим слоем с низким показателем преломления и упомянутым вторым изолирующим слоем с низким показателем преломления,and wherein said first low refractive index insulating layer is located between said first low refractive index insulating layer and said second low refractive index insulating layer, и упомянутый первый изолирующий слой с низким показателем преломления расположен в пределах упомянутой некоторой плоскости, а упомянутый второй изолирующий слой с низким показателем преломления расположен в пределах упомянутой другой плоскости, и при этом толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой другой плоскости является равной или меньшей половины толщины упомянутого второго участка в пределах упомянутой некоторой плоскости.and said first insulating layer with a low refractive index is located within said certain plane, and said second insulating layer with a low refractive index is located within said other plane, and wherein the thickness of said second portion within said other plane is equal to or less than half the thickness said second portion within said plane. 13. Фотоэлектрический преобразующий элемент по любому из пп.2, 3, 5 и 6, в котором упомянутая изолирующая пленка включает в себя третий и четвертый изолирующие слои нитрида кремния, каждый из которых окружает упомянутый элемент и каждый имеет толщину, равную или большую чем 0,01 мкм, а также равную или меньшую чем 0,10 мкм, причем первый изолирующий слой расположен между упомянутым третьим изолирующим слоем и упомянутым четвертым изолирующим слоем, а толщина упомянутого второго участка в пределах упомянутой другой плоскости равна или меньше, чем половина толщины упомянутого второго участка в пределах упомянутой некоторой плоскости.13. The photovoltaic conversion element according to any one of claims 2, 3, 5, and 6, wherein said insulating film includes third and fourth insulating layers of silicon nitride, each of which surrounds said element and each has a thickness equal to or greater than 0 , 01 μm, as well as equal to or less than 0.10 μm, the first insulating layer being located between said third insulating layer and said fourth insulating layer, and the thickness of said second section within said other plane is equal to or less than olovina thickness of said second portion within said certain plane. 14. Фотоэлектрический преобразующий элемент по любому из пп.1-3, в котором упомянутый элемент включает в себя третий участок, имеющий тот же стехиометрический состав, что и упомянутый второй участок, и имеющий показатель преломления выше, чем показатель преломления упомянутого первого участка, между упомянутым первым участком и упомянутым участком фотоэлектрического преобразования, или14. The photovoltaic conversion element according to any one of claims 1 to 3, in which said element includes a third region having the same stoichiometric composition as said second region and having a refractive index higher than the refractive index of said first region, between said first portion and said portion of the photoelectric conversion, or фотоэлектрический преобразующий элемент по любому из пп.4 - 6, в котором упомянутый элемент для создания светового тракта к упомянутому участку фотоэлектрического преобразования включает в себя третий участок, имеющий тот же стехиометрический состав, что и упомянутый второй участок, и также имеющий меньший показатель преломления меньше, чем показатель преломления упомянутого первого участка, между упомянутым первым участком и упомянутым участком фотоэлектрического преобразования.the photoelectric conversion element according to any one of claims 4 to 6, wherein said element for creating a light path to said photoelectric conversion section includes a third section having the same stoichiometric composition as said second section and also having a lower refractive index less than the refractive index of said first section, between said first section and said photoelectric conversion section. 15. Фотоэлектрический преобразующий элемент по любому из пп.1-6, в котором упомянутый второй участок находится в контакте с упомянутой изолирующей пленкой, или между упомянутым вторым участком и упомянутой изолирующей пленкой предусмотрен слой с низким показателем преломления, имеющий меньший показатель преломления, чем показатель преломления упомянутого второго участка.15. The photovoltaic conversion element according to any one of claims 1 to 6, wherein said second portion is in contact with said insulating film, or a layer with a low refractive index having a lower refractive index than the index is provided between said second portion and said insulating film refraction of said second portion. 16. Фотоэлектрический преобразующий элемент по любому из пп.1-6, содержащий16. The photovoltaic conversion element according to any one of claims 1 to 6, containing слой с высоким показателем преломления, имеющий стехиометрический состав, отличающийся от упомянутого второго участка, и имеющий больший показатель преломления, чем показатель преломления упомянутого второго участка, между упомянутым вторым участком и упомянутой изолирующей пленкой.a high refractive index layer having a stoichiometric composition different from said second portion and having a greater refractive index than the refractive index of said second portion between said second portion and said insulating film. 17. Фотоэлектрический преобразующий элемент по любому из пп.1-6, в котором ширина упомянутого элемента в пределах упомянутой другой плоскости меньше, чем ширина упомянутого элемента в пределах упомянутой некоторой плоскости, причем упомянутый второй участок неразрывно простирается вдоль упомянутой изолирующей пленки между упомянутой некоторой плоскостью и упомянутой другой плоскостью, а толщина упомянутого второго участка непрерывно уменьшается по мере приближения упомянутого второго участка к упомянутой светоприемной поверхности.17. The photovoltaic conversion element according to any one of claims 1 to 6, in which the width of said element within said other plane is less than the width of said element within said certain plane, said second portion extending inextricably along said insulating film between said certain plane and said other plane, and the thickness of said second section continuously decreases as the said second section approaches said light-receiving surface. 18. Фотоэлектрический преобразующий элемент по любому из пп.1-3, в котором предусмотрена прозрачная пленка, которая имеет тот же стехиометрический состав, что и упомянутый первый участок и простирается от верха упомянутого элемента до верха упомянутой изолирующей пленки,18. The photovoltaic conversion element according to any one of claims 1 to 3, in which a transparent film is provided, which has the same stoichiometric composition as said first portion and extends from the top of said element to the top of said insulating film, и при этом упомянутая прозрачная пленка включает в себяand wherein said transparent film includes первую область, выполненную неразрывной с упомянутым вторым участком, иa first region inextricable with said second region, and вторую область, выполненную неразрывной с упомянутым первым участком,a second region inextricable with said first region, и при этом упомянутая первая область окружает упомянутую вторую область в пределах плоскости, параллельной упомянутой светоприемной поверхности,and wherein said first region surrounds said second region within a plane parallel to said light receiving surface, и при этом показатель преломления упомянутой первой области выше, чем показатель преломления упомянутой второй области, илиand wherein the refractive index of said first region is higher than the refractive index of said second region, or фотоэлектрический преобразующий элемент по любому из пп.4-6, в котором предусмотрена прозрачная пленка, которая имеет тот же стехиометрический состав, что и упомянутый первый участок, и простирается от верха упомянутого элемента до верха упомянутой изолирующей пленки,the photoelectric conversion element according to any one of claims 4 to 6, wherein a transparent film is provided that has the same stoichiometric composition as said first portion and extends from the top of said element to the top of said insulating film, и при этом упомянутая прозрачная пленка включает в себяand wherein said transparent film includes первую область, выполненную неразрывной с упомянутым вторым участком, иa first region inextricable with said second region, and вторую область, выполненную неразрывной с упомянутым первым участком,a second region inextricable with said first region, и при этом упомянутая первая область окружает упомянутую вторую область в пределах плоскости, параллельной упомянутой светоприемной поверхности,and wherein said first region surrounds said second region within a plane parallel to said light receiving surface, и при этом показатель преломления упомянутой первой области больше, чем показатель преломления упомянутой второй области.and the refractive index of said first region is greater than the refractive index of said second region. 19. Фотоэлектрический преобразующий элемент по любому из пп.1-6, в котором предусмотрено множество слоев электропроводки, взаимно соединенных посредством штекерного слоя, в пределах упомянутой изолирующей пленки, а на стороне упомянутого участка фотоэлектрического преобразования, противоположной упомянутому элементу, предусмотрены первый слой тела линзы и второй слой тела линзы, расположенный между первым слоем тела линзы и упомянутым элементом.19. The photovoltaic conversion element according to any one of claims 1 to 6, in which there are many layers of electrical wiring mutually connected by a plug layer within said insulating film, and on the side of said portion of the photoelectric conversion opposite to said element, a first lens body layer is provided and a second layer of the lens body located between the first layer of the lens body and said element. 20. Фотоэлектрический преобразующий элемент по п.1 или 7, в котором материалами упомянутого первого участка и упомянутого второго участка является нитрид кремния или смолы.20. The photovoltaic conversion element according to claim 1 or 7, wherein the materials of said first portion and said second portion are silicon nitride or resin. 21. Фотоэлектрическое преобразующее устройство, в котором скомпоновано множество пикселей, соответствующих фотоэлектрическим преобразующим элементам по п.1 или 7, а интервал осей, проходящих через упомянутый первый участок в пределах упомянутой некоторой плоскости и упомянутой другой плоскости перпендикулярно упомянутой светоприемной поверхности каждого из взаимно соседних фотоэлектрических преобразующих элементов, равен или меньше чем 5,0 мкм.21. The photovoltaic conversion device, in which a plurality of pixels are arranged corresponding to the photovoltaic conversion elements according to claim 1 or 7, and the interval of axes passing through said first portion within said plane and said other plane perpendicular to said light receiving surface of each of the mutually adjacent photoelectric converting elements equal to or less than 5.0 microns. 22. Фотоэлектрическое преобразующее устройство, в котором скомпоновано множество пикселей, соответствующих фотоэлектрическим преобразующим элементам по п.8, а интервал осей, проходящих через упомянутый первый участок в пределах упомянутой некоторой плоскости и упомянутой другой плоскости перпендикулярно упомянутой светоприемной поверхности каждого из взаимно соседних фотоэлектрических преобразующих элементов, равен или меньше чем 5,0 мкм.22. A photovoltaic converting device in which a plurality of pixels are arranged corresponding to the photovoltaic converting elements of claim 8, and an interval of axes passing through said first portion within said certain plane and said other plane perpendicular to said light receiving surface of each of mutually adjacent photovoltaic converting elements is equal to or less than 5.0 microns. 23. Фотоэлектрическое преобразующее устройство, в котором скомпоновано множество пикселей, соответствующих фотоэлектрическим преобразующим элементам по п.10, а интервал осей, проходящих через упомянутый первый участок в пределах упомянутой некоторой плоскости и упомянутой другой плоскости перпендикулярно упомянутой светоприемной поверхности каждого из взаимно соседних фотоэлектрических преобразующих элементов, равен или меньше чем 5,0 мкм.23. A photovoltaic converting device in which a plurality of pixels are arranged corresponding to the photovoltaic converting elements of claim 10, and an interval of axes passing through said first portion within said said plane and said other plane perpendicular to said light receiving surface of each of mutually adjacent photovoltaic converting elements is equal to or less than 5.0 microns. 24. Фотоэлектрическое преобразующее устройство, в котором скомпоновано множество пикселей, соответствующих фотоэлектрическим преобразующим элементам по п.12, а интервал осей, проходящих через упомянутый первый участок в пределах упомянутой некоторой плоскости и упомянутой другой плоскости перпендикулярно упомянутой светоприемной поверхности каждого из взаимно соседних фотоэлектрических преобразующих элементов, равен или меньше чем 5,0 мкм.24. A photovoltaic converting device in which a plurality of pixels are arranged corresponding to the photovoltaic converting elements according to claim 12, and the interval of axes passing through said first portion within said certain plane and said other plane perpendicular to said light receiving surface of each of mutually adjacent photovoltaic converting elements is equal to or less than 5.0 microns. 25. Фотоэлектрическое преобразующее устройство, в котором скомпоновано множество пикселей, соответствующих фотоэлектрическим преобразующим элементам по п.13, а интервал осей, проходящих через упомянутый первый участок в пределах упомянутой некоторой плоскости и упомянутой другой плоскости перпендикулярно упомянутой светоприемной поверхности каждого из взаимно соседних фотоэлектрических преобразующих элементов, равен или меньше чем 5,0 мкм.25. A photovoltaic converting device in which a plurality of pixels are arranged corresponding to the photovoltaic converting elements according to claim 13, and the interval of axes passing through said first portion within said certain plane and said other plane perpendicular to said light receiving surface of each of mutually adjacent photovoltaic converting elements is equal to or less than 5.0 microns. 26. Фотоэлектрическое преобразующее устройство, в котором скомпоновано множество пикселей, соответствующих фотоэлектрическим преобразующим элементам по п.17, а интервал осей, проходящих через упомянутый первый участок в пределах упомянутой некоторой плоскости и упомянутой другой плоскости перпендикулярно упомянутой светоприемной поверхности каждого из взаимно соседних фотоэлектрических преобразующих элементов, равен или меньше чем 5,0 мкм.26. A photovoltaic converting device in which a plurality of pixels are arranged corresponding to the photovoltaic converting elements according to claim 17, and the interval of axes passing through said first portion within said certain plane and said other plane perpendicular to said light receiving surface of each of mutually adjacent photovoltaic converting elements is equal to or less than 5.0 microns. 27. Система для считывания изображений, содержащая27. A system for reading images containing фотоэлектрическое преобразующее устройство, в котором скомпоновано множество фотоэлектрических преобразующих элементов, по п.19, иA photovoltaic conversion device in which a plurality of photovoltaic conversion elements are arranged according to claim 19, and устройство для обработки сигналов, куда вводится сигнал, выдаваемый из упомянутого фотоэлектрического преобразующего устройства, и где упомянутый сигнал обрабатывается.a signal processing device where a signal output from said photoelectric conversion device is inputted, and where said signal is processed. 28. Система для считывания изображений, содержащая28. A system for reading images containing фотоэлектрическое преобразующее устройство, в котором скомпоновано множество фотоэлектрических преобразующих элементов, по любому из пп.1-7 и 10, иa photovoltaic conversion device in which a plurality of photovoltaic conversion elements are arranged according to any one of claims 1 to 7 and 10, and устройство для обработки сигналов, куда вводится электрический сигнал, выдаваемый из упомянутого фотоэлектрического преобразующего устройство, и где упомянутый сигнал обрабатывается. a signal processing device where an electrical signal output from said photoelectric conversion device is inputted, and where said signal is processed.
RU2012104520/28A 2011-02-09 2012-02-08 Photoelectric conversion element, photoelectric conversion device and image reading system RU2497234C2 (en)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-026344 2011-02-09
JP2011026344 2011-02-09
JP2012-000681 2012-01-05
JP2012000680A JP5888985B2 (en) 2011-02-09 2012-01-05 Photoelectric conversion element, photoelectric conversion device using the same, and imaging system
JP2012-000680 2012-01-05
JP2012000681A JP5274678B2 (en) 2011-02-09 2012-01-05 Photoelectric conversion element, photoelectric conversion device using the same, and imaging system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012104520A true RU2012104520A (en) 2013-08-20
RU2497234C2 RU2497234C2 (en) 2013-10-27

Family

ID=47013343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012104520/28A RU2497234C2 (en) 2011-02-09 2012-02-08 Photoelectric conversion element, photoelectric conversion device and image reading system

Country Status (3)

Country Link
JP (3) JP5888985B2 (en)
BR (1) BR102012002806B1 (en)
RU (1) RU2497234C2 (en)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6120094B2 (en) 2013-07-05 2017-04-26 ソニー株式会社 Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP6444066B2 (en) * 2014-06-02 2018-12-26 キヤノン株式会社 Photoelectric conversion device and imaging system
JP6425427B2 (en) * 2014-06-16 2018-11-21 キヤノン株式会社 Photoelectric conversion device, method of manufacturing the same, imaging system
KR102356695B1 (en) * 2014-08-18 2022-01-26 삼성전자주식회사 Image sensor having light guide members
US20160211390A1 (en) * 2015-01-16 2016-07-21 Personal Genomics, Inc. Optical Sensor with Light-Guiding Feature and Method for Preparing the Same
JP2017069553A (en) 2015-09-30 2017-04-06 キヤノン株式会社 Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and camera
JP6711692B2 (en) 2016-05-24 2020-06-17 キヤノン株式会社 Photoelectric conversion device and image reading device
JP6895724B2 (en) * 2016-09-06 2021-06-30 キヤノン株式会社 Image sensor and image sensor
JP6929057B2 (en) 2016-12-27 2021-09-01 キヤノン株式会社 Photoelectric conversion element, imaging system
JP6905191B2 (en) * 2017-09-14 2021-07-21 日本電信電話株式会社 Lens and compound eye lens
RU2688863C1 (en) * 2018-07-11 2019-05-22 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) Semiconductor device manufacturing method
RU2694160C1 (en) * 2018-11-29 2019-07-09 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" Semiconductor device manufacturing method

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2833941B2 (en) * 1992-10-09 1998-12-09 三菱電機株式会社 Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
JP3620237B2 (en) * 1997-09-29 2005-02-16 ソニー株式会社 Solid-state image sensor
JP3672085B2 (en) * 2000-10-11 2005-07-13 シャープ株式会社 Solid-state imaging device and manufacturing method thereof
JP2004133446A (en) * 2002-09-20 2004-04-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical module and its manufacturing method
JP4427949B2 (en) * 2002-12-13 2010-03-10 ソニー株式会社 Solid-state imaging device and manufacturing method thereof
JP2004221487A (en) * 2003-01-17 2004-08-05 Sharp Corp Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR100689885B1 (en) * 2004-05-17 2007-03-09 삼성전자주식회사 The CMOS image sensor for improving the photo sensitivity and and method thereof
JP2006191000A (en) * 2004-12-08 2006-07-20 Canon Inc Photoelectric converter
US8013409B2 (en) * 2005-09-27 2011-09-06 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device and fabrication method therefor
JP2007305690A (en) * 2006-05-09 2007-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Element for solid-state image sensing device and method for manufacturing the same
JP2008103633A (en) * 2006-10-20 2008-05-01 Fujifilm Corp Solid-state imaging element
JP2008166677A (en) * 2006-12-08 2008-07-17 Sony Corp Solid-state imaging device, method of manufacturing same, and camera
JP5065691B2 (en) * 2007-01-16 2012-11-07 富士フイルム株式会社 Solid-state imaging device
JP2008192951A (en) * 2007-02-07 2008-08-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Solid state imaging apparatus and manufacturing method thereof
JP4705067B2 (en) * 2007-04-10 2011-06-22 日本電信電話株式会社 3D crossed waveguide
JP5055033B2 (en) * 2007-06-14 2012-10-24 富士フイルム株式会社 Solid-state image sensor
JP2010123745A (en) * 2008-11-19 2010-06-03 Sony Corp Solid-state imaging device and camera
JP4730429B2 (en) * 2008-12-03 2011-07-20 ソニー株式会社 Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and camera
JP2010182765A (en) * 2009-02-04 2010-08-19 Sony Corp Solid-state image pickup apparatus and electronic apparatus
JP5504695B2 (en) * 2009-05-29 2014-05-28 ソニー株式会社 Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus
JP2010287636A (en) * 2009-06-09 2010-12-24 Panasonic Corp Solid-state image sensor and method of manufacturing the same
JP2011023409A (en) * 2009-07-13 2011-02-03 Panasonic Corp Solid-state imaging device
JP2011023481A (en) * 2009-07-14 2011-02-03 Panasonic Corp Solid-state imaging device and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP5888985B2 (en) 2016-03-22
JP2012182436A (en) 2012-09-20
JP2012182435A (en) 2012-09-20
BR102012002806A2 (en) 2013-10-22
JP2013165297A (en) 2013-08-22
JP5274678B2 (en) 2013-08-28
JP5968261B2 (en) 2016-08-10
RU2497234C2 (en) 2013-10-27
BR102012002806B1 (en) 2020-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012104520A (en) PHOTOELECTRIC CONVERTER, PHOTOELECTRIC CONVERTER AND SYSTEM FOR READING IMAGES
CN109659377B (en) Single photon avalanche diode, manufacturing method, detector array and image sensor
CN108140125B (en) Optical fingerprint imaging system and area array sensor
RU2426195C1 (en) Photoelectric converter, imaging system
JP2012182435A5 (en)
US9042691B2 (en) Optical coupling module for silicon photonics chip
KR20170107066A (en) A fingerprint and long image collector having a honeycomb structure, and a terminal device
US20140339615A1 (en) Bsi cmos image sensor
JP2017028241A (en) Image sensor
JP2011205088A (en) Optical sensor, and electronic apparatus
JP2012199868A (en) Imaging apparatus
CN105280655A (en) Photoelectric conversion apparatus and imaging system
KR20120092047A (en) Photoelectric conversion element, and photoelectric conversion apparatus and image sensing system
US10347778B2 (en) Graded-index structure for optical systems
US20150214387A1 (en) Photodetector
KR20140143867A (en) CMOS image sensor
KR102189605B1 (en) Optical detector
WO2015037306A1 (en) Sensor unit
EP2437313A3 (en) Photovoltaic devices
JP2008311412A (en) Solid-state imaging element
CN103296042A (en) Backside-illuminated CMOS (complementary metal oxide semiconductor) image sensor and production method thereof
JP6039530B2 (en) Photoelectric conversion device and imaging system using the same
JP5821400B2 (en) Spectroscopic sensor and angle limiting filter
JP2010287627A (en) Solid-state imaging apparatus
JP2019047037A (en) Photodetector