RU2012104392A - Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах - Google Patents
Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012104392A RU2012104392A RU2012104392/28A RU2012104392A RU2012104392A RU 2012104392 A RU2012104392 A RU 2012104392A RU 2012104392/28 A RU2012104392/28 A RU 2012104392/28A RU 2012104392 A RU2012104392 A RU 2012104392A RU 2012104392 A RU2012104392 A RU 2012104392A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- resonators
- vol
- inert gas
- acoustic waves
- manufacturing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах, включающий травление кварцевой подложки, нанесение металлизации на подложку, изготовление структур резонаторов, монтаж резонаторов в корпуса и проведение сухой обработки в две стадии, отличающийся тем, что на первой стадии проводят процесс удаления органических остатков с поверхности резонаторов в плазме смеси кислорода и инертного газа, при этом в качестве инертного газа используют или гелий, или неон, или аргон при плотности ВЧ-мощности от 0,02 до 0,08 Вт/сми при давлении от 80 до 150 Па, содержании кислорода от 3 до 15 об.%, содержании инертного газа - от 85 до 97 об.%, а на второй стадии проводят процесс настройки частоты резонаторов путем реактивного ионно-лучевого травления во фторсодержащем разряде.
Claims (1)
- Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах, включающий травление кварцевой подложки, нанесение металлизации на подложку, изготовление структур резонаторов, монтаж резонаторов в корпуса и проведение сухой обработки в две стадии, отличающийся тем, что на первой стадии проводят процесс удаления органических остатков с поверхности резонаторов в плазме смеси кислорода и инертного газа, при этом в качестве инертного газа используют или гелий, или неон, или аргон при плотности ВЧ-мощности от 0,02 до 0,08 Вт/см3 и при давлении от 80 до 150 Па, содержании кислорода от 3 до 15 об.%, содержании инертного газа - от 85 до 97 об.%, а на второй стадии проводят процесс настройки частоты резонаторов путем реактивного ионно-лучевого травления во фторсодержащем разряде.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012104392/28A RU2494499C1 (ru) | 2012-02-09 | 2012-02-09 | Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012104392/28A RU2494499C1 (ru) | 2012-02-09 | 2012-02-09 | Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012104392A true RU2012104392A (ru) | 2013-08-20 |
| RU2494499C1 RU2494499C1 (ru) | 2013-09-27 |
Family
ID=49162425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012104392/28A RU2494499C1 (ru) | 2012-02-09 | 2012-02-09 | Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2494499C1 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2643501C1 (ru) * | 2017-05-29 | 2018-02-01 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Радар ммс" | Резонатор на поверхностных акустических волнах |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1228722A3 (ru) * | 1984-08-24 | 1994-02-28 | Алейникова Елизавета Абрамовна | Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах |
| GB2235533B (en) * | 1989-08-11 | 1994-02-09 | Stc Plc | Piezoelectric sensor device |
| SU1762726A1 (ru) * | 1990-03-11 | 1997-02-10 | Научно-исследовательский институт "Пульсар" | Способ подстройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах |
| RU1762727C (ru) * | 1990-03-11 | 1994-03-30 | Кислякова Ольга Васильевна | Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах |
| US5039957A (en) * | 1990-05-07 | 1991-08-13 | Raytheon Company | High power surface acoustic wave devices having copper and titanium doped aluminum transducers and long-term frequency stability |
| JP2004297693A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイスの製造方法及び弾性表面波デバイス |
| JP4768520B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2011-09-07 | 太陽誘電株式会社 | 弾性表面波デバイス |
-
2012
- 2012-02-09 RU RU2012104392/28A patent/RU2494499C1/ru active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2494499C1 (ru) | 2013-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2009260297A5 (ru) | ||
| TW200624609A (en) | Apparatus for the optimization of atmospheric plasma in a plasma processing system | |
| JP2006041539A5 (ru) | ||
| TWI346358B (en) | High aspect ratio etch using modulation of rf powers of various frequencies | |
| TW200739719A (en) | Plasma etching method and computer-readable storage medium | |
| TW200608489A (en) | Plasma treatment method and plasma etching method | |
| CN111123665A (zh) | 一种声表面波器件等离子去胶方法 | |
| JP2007080850A5 (ru) | ||
| TW200802597A (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| JP2008300687A5 (ru) | ||
| TW200502718A (en) | Methods of removing photoresist from substrates | |
| TW200723968A (en) | Apparatus and methods for using high frequency chokes in a substrate deposition apparatus | |
| TW200509194A (en) | Plasma chamber having multiple RF source frequencies | |
| CN103972015A (zh) | 链式条件下的双频等离子发生器 | |
| RU2012104392A (ru) | Способ изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах | |
| JP2020102443A5 (ja) | プラズマ処理装置及びインピーダンスの整合方法 | |
| JP4408707B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2016092347A (ja) | エッチング方法 | |
| CN103578904B (zh) | 一种用于多腔室等离子处理装置的减少颗粒污染的方法 | |
| CN103646854A (zh) | 一种改善基于Cr掩模刻蚀工艺的方法 | |
| ATE358329T1 (de) | Vorrichtung zur plasmagestützten bearbeitung von oberflächen planarer substrate | |
| ATE509135T1 (de) | Verfahren zur herstellung von vakuum-plasma behandelten werkstücken | |
| JP2002289535A (ja) | プラズマ気相化学堆積装置のクリーニング方法 | |
| KR20200084055A (ko) | 탄소 기반 막의 공간적으로 선택적인 애싱 (ashing) 을 사용하여 증착 유도된 CD 불균형을 개선하는 방법 | |
| JP2016051846A5 (ru) |