JP4408707B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
N.yasui,M.Sumiya,H.Tamura and S.Watanabe:"Energy Control of Ions Incident to Wafer by Using Active Bias",2003 Dry Process International Symposium予稿集p.37−42
以下、本発明のプラズマ処理装置の実施例について、図1から図7を用いて説明する。図1は、実施例のエッチング装置の断面図である。図2は、静電チャックの説明図である。図3は、バイアス電圧をウェハに加える回路構成の説明図である。図4は、バイアス電圧をウェハに加える回路構成の説明図である。図5は、バイアス電圧をウェハに加える回路構成の説明図である。図6は、バイアス電圧をウェハに加える回路構成の回路定数の一例の説明図である。図7は、バイアス電圧各部の電圧波形の一例の説明図である。
0102…………自動整合機
0103…………同軸線路
0104…………円盤アンテナ
0105…………誘電体窓
0106…………処理室
0107…………シャワー板
0108…………静磁界発生装置
0109…………被処理基板
0110…………基板電極
0111…………波形整形ユニット
0112…………高周波電源
0201…………絶縁層
0202…………電極部
0203…………直流電源
0301…………伝送路のインピーダンス
0302…………負荷
0303…………高周波電源
0304…………波形整形ユニット
Claims (4)
- 被処理基板にバイアス電位を与えてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
バイアス電源の出力波形を前記被処理基板に伝送する経路で生じる波形歪みを補正する回路を有し、
前記バイアス電源の出力波形は矩形波であり、
前記波形歪みを補正する回路は、前記バイアス電源の基本周波数およびその高調波成分を通過域とするバンドパスフィルタを並列に接続し、
前記バンドパスフィルタのインピーダンスは、前記バイアス電源の基本周波数またはその高調波成分において、前記バイアス電源と前記被処理基板間のインピーダンスに対し、絶対値が同じで、位相が180度異なることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記バイアス電源と前記被処理基板間のインピーダンスは容量性または誘導性であり、前記波形歪みを補正する回路を該インピーダンスに直列に接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項2記載のプラズマ処理装置において、
前記バイアス電源と前記被処理基板間のインピーダンスが容量性であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記バンドパスフィルタを誘導性素子と容量性素子の直列素子で構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
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