Claims (4)
1. Устройство для выращивания профилированных кристаллов тугоплавких соединений с продольными капиллярными каналами, включающее камеру роста, соединенную со средством подачи инертного газа и шток с затравкой, установленный над формообразователем с выполненным в нем кольцевым питающим капилляром и, по крайней мере, одним вертикальным каналом, расположенным в верхней части формообразователя, отличающееся тем, что тигель установлен с возможностью вертикального перемещения, в верхней части формообразователя параллельно торцевой поверхности выполнен сквозной канал, соединенный с каждым вертикальным каналом формообразователя, при этом диаметр сквозного канала составляет не менее 2,5 диаметра вертикального канала, а в нижней части формообразователя организована открытая для расплава буферная полость, соединенная с питающим капилляром.1. A device for growing shaped crystals of refractory compounds with longitudinal capillary channels, including a growth chamber connected to an inert gas supply means and a seed rod mounted above the former with an annular feed capillary and at least one vertical channel located therein in the upper part of the former, characterized in that the crucible is mounted with the possibility of vertical movement, in the upper part of the former parallel to the end face spine is formed a through channel connected with each vertical channel shaper, wherein the through bore diameter is not less than 2.5 diameter of the vertical bore, and in the lower part of the shaper arranged to open melt buffer cavity connected to a feed capillary.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что объем буферной полости составляет не менее 1,35 объема выращиваемого кристалла длиной не менее 12 мм.2. The device according to claim 1, characterized in that the volume of the buffer cavity is at least 1.35 of the volume of the grown crystal with a length of at least 12 mm.
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что буферная полость содержит элементы наполнителя в виде фольги или проволоки.3. The device according to claim 1, characterized in that the buffer cavity contains filler elements in the form of foil or wire.
4. Способ выращивания профилированных кристаллов тугоплавких соединений с продольными капиллярными каналами с использованием устройства, выполненного по п.1, включающий наполнение камеры роста инертным газом, расплавление загрузки в тигле, которое проводят в его нижнем положении без контакта расплава с нижним торцом формообразователя, после чего поднимают тигель и опускают затравку до соприкосновения с верхним торцом формообразователя, производят затравление, перемещают затравку вверх, затем осуществляют разращивание кристалла, после которого опускают тигель до отрыва расплава в тигле от нижнего торца формообразователя, далее осуществляют рост кристалла из расплава, содержащегося в буферной полости, при этом освобождают сквозной канал формообразователя от расплава и формируют продольные каналы в кристалле, а после образования продольных каналов в растущем кристалле тигель вновь поднимают и погружают нижний торец формообразователя в расплав до соединения расплава в тигле с капиллярами формообразователя, после чего во время роста кристалла поддерживают максимальное расстояние от верхнего торца формообразователя до уровня расплава в тигле.
4. A method of growing shaped crystals of refractory compounds with longitudinal capillary channels using the device made according to claim 1, comprising filling the growth chamber with inert gas, melting the charge in the crucible, which is carried out in its lower position without contact of the melt with the lower end of the former, then raise the crucible and lower the seed until it touches the upper end of the former, make the seed, move the seed up, then grow the crystal, which the crucible is lowered to melt in the crucible from the bottom of the former, then the crystal is grown from the melt contained in the buffer cavity, the through channel of the former is freed from the melt and longitudinal channels are formed in the crystal, and after the longitudinal channels are formed in the growing crystal, the crucible the lower end of the former is again lifted and immersed in the melt until the melt in the crucible is joined with the capillaries of the former, after which the maximum is maintained during crystal growth distance from the upper end of the former to the level of the melt in the crucible.