RU2011154216A - Антенна терагерцового частотного диапазона - Google Patents
Антенна терагерцового частотного диапазона Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011154216A RU2011154216A RU2011154216/28A RU2011154216A RU2011154216A RU 2011154216 A RU2011154216 A RU 2011154216A RU 2011154216/28 A RU2011154216/28 A RU 2011154216/28A RU 2011154216 A RU2011154216 A RU 2011154216A RU 2011154216 A RU2011154216 A RU 2011154216A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- terahertz frequency
- semiconductor film
- antenna
- frequency range
- antenna according
- Prior art date
Links
- 241000011102 Thera Species 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000002198 surface plasmon resonance spectroscopy Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/42—Absorption spectrometry; Double beam spectrometry; Flicker spectrometry; Reflection spectrometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0205—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
- G01J3/0237—Adjustable, e.g. focussing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0256—Compact construction
- G01J3/0259—Monolithic
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3563—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing solids; Preparation of samples therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3581—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Details Of Aerials (AREA)
Abstract
1. Антенна терагерцового частотного диапазона, содержащая:полупроводниковую пленку (3), имеющую поверхность, приспособленную для проявления поверхностных плазмонов в терагерцовом частотном диапазоне,при этом поверхность полупроводниковой пленки (3) структурируется для образования конструкции антенны (4), выполненной с возможностью поддержки локализованных поверхностных плазменных резонансов в терагерцовом частотном диапазоне, при этом полупроводниковая пленка (3) предоставляется на пьезоэлектрическом материале (10).2. Антенна терагерцового частотного диапазона по п.1, в которой конструкция антенны (4) содержит по меньшей мере два элемента (4а, 4b), структурированные в или на поверхности полупроводниковой пленки (3) и разнесенные друг от друга в направлении параллельно поверхности полупроводниковой пленки на зазор (g).3. Антенна терагерцового частотного диапазона по п.2, в которой зазор (g) имеет ширину (Δ) в диапазоне между 10 нм и 10 мкм, предпочтительно между 50 нм и 200 нм.4. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из предшествующих пунктов, в которой конструкция антенны (4) состоит из такого же материала, как и полупроводниковая пленка (3).5. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что функционализированная поверхность, приспособленная для присоединения заранее установленных молекул, предоставляется в области около конструкции антенны (4) и/или область около зазора (g).6. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, в которой полупроводниковая пленка (3) имеет толщину в диапазоне между 0,5 мкм и 300 мкм, предпочтительно между 0,5 мкм и 100 мкм.7. Антенна тераге�
Claims (15)
1. Антенна терагерцового частотного диапазона, содержащая:
полупроводниковую пленку (3), имеющую поверхность, приспособленную для проявления поверхностных плазмонов в терагерцовом частотном диапазоне,
при этом поверхность полупроводниковой пленки (3) структурируется для образования конструкции антенны (4), выполненной с возможностью поддержки локализованных поверхностных плазменных резонансов в терагерцовом частотном диапазоне, при этом полупроводниковая пленка (3) предоставляется на пьезоэлектрическом материале (10).
2. Антенна терагерцового частотного диапазона по п.1, в которой конструкция антенны (4) содержит по меньшей мере два элемента (4а, 4b), структурированные в или на поверхности полупроводниковой пленки (3) и разнесенные друг от друга в направлении параллельно поверхности полупроводниковой пленки на зазор (g).
3. Антенна терагерцового частотного диапазона по п.2, в которой зазор (g) имеет ширину (Δ) в диапазоне между 10 нм и 10 мкм, предпочтительно между 50 нм и 200 нм.
4. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из предшествующих пунктов, в которой конструкция антенны (4) состоит из такого же материала, как и полупроводниковая пленка (3).
5. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что функционализированная поверхность, приспособленная для присоединения заранее установленных молекул, предоставляется в области около конструкции антенны (4) и/или область около зазора (g).
6. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, в которой полупроводниковая пленка (3) имеет толщину в диапазоне между 0,5 мкм и 300 мкм, предпочтительно между 0,5 мкм и 100 мкм.
7. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, в которой полупроводниковая пленка (3) размещается на подложке (2), которая прозрачна для электромагнитного излучения в терагерцовом частотном диапазоне.
8. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, которая приспособлена для вставки между генератором терагерцовой частоты (5) и терагерцовым частотным детектором (6).
9. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, в которой пьезоэлектрический материал (10) используется в качестве пьезоэлектрической подложки или предоставляется в качестве пьезоэлектрического промежуточного слоя (10) между полупроводниковой пленкой (3) и подложкой (2).
10. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, в которой полупроводниковая пленка (3) содержит InSb или InAs в качестве основного вещества.
11. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, в которой конструкция антенны (4) организована так, что электрическое поле поверхностных плазмонных резонансов локально усиливается в области конструкции антенны.
12. Электронная система, функционирующая в терагерцовом частотном диапазоне, содержащая антенну терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-11.
13. Электронная система по п.12, где система является одной из системы обнаружения, системы связи, системы формирования изображений, системы обработки сигналов и системы модуляции света.
14. Система для нахождения отличий между терагерцовым сигналом и фоновым шумом, содержащая
модулятор, содержащий антенну терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-11, причем модулятор приспособлен для настройки и отстройки резонанса поверхностных плазмонов в области антенны терагерцового частотного диапазона путем изменения ширины зазора с заранее установленной частотой модуляции, и
детектор, управляемый по заранее установленной частоте модуляции.
15. Способ для настройки отклика антенны терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-11, где способ содержит этап, на котором:
настраивают отклик путем изменения геометрии конструкции антенны (4) или путем изменения характеристик материала полупроводниковой пленки (3).
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP09161766.2 | 2009-06-03 | ||
| EP09161766 | 2009-06-03 | ||
| EP09173166 | 2009-10-15 | ||
| EP09173166.1 | 2009-10-15 | ||
| PCT/EP2010/057846 WO2010139791A1 (en) | 2009-06-03 | 2010-06-04 | Thz frequency range antenna |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011154216A true RU2011154216A (ru) | 2013-07-20 |
| RU2528243C2 RU2528243C2 (ru) | 2014-09-10 |
Family
ID=42370888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011154216/28A RU2528243C2 (ru) | 2009-06-03 | 2010-06-04 | Антенна терагерцового частотного диапазона |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9040922B2 (ru) |
| EP (1) | EP2438410B1 (ru) |
| JP (1) | JP5632911B2 (ru) |
| CN (1) | CN102483350B (ru) |
| BR (1) | BRPI1009038A2 (ru) |
| RU (1) | RU2528243C2 (ru) |
| WO (1) | WO2010139791A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2545497C1 (ru) * | 2014-01-09 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ФГБОУ ВПО "СГГА") | Способ изготовления детекторов терагерцового диапазона |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2971594B1 (fr) * | 2011-02-14 | 2017-03-10 | Centre Nat Rech Scient | Modulateur terahertz |
| US8785855B2 (en) * | 2012-10-16 | 2014-07-22 | Uvic Industry Partnerships Inc. | Interlaced terahertz transceiver using plasmonic resonance |
| WO2014126789A1 (en) | 2013-02-14 | 2014-08-21 | The Government of the United State of America, as represented by the Secretary of the Navy | Actively tunable polar-dielectric optical devices |
| JP6196787B2 (ja) * | 2013-03-08 | 2017-09-13 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置、及びイメージングシステム |
| EP2824435B1 (en) * | 2013-07-11 | 2016-06-01 | FOM Institute for Atomic and Molecular Physics | Terahertz frequency sensing |
| US9966668B1 (en) | 2014-05-15 | 2018-05-08 | Rockwell Collins, Inc. | Semiconductor antenna |
| CN105204190A (zh) * | 2014-06-10 | 2015-12-30 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种基于低维电子等离子体波的太赫兹调制器及其制造方法 |
| CN104091837B (zh) * | 2014-06-13 | 2016-09-28 | 南京大学 | 一种基于光学天线的太赫兹探测器 |
| CN104502303B (zh) * | 2015-01-20 | 2017-05-31 | 中国人民解放军第三军医大学第一附属医院 | 用于快速帧检细菌的亚太赫兹纳米生物传感器及其检测方法 |
| CN104535479B (zh) * | 2015-01-20 | 2017-06-30 | 中国人民解放军第三军医大学第一附属医院 | 用于单个或少量细胞检测的亚太赫兹纳米生物传感器 |
| US10436632B2 (en) * | 2015-12-15 | 2019-10-08 | Tokyo Institute Of Technology | Terahertz detection sensor and terahertz image measurement device |
| EP3220133B1 (en) * | 2016-03-18 | 2020-04-01 | IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik | Sub thz to mid infrared tunable semiconductor plasmonics |
| DE102016206999A1 (de) | 2016-03-18 | 2017-09-21 | Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik | Sub-THz- bis Mittelinfrarot- durchstimmbare Halbleiterplasmonik |
| CN105870582B (zh) * | 2016-05-24 | 2017-07-18 | 深圳市太赫兹系统设备有限公司 | 太赫兹近场探测器、光电导天线及其制作方法 |
| JP7102526B2 (ja) * | 2017-09-07 | 2022-07-19 | アマースト カレッジ | スピン共鳴分光法のためのループギャップ共振器 |
| ES2866950T3 (es) | 2017-12-22 | 2021-10-20 | Fundacio Inst De Ciencies Fotòniques | Un dispositivo para operar con radiación de THz y/o de infrarrojos y/o de microondas |
| CN109459143B (zh) * | 2018-11-12 | 2020-02-07 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 基于等离激元及压电薄膜温度频率特性的红外传感器 |
| CN109459146B (zh) * | 2018-11-12 | 2020-02-07 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种基于压电谐振器的非制冷红外探测器的制备方法 |
| RU202634U1 (ru) * | 2020-03-23 | 2021-03-01 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ) | Низкопрофильная диэлектрическая антенна терагерцового диапазона |
| US11888233B2 (en) * | 2020-04-07 | 2024-01-30 | Ramot At Tel-Aviv University Ltd | Tailored terahertz radiation |
| RU201847U1 (ru) * | 2020-10-21 | 2021-01-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Сибирский государственный университет геосистем и технологий» (СГУГиТ) | Фотопроводящая антенная решетка |
| CN116666949B (zh) * | 2023-06-07 | 2024-05-28 | 广东工业大学 | 一种谐振体耦合增强的光电导天线 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5034753A (en) * | 1989-06-01 | 1991-07-23 | Weber Robert J | Acoustically coupled antenna |
| US6018289A (en) | 1995-06-15 | 2000-01-25 | Sekura; Ronald D. | Prescription compliance device and method of using device |
| US5729017A (en) | 1996-05-31 | 1998-03-17 | Lucent Technologies Inc. | Terahertz generators and detectors |
| RU2173837C2 (ru) * | 1999-11-17 | 2001-09-20 | Российский Университет Дружбы Народов | Широкополосный спектрометр поверхностных электромагнитных волн |
| US6560165B1 (en) | 2000-03-28 | 2003-05-06 | Diane K. Barker | Medical information appliance |
| US6771174B2 (en) | 2001-01-24 | 2004-08-03 | Intel Corporation | Digital pillbox |
| AT411503B8 (de) * | 2002-02-28 | 2004-05-25 | Femtolasers Produktions Gmbh | Einrichtung zur erzeugung von terahertz-strahlung sowie halbleiterbauelement |
| GB2392782B (en) | 2002-09-04 | 2005-07-13 | Teraview Ltd | An Antenna |
| ATE556986T1 (de) * | 2003-04-04 | 2012-05-15 | Vp Holding Llc | Verfahren und vorrichtung für verbessertes nanospektroskopisches scannen |
| JP4095486B2 (ja) * | 2003-04-18 | 2008-06-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | テラヘルツ電磁波対応ウェハ、テラヘルツ発生検出デバイス及びそれらの製造方法 |
| JP2006010319A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | テラヘルツ電磁波発生・検出装置 |
| US7607431B1 (en) | 2005-02-11 | 2009-10-27 | Cruitt Stanley L | Medical reminder device suited for use with nebulizers |
| JP4432822B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2010-03-17 | 船井電機株式会社 | 形状可変ミラー及びそれを備えた光ピックアップ装置 |
| RU2318192C1 (ru) * | 2006-06-09 | 2008-02-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) | Плазмонный спектрометр терагерцового диапазона для исследования проводящей поверхности |
| JP5035618B2 (ja) * | 2006-12-05 | 2012-09-26 | 独立行政法人理化学研究所 | 電磁波を用いた検出方法、及び検出装置 |
| CA2680478A1 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-12 | University Of Virginia Patent Foundation | Method of local electro-magnetic field enhancement of terahertz (thz) radiation in sub wavelength regions and improved coupling of radiation to materials through the use of the discontinuity edge effect |
| JP4944695B2 (ja) * | 2007-07-18 | 2012-06-06 | 株式会社アドバンテスト | 光学素子 |
-
2010
- 2010-06-04 BR BRPI1009038A patent/BRPI1009038A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2010-06-04 US US13/375,776 patent/US9040922B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-04 JP JP2012513634A patent/JP5632911B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-04 EP EP10724771.0A patent/EP2438410B1/en not_active Not-in-force
- 2010-06-04 WO PCT/EP2010/057846 patent/WO2010139791A1/en active Application Filing
- 2010-06-04 CN CN201080024703.8A patent/CN102483350B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-04 RU RU2011154216/28A patent/RU2528243C2/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2545497C1 (ru) * | 2014-01-09 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ФГБОУ ВПО "СГГА") | Способ изготовления детекторов терагерцового диапазона |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BRPI1009038A2 (pt) | 2016-03-08 |
| JP5632911B2 (ja) | 2014-11-26 |
| EP2438410A1 (en) | 2012-04-11 |
| EP2438410B1 (en) | 2017-04-26 |
| RU2528243C2 (ru) | 2014-09-10 |
| JP2012529168A (ja) | 2012-11-15 |
| US20120074323A1 (en) | 2012-03-29 |
| WO2010139791A1 (en) | 2010-12-09 |
| CN102483350B (zh) | 2014-10-29 |
| CN102483350A (zh) | 2012-05-30 |
| US9040922B2 (en) | 2015-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2011154216A (ru) | Антенна терагерцового частотного диапазона | |
| Cetin et al. | Accessible nearfields by nanoantennas on nanopedestals for ultrasensitive vibrational spectroscopy | |
| Rodrigo et al. | Mid-infrared plasmonic biosensing with graphene | |
| US10620343B2 (en) | Metamaterial for electromagnetic wave filter | |
| Degl’Innocenti et al. | Fast room-temperature detection of terahertz quantum cascade lasers with graphene-loaded bow-tie plasmonic antenna arrays | |
| WO2008151344A3 (de) | Verfahren und vorrichtung zum messen von magnetfeldern | |
| Dai et al. | Large-area, well-ordered, uniform-sized bowtie nanoantenna arrays for surface enhanced Raman scattering substrate with ultra-sensitive detection | |
| WO2017028794A1 (zh) | 太赫兹超材料 | |
| Yu et al. | Accelerating terahertz all-optical modulation by hot carriers effects of silver nanorods in PVA film | |
| Wu et al. | Optical modulation of terahertz behavior in silicon with structured surfaces | |
| Thuy et al. | Large-area cost-effective lithography-free infrared metasurface absorbers for molecular detection | |
| Zhang et al. | Surface-enhanced Raman scattering from bowtie nanoaperture arrays | |
| Liu et al. | Ultrabroadband electrically controllable terahertz modulation based on GaAs Schottky diode structure | |
| Yan et al. | Experimental study of plasmon in a grating coupled graphene device with a resonant cavity | |
| Wang et al. | Ultrafast terahertz transparency boosting in graphene meta-cavities | |
| Milekhin et al. | Nanoantenna structures for the detection of phonons in nanocrystals | |
| JP2010523961A5 (ru) | ||
| Li et al. | Polarization-independent and all-optically modulated multiband metamaterial coherent perfect absorber | |
| Wang et al. | High-sensitivity detection of trace imidacloprid and tetracycline hydrochloride by multi-frequency resonance metamaterials | |
| Choi et al. | Terahertz photonic applications of two-dimensional materials | |
| Li et al. | Active control of plasmon-induced transparency based on a GaAs/Si heterojunction in the terahertz range | |
| Li et al. | Optical properties of ordered Dot-on-Plate nano-sandwich arrays | |
| Mohadesi et al. | Radiation characteristics of leaky surface plasmon polaritons of graphene | |
| WO2011058502A3 (en) | Gas sensing device having a photonic structure operating by means of bloch surface waves and corresponding manufacturing process | |
| KR101695871B1 (ko) | ＴＨｚ 주파수 범위 안테나 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200605 |