RU2011149970A - Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов - Google Patents
Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011149970A RU2011149970A RU2011149970/02A RU2011149970A RU2011149970A RU 2011149970 A RU2011149970 A RU 2011149970A RU 2011149970/02 A RU2011149970/02 A RU 2011149970/02A RU 2011149970 A RU2011149970 A RU 2011149970A RU 2011149970 A RU2011149970 A RU 2011149970A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrodes
- crystal
- plates
- bidomain
- micromechanics
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
1. Способ получения монокристаллов сегнетоэлектриков с бидоменной структурой для устройств нанотехнологии и микромеханики, отличающийся тем, что на две плоскопараллельные грани кристалла, ориентированные под заданным углом к полярной оси, накладываются электроды в виде витков замкнутого контура и при нагреве до температуры фазового перехода (температуры Кюри) под действием неоднородного электрического поля электродов происходит формирование двух противоположно заряженных доменов равного объема с плоской междоменной границей.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный сегнетоэлектрический кристалл является монокристаллом ниобата лития LiNbO.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что электроды изготавливаются из палладиевой пасты и наносятся на пластины кристаллического корунда (сапфира).
Claims (3)
1. Способ получения монокристаллов сегнетоэлектриков с бидоменной структурой для устройств нанотехнологии и микромеханики, отличающийся тем, что на две плоскопараллельные грани кристалла, ориентированные под заданным углом к полярной оси, накладываются электроды в виде витков замкнутого контура и при нагреве до температуры фазового перехода (температуры Кюри) под действием неоднородного электрического поля электродов происходит формирование двух противоположно заряженных доменов равного объема с плоской междоменной границей.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный сегнетоэлектрический кристалл является монокристаллом ниобата лития LiNbO3.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что электроды изготавливаются из палладиевой пасты и наносятся на пластины кристаллического корунда (сапфира).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011149970/05A RU2492283C2 (ru) | 2011-12-08 | 2011-12-08 | Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011149970/05A RU2492283C2 (ru) | 2011-12-08 | 2011-12-08 | Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011149970A true RU2011149970A (ru) | 2013-06-20 |
| RU2492283C2 RU2492283C2 (ru) | 2013-09-10 |
Family
ID=48784984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011149970/05A RU2492283C2 (ru) | 2011-12-08 | 2011-12-08 | Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2492283C2 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EA032620B1 (ru) * | 2013-12-12 | 2019-06-28 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов сегнетоэлектриков |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2371746C1 (ru) * | 2008-05-21 | 2009-10-27 | ГОУ ВПО Уральский государственный университет им. А.М. Горького | Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика |
| RU2411561C1 (ru) * | 2009-09-29 | 2011-02-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер" | Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика |
-
2011
- 2011-12-08 RU RU2011149970/05A patent/RU2492283C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2492283C2 (ru) | 2013-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Mochizuki et al. | Theoretically predicted picosecond optical switching of spin chirality in multiferroics | |
| WO2013058410A3 (en) | Dust removing device and imaging device | |
| JP2015057767A5 (ru) | ||
| EP2517068A4 (en) | Image Stabilization and Shifting in a Liquid Crystal Lens | |
| JP2016513350A5 (ja) | 内部相変化材料を有する電池および前記電池の作動方法 | |
| JP2012230889A5 (ru) | ||
| WO2008033844A3 (en) | Multidomain plate acoustic wave devices | |
| CN104617215B (zh) | 一种可实现磁性薄膜磁矩非易失性取向的调制方法 | |
| WO2008039775A3 (en) | Systems and methods for electrically reducing ferroelectric materials to increase bulk conductivity | |
| WO2015029388A3 (en) | Optical low pass filter, image pickup device, and image pickup apparatus | |
| CN102593705A (zh) | 一种基于周期极化晶体实现固体激光器高重频电光调q的方法 | |
| RU2011149970A (ru) | Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов | |
| JP2011216940A5 (ru) | ||
| JP2007273976A5 (ru) | ||
| WO2014130119A3 (en) | Method of growth of lead zirconate titanate single crystals | |
| JP2014096330A5 (ru) | ||
| CN105256376A (zh) | 一种控制铁电单晶电致形变取向的方法 | |
| WO2009028348A1 (ja) | 積層型圧電／電歪素子の分極処理方法 | |
| RU2014105877A (ru) | Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов сегнетоэлектриков | |
| CN102983490B (zh) | 一种补偿走离和静态双折射的ktp调q参量双功能器件 | |
| RU2010148477A (ru) | Активные жидкокристаллические стереоочки | |
| RU2003122259A (ru) | Способ получения пьезоэлектрических монокристаллов с полидоменной структурой для устройств точного позиционирования | |
| RU2013134491A (ru) | Способ изготовления безгистерезисного актюатора с линейной пьезоэлектрической характеристикой | |
| US1798101A (en) | Orientation of component crystals in composite piezo-electric devices | |
| Ji et al. | Enlarged phase velocities of ultra-wideband surface acoustic wave devices with relaxor based ferroelectric single crystal/diamond layered structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20161209 |